JPH06104569A - Multilayer wiring board and production thereof - Google Patents

Multilayer wiring board and production thereof

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JPH06104569A
JPH06104569A JP27803492A JP27803492A JPH06104569A JP H06104569 A JPH06104569 A JP H06104569A JP 27803492 A JP27803492 A JP 27803492A JP 27803492 A JP27803492 A JP 27803492A JP H06104569 A JPH06104569 A JP H06104569A
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JP
Japan
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wiring
multilayer wiring
wiring board
multilayer
conductor
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Application number
JP27803492A
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Japanese (ja)
Inventor
Onori Kato
大典 加藤
Yukihiro Kimura
幸広 木村
Rokuro Kanbe
六郎 神戸
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PURPOSE:To produce a high density wiring board at low cost by composing the wiring conductor of a surface wiring located on the outer surface of a multilayer wiring layer and an internal wiring formed of thick film thereby reducing transmission loss of signal. CONSTITUTION:A multilayer wiring layer 3 is composed of a plurality of wiring layers, each having a wiring conductor 4 and a dielectric ceramic film 5, wherein an internal wiring 41 located in the multilayer wiring layer 3 is formed of a thick film of Cu including a conductive via. On the contrary, a surface wiring 42 located on the uppermost surface is formed of a thin film having three layer structure of Ti, Pd and Au. Transmission loss of signal can be sustained low because the internal wiring has a stabilized low resistance and a high density wiring board can be produced at low cost because the internal wiring is formed of a thick film.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板と、多
層配線層とが一体化した多層配線基板に関するものであ
り、高密度ICパッケージに好適に利用され得る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board in which a ceramic substrate and a multilayer wiring layer are integrated, and can be suitably used for a high density IC package.

【0002】[0002]

【従来の技術】高密度ICパッケージは、支持体を兼ね
るセラミック基板と、このセラミック基板の主表面に形
成された薄膜配線部とで構成されており、場合により更
にその上面の周縁部にコバール等からなる封止用枠体が
接合されたり、多層配線基板の裏面に多数のコバール等
からなるI/Oピンが接合されている。
2. Description of the Related Art A high density IC package is composed of a ceramic substrate which also serves as a support and a thin film wiring portion formed on the main surface of the ceramic substrate. The sealing frame made of is bonded, or a large number of I / O pins made of Kovar or the like are bonded to the back surface of the multilayer wiring board.

【0003】セラミック基板は、アルミナ等を主成分と
するセラミックスからなり、板形状の複数枚の絶縁層
と、各絶縁層の主表面に高融点金属にて形成された各種
配線パターンとを備えており、最上層は、薄膜配線を形
成するにあたって、露光時の焦点ボケを防止するために
研磨されて表面うねりが除去されている。
The ceramic substrate is made of ceramics containing alumina as a main component, and is provided with a plurality of plate-shaped insulating layers and various wiring patterns formed of refractory metal on the main surface of each insulating layer. In forming the thin film wiring, the uppermost layer is polished to remove surface waviness in order to prevent defocusing during exposure.

【0004】薄膜配線部は、ポリイミド等の有機質絶縁
材料、またはガラス、結晶化ガラス等の無機質絶縁材料
からなる複数枚の絶縁膜と、各絶縁膜の主表面にチタン
もしくはクロム等の活性金属、及び金、銅等の低抵抗金
属からなり、蒸着、スパッタリング、鍍金等の薄膜技術
にて形成された各種配線導体とを備えている。そして、
各絶縁膜には、層間の導通を図るために適宜導電ビアが
設けられている。ここで、活性金属は、絶縁膜との密着
性を良くするために蒸着、スパッタリング等されるもの
であるが、蒸着、スパッタリング等のみで十分な導体厚
みを確保するのは困難であることから、低抵抗金属が鍍
金されているのである。
The thin film wiring portion comprises a plurality of insulating films made of an organic insulating material such as polyimide or an inorganic insulating material such as glass or crystallized glass, and an active metal such as titanium or chromium on the main surface of each insulating film. And various wiring conductors made of a low resistance metal such as gold or copper and formed by a thin film technique such as vapor deposition, sputtering or plating. And
A conductive via is appropriately provided in each insulating film in order to achieve conduction between layers. Here, the active metal is vapor-deposited or sputtered in order to improve the adhesion to the insulating film, but it is difficult to secure a sufficient conductor thickness only by vapor-deposition or sputtering. The low resistance metal is plated.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の技
術において、ポリイミド等の有機質絶縁材料にて絶縁膜
を構成するものは、その有機質絶縁材料自体が非常に高
価であるに加えて、配線導体を必然的に薄膜技術で形成
しなければならない。このように薄膜技術にて配線導体
を成膜し、いわゆるフォトリソ技術にて配線パターンを
形成してなる薄膜配線は、その工程も長くコストの高い
手法である。従って、研磨コストと薄膜配線層の増加に
伴うコストとが加算されて著しいコスト高となる。
However, in the above-mentioned conventional technique, the insulating film is made of an organic insulating material such as polyimide, the organic insulating material itself is very expensive, and the wiring conductor is Must necessarily be formed by thin film technology. As described above, the thin-film wiring in which the wiring conductor is formed by the thin-film technology and the wiring pattern is formed by the so-called photolithography technology is a long process and a high cost method. Therefore, the polishing cost and the cost associated with the increase in the number of thin film wiring layers are added, resulting in a significant cost increase.

【0006】また、ガラス、結晶化ガラス等の無機質絶
縁材料にて絶縁膜を構成するものは、これら無機質絶縁
材料を含むペーストを塗布し焼成する際に、配線導体中
の活性金属と低抵抗金属とが拡散し合って、配線導体の
抵抗上昇及び固着強度劣化を招く。本発明の目的は、こ
のような従来技術の課題を解決し、低いコストで高密度
の配線層を備えた多層配線基板を提供することにある。
In the case where the insulating film is made of an inorganic insulating material such as glass or crystallized glass, the active metal in the wiring conductor and the low resistance metal are applied when the paste containing the inorganic insulating material is applied and fired. And are diffused with each other, leading to an increase in resistance of the wiring conductor and deterioration of the fixing strength. An object of the present invention is to solve such problems of the conventional art and to provide a multilayer wiring board having a high-density wiring layer at low cost.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】その手段は、セラミック
基板と、配線導体及びセラミック絶縁膜を有する配線層
が複数積層された多層配線層とが一体化した多層配線基
板において、前記配線導体は、多層配線層の外表面に位
置する表面配線と内部に位置する内部配線とを備え、内
部配線が、厚膜にて形成されていることを特徴とする多
層配線基板にある。
Means for Solving the Problem The means is a multilayer wiring board in which a ceramic substrate and a multilayer wiring layer in which a plurality of wiring layers each having a wiring conductor and a ceramic insulating film are laminated are integrated. A multilayer wiring board is characterized in that it has surface wiring positioned on the outer surface of the multilayer wiring layer and internal wiring positioned inside, and the internal wiring is formed of a thick film.

【0008】この多層配線基板において望ましいのは、
表面配線が薄膜にて形成されているものである。同じく
望ましいのは、セラミック絶縁膜が、コージェライト、
ムライト及び結晶化ガラスのうちから選ばれる少なくと
も1種以上を主成分とするものである。
What is desirable in this multilayer wiring board is
The surface wiring is formed of a thin film. Equally desirable is that the ceramic insulating film is cordierite,
The main component is at least one selected from mullite and crystallized glass.

【0009】このような多層配線基板を製造する一の手
段は、セラミック基板上に、配線導体及びセラミック絶
縁膜を有する配線層を複数積層して一体化するにあたっ
て、次の各工程を備えることを特徴とする。 (A)焼成により配線導体となるメタライズインクを、
所定の配線パターンにスクリーン印刷した後、焼成する
工程。 (B)焼成によりセラミック絶縁膜となる感光性ペース
トを塗布し、フォトマスクを通じて露光し現像した後、
焼成する工程。 上記の製造手段において望ましいのは、工程(A)〜
(B)を繰り返した後、表面に所定の配線パターンを薄
膜にて形成する方法である。
One means for manufacturing such a multilayer wiring board is to include the following steps in laminating and integrating a plurality of wiring layers having wiring conductors and ceramic insulating films on a ceramic substrate. Characterize. (A) A metallized ink that becomes a wiring conductor by firing,
A step of baking after screen-printing a predetermined wiring pattern. (B) A photosensitive paste to be a ceramic insulating film is applied by firing, exposed through a photomask and developed,
Step of firing. Desirable in the above manufacturing means is the step (A) to
This is a method of forming a predetermined wiring pattern as a thin film on the surface after repeating (B).

【0010】ここで、内部配線の厚膜導体となるメタラ
イズインクは、Cu,Ag,Ag/Pd混合物,Au,
Au/Pd混合物を主成分とするものが望ましい。ま
た、表面配線の薄膜導体としては、Ti及びPdを順に
スパッタリングし、その上にAu鍍金を施したものや、
Ti及びCuを順にスパッタリングし、その上にCu,
Ni及びAuの鍍金を順に施したもの、更に前記Tiと
Cuとの中間にMoをスパッタリングしたものが望まし
い。
Here, the metallization ink which becomes the thick film conductor of the internal wiring is Cu, Ag, Ag / Pd mixture, Au,
It is desirable that the main component is an Au / Pd mixture. As the thin film conductor of the surface wiring, Ti and Pd are sequentially sputtered, and Au plating is applied thereon,
Ti and Cu are sequentially sputtered, and Cu,
It is preferable that Ni and Au are plated in this order, and that Mo is sputtered between the Ti and Cu.

【0011】上記各製造手段において、スクリーン印刷
に用いるマスクとしては、線幅15〜25μm、紗厚2
0〜45μm、300〜400メッシュ、穴ピッチ60
〜90μm,乳剤厚10〜20μm、開口率40〜60
%の範囲のものが良い。
In each of the above manufacturing methods, the mask used for screen printing has a line width of 15 to 25 μm and a mesh thickness of 2
0-45 μm, 300-400 mesh, hole pitch 60
~ 90 μm, emulsion thickness 10-20 μm, aperture ratio 40-60
The range of% is good.

【0012】[0012]

【作用】多層配線層の内部配線が厚膜で形成されている
ので、焼成による熱履歴を受けても内部配線導体が拡散
して抵抗上昇を起こすことがない。また、メタライズイ
ンクをスクリーン印刷することにより、配線パターンを
形成するため、工程が短く低コストとなる。更に、セラ
ミック絶縁膜の原材料に感光性ペーストを用いると、そ
の厚さ方向を貫通する導電ビアを、露光現像といったフ
ォトリソ技術によって、微細且つ高精度に形成すること
ができる。尚、上記マスクを用いてメタライズインクを
スクリーン印刷することにより、フォトリソ技術で形成
したセラミックス絶縁膜の微細ピッチ及び高精度に見合
う配線パターンを容易に形成することができる。
Since the internal wiring of the multi-layered wiring layer is formed of a thick film, the internal wiring conductor does not diffuse and the resistance does not increase even if it receives a thermal history due to firing. Further, since the wiring pattern is formed by screen-printing the metallized ink, the process is short and the cost is low. Furthermore, when a photosensitive paste is used as the raw material of the ceramic insulating film, conductive vias penetrating in the thickness direction can be formed finely and highly accurately by a photolithography technique such as exposure and development. By screen-printing the metallization ink using the above mask, it is possible to easily form a fine wiring pattern of the ceramic insulating film formed by the photolithography technique and a wiring pattern matching the high precision.

【0013】一方、内部配線と異なり表面配線が薄膜で
形成されていると、導体表面が平坦となり、ICボンデ
ィング、TAB接合等の際にボンディングワイヤやTA
Bリードが滑ることがない。尚、表面配線は、熱履歴を
受けることがないので、薄膜で形成しても活性金属と低
抵抗金属との熱拡散による抵抗上昇のおそれがない。
On the other hand, unlike the internal wiring, when the surface wiring is formed of a thin film, the conductor surface becomes flat, and a bonding wire or TA is used during IC bonding, TAB bonding or the like.
B lead does not slip. Since the surface wiring is not subjected to heat history, even if it is formed of a thin film, there is no risk of resistance increase due to thermal diffusion between the active metal and the low resistance metal.

【0014】[0014]

【実施例】【Example】

−実施例1− [多層配線基板の構造]本発明の実施例にかかわる多層
配線基板を図面とともに説明する。図1は、多層配線基
板の断面図である。
-Example 1- [Structure of Multilayer Wiring Board] A multilayer wiring board according to an example of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a multilayer wiring board.

【0015】多層配線基板1は、セラミック基板2と、
その上の多層配線層3とが一体化したもので、その特性
インピーダンスは50Ωに設計されている。セラミック
基板2は、それ自体が内部配線を有する多層配線基板で
あっても良いし、内部配線を有しない単板であってもよ
い。
The multilayer wiring board 1 includes a ceramic board 2 and
It is integrated with the multilayer wiring layer 3 thereon, and its characteristic impedance is designed to be 50Ω. The ceramic substrate 2 may be a multilayer wiring substrate having internal wiring, or may be a single plate having no internal wiring.

【0016】多層配線層3は、配線導体4及びセラミッ
ク絶縁膜5を有する配線層6が複数積層されているもの
である。そして、配線導体4のうち、多層配線層3の内
部に位置する内部配線41は、直径50μmの導電ビア
も含めてCuよりなる厚さ10μm、幅50μmの厚膜
にて形成されている。
The multilayer wiring layer 3 is formed by laminating a plurality of wiring layers 6 each having a wiring conductor 4 and a ceramic insulating film 5. In the wiring conductor 4, the internal wiring 41 located inside the multilayer wiring layer 3 is formed of a thick film of Cu having a thickness of 10 μm and a width of 50 μm including a conductive via having a diameter of 50 μm.

【0017】一方、配線導体4のうち、最上面に位置す
る表面配線42は、内部配線41と同じ幅で、厚さ20
00オングストロームのTi、厚さ5000オングスト
ロームのPd及び厚さ2μmのAuの三層構造(図示省
略)よりなる薄膜にて形成されていて、その平坦度は、
>90%である。ここで、平坦度とは、図2に示すよう
なボンディングパッド断面形状において、配線導体42
の厚さをt、セラミック絶縁膜5の表面からの高さが
0.8tの幅をB、パッドの全幅をAとするとき、(B
/A)×100をもって定義した。ちなみに通常の厚膜
法の場合、平坦度は60〜80%と低い。また、セラミ
ック絶縁膜5は、ホウ珪酸鉛系ガラス及びアルミナから
なる誘電率8.8の結晶化ガラスにて形成されていて、
その厚さは、60μmである。
On the other hand, of the wiring conductors 4, the surface wiring 42 located at the uppermost surface has the same width as the internal wiring 41 and the thickness of 20.
It is formed of a thin film of a three-layer structure (not shown) of Ti of 00 angstrom, Pd of 5000 angstrom and Au of 2 μm in thickness, and its flatness is
> 90%. Here, the flatness means the wiring conductor 42 in the bonding pad cross-sectional shape as shown in FIG.
Where t is the thickness, B is the width of the ceramic insulating film 5 from the surface of 0.8 t, and A is the total width of the pad, (B
/ A) × 100. By the way, in the case of the normal thick film method, the flatness is as low as 60 to 80%. Further, the ceramic insulating film 5 is formed of crystallized glass having a dielectric constant of 8.8 made of lead borosilicate glass and alumina,
Its thickness is 60 μm.

【0018】[多層配線基板の製造方法]次に上記多層
配線基板の具体的製造方法を説明する。先ず、アルミナ
等のセラミックスを主成分とする5枚のグリーンシート
の各配線等を層間接続する導電ビアを打ち抜き加工し、
このビアにタングステンWもしくはモリブデンMo等の
金属ペーストを充填する。ビア充填されたグリーンシー
トの表面に、金属ペーストを所定パターンにスクリーン
印刷して、信号配線、電源配線、接地配線等の各種配線
パターン及びブレーズパッド(図示省略)を形成する。
そして、これらグリーンシートが積層され、熱圧着され
た後、1500度前後の高温で焼成されてセラミック基
板2が形成された。
[Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board] Next, a specific manufacturing method of the above multilayer wiring board will be described. First, punching out a conductive via that interconnects each wiring of the five green sheets whose main component is ceramics such as alumina.
The via is filled with a metal paste such as tungsten W or molybdenum Mo. A metal paste is screen-printed in a predetermined pattern on the surface of the via-filled green sheet to form various wiring patterns such as signal wiring, power wiring, and ground wiring, and a blaze pad (not shown).
Then, these green sheets were laminated, thermocompression-bonded, and then fired at a high temperature of about 1500 degrees to form the ceramic substrate 2.

【0019】次に、セラミック基板の主面に平均粒径2
μmのCuを主成分とする導体ペーストをスクリーン印
刷して接地配線パターンを形成した後、温度900℃で
焼成する。その上に、ホウ珪酸鉛系ガラス及びアルミナ
粉末を主成分とし感光性乳剤をも含有する感光性絶縁ペ
ーストを塗布する。所定パターンを有するフォトマスク
を通じて露光し、導電ビアとなる部分の感光性絶縁ペー
ストを現像液にて除去する。そして、920℃程度の温
度で焼成する。これにて第1配線層61が形成された。
Next, the average grain size of 2 is formed on the main surface of the ceramic substrate.
After forming a ground wiring pattern by screen-printing a conductive paste containing Cu as a main component of μm, it is fired at a temperature of 900 ° C. On top of that, a photosensitive insulating paste containing lead borosilicate glass and alumina powder as main components and also containing a photosensitive emulsion is applied. Exposure is performed through a photomask having a predetermined pattern, and the photosensitive insulating paste in the portion that will become the conductive via is removed with a developing solution. Then, it is fired at a temperature of about 920 ° C. As a result, the first wiring layer 61 is formed.

【0020】同様にして、第1配線層61の上に導体ペ
ーストをスクリーン印刷して信号配線パターンを形成
し、焼成し、その上に前記感光性絶縁ペーストを塗布
し、露光現像を行い、焼成することによって、第2配線
層62が形成された。
Similarly, a conductor paste is screen-printed on the first wiring layer 61 to form a signal wiring pattern, which is baked, and the photosensitive insulating paste is applied thereon, exposed and developed, and baked. By doing so, the second wiring layer 62 was formed.

【0021】このように導体ペーストの印刷及び焼成、
並びに感光性絶縁ペーストの塗布、露光、現像及び焼成
を本例では4回繰り返した。この際、導体ペーストを印
刷するスクリーンマスクとしては、いずれも線幅20μ
m、紗厚20μm、400メッシュ、穴ピッチ60μ
m,乳剤厚15μm、開口率47%のものを用いた。導
体ペーストは、内部配線4、感光性絶縁ペーストは、セ
ラミック絶縁膜5となった。
In this way, printing and firing of the conductor paste,
In addition, application, exposure, development and baking of the photosensitive insulating paste were repeated four times in this example. At this time, as a screen mask for printing the conductor paste, the line width is 20 μm.
m, gauze thickness 20 μm, 400 mesh, hole pitch 60 μ
m, emulsion thickness 15 μm, and aperture ratio 47%. The conductor paste was the internal wiring 4, and the photosensitive insulating paste was the ceramic insulating film 5.

【0022】そして、第4配線層の表面にTi及びPd
をそれぞれ前記の厚さにスパッタリングした後、フォト
レジストを塗布する。次いで、表面配線パターンが形成
されたフォトマスクをその上方に設置し、露光し、表面
配線パターンとなる部分のフォトレジストを現像液にて
除去する。更に、フォトレジストが除去された部分に2
μm程度のAu鍍金を施した後、フォトレジストを溶剤
にて除去し、不要部分(Au鍍金されていない部分)の
Ti及びPdをエッチング液にて除去することにより、
表面配線が形成される。これにて多層配線基板1が完成
する。
Then, Ti and Pd are formed on the surface of the fourth wiring layer.
After being sputtered to the above thickness, photoresist is applied. Next, a photomask on which the surface wiring pattern is formed is placed above it, exposed to light, and the photoresist in the portion to be the surface wiring pattern is removed with a developing solution. In addition, 2 in the area where the photoresist is removed.
After applying Au plating of about μm, the photoresist is removed with a solvent, and Ti and Pd in unnecessary portions (portions not plated with Au) are removed with an etching solution.
Surface wiring is formed. Thus, the multilayer wiring board 1 is completed.

【0023】[評価]上記多層配線基板1の内部配線の
比抵抗を測定した結果を図3に示す。図中、横軸は、温
度900℃、保持時間5分の条件で多層配線基板1を熱
処理した回数を示し、縦軸は、比抵抗(単位:μΩ・c
m)を示す。この図より、本実施例の内部配線は、熱履
歴を受けても抵抗が変化しないことが判る。
[Evaluation] FIG. 3 shows the results of measuring the specific resistance of the internal wiring of the multilayer wiring board 1. In the figure, the horizontal axis represents the number of times the multilayer wiring board 1 was heat-treated under the conditions of a temperature of 900 ° C. and a holding time of 5 minutes, and the vertical axis represents the specific resistance (unit: μΩ · c
m) is shown. From this figure, it can be seen that the internal wiring of this embodiment does not change in resistance even when subjected to thermal history.

【0024】[実施例の効果]本実施例の多層配線基板
は、内部配線の抵抗が低い値で安定しているので、信号
の伝送損失を小さく保つことができる。また、セラミッ
ク絶縁膜の厚さが薄いので、信号配線と接地配線との距
離が近くなり、近端クロストークノイズ(KB)をピッ
チ100μmで7%、ピッチ150μmで2%程度に低
減することができる。
[Effects of the Embodiment] In the multilayer wiring board of this embodiment, the resistance of the internal wiring is stable at a low value, so that the signal transmission loss can be kept small. It therefore is thin thickness of the ceramic insulating layer, closer distance between the signal line and the ground line, to reduce near-end crosstalk noise (K B) 7% at a pitch 100 [mu] m, to about 2% at a pitch 150μm You can

【0025】一方、表面配線は、内部配線と異なり薄膜
で形成されているので、導体表面が平坦となり、ICボ
ンディング、TAB接合等の際にボンディングワイヤや
TABリードが滑ることがなく、接合不良を防止するこ
とができる。
On the other hand, since the surface wiring is formed of a thin film unlike the internal wiring, the conductor surface is flat and the bonding wires and TAB leads do not slip during IC bonding, TAB bonding, etc. Can be prevented.

【0026】−比較例− [多層配線基板の構造]比較のために、内部配線を、C
uの厚膜に代えて、表1に示す薄膜とする以外は、上記
実施例の多層配線基板と同一構造のものを準備した。
-Comparative Example- [Structure of Multilayer Wiring Board] For comparison, the internal wiring is C
A multilayer wiring board having the same structure as that of the above-described example was prepared except that the thin film shown in Table 1 was used instead of the thick film of u.

【0027】[0027]

【表1】 [多層配線基板の製造方法]導体ペーストのスクリーン
印刷に代えて、表面配線と同様にフォトリソ工程にて内
部配線を形成する以外は、上記実施例と同一の方法にて
比較用の多層配線基板を製造した。
[Table 1] [Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board] A multilayer wiring board for comparison is prepared in the same manner as in the above-mentioned embodiment except that the internal wiring is formed by a photolithography process as in the case of the surface wiring instead of the screen printing of the conductor paste. Manufactured.

【0028】[評価]上記比較用の多層配線基板につい
ても、実施例と同じ条件にて内部配線の比抵抗を測定し
た結果を図4に示す。この図より、本比較例の内部配線
は、最初は低抵抗であるものの、熱履歴を受けることに
より抵抗が急上昇することが判る。しかもスパッタリン
グされたTiまたはPdの金属部分の厚さが厚いものほ
ど、上昇率が高くなっている。尚、同図において、熱処
理回数15回のところで抵抗値が下がっているが、これ
は拡散しきった状態によるものであり、密着性が悪くな
っている。
[Evaluation] FIG. 4 shows the results of measuring the specific resistance of the internal wiring under the same conditions as in the examples for the comparative multilayer wiring board. From this figure, it can be seen that the internal wiring of this comparative example initially has a low resistance, but the resistance sharply increases due to the thermal history. Moreover, the greater the thickness of the sputtered metal portion of Ti or Pd, the higher the rate of increase. Incidentally, in the figure, the resistance value decreases at the number of heat treatments of 15 times, but this is due to the fully diffused state, and the adhesion is poor.

【0029】−実施例2− 本実施例の多層配線基板は、セラミック基板2及びセラ
ミック絶縁膜5の材質をコージェライトとする以外は、
実施例1の多層配線基板と同形同質のものである。この
ように、セラミック基板2及びセラミック絶縁膜5の材
質をコージェライトとすると、その誘電率が5.0と低
いので、信号伝搬速度が更に高速となる。また、セラミ
ック基板2とセラミック絶縁膜5との材質が同じなの
で、熱膨張係数も同じであり、両者の密着性が良い。
Example 2 The multilayer wiring substrate of this example is different from the multilayer substrate except that the materials of the ceramic substrate 2 and the ceramic insulating film 5 are cordierite.
It has the same shape and quality as the multilayer wiring board of the first embodiment. In this way, when the material of the ceramic substrate 2 and the ceramic insulating film 5 is cordierite, the dielectric constant thereof is as low as 5.0, so that the signal propagation speed is further increased. In addition, since the ceramic substrate 2 and the ceramic insulating film 5 are made of the same material, they have the same coefficient of thermal expansion and good adhesion between them.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明の多層配線基板は、内部配線の抵
抗が低い値で安定しているので、信号の伝送損失を小さ
く維持することができる。また、内部配線が、厚膜で形
成されているので、低コストで高密度配線基板を製造す
ることができる。
In the multilayer wiring board of the present invention, the resistance of the internal wiring is stable at a low value, so that the signal transmission loss can be kept small. Moreover, since the internal wiring is formed of a thick film, a high-density wiring board can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の多層配線基板の要部を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of a multilayer wiring board according to an embodiment.

【図2】表面配線の平坦度の定義を説明する断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the definition of flatness of surface wiring.

【図3】実施例の多層配線基板について、内部配線の比
抵抗を測定した結果を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the results of measuring the specific resistance of internal wiring in the multilayer wiring board of the example.

【図4】比較例の多層配線基板について、内部配線の比
抵抗を測定した結果を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the results of measuring the specific resistance of internal wiring in a multilayer wiring board of a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 多層配線基板 2 セラミック基板 3 多層配線層 4 配線導体 41 内部配線 42 表面配線 5 セラミック絶縁膜 1 Multilayer Wiring Board 2 Ceramic Substrate 3 Multilayer Wiring Layer 4 Wiring Conductor 41 Internal Wiring 42 Surface Wiring 5 Ceramic Insulation Film

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板と、配線導体及びセラミ
ック絶縁膜を有する配線層が複数積層された多層配線層
とが一体化した多層配線基板において、前記配線導体
は、多層配線層の外表面に位置する表面配線と内部に位
置する内部配線とを備え、内部配線が、厚膜にて形成さ
れていることを特徴とする多層配線基板。
1. A multilayer wiring board in which a ceramic substrate and a multilayer wiring layer in which a plurality of wiring layers each having a wiring conductor and a ceramic insulating film are laminated are integrated, wherein the wiring conductor is located on an outer surface of the multilayer wiring layer. A multilayer wiring board comprising: a surface wiring and an internal wiring located inside, wherein the internal wiring is formed of a thick film.
【請求項2】 表面配線が薄膜にて形成されている請求
項1の多層配線基板。
2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the surface wiring is formed of a thin film.
【請求項3】 セラミック絶縁膜が、コージェライト、
ムライト及び結晶化ガラスのうちから選ばれる少なくと
も1種以上を主成分とする請求項1の多層配線基板。
3. The ceramic insulating film is cordierite,
The multilayer wiring board according to claim 1, which contains at least one selected from mullite and crystallized glass as a main component.
【請求項4】 セラミック基板上に、配線導体及びセラ
ミック絶縁膜を有する配線層を複数積層して一体化する
にあたって、次の各工程を備えることを特徴とする多層
配線基板の製造方法。 (A)焼成により配線導体となるメタライズインクを、
所定の配線パターンにスクリーン印刷した後、焼成する
工程。 (B)焼成によりセラミック絶縁膜となる感光性ペース
トを塗布し、フォトマスクを通じて露光し現像した後、
焼成する工程。
4. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising the following steps when laminating a plurality of wiring layers each having a wiring conductor and a ceramic insulating film on a ceramic substrate to integrate them. (A) A metallized ink that becomes a wiring conductor by firing,
A step of baking after screen-printing a predetermined wiring pattern. (B) A photosensitive paste to be a ceramic insulating film is applied by firing, exposed through a photomask and developed,
Step of firing.
【請求項5】 工程(A)〜(B)を繰り返した後、表
面に所定の配線パターンを薄膜にて形成する請求項4の
多層配線基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, wherein after the steps (A) and (B) are repeated, a predetermined wiring pattern is formed on the surface as a thin film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8298754B2 (en) 2003-11-25 2012-10-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for forming thick film pattern, method for manufacturing electronic component, and photolithography photosensitive paste

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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