JPH06102511A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH06102511A JPH06102511A JP25102092A JP25102092A JPH06102511A JP H06102511 A JPH06102511 A JP H06102511A JP 25102092 A JP25102092 A JP 25102092A JP 25102092 A JP25102092 A JP 25102092A JP H06102511 A JPH06102511 A JP H06102511A
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- JP
- Japan
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- rubbing
- phase difference
- liquid crystal
- crystal display
- transparent electrode
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示素子の組立前に配向膜の配向特性を
測定し、常に安定したラビング処理を行い製造工程歩留
まりを向上する。 【構成】 透明電極基板1上に形成された配向膜の配向
処理を行なう配向処理手段5と、配向膜の複屈折位相差
を計測する複屈折位相差計測手段3、4と、複屈折位相
差の計測結果に基づき配向処理手段5を制御する配向処
理制御手段7とを備えた。
測定し、常に安定したラビング処理を行い製造工程歩留
まりを向上する。 【構成】 透明電極基板1上に形成された配向膜の配向
処理を行なう配向処理手段5と、配向膜の複屈折位相差
を計測する複屈折位相差計測手段3、4と、複屈折位相
差の計測結果に基づき配向処理手段5を制御する配向処
理制御手段7とを備えた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の製造方
法に関する。
法に関する。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の液晶表示素子の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0003】従来の配向処理装置は、表面に配向膜の形
成された透明電極基板を固定する基板固定台と、レ−ヨ
ン,ナイロン,コットン等の布を巻き付けたドラムを回
転させながら基板固定台に沿って配向膜表面を移動させ
る可動部とから構成されている。このような装置を用い
て配向膜のラビング処理を施すには、ラビングロ−ラ
(回転ドラム)の回転数、移動速度、配向膜への押圧力
(押し込み量)等のラビング条件を予め設定しておき、
その条件で透明電極基板表面の配向膜にラビングロ−ラ
のラビング布を接触させ、ラビングロ−ラを回転させな
がら移動させてラビングしていた(特開昭55−143
525号公報)。
成された透明電極基板を固定する基板固定台と、レ−ヨ
ン,ナイロン,コットン等の布を巻き付けたドラムを回
転させながら基板固定台に沿って配向膜表面を移動させ
る可動部とから構成されている。このような装置を用い
て配向膜のラビング処理を施すには、ラビングロ−ラ
(回転ドラム)の回転数、移動速度、配向膜への押圧力
(押し込み量)等のラビング条件を予め設定しておき、
その条件で透明電極基板表面の配向膜にラビングロ−ラ
のラビング布を接触させ、ラビングロ−ラを回転させな
がら移動させてラビングしていた(特開昭55−143
525号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の製造方法では、ラビング条件の設定が困難であり、
一度設定しても配向膜表面とラビング布を巻き付けたラ
ビングロ−ラとの間隔(押し込み量)、ローラ回転数、
基板の移動速度、ローラ径がばらつくと均一なラビング
処理が行えないばかりか極端な場合には配向膜表面に傷
(ラビング傷)をつけてしまうという課題を有してい
た。
来の製造方法では、ラビング条件の設定が困難であり、
一度設定しても配向膜表面とラビング布を巻き付けたラ
ビングロ−ラとの間隔(押し込み量)、ローラ回転数、
基板の移動速度、ローラ径がばらつくと均一なラビング
処理が行えないばかりか極端な場合には配向膜表面に傷
(ラビング傷)をつけてしまうという課題を有してい
た。
【0005】このようにラビング傷のついた透明電極基
板を用いて液晶表示素子を構成した場合、傷の部分の電
界に対する挙動が変化する結果、傷に沿ってしきい値の
異常な領域が発生する。またラビング条件を変える要因
であるローラ回転数、基板の移動速度、押し込み量、ロ
ーラ径を一定にしラビングしたとしても、ガラス基板の
厚みの変化、ラビング布のロット差、機械精度の経時的
変化などのため必ずしも常に一定のラビング強度でラビ
ングされる補償は無い。
板を用いて液晶表示素子を構成した場合、傷の部分の電
界に対する挙動が変化する結果、傷に沿ってしきい値の
異常な領域が発生する。またラビング条件を変える要因
であるローラ回転数、基板の移動速度、押し込み量、ロ
ーラ径を一定にしラビングしたとしても、ガラス基板の
厚みの変化、ラビング布のロット差、機械精度の経時的
変化などのため必ずしも常に一定のラビング強度でラビ
ングされる補償は無い。
【0006】ラビング処理法による液晶分子の配向メカ
ニズムは完全には解明されていないが、一般にラビング
処理によって配向膜表面にせん断応力が加わることで表
面付近のポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマ
ー鎖の配向に従って配列することが主要因と考えられて
いる。このように液晶分子の配向に配向膜表面の配向状
態は大きく影響する。ラビング処理された配向膜の配向
状態を定量的に計測する方法として、複屈折測定を用い
て配向状態が評価できることについては、既に報告され
ている(倉井、電子情報通信学会技術研究報告91巻3
27番)。
ニズムは完全には解明されていないが、一般にラビング
処理によって配向膜表面にせん断応力が加わることで表
面付近のポリマー鎖の配向が起こり、液晶分子がポリマ
ー鎖の配向に従って配列することが主要因と考えられて
いる。このように液晶分子の配向に配向膜表面の配向状
態は大きく影響する。ラビング処理された配向膜の配向
状態を定量的に計測する方法として、複屈折測定を用い
て配向状態が評価できることについては、既に報告され
ている(倉井、電子情報通信学会技術研究報告91巻3
27番)。
【0007】しかし大面積を高速で多点測定できる方式
は提案されていなかった。そのためパネル組み立て前の
配向状態の評価法としてはまだ不十分であり、実際にパ
ネルを組み立ててみるまでラビング処理工程の良否が判
別できず、結果的に不良率が増加するという問題点があ
った。すなわち基板面内での配向膜のラビング状態が不
均一だと、液晶分子のプレチルト角がバラツキ、パネル
としてはしきい値ムラすなわち表示ムラ(色ムラ)とな
り表示品位の低下を引き起こしてしまう。
は提案されていなかった。そのためパネル組み立て前の
配向状態の評価法としてはまだ不十分であり、実際にパ
ネルを組み立ててみるまでラビング処理工程の良否が判
別できず、結果的に不良率が増加するという問題点があ
った。すなわち基板面内での配向膜のラビング状態が不
均一だと、液晶分子のプレチルト角がバラツキ、パネル
としてはしきい値ムラすなわち表示ムラ(色ムラ)とな
り表示品位の低下を引き起こしてしまう。
【0008】本発明は前述のような問題点を解決するも
ので、大面積を高速で、多点測定できる液晶表示素子の
配向評価装置とラビング処理を施した配向膜の複屈折位
相差を計測し、これに基づきラビング処理条件を制御す
ることのできる液晶表示素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
ので、大面積を高速で、多点測定できる液晶表示素子の
配向評価装置とラビング処理を施した配向膜の複屈折位
相差を計測し、これに基づきラビング処理条件を制御す
ることのできる液晶表示素子の製造方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子の
製造方法は、透明電極基板上に形成された配向膜の配向
処理を行なう配向処理手段と、配向膜の複屈折位相差を
計測する複屈折位相差計測手段と、複屈折位相差の計測
結果に基づき配向処理手段を制御する配向処理制御手段
とを備えた構成を有している。
製造方法は、透明電極基板上に形成された配向膜の配向
処理を行なう配向処理手段と、配向膜の複屈折位相差を
計測する複屈折位相差計測手段と、複屈折位相差の計測
結果に基づき配向処理手段を制御する配向処理制御手段
とを備えた構成を有している。
【0010】
【作用】前記製造方法によって、配向膜の膜厚分布や周
囲環境の変動等が生じてもこれらの変動に影響されるこ
となく配向膜に一定の複屈折位相差を安定して与えるこ
とができる。さらに本発明の液晶表示素子の配向評価装
置を用いることで、被測定物を回転させることなく複屈
折の大きさと方向を同時に、大面積で高速でしかも多点
で測定できる。
囲環境の変動等が生じてもこれらの変動に影響されるこ
となく配向膜に一定の複屈折位相差を安定して与えるこ
とができる。さらに本発明の液晶表示素子の配向評価装
置を用いることで、被測定物を回転させることなく複屈
折の大きさと方向を同時に、大面積で高速でしかも多点
で測定できる。
【0011】
【実施例】以下本発明の一実施例における液晶表示素子
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。ま
ず本発明の液晶表示素子の製造方法で使用する配向処理
装置について説明する。
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。ま
ず本発明の液晶表示素子の製造方法で使用する配向処理
装置について説明する。
【0012】(図1)は本発明の液晶表示素子の製造方
法において使用した配向処理装置の概略構成図である。
(図1)において、1は透明電極基板、2は搬送ベル
ト、3は第1のチャンバ、4は第2のチャンバ、5はラ
ビングロ−ラ、6はラビング布、7はラビング制御部で
ある。
法において使用した配向処理装置の概略構成図である。
(図1)において、1は透明電極基板、2は搬送ベル
ト、3は第1のチャンバ、4は第2のチャンバ、5はラ
ビングロ−ラ、6はラビング布、7はラビング制御部で
ある。
【0013】(図1)に示すように、表面に配向膜が形
成された透明電極基板1を搭載して一定速度で搬送する
搬送ベルト2を備え、この搬送ベルト2により複屈折測
定用の第1のチャンバ3から第2のチャンバ4へかけて
矢印Aの方向に透明電極基板1が一定間隔で次々と搬送
される。そして第1、第2のチャンバ3、4間にはラビ
ング布6を巻き付けたラビングロ−ラ5が配置され、
(図1)には示していないがラビングロ−ラ回転モ−タ
により一定回転数で回転駆動されている。
成された透明電極基板1を搭載して一定速度で搬送する
搬送ベルト2を備え、この搬送ベルト2により複屈折測
定用の第1のチャンバ3から第2のチャンバ4へかけて
矢印Aの方向に透明電極基板1が一定間隔で次々と搬送
される。そして第1、第2のチャンバ3、4間にはラビ
ング布6を巻き付けたラビングロ−ラ5が配置され、
(図1)には示していないがラビングロ−ラ回転モ−タ
により一定回転数で回転駆動されている。
【0014】このラビングロ−ラ5の回転および透明電
極基板1の移動に伴うラビング布6と透明電極基板1の
上の配向膜との接触により配向膜全体にラビング処理が
行なわれる。この時のラビング条件すなわちラビングロ
−ラ5の回転数、透明電極基板1の移動速度およびラビ
ング布6の配向膜に与える押圧力(押し込み量)がラビ
ング制御部7によって各基板毎に適宜制御される。
極基板1の移動に伴うラビング布6と透明電極基板1の
上の配向膜との接触により配向膜全体にラビング処理が
行なわれる。この時のラビング条件すなわちラビングロ
−ラ5の回転数、透明電極基板1の移動速度およびラビ
ング布6の配向膜に与える押圧力(押し込み量)がラビ
ング制御部7によって各基板毎に適宜制御される。
【0015】また上記ラビング処理前の配向膜の複屈折
位相差を測定するための第1のチャンバ3とラビング処
理後の配向膜の複屈折位相差を測定するための第2のチ
ャンバ4を備えているが、第1と第2のチャンバ3、4
は同一構成でもよい。
位相差を測定するための第1のチャンバ3とラビング処
理後の配向膜の複屈折位相差を測定するための第2のチ
ャンバ4を備えているが、第1と第2のチャンバ3、4
は同一構成でもよい。
【0016】(図2)は複屈折位相差計測手段である。
(図2)に示すように、光源には発振周波数安定化He
−Neゼ−マンレ−ザ(以下レ−ザと略す)11を使用
している。レ−ザ11はx方向に電場が向きz方向に伝
播する周波数f1の直線偏光レ−ザ光とy方向に電場が
向きz方向に伝播する周波数f2の直線偏光レ−ザ光よ
りなる。レ−ザ11はレ−ザ管に磁場をかけるとゼ−マ
ン効果によりわずかにエネルギ−準位がずれ発信周波数
f1とf2で発信するが、f1とf2の差fを安定化す
る必要があり、fが一定になるようにレ−ザ11の共振
器長を制御したものである。その共振器長を制御する方
法としてはファンを使用して温度を一定にする方式やピ
エゾ素子を共振器ミラ−につけ共振器長を制御する方法
等がある。一般にはfの値は100KHzから数MHzまでの
範囲にある。
(図2)に示すように、光源には発振周波数安定化He
−Neゼ−マンレ−ザ(以下レ−ザと略す)11を使用
している。レ−ザ11はx方向に電場が向きz方向に伝
播する周波数f1の直線偏光レ−ザ光とy方向に電場が
向きz方向に伝播する周波数f2の直線偏光レ−ザ光よ
りなる。レ−ザ11はレ−ザ管に磁場をかけるとゼ−マ
ン効果によりわずかにエネルギ−準位がずれ発信周波数
f1とf2で発信するが、f1とf2の差fを安定化す
る必要があり、fが一定になるようにレ−ザ11の共振
器長を制御したものである。その共振器長を制御する方
法としてはファンを使用して温度を一定にする方式やピ
エゾ素子を共振器ミラ−につけ共振器長を制御する方法
等がある。一般にはfの値は100KHzから数MHzまでの
範囲にある。
【0017】レ−ザ11のコントロ−ラ12からは差周
波数fの参照ビ−ト信号が出力されるようになってる。
レ−ザ光はミラ−14によって測定基板(被測定物)1
5の上に集光される。測定基板(透明電極基板)15は
xyステ−ジ16によってxy方向に移動できる。透明
電極基板15を通過した透過光は、f1とf2の両方の
光を分離する光分離手段である無偏光ビ−ムスプリッタ
17によって2分割され、一方の光はx軸から45度の
偏光成分の光のみ透過する検光子18を通過して光検出
器20で受光され、また他方の光はx軸、またはy軸方
向(光の進行方向はz軸)に偏光した成分のみを透過す
る検光子19を通過して光検出器21で受光される。
波数fの参照ビ−ト信号が出力されるようになってる。
レ−ザ光はミラ−14によって測定基板(被測定物)1
5の上に集光される。測定基板(透明電極基板)15は
xyステ−ジ16によってxy方向に移動できる。透明
電極基板15を通過した透過光は、f1とf2の両方の
光を分離する光分離手段である無偏光ビ−ムスプリッタ
17によって2分割され、一方の光はx軸から45度の
偏光成分の光のみ透過する検光子18を通過して光検出
器20で受光され、また他方の光はx軸、またはy軸方
向(光の進行方向はz軸)に偏光した成分のみを透過す
る検光子19を通過して光検出器21で受光される。
【0018】光検出器20、21は測定基板15の持つ
光透過率、複屈折量、遅相軸方向に応じて変化する信号
を検出する。光検出器20の出力aはプリアンプ22を
通して直流成分Tのみを検出するロ−パスフィルタ−2
4、交流成分と参照信号fとの積qを出力するロックイ
ンアンプ25を通過する。光検出器21の出力bはプリ
アンプ23を通してロックインアンプ26でその交流成
分と参照信号との積sを出力する。
光透過率、複屈折量、遅相軸方向に応じて変化する信号
を検出する。光検出器20の出力aはプリアンプ22を
通して直流成分Tのみを検出するロ−パスフィルタ−2
4、交流成分と参照信号fとの積qを出力するロックイ
ンアンプ25を通過する。光検出器21の出力bはプリ
アンプ23を通してロックインアンプ26でその交流成
分と参照信号との積sを出力する。
【0019】これらの信号T,q,sはAD変換器27
でAD変換されたのちコンピュ−タ28に送られる。コ
ンピュ−タ28はT,q,sから複屈折量と遅相軸方向
を演算処理できる演算処理部を備えている。
でAD変換されたのちコンピュ−タ28に送られる。コ
ンピュ−タ28はT,q,sから複屈折量と遅相軸方向
を演算処理できる演算処理部を備えている。
【0020】さらに、演算処理部で算出された配向膜の
ラビング処理前後の複屈折位相差の差(ラビング処理に
より生じた配向膜のみの複屈折位相差)に基づいて決定
されたラビング条件は(図1)に示すラビング制御部7
に送られ、ラビング制御部7は次のラビング処理前後の
複屈折位相差の差が所定の一定値となるようにラビング
ロ−ラ5の回転数、透明電極基板1の移動速度、ラビン
グ布6の押し込み量をそれぞれ制御する。なおコンピュ
−タ28からはxyコントロ−ラ−29を通してxyス
テ−ジ16を制御する制御信号が出される。
ラビング処理前後の複屈折位相差の差(ラビング処理に
より生じた配向膜のみの複屈折位相差)に基づいて決定
されたラビング条件は(図1)に示すラビング制御部7
に送られ、ラビング制御部7は次のラビング処理前後の
複屈折位相差の差が所定の一定値となるようにラビング
ロ−ラ5の回転数、透明電極基板1の移動速度、ラビン
グ布6の押し込み量をそれぞれ制御する。なおコンピュ
−タ28からはxyコントロ−ラ−29を通してxyス
テ−ジ16を制御する制御信号が出される。
【0021】以上のように構成された本実施例での配向
処理装置の動作について、(図1)を参照しながら説明
する。まずラビング処理前の透明基板1が第1のチャン
バ3に搬送され、(図2)に示す複屈折位相差計測手段
により透明電極基板1とラビング処理前の配向膜を合計
した複屈折位相差の計測が行なわれる。
処理装置の動作について、(図1)を参照しながら説明
する。まずラビング処理前の透明基板1が第1のチャン
バ3に搬送され、(図2)に示す複屈折位相差計測手段
により透明電極基板1とラビング処理前の配向膜を合計
した複屈折位相差の計測が行なわれる。
【0022】次に透明電極基板1は搬送ベルト2により
一定速度で搬送され、回転するラビング布6により所定
の方向にラビング処理が施される。このようにしてラビ
ング処理された配向膜を有する透明基板1は第2のチャ
ンバ4内に搬送される。ここで透明基板1とラビング処
理された配向膜を合計した複屈折位相差が計測される。
この計測方法は第1のチャンバ3内と同様に行なわれ
る。
一定速度で搬送され、回転するラビング布6により所定
の方向にラビング処理が施される。このようにしてラビ
ング処理された配向膜を有する透明基板1は第2のチャ
ンバ4内に搬送される。ここで透明基板1とラビング処
理された配向膜を合計した複屈折位相差が計測される。
この計測方法は第1のチャンバ3内と同様に行なわれ
る。
【0023】この結果はラビング制御部7にフィ−ドバ
ックされ、ラビング制御部7は上記のラビング前後の複
屈折位相差の差(ラビング処理により生じた配向膜のみ
の複屈折位相差)に基づき、次回のラビング処理前後の
複屈折位相差の差(ラビング処理により配向膜に生じた
複屈折位相差)が所定の一定値になるようにラビングロ
−ラ5の回転数,透明電極基板1の移動速度,ラビング
布6の押し込み量を制御する。
ックされ、ラビング制御部7は上記のラビング前後の複
屈折位相差の差(ラビング処理により生じた配向膜のみ
の複屈折位相差)に基づき、次回のラビング処理前後の
複屈折位相差の差(ラビング処理により配向膜に生じた
複屈折位相差)が所定の一定値になるようにラビングロ
−ラ5の回転数,透明電極基板1の移動速度,ラビング
布6の押し込み量を制御する。
【0024】以上のようにして透明電極基板1のラビン
グ処理前後の複屈折位相差の差(ラビング処理により生
じた配向膜のみの複屈折位相差)を計測し(演算処理に
より算出される)、その差に基づいて次の透明電極基板
1にラビング処理を施す際の適切なラビング条件を設定
する処理が連続して搬送される各透明電極基板1毎に順
次繰り返し行なわれる。
グ処理前後の複屈折位相差の差(ラビング処理により生
じた配向膜のみの複屈折位相差)を計測し(演算処理に
より算出される)、その差に基づいて次の透明電極基板
1にラビング処理を施す際の適切なラビング条件を設定
する処理が連続して搬送される各透明電極基板1毎に順
次繰り返し行なわれる。
【0025】なお本実施例では第1,第2のチャンバ
3、4が各々独立した構成としたが、適宜共通な部分を
設けて連結した構成であってもよいし、共通に使用する
構成でも良い。
3、4が各々独立した構成としたが、適宜共通な部分を
設けて連結した構成であってもよいし、共通に使用する
構成でも良い。
【0026】次に本発明の一実施例における液晶表示素
子の製造方法を説明する。(図3)はその製造方法を説
明するための液晶表示素子の要部断面図である。まず各
々400本の走査電極31、640本の表示電極32を
スズを含む酸化インジウム透明電極(ITO)で形成し
た上下2枚の25×16cmの透明電極基板33、34を
洗浄し、その後加熱重合してポリイミド樹脂層となる樹
脂材料(例えば日産化学工業株式会社のSE610)を
印刷する。次に80℃で10分間乾燥した後250℃で
1時間本硬化を行ない膜厚約70nmのポリイミド配向膜
35、36を形成する。
子の製造方法を説明する。(図3)はその製造方法を説
明するための液晶表示素子の要部断面図である。まず各
々400本の走査電極31、640本の表示電極32を
スズを含む酸化インジウム透明電極(ITO)で形成し
た上下2枚の25×16cmの透明電極基板33、34を
洗浄し、その後加熱重合してポリイミド樹脂層となる樹
脂材料(例えば日産化学工業株式会社のSE610)を
印刷する。次に80℃で10分間乾燥した後250℃で
1時間本硬化を行ない膜厚約70nmのポリイミド配向膜
35、36を形成する。
【0027】次に(図1)に示す本発明の配向処理装置
を用い、液晶分子のねじれ角が240度となる方向にラ
ビング処理を施す。この時、各透明電極基板33、34
についてスポット径2mmで測定した。配向膜35、36
の表面を等間隔で合計100点測定した。ラビング処理
された配向膜35、36について得られたラビング処理
前後の複屈折位相差の差(ラビング処理により配向膜の
みに生じた複屈折位相差)の結果を(表1)に示す。
を用い、液晶分子のねじれ角が240度となる方向にラ
ビング処理を施す。この時、各透明電極基板33、34
についてスポット径2mmで測定した。配向膜35、36
の表面を等間隔で合計100点測定した。ラビング処理
された配向膜35、36について得られたラビング処理
前後の複屈折位相差の差(ラビング処理により配向膜の
みに生じた複屈折位相差)の結果を(表1)に示す。
【0028】
【表1】
【0029】その後透明電極基板33、34を貼り合わ
せて液晶表示素子を作製した。液晶表示素子の作製は、
一方の透明電極基板33の上にビ−ズスペ−サ37を形
成するビ−ズを散布し、他方にシ−ル樹脂38となるシ
−ル剤を印刷し、貼り合わせることによって行なった。
シ−ル剤は熱硬化タイプで60℃で4時間、その後15
0℃で3時間硬化を行なった。次に市販のSTN液晶組
成物39を真空注入し液晶表示素子を完成した。
せて液晶表示素子を作製した。液晶表示素子の作製は、
一方の透明電極基板33の上にビ−ズスペ−サ37を形
成するビ−ズを散布し、他方にシ−ル樹脂38となるシ
−ル剤を印刷し、貼り合わせることによって行なった。
シ−ル剤は熱硬化タイプで60℃で4時間、その後15
0℃で3時間硬化を行なった。次に市販のSTN液晶組
成物39を真空注入し液晶表示素子を完成した。
【0030】以上の製造工程でサンプルの液晶表示素子
を作製し、1/200デュ−ティで駆動させて表示品位
を検討した。液晶表示素子の評価結果は(表1)に○
印,△印,×印で示した。○印は表示面に表示ムラある
いはラビング傷等の欠陥がない表示品位の良好なもの、
△印は表示面に表示ムラあるいはラビング傷等の欠陥が
目立つ表示品位の悪いもの、×印は表示ムラあるいはラ
ビング傷等の欠陥が非常に多く表示品位の非常に悪いも
のを示す。
を作製し、1/200デュ−ティで駆動させて表示品位
を検討した。液晶表示素子の評価結果は(表1)に○
印,△印,×印で示した。○印は表示面に表示ムラある
いはラビング傷等の欠陥がない表示品位の良好なもの、
△印は表示面に表示ムラあるいはラビング傷等の欠陥が
目立つ表示品位の悪いもの、×印は表示ムラあるいはラ
ビング傷等の欠陥が非常に多く表示品位の非常に悪いも
のを示す。
【0031】比較例としてラビング処理を施す手段のみ
を備えた従来の配向処理装置でラビング処理し、他の条
件は本実施例と同様にして作製した液晶表示素子につい
て評価を行なった。この時のラビング処理前後の複屈折
位相差の差(ラビング処理により生じた配向膜のみの複
屈折位相差)と作製した液晶表示素子の表示品位の評価
結果を(表2)に示す。
を備えた従来の配向処理装置でラビング処理し、他の条
件は本実施例と同様にして作製した液晶表示素子につい
て評価を行なった。この時のラビング処理前後の複屈折
位相差の差(ラビング処理により生じた配向膜のみの複
屈折位相差)と作製した液晶表示素子の表示品位の評価
結果を(表2)に示す。
【0032】
【表2】
【0033】(表2)に示すように、従来の配向処理装
置で製造するとラビング前後の複屈折位相差の差が各透
明電極基板でばらつき、それに応じて液晶表示素子の表
示品位もばらついた。一方、本実施例の配向処理評価装
置を用いて製造することにより(表1)に示すように、
配向膜に一定の複屈折位相差を安定して与えることがで
き、表示品位の良好な液晶表示素子が得られた。また本
実施例の複屈折位相差の計測手段を用いることで、従来
の計測手段でのものに比べ、計測時間を約1/20に短
縮できた。
置で製造するとラビング前後の複屈折位相差の差が各透
明電極基板でばらつき、それに応じて液晶表示素子の表
示品位もばらついた。一方、本実施例の配向処理評価装
置を用いて製造することにより(表1)に示すように、
配向膜に一定の複屈折位相差を安定して与えることがで
き、表示品位の良好な液晶表示素子が得られた。また本
実施例の複屈折位相差の計測手段を用いることで、従来
の計測手段でのものに比べ、計測時間を約1/20に短
縮できた。
【0034】なお本発明の液晶表示素子の製造方法はS
TNタイプの液晶表示素子に限定されるものではなく、
液晶表示素子一般に広く適用でき、また配向膜の形成は
印刷法以外であっても何等問題ない。また透明電極基板
には必要であれば透明膜をアンダ−コ−トまたはオ−バ
−コ−トされていてもさしつかえない。
TNタイプの液晶表示素子に限定されるものではなく、
液晶表示素子一般に広く適用でき、また配向膜の形成は
印刷法以外であっても何等問題ない。また透明電極基板
には必要であれば透明膜をアンダ−コ−トまたはオ−バ
−コ−トされていてもさしつかえない。
【0035】
【発明の効果】以上のように本発明の液晶表示素子の配
向評価装置を用いることで、被測定物を回転させること
なく複屈折の大きさと方向を同時に、大面積で高速でし
かも多点で測定できる。また本発明の液晶表示素子の製
造方法によって、配向膜の膜厚分布や周囲環境の変動等
が生じてもこれらの変動に影響されることなく配向膜に
一定の複屈折位相差を安定して与えることができ歩留ま
り向上にも大きく貢献できる。
向評価装置を用いることで、被測定物を回転させること
なく複屈折の大きさと方向を同時に、大面積で高速でし
かも多点で測定できる。また本発明の液晶表示素子の製
造方法によって、配向膜の膜厚分布や周囲環境の変動等
が生じてもこれらの変動に影響されることなく配向膜に
一定の複屈折位相差を安定して与えることができ歩留ま
り向上にも大きく貢献できる。
【図1】本発明の一実施例における液晶表示素子の製造
方法で使用した配向処理装置の概略構成図
方法で使用した配向処理装置の概略構成図
【図2】同配向処理装置の複屈折位相差計測手段の概略
構成図
構成図
【図3】本発明の一実施例における液晶表示素子の製造
方法を説明するための液晶表示素子の要部断面図
方法を説明するための液晶表示素子の要部断面図
1 透明電極基板 3 第1のチャンバ(複屈折位相差計測手段) 4 第2のチャンバ(複屈折位相差計測手段) 5 ラビングロ−ラ(配向処理手段) 7 ラビング制御部(配向処理制御手段)
Claims (1)
- 【請求項1】基板上に透明電極層さらにその上にラビン
グ処理された配向膜を有する電極基板を相対向するよう
に配置した液晶表示素子の製造方法において、透明電極
上に形成された配向膜の配向処理を行なう配向処理手段
と、少なくとも配向処理後の配向膜の複屈折位相差を計
測する複屈折位相差計測手段と、複屈折位相差の計測結
果に基づき前記配向処理手段を制御する配向処理制御手
段とを備えた液晶表示素子の製造方法であり、かつ前記
複屈折位相差を計測手段が、光周波数f1でx軸方向に
光電場が向きz軸方向に伝播する第1の直線偏光レ−ザ
光と光周波数f2でy軸方向に光電場が向きz軸方向に
伝播する第2の直線偏光レ−ザ光とを発生する光源と、
差周波数f=f1−f2の差周波交流信号を発生する差
周波発生手段と、被測定物を透過したレ−ザ光を偏光方
向によらずほぼ一定の比率で分離する光分離手段と、こ
れにより分離された一方の光をxy軸から45度方向の
光のみ透過する検光子を通して光検出器で受光し検出し
た信号aおよび前記光分離手段により分離された他方の
光をx軸またはy軸方向のみを透過する検光子を通して
光検出器で受光し検出した信号bと前記差周波交流信号
との積qおよびsとを得る乗算器と、この乗算器出力か
ら前記被測定物の複屈折量dと遅相軸(または進相軸)
方向を演算する演算手段とからなる液晶表示素子の製造
方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25102092A JPH06102511A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 液晶表示素子の製造方法 |
US08/053,200 US5315421A (en) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Rubbing apparatus including double refraction phase difference measuring means and manufacturing method for liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25102092A JPH06102511A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06102511A true JPH06102511A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17216435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25102092A Pending JPH06102511A (ja) | 1992-04-28 | 1992-09-21 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06102511A (ja) |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP25102092A patent/JPH06102511A/ja active Pending
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