JPH06103534A - 磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置Info
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- JPH06103534A JPH06103534A JP24754592A JP24754592A JPH06103534A JP H06103534 A JPH06103534 A JP H06103534A JP 24754592 A JP24754592 A JP 24754592A JP 24754592 A JP24754592 A JP 24754592A JP H06103534 A JPH06103534 A JP H06103534A
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- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は磁気抵抗効果膜に検出電流を導く電極
配線に生ずる応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達されるの
を防止して、バルクハウゼンノイズを低減することを目
的とする。 【構成】基板上に凸部を設けて、磁気抵抗効果膜に電流
を導く電極配線をその凸部の上を横断させ、電極配線に
断差部を形成する。 【効果】本発明により、磁歪効果による磁区構造の変動
に起因するバルクハウゼンノイズを低減できる効果があ
る。
配線に生ずる応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達されるの
を防止して、バルクハウゼンノイズを低減することを目
的とする。 【構成】基板上に凸部を設けて、磁気抵抗効果膜に電流
を導く電極配線をその凸部の上を横断させ、電極配線に
断差部を形成する。 【効果】本発明により、磁歪効果による磁区構造の変動
に起因するバルクハウゼンノイズを低減できる効果があ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体、例えば、
磁気ディスクに書き込まれた情報を磁気抵抗効果を利用
して読み出す磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに関し、特
に、Ｓ／Ｎの高い磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気デ
ィスク装置に関する。
磁気ディスクに書き込まれた情報を磁気抵抗効果を利用
して読み出す磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに関し、特
に、Ｓ／Ｎの高い磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気デ
ィスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、特開昭63−201908
号公報に記載されているように導体部に段差部を有する
ものがある。更に、特開平2−58719号公報に記載されて
いるように段差部を乗り越えてリード部を形成するもの
がある。
号公報に記載されているように導体部に段差部を有する
ものがある。更に、特開平2−58719号公報に記載されて
いるように段差部を乗り越えてリード部を形成するもの
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術に記載され
ている段差部が形成されている配線は、磁気抵抗効果膜
に検出電流を流すためのものではない。更に、磁気抵抗
効果膜に電流を流すための電極配線が形成される際に、
磁気抵抗効果膜の感磁部に応力が加わり、信号の再生特
性に影響を及ぼすという課題に関しては記載されていな
い。
ている段差部が形成されている配線は、磁気抵抗効果膜
に検出電流を流すためのものではない。更に、磁気抵抗
効果膜に電流を流すための電極配線が形成される際に、
磁気抵抗効果膜の感磁部に応力が加わり、信号の再生特
性に影響を及ぼすという課題に関しては記載されていな
い。
【０００４】そこで、本発明は、このような課題を解決
し、バルクハウゼンノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させ
た磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
し、バルクハウゼンノイズを低減し、Ｓ／Ｎを向上させ
た磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【０００５】更に、この磁気ディスク装置に搭載される
磁気ヘッドを提供することを目的とする。
磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置は、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に
変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号
検出電流を流す電極配線とを有する磁気ヘッドを搭載し
たものであって、前記電極配線に生ずる応力が前記磁気
抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を有することを
特徴とする。
置は、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に
変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号
検出電流を流す電極配線とを有する磁気ヘッドを搭載し
たものであって、前記電極配線に生ずる応力が前記磁気
抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を有することを
特徴とする。
【０００７】磁気ディスク装置は、一般に、磁気ディス
クと、磁気ヘッドとを有し、磁気ディスクを回転する手
段及び磁気ヘッドを磁気ディスクの所定の位置に移動さ
せる手段とを有する。
クと、磁気ヘッドとを有し、磁気ディスクを回転する手
段及び磁気ヘッドを磁気ディスクの所定の位置に移動さ
せる手段とを有する。
【０００８】本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気ディス
クに記録されている磁気的な情報を磁気抵抗効果膜を用
いて再生するものであり、再生専用ヘッドである。
クに記録されている磁気的な情報を磁気抵抗効果膜を用
いて再生するものであり、再生専用ヘッドである。
【０００９】磁気ディスクに情報を記録する磁気ヘッド
には、通常、インダクティブヘッドと呼ばれる磁気ヘッ
ドを使用することができる。インダクティブヘッドは、
トレーリングポールとリーディングポールとを有し、こ
れらの間に形成されるコイルに電流を印加することによ
りポール先端に磁界が発生する。この発生した磁界によ
って磁気ディスクに情報を記録するものである。
には、通常、インダクティブヘッドと呼ばれる磁気ヘッ
ドを使用することができる。インダクティブヘッドは、
トレーリングポールとリーディングポールとを有し、こ
れらの間に形成されるコイルに電流を印加することによ
りポール先端に磁界が発生する。この発生した磁界によ
って磁気ディスクに情報を記録するものである。
【００１０】一方、本発明にかかる磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、基板上に磁気抵抗効果膜を形成し、該磁気抵
抗効果膜の上部に電極を形成する。尚、磁気抵抗効果膜
及び電極は、基板上に直接形成させる場合もあるが、他
の膜を介在させ、その上に形成される場合もある。
ヘッドは、基板上に磁気抵抗効果膜を形成し、該磁気抵
抗効果膜の上部に電極を形成する。尚、磁気抵抗効果膜
及び電極は、基板上に直接形成させる場合もあるが、他
の膜を介在させ、その上に形成される場合もある。
【００１１】このような磁気抵抗効果膜の感磁部に外部
磁束が流入すると、感磁部の磁化（微小磁極）の方向が
変化して、磁気抵抗効果によりその抵抗値が変化する。
磁束が流入すると、感磁部の磁化（微小磁極）の方向が
変化して、磁気抵抗効果によりその抵抗値が変化する。
【００１２】磁化の回転角度をθとすると抵抗値Ｒは次
式で表される。
式で表される。
【００１３】 Ｒ＝Ｒ0＋δＲcos2θ （１） ここで、δＲは流入磁束による抵抗変化の感度である。
【００１４】したがって、電極配線に一定の電流を流す
と、電極配線端子間の電圧、いわゆる出力電圧が変化す
る。出力電圧 Ｖoutの変化量は感磁部を流れる電流の値
をＩとすると次式で表される。
と、電極配線端子間の電圧、いわゆる出力電圧が変化す
る。出力電圧 Ｖoutの変化量は感磁部を流れる電流の値
をＩとすると次式で表される。
【００１５】 ΔＶout＝δＲ・Ｉ・cos2θ （２） この端子間の出力電圧の変化量は、外部磁束量の変化に
対応するため、磁気ディスクの表面に形成された磁性媒
体に書き込まれた磁気データを読み出すのに利用でき、
本発明にかかる磁気ヘッドはこの原理を利用するもので
ある。
対応するため、磁気ディスクの表面に形成された磁性媒
体に書き込まれた磁気データを読み出すのに利用でき、
本発明にかかる磁気ヘッドはこの原理を利用するもので
ある。
【００１６】ところで、本発明者は、従来の磁気抵抗効
果型ヘッドの場合、材料の熱的特性である熱膨張係数を
調べ基板の熱膨張係数より電極配線の熱膨張係数の方が
大きいことに着目した。
果型ヘッドの場合、材料の熱的特性である熱膨張係数を
調べ基板の熱膨張係数より電極配線の熱膨張係数の方が
大きいことに着目した。
【００１７】本発明者は、電極配線の製造プロセスにお
いて高温状態から室温状態まで温度が低下した時、電極
配線の方が基板に対して大きく収縮し、電極配線が基板
に引っ張られることを見出した。このため、電極には、
その電流のながれる方向に大きな引っ張り応力が生ず
る。これらの引っ張り応力により、磁気抵抗効果膜の上
部は引っ張られる。
いて高温状態から室温状態まで温度が低下した時、電極
配線の方が基板に対して大きく収縮し、電極配線が基板
に引っ張られることを見出した。このため、電極には、
その電流のながれる方向に大きな引っ張り応力が生ず
る。これらの引っ張り応力により、磁気抵抗効果膜の上
部は引っ張られる。
【００１８】一方、磁気抵抗効果膜の下部は基板上に固
定されているため、磁気抵抗効果膜の感磁部には、感磁
部をねじれさせるような力が生じ、その結果、斜め方向
を向いた大きな応力が生じてしまうことを見出した。
定されているため、磁気抵抗効果膜の感磁部には、感磁
部をねじれさせるような力が生じ、その結果、斜め方向
を向いた大きな応力が生じてしまうことを見出した。
【００１９】この斜め方向を向いた大きな応力が磁気抵
抗効果膜の感磁部に存在すると、磁気抵抗効果膜の感磁
部の磁化の方向が外部磁束が流入しなくとも、磁歪効果
により変化し易くなり斜め方向を向いた大きな応力が存
在すると、磁歪定数の変化により磁化が大きく回転す
る。感磁部での磁歪定数は一定ではなく、バラツキが存
在するので、ミクロな領域での磁化の方向にはバラツキ
が生じ、感磁部内は複雑な磁区構造をとる。
抗効果膜の感磁部に存在すると、磁気抵抗効果膜の感磁
部の磁化の方向が外部磁束が流入しなくとも、磁歪効果
により変化し易くなり斜め方向を向いた大きな応力が存
在すると、磁歪定数の変化により磁化が大きく回転す
る。感磁部での磁歪定数は一定ではなく、バラツキが存
在するので、ミクロな領域での磁化の方向にはバラツキ
が生じ、感磁部内は複雑な磁区構造をとる。
【００２０】本発明者は、磁気抵抗効果膜の感磁部は、
このような複雑な磁区構造をとるため、外部からの磁
束、或いは、熱的な変動により、磁区構造が変化し、い
わゆる、バルクハイゼンノイズが生じることを見出し
た。
このような複雑な磁区構造をとるため、外部からの磁
束、或いは、熱的な変動により、磁区構造が変化し、い
わゆる、バルクハイゼンノイズが生じることを見出し
た。
【００２１】本発明は、この斜め方向を向いた応力の発
生を防止して磁区構造が変化するのを抑制し、バルクハ
ウゼンノイズの発生を防止したものである。
生を防止して磁区構造が変化するのを抑制し、バルクハ
ウゼンノイズの発生を防止したものである。
【００２２】本発明の磁気ヘッドは、電極配線に生ずる
応力が磁気抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を有
することを特徴とするものである。
応力が磁気抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を有
することを特徴とするものである。
【００２３】更に、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気
抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁
気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す電極配線とを有する磁気ヘッドにおいて、前記電極
配線が、該配線を横断するように形成され、前記磁気抵
抗効果膜から１〜９μｍに形成された凸部を有すること
を特徴とする。
抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁
気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す電極配線とを有する磁気ヘッドにおいて、前記電極
配線が、該配線を横断するように形成され、前記磁気抵
抗効果膜から１〜９μｍに形成された凸部を有すること
を特徴とする。
【００２４】ここで、凸部の形成される場所は、磁気抵
抗効果膜から１〜９μｍの範囲であって、磁気抵抗効果
膜から９μｍ以上離れてしまう凸部と磁気抵抗効果膜と
の間に応力が発生してしまい、電極配線に生ずる応力が
磁気抵抗効果膜に伝達してしまう。一方、磁気抵抗効果
膜と凸部との距離を１μｍ以下とすることは製造プロセ
ス上困難である。
抗効果膜から１〜９μｍの範囲であって、磁気抵抗効果
膜から９μｍ以上離れてしまう凸部と磁気抵抗効果膜と
の間に応力が発生してしまい、電極配線に生ずる応力が
磁気抵抗効果膜に伝達してしまう。一方、磁気抵抗効果
膜と凸部との距離を１μｍ以下とすることは製造プロセ
ス上困難である。
【００２５】更に、本発明にかかる磁気ヘッドは、前記
磁気抵抗効果膜の感磁部の応力分布が実質的に等方性を
有することを特徴とする。
磁気抵抗効果膜の感磁部の応力分布が実質的に等方性を
有することを特徴とする。
【００２６】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、前記
磁気抵抗効果膜の感磁部の応力異方性が実質的に零であ
ることを特徴とする。
磁気抵抗効果膜の感磁部の応力異方性が実質的に零であ
ることを特徴とする。
【００２７】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気
抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁
気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す基板上に形成された電極配線とを有し、前記磁気抵
抗効果膜の感磁部に流入する磁束量に対応した信号を出
力するものであって、前記電極配線に生ずる応力が前記
磁気抵抗効果膜に伝達されるのを防ぐための応力伝達防
止部を、前記電極配線に有することを特徴とする。
抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁
気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す基板上に形成された電極配線とを有し、前記磁気抵
抗効果膜の感磁部に流入する磁束量に対応した信号を出
力するものであって、前記電極配線に生ずる応力が前記
磁気抵抗効果膜に伝達されるのを防ぐための応力伝達防
止部を、前記電極配線に有することを特徴とする。
【００２８】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、前記
磁気抵抗効果膜の近傍の基板上に凸部を有し、前記電極
配線が、前記凸部上を横断するように形成され、断差を
有することを特徴とする。
磁気抵抗効果膜の近傍の基板上に凸部を有し、前記電極
配線が、前記凸部上を横断するように形成され、断差を
有することを特徴とする。
【００２９】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気
抵抗効果膜の近傍の基板上に溝部を形成して、磁気抵抗
効果膜へ電流を導くための電極配線をこの溝部を横断す
るように形成して、電極配線に断差を設けても良い。
抵抗効果膜の近傍の基板上に溝部を形成して、磁気抵抗
効果膜へ電流を導くための電極配線をこの溝部を横断す
るように形成して、電極配線に断差を設けても良い。
【００３０】また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気
抵抗効果膜へ電流を導くための電極配線に、屈曲部を設
け、電極配線をアルミナ等の高剛性材料で被覆しても良
い。また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
膜へ電流を導くための電極配線に、一個以上の貫通孔を
設け、該貫通孔を埋め込むように電極配線をアルミナ等
の高剛性材料で被覆しても良い。
抵抗効果膜へ電流を導くための電極配線に、屈曲部を設
け、電極配線をアルミナ等の高剛性材料で被覆しても良
い。また、本発明にかかる磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
膜へ電流を導くための電極配線に、一個以上の貫通孔を
設け、該貫通孔を埋め込むように電極配線をアルミナ等
の高剛性材料で被覆しても良い。
【００３１】更に、本発明の磁気ディスク装置は、所定
の回転数で回転する磁気ディスクと、磁気抵抗効果を用
いて前記磁気ディスク上に記録された信号を再生する磁
気ヘッドとを有するものであって、周波数１〜１０ＭＨ
ｚの領域で雑音レベルが、０.０２５〜０.１ｍVrmsであ
ることを特徴とする。
の回転数で回転する磁気ディスクと、磁気抵抗効果を用
いて前記磁気ディスク上に記録された信号を再生する磁
気ヘッドとを有するものであって、周波数１〜１０ＭＨ
ｚの領域で雑音レベルが、０.０２５〜０.１ｍVrmsであ
ることを特徴とする。
【００３２】本発明の一つの特徴である電極配線に生ず
る応力が磁気抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を
磁気ディスク装置が有することにより、磁気ディスクに
記録されている情報の周波数帯域においてほとんどバル
クハウゼンノイズが発生することがなくなり、周波数１
〜１０ＭＨｚの領域で雑音レベルが０.０２５〜０.１ｍ
Vrmsである磁気ディスク装置を実現することができた。
る応力が磁気抵抗効果膜に伝達するのを抑制する手段を
磁気ディスク装置が有することにより、磁気ディスクに
記録されている情報の周波数帯域においてほとんどバル
クハウゼンノイズが発生することがなくなり、周波数１
〜１０ＭＨｚの領域で雑音レベルが０.０２５〜０.１ｍ
Vrmsである磁気ディスク装置を実現することができた。
【００３３】以上のことより、再生された信号のバルク
ハウゼンノイズを実質的に抑止し、磁気抵抗効果膜の感
磁部の応力異方性を低減する手段を有する磁気ディスク
装置を実現することができた。
ハウゼンノイズを実質的に抑止し、磁気抵抗効果膜の感
磁部の応力異方性を低減する手段を有する磁気ディスク
装置を実現することができた。
【００３４】
【作用】このような構造にすることにより、電極配線に
生ずる大きな応力を、例えば、これらの断差部，屈曲
部，凸部又は貫通孔で受け止めることができるため、電
極配線が接続される磁気抵抗効果膜へ、直接応力が伝わ
るのを防止することができる。
生ずる大きな応力を、例えば、これらの断差部，屈曲
部，凸部又は貫通孔で受け止めることができるため、電
極配線が接続される磁気抵抗効果膜へ、直接応力が伝わ
るのを防止することができる。
【００３５】その結果、磁気抵抗効果膜の感磁部に生じ
る応力は微小なものとなる。この場合には、応力自体が
小さいため、磁歪定数が変化しても磁化は殆ど回転せ
ず、磁区構造の変化も殆ど無いため、バルクハウゼンノ
イズの発生が減少する。
る応力は微小なものとなる。この場合には、応力自体が
小さいため、磁歪定数が変化しても磁化は殆ど回転せ
ず、磁区構造の変化も殆ど無いため、バルクハウゼンノ
イズの発生が減少する。
【００３６】
【実施例】図３に本発明による磁気ヘッドを搭載した磁
気ディスク装置を示す。積層構造にした複数の磁気ディ
スク５４をＤＣモータにより４０００rpm 程度の高速回
転させ、磁気ヘッド５３を用いてデータの記録再生を行
う。記録周波数は５０００ｋＨｚ程度である。磁気ヘッ
ドはヘッド支持体５５の先端部に設置され、これらのヘ
ッド支持体はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により駆動
され、磁気ヘッドは磁気ディスクの所定のトラックの位
置まで移動する。磁気ヘッド先端部と磁気ディスク表面
との距離である浮上量は０.１μｍ 程度である。磁気ヘ
ッドは本発明による応力低減化構造の磁気抵抗効果（以
下「ＭＲ」と略す。）ヘッドとインダクティブヘッドと
を一体化したいわゆるデュアルヘッドを搭載している。
コンピュータ本体から送られてくる磁気ディスク装置駆
動信号は信号発生タイミング調整器によりタイミングを
調整されてＶＣＭ駆動回路に送られボイスコイルモータ
を動かす。さらに、信号発生タイミング調整器から、も
う一つの伝達経路を通り、前記信号がディスク回転信号
発生部に送られ、ここで発生するディスク回転信号がＤ
Ｃモータ駆動回路に送られ、ＤＣモータが駆動され、磁
気ディスクが回転する。磁気ディスクの回転及びヘッド
支持体は連係して駆動され、所定の磁気ディスクの所定
のトラックでの記録再生が行われる。記録時にはインダ
クティブヘッドが使われ、再生にはＭＲヘッドが使われ
る。
気ディスク装置を示す。積層構造にした複数の磁気ディ
スク５４をＤＣモータにより４０００rpm 程度の高速回
転させ、磁気ヘッド５３を用いてデータの記録再生を行
う。記録周波数は５０００ｋＨｚ程度である。磁気ヘッ
ドはヘッド支持体５５の先端部に設置され、これらのヘ
ッド支持体はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により駆動
され、磁気ヘッドは磁気ディスクの所定のトラックの位
置まで移動する。磁気ヘッド先端部と磁気ディスク表面
との距離である浮上量は０.１μｍ 程度である。磁気ヘ
ッドは本発明による応力低減化構造の磁気抵抗効果（以
下「ＭＲ」と略す。）ヘッドとインダクティブヘッドと
を一体化したいわゆるデュアルヘッドを搭載している。
コンピュータ本体から送られてくる磁気ディスク装置駆
動信号は信号発生タイミング調整器によりタイミングを
調整されてＶＣＭ駆動回路に送られボイスコイルモータ
を動かす。さらに、信号発生タイミング調整器から、も
う一つの伝達経路を通り、前記信号がディスク回転信号
発生部に送られ、ここで発生するディスク回転信号がＤ
Ｃモータ駆動回路に送られ、ＤＣモータが駆動され、磁
気ディスクが回転する。磁気ディスクの回転及びヘッド
支持体は連係して駆動され、所定の磁気ディスクの所定
のトラックでの記録再生が行われる。記録時にはインダ
クティブヘッドが使われ、再生にはＭＲヘッドが使われ
る。
【００３７】本発明による応力低減構造ＭＲヘッドを用
いると、ＭＲ膜の感磁部に生じる応力の異方性が小さい
ため磁歪効果が減少して、異方性磁界は５Ｏｅ程度とな
る。図４の曲線５６の様に出力電圧のピーク値は３４０
μＶと高くなる。さらに、バルクハウゼンノイズを防止
できるので、ノイズ成分は熱雑音であるアンプノイズと
磁気ディスクの媒体ノイズのみとなり、ノイズ電圧は２
７μＶに低減される。出力信号とノイズの比であるＳ／
Ｎ比は２２ｄＢになる。しかし、従来構造ＭＲヘッドを
用いた場合には、ＭＲ膜の感磁部に異方性の大きな応力
が生じるので、磁歪効果が大きくなり、異方性磁界が
８.９Ｏｅ 程度まで大きくなるため、信号電圧は低く、
図４の曲線５７の様にそのピーク値は１９１μＶにな
る。さらに、バルクハウゼンノイズが発生し、ノイズ成
分はバルクハウゼンノイズ、熱雑音であるアンプノイズ
及び磁気ディスクの媒体ノイズが合成されたものとなっ
て大きく、図５の５９の様にノイズ電圧は５４μＶにな
る。したがって、従来構造ＭＲヘッドを用いた場合には
Ｓ／Ｎ比は１１ｄＢになる。本実施例の様に応力低減構
造ＭＲヘッドを用いると、Ｓ／Ｎ比の高い磁気ディスク
装置を提供できる効果がある。図５の５８の様にノイズ
電圧は２７μＶになる。
いると、ＭＲ膜の感磁部に生じる応力の異方性が小さい
ため磁歪効果が減少して、異方性磁界は５Ｏｅ程度とな
る。図４の曲線５６の様に出力電圧のピーク値は３４０
μＶと高くなる。さらに、バルクハウゼンノイズを防止
できるので、ノイズ成分は熱雑音であるアンプノイズと
磁気ディスクの媒体ノイズのみとなり、ノイズ電圧は２
７μＶに低減される。出力信号とノイズの比であるＳ／
Ｎ比は２２ｄＢになる。しかし、従来構造ＭＲヘッドを
用いた場合には、ＭＲ膜の感磁部に異方性の大きな応力
が生じるので、磁歪効果が大きくなり、異方性磁界が
８.９Ｏｅ 程度まで大きくなるため、信号電圧は低く、
図４の曲線５７の様にそのピーク値は１９１μＶにな
る。さらに、バルクハウゼンノイズが発生し、ノイズ成
分はバルクハウゼンノイズ、熱雑音であるアンプノイズ
及び磁気ディスクの媒体ノイズが合成されたものとなっ
て大きく、図５の５９の様にノイズ電圧は５４μＶにな
る。したがって、従来構造ＭＲヘッドを用いた場合には
Ｓ／Ｎ比は１１ｄＢになる。本実施例の様に応力低減構
造ＭＲヘッドを用いると、Ｓ／Ｎ比の高い磁気ディスク
装置を提供できる効果がある。図５の５８の様にノイズ
電圧は２７μＶになる。
【００３８】また、本発明にかかる磁気ヘッドを図１及
び図２に示す。
び図２に示す。
【００３９】この実施例では基板７の上に線状の凸部６
を設けて、電極配線１ａ，９ａをその凸部６の上を横断
させるように形成し、電極配線に断差部２，４を形成し
ている。ここで、凸部６は電極配線の幅程度の短いもの
でもよい。この断差部２，４は凸部６によって固定され
るため、電極平坦部３，５に生ずる大きな応力１３，１
４が断差部２，４の反対側の電極平坦部１ｂ，９ｂに伝
達されるのを防止する働きをする。その結果、磁気抵抗
効果膜８の感磁部１１に生ずる応力１５は異方性の少な
い小さな応力になる。
を設けて、電極配線１ａ，９ａをその凸部６の上を横断
させるように形成し、電極配線に断差部２，４を形成し
ている。ここで、凸部６は電極配線の幅程度の短いもの
でもよい。この断差部２，４は凸部６によって固定され
るため、電極平坦部３，５に生ずる大きな応力１３，１
４が断差部２，４の反対側の電極平坦部１ｂ，９ｂに伝
達されるのを防止する働きをする。その結果、磁気抵抗
効果膜８の感磁部１１に生ずる応力１５は異方性の少な
い小さな応力になる。
【００４０】ＭＲ膜の感磁部に生じる応力の異方性は応
力ストッパーの位置がＭＲ膜から遠くなるのに伴って大
きくなり、その効果が低下する。応力ストッパーの位置
が１０μｍ以上になると応力異方性は１００ＭＰａから
急激に増加し、磁歪効果が大きくなる。９μｍ以下では
応力異方性は８０ＭＰａ以下になり、応力低減効果が高
い。又、応力ストッパーの位置は近いほど効果がある
が、製造プロセスのパターン解像度に限界があり、１μ
ｍが限度である。従って、応力ストッパーの位置はＭＲ
膜から１μｍから９μｍの範囲になる。
力ストッパーの位置がＭＲ膜から遠くなるのに伴って大
きくなり、その効果が低下する。応力ストッパーの位置
が１０μｍ以上になると応力異方性は１００ＭＰａから
急激に増加し、磁歪効果が大きくなる。９μｍ以下では
応力異方性は８０ＭＰａ以下になり、応力低減効果が高
い。又、応力ストッパーの位置は近いほど効果がある
が、製造プロセスのパターン解像度に限界があり、１μ
ｍが限度である。従って、応力ストッパーの位置はＭＲ
膜から１μｍから９μｍの範囲になる。
【００４１】また、図１及び図２に示す場合の磁歪定数
の変化に対する磁化の回転角度を図６の曲線３２に示
す。磁歪定数が変化しても磁化は殆ど回転せず、磁区構
造の変化も殆ど無いため、バルクハウゼンノイズの発生
が減少する。その結果、図７に示すように、従来構造磁
気ヘッドの雑音レベル曲線３３から曲線３４の様に雑音
レベルが低下する。本実施例では電極配線に生ずる大き
な応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達されるのを防止でき
るので、感磁部における磁歪効果による磁区構造の変動
を防止して、バルクハウゼンノイズを低減できる効果が
ある。
の変化に対する磁化の回転角度を図６の曲線３２に示
す。磁歪定数が変化しても磁化は殆ど回転せず、磁区構
造の変化も殆ど無いため、バルクハウゼンノイズの発生
が減少する。その結果、図７に示すように、従来構造磁
気ヘッドの雑音レベル曲線３３から曲線３４の様に雑音
レベルが低下する。本実施例では電極配線に生ずる大き
な応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達されるのを防止でき
るので、感磁部における磁歪効果による磁区構造の変動
を防止して、バルクハウゼンノイズを低減できる効果が
ある。
【００４２】図８，図９に本発明の他の実施例を示す。
この実施例では基板７に線状の溝部２３を設けて、この
溝部２３を横断させるように、電極１ａ，９ａを形成す
る。このようにすると、溝部２３に電極配線が埋め込ま
れ、電極配線には断差部２ａ，４ａが形成される。この
断差部２ａ，４ａは溝部２３に固定されて、電極平坦部
３ａ，５ａに生ずる大きな熱応力１３ａ，１４ａが断差
部２ａ，４ａのもう一方の平坦部１ｃ，９ｃに伝達され
るのを防止する働きをするため、磁気抵抗効果膜８の感
磁部１１に生ずる応力１６は小さな値となり、異方性も
小さい。その結果、磁歪効果による磁壁の変化が生じに
くくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノ
イズが低減する。本実施例では前記実施例と同様に、電
極配線に生ずる応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達される
のを防止できるので、磁歪効果による磁区構造の変動を
防止して、バルクハウゼンノイズを低減できる効果があ
る。
この実施例では基板７に線状の溝部２３を設けて、この
溝部２３を横断させるように、電極１ａ，９ａを形成す
る。このようにすると、溝部２３に電極配線が埋め込ま
れ、電極配線には断差部２ａ，４ａが形成される。この
断差部２ａ，４ａは溝部２３に固定されて、電極平坦部
３ａ，５ａに生ずる大きな熱応力１３ａ，１４ａが断差
部２ａ，４ａのもう一方の平坦部１ｃ，９ｃに伝達され
るのを防止する働きをするため、磁気抵抗効果膜８の感
磁部１１に生ずる応力１６は小さな値となり、異方性も
小さい。その結果、磁歪効果による磁壁の変化が生じに
くくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノ
イズが低減する。本実施例では前記実施例と同様に、電
極配線に生ずる応力が磁気抵抗効果膜に直接伝達される
のを防止できるので、磁歪効果による磁区構造の変動を
防止して、バルクハウゼンノイズを低減できる効果があ
る。
【００４３】さらに、図１０，図１１に本発明の他の実
施例を示す。図８，図９と異なっているのは電極配線１
ａ，９ａに凸部２４を形成した点である。この様な形状
に電極配線を形成して、アルミナ等の高剛性材料２５で
被覆すると、電極配線が凸部２４で固定され、電極配線
の収縮によって生ずる応力が凸部２４で受け止められ
る。その結果、電極の後部領域３，５に発生する大きな
応力２６，２７が電極配線の前部領域１ｄ，９ｄに大き
な応力が伝達されるのを防止できる。その結果、磁気抵
抗効果膜８の感磁部１１には小さな応力が生じ、その異
方性も小さい。その結果、磁区構造の変動に起因するバ
ルクハウゼンノイズが減少する。本実施例では電極配線
がその配線に形成された凸部により固定され、電極配線
に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜に伝達されないの
で、磁歪効果による磁区構造の変動が生じにくくなり、
磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズが減少
する効果がある。
施例を示す。図８，図９と異なっているのは電極配線１
ａ，９ａに凸部２４を形成した点である。この様な形状
に電極配線を形成して、アルミナ等の高剛性材料２５で
被覆すると、電極配線が凸部２４で固定され、電極配線
の収縮によって生ずる応力が凸部２４で受け止められ
る。その結果、電極の後部領域３，５に発生する大きな
応力２６，２７が電極配線の前部領域１ｄ，９ｄに大き
な応力が伝達されるのを防止できる。その結果、磁気抵
抗効果膜８の感磁部１１には小さな応力が生じ、その異
方性も小さい。その結果、磁区構造の変動に起因するバ
ルクハウゼンノイズが減少する。本実施例では電極配線
がその配線に形成された凸部により固定され、電極配線
に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜に伝達されないの
で、磁歪効果による磁区構造の変動が生じにくくなり、
磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズが減少
する効果がある。
【００４４】さらに、図１２に本発明の他の実施例を示
す。図１１と異なっているのは電極配線１ａ，９ａに屈
曲部３５，３８を設けた点である。この様な形状に電極
配線を形成し、その上部を図１０と同様に、アルミナ等
の高剛性材料で被覆すると、電極配線の屈曲部３５，３
８が固定される。従って、電極配線の収縮に伴う大きな
応力３６が屈曲部３５，３８で受け止められ、大きな応
力３６が磁気抵抗効果膜８に伝達されるのを防止でき
る。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１には小さ
な応力３７のみが生じて、磁歪効果による磁区構造の変
動に起因するバルクハウゼンノイズが減少する。本実施
例では電極配線がその屈曲部で固定され、電極配線に生
ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜に伝達されないので、
磁歪効果による磁区構造の変化が生じにくくなり、磁区
構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズが減少する
効果がある。
す。図１１と異なっているのは電極配線１ａ，９ａに屈
曲部３５，３８を設けた点である。この様な形状に電極
配線を形成し、その上部を図１０と同様に、アルミナ等
の高剛性材料で被覆すると、電極配線の屈曲部３５，３
８が固定される。従って、電極配線の収縮に伴う大きな
応力３６が屈曲部３５，３８で受け止められ、大きな応
力３６が磁気抵抗効果膜８に伝達されるのを防止でき
る。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１には小さ
な応力３７のみが生じて、磁歪効果による磁区構造の変
動に起因するバルクハウゼンノイズが減少する。本実施
例では電極配線がその屈曲部で固定され、電極配線に生
ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜に伝達されないので、
磁歪効果による磁区構造の変化が生じにくくなり、磁区
構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズが減少する
効果がある。
【００４５】さらに、図１３に本発明の他の実施例を示
す。図１１と異なっているのは電極配線１ａ，９ａにそ
れぞれ凸部３９，４０を設けた点である。この様な形状
に電極配線を形成し、その上部を図１０と同様にアルミ
ナ等の高剛性材料で被覆すると、電極配線の収縮が凸部
４０及び３９で受け止められるため、電極配線に生じる
大きな応力４１は凸部４０及び３９で受け止められ、磁
気抵抗効果膜８に大きな応力が伝達されるのを防止でき
る。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１には小さ
な応力４２が生じるのみであるので、磁歪効果による磁
区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズを低減で
きる。本実施例では二つの凸部を形成した電極配線がア
ルミナ等の高剛性材料で被覆，固定されるので、電極配
線に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部１１に
伝達されないので、磁歪効果による磁区構造の変化が生
じにくくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼ
ンノイズが減少する効果がある。
す。図１１と異なっているのは電極配線１ａ，９ａにそ
れぞれ凸部３９，４０を設けた点である。この様な形状
に電極配線を形成し、その上部を図１０と同様にアルミ
ナ等の高剛性材料で被覆すると、電極配線の収縮が凸部
４０及び３９で受け止められるため、電極配線に生じる
大きな応力４１は凸部４０及び３９で受け止められ、磁
気抵抗効果膜８に大きな応力が伝達されるのを防止でき
る。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１には小さ
な応力４２が生じるのみであるので、磁歪効果による磁
区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズを低減で
きる。本実施例では二つの凸部を形成した電極配線がア
ルミナ等の高剛性材料で被覆，固定されるので、電極配
線に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部１１に
伝達されないので、磁歪効果による磁区構造の変化が生
じにくくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼ
ンノイズが減少する効果がある。
【００４６】さらに、図１４に本発明の他の実施例を示
す。図１３と異なっているのは電極配線４３，４４にそ
れぞれ貫通孔４５を設けた点である。この様な貫通孔４
５は電極４３，４４をエッチングによりパターンニング
するのと同時に形成する。この様に貫通孔が形成された
電極配線４３，４４の上部からアルミナ等の高剛性材料
で被覆すると、電極配線の収縮が貫通孔４５に埋め込ま
れたアルミナ等の高剛性材料で受け止められる。電極配
線４３，４４に生じる大きな応力４６は貫通孔４５の部
分で受け止められ、磁気抵抗効果膜８に大きな応力が伝
達されるのが防止される。その結果、磁気抵抗効果膜８
の感磁部１１には小さな応力４７が生じるのみで、磁歪
効果による磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノ
イズは減少する。本実施例では電極配線に形成された貫
通孔に埋め込まれた高剛性材料で電極配線が固定され、
電極配線に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部
に伝達されないので、磁歪効果による磁区構造の変化が
生じにくくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウ
ゼンノイズを低減できる効果がある。
す。図１３と異なっているのは電極配線４３，４４にそ
れぞれ貫通孔４５を設けた点である。この様な貫通孔４
５は電極４３，４４をエッチングによりパターンニング
するのと同時に形成する。この様に貫通孔が形成された
電極配線４３，４４の上部からアルミナ等の高剛性材料
で被覆すると、電極配線の収縮が貫通孔４５に埋め込ま
れたアルミナ等の高剛性材料で受け止められる。電極配
線４３，４４に生じる大きな応力４６は貫通孔４５の部
分で受け止められ、磁気抵抗効果膜８に大きな応力が伝
達されるのが防止される。その結果、磁気抵抗効果膜８
の感磁部１１には小さな応力４７が生じるのみで、磁歪
効果による磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノ
イズは減少する。本実施例では電極配線に形成された貫
通孔に埋め込まれた高剛性材料で電極配線が固定され、
電極配線に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部
に伝達されないので、磁歪効果による磁区構造の変化が
生じにくくなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウ
ゼンノイズを低減できる効果がある。
【００４７】さらに、図１５に本発明の他の実施例を示
す。図１４と異なっているのは磁気抵抗効果膜８の近傍
にコの字形の断差部５１を設けた点である。電極配線４
８，４９はそれぞれこの断差部５１を横断するように形
成される。従って、図１と同様に電極配線の熱収縮がこ
の断差部で受け止めらるため、電極配線４８，４９に生
じる大きな応力５０は断差部５１の部分で受け止めら
れ、磁気抵抗効果膜８に大きな応力が伝達されるのが防
止される。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１に
は小さな応力５２が生じるのみで、磁歪効果による磁区
構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズは減少す
る。本実施例では磁気抵抗効果膜の近傍に形成された断
差部で電極配線の熱収縮が受け止めらるため、電極配線
に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部に伝達さ
れないので、磁歪効果による磁区構造の変化が生じにく
くなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイ
ズを低減できる効果がある。
す。図１４と異なっているのは磁気抵抗効果膜８の近傍
にコの字形の断差部５１を設けた点である。電極配線４
８，４９はそれぞれこの断差部５１を横断するように形
成される。従って、図１と同様に電極配線の熱収縮がこ
の断差部で受け止めらるため、電極配線４８，４９に生
じる大きな応力５０は断差部５１の部分で受け止めら
れ、磁気抵抗効果膜８に大きな応力が伝達されるのが防
止される。その結果、磁気抵抗効果膜８の感磁部１１に
は小さな応力５２が生じるのみで、磁歪効果による磁区
構造の変動に起因するバルクハウゼンノイズは減少す
る。本実施例では磁気抵抗効果膜の近傍に形成された断
差部で電極配線の熱収縮が受け止めらるため、電極配線
に生ずる大きな応力が磁気抵抗効果膜の感磁部に伝達さ
れないので、磁歪効果による磁区構造の変化が生じにく
くなり、磁区構造の変動に起因するバルクハウゼンノイ
ズを低減できる効果がある。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば磁気抵抗効果膜の近傍の
電極配線に断差部，凸部、或いは屈曲部を設けて電極配
線に生ずる大きな応力をこれらの断差部，凸部或いは屈
曲部で受け止め、磁気抵抗効果膜に直接伝達されるのを
防止できるので、磁気抵抗効果膜の感磁部には小さな応
力が生じるのみで、磁歪効果によって生じる磁区構造の
変動に起因するバルクハウゼンノイズの発生を防止でき
る効果がある。
電極配線に断差部，凸部、或いは屈曲部を設けて電極配
線に生ずる大きな応力をこれらの断差部，凸部或いは屈
曲部で受け止め、磁気抵抗効果膜に直接伝達されるのを
防止できるので、磁気抵抗効果膜の感磁部には小さな応
力が生じるのみで、磁歪効果によって生じる磁区構造の
変動に起因するバルクハウゼンノイズの発生を防止でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を示す図。
を示す図。
【図２】その上面図。
【図３】本発明の磁気ディスク装置を示す図。
【図４】その磁界強度における特性図。
【図５】その時間における特性図。
【図６】磁歪定数の変化による磁化の回転角度の変化特
性を示す図。
性を示す図。
【図７】従来構造磁気ヘッドと本発明磁気ヘッドの雑音
の周波数特性を示す図。
の周波数特性を示す図。
【図８】本発明の他の実施例である磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを示す図。
ヘッドを示す図。
【図９】その上面図。
【図１０】本発明の他の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
【図１１】その上面図。
【図１２】本発明の他の実施例の上面図。
【図１３】本発明の他の実施例の上面図。
【図１４】本発明の他の実施例の上面図。
【図１５】本発明の他の実施例の上面図。
１ａ，９ａ…電極配線、１９，２０…検出電流、７…基
板、８…磁気抵抗効果膜、１１…感磁部、１８…流入磁
束、１３，１３ａ，１４，１４ａ，２６，２７，３６，
４１，４６，５０…電極配線に生ずる応力、１５，１
６，２１，２２，２８，３７，４２，４７，５２…磁束
検出部に生ずる応力、１ｃ，３，３ａ，５，５ａ，９ｃ
…電極配線の平坦部、２，２ａ，４，４ａ…電極配線の
断差部、６，５１…基板上の線状の凸部、２３…基板上
の線状の溝部、２４，３９，４０…電極配線の凸部、３
５，３８…電極配線の屈曲部、２５…高剛性膜、３０…
磁化、３１，３２…磁化の回転角度、４５…電極配線の
貫通孔。
板、８…磁気抵抗効果膜、１１…感磁部、１８…流入磁
束、１３，１３ａ，１４，１４ａ，２６，２７，３６，
４１，４６，５０…電極配線に生ずる応力、１５，１
６，２１，２２，２８，３７，４２，４７，５２…磁束
検出部に生ずる応力、１ｃ，３，３ａ，５，５ａ，９ｃ
…電極配線の平坦部、２，２ａ，４，４ａ…電極配線の
断差部、６，５１…基板上の線状の凸部、２３…基板上
の線状の溝部、２４，３９，４０…電極配線の凸部、３
５，３８…電極配線の屈曲部、２５…高剛性膜、３０…
磁化、３１，３２…磁化の回転角度、４５…電極配線の
貫通孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川邉 隆 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 成重 真治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内
Claims (9)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す電極配線とを
有する磁気ヘッドにおいて、 前記電極配線に生ずる応力が前記磁気抵抗効果膜に伝達
するのを抑制する手段を有することを特徴とする磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッドを搭載した磁気
ディスク装置。 - 【請求項３】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す電極配線とを
有する磁気ヘッドにおいて、 前記電極配線が、該配線を横断するように形成され、前
記磁気抵抗効果膜から１〜９μｍに形成された凸部を有
することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す電極配線とを
有する磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜の感磁部の応力分布が実質的に等方
性を有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す電極配線とを
有する磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜の感磁部の応力異方性が実質的に零
であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項６】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す基板上に形成
された電極配線とを有し、前記磁気抵抗効果膜の感磁部
に流入する磁束量に対応した信号を出力する磁気ヘッド
であって、 前記電極配線に生ずる応力が前記磁気抵抗効果膜に伝達
されるのを防ぐための応力伝達防止部を、前記電極配線
に有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項７】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す基板上に形成
された電極配線とを有し、前記磁気抵抗効果膜の感磁部
に流入する磁束量に対応した信号を出力する磁気ヘッド
であって、 前記磁気抵抗効果膜の近傍の前記基板上に凸部を有し、
前記電極配線が、前記凸部上を横断するように形成さ
れ、断差を有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項８】所定の回転数で回転する磁気ディスクと、
磁気抵抗効果を用いて前記磁気ディスク上に記録された
信号を再生する磁気ヘッドとを有する磁気ディスク装置
において、 周波数１〜１０ＭＨｚの領域で雑音レベルが０.０２５
〜０.１ｍVrmsである磁気ディスク装置。 - 【請求項９】所定の回転数で回転する磁気ディスクと、
磁気抵抗効果を用いて前記磁気ディスク上に記録された
信号を再生する磁気ヘッドとを有する磁気ディスク装置
において、 前記再生された信号のバルクハウゼンノイズを実質的に
抑止し、前記磁気抵抗効果膜の感磁部の応力異方性を低
減する手段を有する磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24754592A JP2797859B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24754592A JP2797859B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103534A true JPH06103534A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2797859B2 JP2797859B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17165092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24754592A Expired - Lifetime JP2797859B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2797859B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675715B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-03-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive head and fabricating method thereof, and read write separation type head |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24754592A patent/JP2797859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675715B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-03-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive head and fabricating method thereof, and read write separation type head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2797859B2 (ja) | 1998-09-17 |
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