JPH06102191A - バイアホール検査方法 - Google Patents
バイアホール検査方法Info
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- JPH06102191A JPH06102191A JP25022492A JP25022492A JPH06102191A JP H06102191 A JPH06102191 A JP H06102191A JP 25022492 A JP25022492 A JP 25022492A JP 25022492 A JP25022492 A JP 25022492A JP H06102191 A JPH06102191 A JP H06102191A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアホール検査方法に関し，非常に薄いポ
リイミド残渣を高い精度で検出できるにようにすること
を目的とする。 【構成】 １）検査対象に照射する励起光を走査するこ
とにより発生する蛍光を検知し，該蛍光の検知信号によ
りバイアホールの欠陥を検出する検査論理を用い，該蛍
光検知信号に含まれるパルス状の光信号のパルス数を計
数する過程と，計数された該パルス数によりバイアホー
ル内部に残存する基材の残渣を検出する過程とを有す
る， ２）前記光信号のパルス数を計数する過程が，各走査ラ
インまたは各画素ごとにパルス数を計数し，バイアホー
ル全域について計数値の総和を算出するように構成す
る。
リイミド残渣を高い精度で検出できるにようにすること
を目的とする。 【構成】 １）検査対象に照射する励起光を走査するこ
とにより発生する蛍光を検知し，該蛍光の検知信号によ
りバイアホールの欠陥を検出する検査論理を用い，該蛍
光検知信号に含まれるパルス状の光信号のパルス数を計
数する過程と，計数された該パルス数によりバイアホー
ル内部に残存する基材の残渣を検出する過程とを有す
る， ２）前記光信号のパルス数を計数する過程が，各走査ラ
インまたは各画素ごとにパルス数を計数し，バイアホー
ル全域について計数値の総和を算出するように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミド薄膜に形成さ
れたバイアホールの蛍光パターン検知による欠陥検査方
法に関する。
れたバイアホールの蛍光パターン検知による欠陥検査方
法に関する。
【０００２】セラミック基板上に形成された多層配線間
の層間絶縁膜としてポリイミド膜が用いられるが，ポリ
イミド膜に開けたバイアホールが所定位置で所定面積に
開口されているかどうかを検査する必要がある。
の層間絶縁膜としてポリイミド膜が用いられるが，ポリ
イミド膜に開けたバイアホールが所定位置で所定面積に
開口されているかどうかを検査する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図７(A),(B) は蛍光によるバイアホール
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
検知の説明図である。図において，１はセラミック基
板, ２は金属配線，３はポリイミド膜，４はバイアホー
ル，５はレーザ光，６は蛍光である。
【０００４】ポリイミド膜にレーザ光を当てると蛍光が
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。
発生するが，金属配線にレーザ光を当てても蛍光が発生
しないので，この現象を利用してバイアホールとポリイ
ミド膜との識別を行う。
【０００５】バイアホールの内壁に当たった反射光によ
り発生する図の点線で示される蛍光は雑音となる不要な
蛍光である。この不要な蛍光の除去は本発明の目的の一
つである。
り発生する図の点線で示される蛍光は雑音となる不要な
蛍光である。この不要な蛍光の除去は本発明の目的の一
つである。
【０００６】蛍光をレーザ光と分離して取り出すため
に，図７(B) に示される特性を持つ波長フィルタを用い
る。図８(A),(B) はバイアホールの検知信号の例の説明
図である。
に，図７(B) に示される特性を持つ波長フィルタを用い
る。図８(A),(B) はバイアホールの検知信号の例の説明
図である。
【０００７】検査対象物にレーザ光を照射することによ
り発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用いて分離
し，光センサで検知する。このようにすると，ポリイミ
ド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きくなる
が，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強度は
小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，２で
２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの有無
や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイアホー
ル内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
り発生する蛍光成分を上記の波長フィルタを用いて分離
し，光センサで検知する。このようにすると，ポリイミ
ド膜の上では蛍光の発生により信号強度は大きくなる
が，金属配線の上では蛍光が発生しないので信号強度は
小さくなる。この信号を２つのスライスレベル１，２で
２値化し，高いスライスレベル１でバイアホールの有無
や大きさを検査し，低いスライスレベル２でバイアホー
ル内にポリイミド膜の残渣がないかを検査する。
【０００８】図９は蛍光信号を２値化する回路を示す図
である。図10はバイアホールの検査論理の説明図であ
る。図において，まず，スライスレベル１により２値化
されたパターン１と，バイアホール位置データと，検査
対象物を載せたステージ位置データを用いて，バイアホ
ール有無判定回路で過剰なバイアホールや未貫通のバイ
アホールが存在しないかを検査する。
である。図10はバイアホールの検査論理の説明図であ
る。図において，まず，スライスレベル１により２値化
されたパターン１と，バイアホール位置データと，検査
対象物を載せたステージ位置データを用いて，バイアホ
ール有無判定回路で過剰なバイアホールや未貫通のバイ
アホールが存在しないかを検査する。
【０００９】次に，スライスレベル２により２値化され
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
たパターン２は面積計測回路に入力され，面積（画素
数）の計測を行う。次いで面積判定回路で計測されたバ
イアホールの面積（Ｓ）と予め設定された最大／最小面
積（Ｓmax ，Ｓmin ）とを比較することにより欠陥の検
出を行う。
【００１０】図11(A),(B) はポリイミド膜に形成したバ
イアホールの欠陥例を示す断面図である。図で,(a)は正
常バイアホール, (b) 〜(g) は欠陥バイアホールであ
る。
イアホールの欠陥例を示す断面図である。図で,(a)は正
常バイアホール, (b) 〜(g) は欠陥バイアホールであ
る。
【００１１】(b) はバイアホール内の一部にポリイミド
膜が残存しているもの，(c) はバイアホール内全面にポ
リイミド膜が残存しているもの，(d) はバイアホールの
直径が許容値より小さいもの，(e) はバイアホールの直
径が許容値より大きいもの，(f) は本来あるべき位置に
バイアホールがないもの, (g) は本来あってはならない
位置にバイアホールがあるものである。
膜が残存しているもの，(c) はバイアホール内全面にポ
リイミド膜が残存しているもの，(d) はバイアホールの
直径が許容値より小さいもの，(e) はバイアホールの直
径が許容値より大きいもの，(f) は本来あるべき位置に
バイアホールがないもの, (g) は本来あってはならない
位置にバイアホールがあるものである。
【００１２】このような，ポリイミド膜のバイアホール
に発生する欠陥を検出する検査装置に用いられる検知光
学系の概要を図３に示す。図12は蛍光パターン検知光学
系の一例を示す構成図である。
に発生する欠陥を検出する検査装置に用いられる検知光
学系の概要を図３に示す。図12は蛍光パターン検知光学
系の一例を示す構成図である。
【００１３】この装置は，先に本発明者によって特許出
願された構成である。蛍光励起用レーザ光源11より出射
された波長が紫外〜青のレーザ光はビームエクスパンダ
12を用いて拡大する。拡大したレーザ光を回転多面鏡13
を用いて走査し, スキャンレンズ14により検査対象上に
集光する。
願された構成である。蛍光励起用レーザ光源11より出射
された波長が紫外〜青のレーザ光はビームエクスパンダ
12を用いて拡大する。拡大したレーザ光を回転多面鏡13
を用いて走査し, スキャンレンズ14により検査対象上に
集光する。
【００１４】ここで, ポリイミド膜とバイアホールとの
識別は，前記のようにポリイミド膜から発生する蛍光
（蛍光波長は黄〜赤）を利用する。レーザ光の照射によ
り発生した蛍光は，入射レーザ光と同じ経路を逆に通っ
て，すなわちスキャンレンズ→回転多面鏡→ビームスプ
リッタ-1 15を通って再帰的に帰還され，光路中に配置
されたビームスプリッタ-1により再帰反射光は検知系に
導かれる。
識別は，前記のようにポリイミド膜から発生する蛍光
（蛍光波長は黄〜赤）を利用する。レーザ光の照射によ
り発生した蛍光は，入射レーザ光と同じ経路を逆に通っ
て，すなわちスキャンレンズ→回転多面鏡→ビームスプ
リッタ-1 15を通って再帰的に帰還され，光路中に配置
されたビームスプリッタ-1により再帰反射光は検知系に
導かれる。
【００１５】再帰反射光は照射レーザ光の成分と蛍光成
分を含むため波長フイルタ16を通して蛍光成分のみを分
離する。分離された蛍光は再結像レンズ17により（再）
結像される。すなわち，結像面上にはレーザの照射点近
傍の画像が結像される。
分を含むため波長フイルタ16を通して蛍光成分のみを分
離する。分離された蛍光は再結像レンズ17により（再）
結像される。すなわち，結像面上にはレーザの照射点近
傍の画像が結像される。
【００１６】そこで，結像面上に走査型光電子増倍管24
を配置し，中央部分, すなわちレーザ光の照射点の蛍光
のみを分離, 抽出し，電気信号 (蛍光検知信号) に変換
する。
を配置し，中央部分, すなわちレーザ光の照射点の蛍光
のみを分離, 抽出し，電気信号 (蛍光検知信号) に変換
する。
【００１７】このように, レーザ光照射点の画像を再帰
的に結像し，その結像面上において空間フィルタリング
を行うことにより，照射点で発生した蛍光のみを分離し
て検出することにより, 周囲の不要な蛍光の影響を少な
くしている。
的に結像し，その結像面上において空間フィルタリング
を行うことにより，照射点で発生した蛍光のみを分離し
て検出することにより, 周囲の不要な蛍光の影響を少な
くしている。
【００１８】なお, レーザビームの走査位置をモニタす
るため, スキャンレンズ９から出たレーザ光をビームス
プリッタ-2 20と格子板21を通して格子検知用の光セン
サ-222 で受光している。
るため, スキャンレンズ９から出たレーザ光をビームス
プリッタ-2 20と格子板21を通して格子検知用の光セン
サ-222 で受光している。
【００１９】ここで，走査型光電子増倍管の光検出位置
が再結像面上における蛍光像の移動に追従するように走
査型光電子増倍管の偏向電圧を制御する必要がある。そ
のために, まず格子検知信号を処理して現在の走査位置
を検出し，その走査位置に対する走査型光電子増倍管の
偏向電圧を求める。この偏向電圧の波形は一般には図示
のような鋸歯状波となる。位置を鋸歯状波電圧に変換
し，この電圧を走査型光電子増倍管の偏向コイルドライ
バに印加する。これにより，常にレーザ光照射点から発
生する蛍光のみを検知することが可能となる。
が再結像面上における蛍光像の移動に追従するように走
査型光電子増倍管の偏向電圧を制御する必要がある。そ
のために, まず格子検知信号を処理して現在の走査位置
を検出し，その走査位置に対する走査型光電子増倍管の
偏向電圧を求める。この偏向電圧の波形は一般には図示
のような鋸歯状波となる。位置を鋸歯状波電圧に変換
し，この電圧を走査型光電子増倍管の偏向コイルドライ
バに印加する。これにより，常にレーザ光照射点から発
生する蛍光のみを検知することが可能となる。
【００２０】図12(B) は走査型光電子増倍管の説明図で
ある。走査型光電子増倍管は光電子増倍管の一種であ
り，光感度が非常に高く, 微細な蛍光の検出には最適で
ある。図において，24A は光電面, 24B は偏向コイル,2
4C はピンホールである。
ある。走査型光電子増倍管は光電子増倍管の一種であ
り，光感度が非常に高く, 微細な蛍光の検出には最適で
ある。図において，24A は光電面, 24B は偏向コイル,2
4C はピンホールである。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなバイアホ
ール検査装置の蛍光パターン検知光学系においては, 以
下に示すような問題があった。
ール検査装置の蛍光パターン検知光学系においては, 以
下に示すような問題があった。
【００２２】図13(A) 〜(D) は従来例の問題点の説明図
である。ポリイミド膜が薄くなってくると，発生する傾
向が非常に微弱となり，図13(A) に示すように蛍光の検
知信号はインパルス状となる。これは光の粒子性による
ものである。光は光量（光子数）が多いと(B) のように
ほぼ直流的な検知信号となるが，光量が少なくなってく
ると(C) →(D) と次第に粒子としての性質が強く現れる
ようになり，検知信号は離散したパルスとなる。このた
め図８のスライスレベル２で２値化することが困難とな
る。
である。ポリイミド膜が薄くなってくると，発生する傾
向が非常に微弱となり，図13(A) に示すように蛍光の検
知信号はインパルス状となる。これは光の粒子性による
ものである。光は光量（光子数）が多いと(B) のように
ほぼ直流的な検知信号となるが，光量が少なくなってく
ると(C) →(D) と次第に粒子としての性質が強く現れる
ようになり，検知信号は離散したパルスとなる。このた
め図８のスライスレベル２で２値化することが困難とな
る。
【００２３】本発明は非常に薄いポリイミド残渣を高い
精度で検出できるにようにすることを目的とする。
精度で検出できるにようにすることを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）検査対象に照射する励起光を走査することにより発
生する蛍光を検知し，該蛍光の検知信号によりバイアホ
ールの欠陥を検出する検査論理を用い，該蛍光検知信号
に含まれるパルス状の光信号のパルス数を計数する過程
と，計数された該パルス数によりバイアホール内部に残
存する基材の残渣を検出する過程とを有するバイアホー
ル検査方法，あるいは ２）前記光信号のパルス数を計数する過程が，各走査ラ
インまたは各画素ごとにパルス数を計数し，バイアホー
ル全域について計数値の総和を算出する前記１）記載の
バイアホール検査方法，あるいは ３）前記バイアホール内部に残渣のない部分の面積を計
測することにより残渣を検出する過程を付加した前記
１）記載のバイアホール検査方法，あるいは ４）前記蛍光検知信号を多値化し，バイアホールの内部
に相当する領域において多値化されたデータの総和を計
測することによりバイアホール内の残渣を検出する過程
を付加した前記１）記載のバイアホール検査方法，ある
いは ５）前記蛍光検知信号から基材信号を抽出し，その強度
が一定となるように励起光の出力パワーを制御する過程
を付加した前記１）記載のバイアホール検査方法により
達成される。
生する蛍光を検知し，該蛍光の検知信号によりバイアホ
ールの欠陥を検出する検査論理を用い，該蛍光検知信号
に含まれるパルス状の光信号のパルス数を計数する過程
と，計数された該パルス数によりバイアホール内部に残
存する基材の残渣を検出する過程とを有するバイアホー
ル検査方法，あるいは ２）前記光信号のパルス数を計数する過程が，各走査ラ
インまたは各画素ごとにパルス数を計数し，バイアホー
ル全域について計数値の総和を算出する前記１）記載の
バイアホール検査方法，あるいは ３）前記バイアホール内部に残渣のない部分の面積を計
測することにより残渣を検出する過程を付加した前記
１）記載のバイアホール検査方法，あるいは ４）前記蛍光検知信号を多値化し，バイアホールの内部
に相当する領域において多値化されたデータの総和を計
測することによりバイアホール内の残渣を検出する過程
を付加した前記１）記載のバイアホール検査方法，ある
いは ５）前記蛍光検知信号から基材信号を抽出し，その強度
が一定となるように励起光の出力パワーを制御する過程
を付加した前記１）記載のバイアホール検査方法により
達成される。
【００２５】
【作用】本発明では，非常に薄いポリイミド残渣の検出
にフォトン計数の手法を利用している。この手法は，光
量が微小な領域では従来例のように光量の平均値を測定
するよりも，光子の数を計数する方が精度のよい測定が
できることを利用している。
にフォトン計数の手法を利用している。この手法は，光
量が微小な領域では従来例のように光量の平均値を測定
するよりも，光子の数を計数する方が精度のよい測定が
できることを利用している。
【００２６】図６は本発明の作用説明図である。図にお
いて，まず，スライスレベル２を適当な位置に設定し
て，光パルスを２値化する。２値化信号の立ち上がり数
をカウントすることにより，光パルスの数を計測するこ
とができる。カウントの開始／終了は，一般的にはスラ
イスレベル１による２値化信号の立ち下がり／立ち上が
りで行うのが適当である。光走査ラインごとのパルス数
Ｌi を記憶し，バイアホール全域についてのパルス数の
総和Ｎ＝ΣＬi を算出することにより，バイアホール内
部における光量（に相当する量）が計測できる。このパ
ルス数の総和Ｎを，予め設定された基準パルス数ＮRと
比較することにより, 残渣の検出が可能となる。
いて，まず，スライスレベル２を適当な位置に設定し
て，光パルスを２値化する。２値化信号の立ち上がり数
をカウントすることにより，光パルスの数を計測するこ
とができる。カウントの開始／終了は，一般的にはスラ
イスレベル１による２値化信号の立ち下がり／立ち上が
りで行うのが適当である。光走査ラインごとのパルス数
Ｌi を記憶し，バイアホール全域についてのパルス数の
総和Ｎ＝ΣＬi を算出することにより，バイアホール内
部における光量（に相当する量）が計測できる。このパ
ルス数の総和Ｎを，予め設定された基準パルス数ＮRと
比較することにより, 残渣の検出が可能となる。
【００２７】
【実施例】図１は本発明の実施例１の構成図である。光
学系は図12と全く同様であるが，蛍光検知信号の処理方
法および残渣の検査論理が異なる。蛍光検知信号を適当
なレベレに増幅 (×Ａ2)し，コンパレータ２に入力す
る。コンパレータ２においてスライスレベル２で２値化
される。２値化された蛍光検知信号をカウンタ118 に入
力し，光パルスの数をカウントする。
学系は図12と全く同様であるが，蛍光検知信号の処理方
法および残渣の検査論理が異なる。蛍光検知信号を適当
なレベレに増幅 (×Ａ2)し，コンパレータ２に入力す
る。コンパレータ２においてスライスレベル２で２値化
される。２値化された蛍光検知信号をカウンタ118 に入
力し，光パルスの数をカウントする。
【００２８】この際, スライスレベル１による２値化信
号の立ち下がりでカウントの開始を制御する。また，立
ち上がりでカウントの終了，カウント値の出力，カウン
タのリセットを制御する。
号の立ち下がりでカウントの開始を制御する。また，立
ち上がりでカウントの終了，カウント値の出力，カウン
タのリセットを制御する。
【００２９】超高速非同期カウンタ118 から出力された
各走査ラインごとのパルス数Ｌi は，パルス数積算回路
119 に入力され, バイアホール全域についてのパルス数
の総和Ｎ＝ΣＬi が算出される。
各走査ラインごとのパルス数Ｌi は，パルス数積算回路
119 に入力され, バイアホール全域についてのパルス数
の総和Ｎ＝ΣＬi が算出される。
【００３０】パルス数の総和Ｎはパルス数判定回路120
に入力され，予め設定された基準パルス数ＮR と比較さ
れる。その結果, Ｎ＞ＮR ならば, バイアホールは欠陥
としてその位置情報等が出力される。
に入力され，予め設定された基準パルス数ＮR と比較さ
れる。その結果, Ｎ＞ＮR ならば, バイアホールは欠陥
としてその位置情報等が出力される。
【００３１】図２は本発明の実施例２の構成図である。
実施例１のフォトン計数による方法だけでは，ポリイミ
ド残渣が多くなると機能しなくなる。これは，ポリイミ
ド残渣が多くなると光パルスが離散的でなく，複雑に重
なり合った状態となると，パルスを弁別できなくなるか
らである。
実施例１のフォトン計数による方法だけでは，ポリイミ
ド残渣が多くなると機能しなくなる。これは，ポリイミ
ド残渣が多くなると光パルスが離散的でなく，複雑に重
なり合った状態となると，パルスを弁別できなくなるか
らである。
【００３２】そこで，この実施例２では従来の面積によ
る検査論理を併用することにより，ポリイミド残渣が多
くなった場合にも対応できるようにしている。図３は本
発明の実施例３の構成図である。
る検査論理を併用することにより，ポリイミド残渣が多
くなった場合にも対応できるようにしている。図３は本
発明の実施例３の構成図である。
【００３３】この例は，実施例２の２値化回路（コンパ
レータ３）と面積検査論理を，多値化回路122 と多値化
データの総和による検査論理に変更したものである。す
なわち，多値化データ値の積算回路123 の出力値Ｄをデ
ータ判定回路124 に入力し, 予め設定された基準パルス
数ＤR と比較される。その結果, Ｄ＞ＤR ならば, バイ
アホールは欠陥としてその位置情報等が出力される。
レータ３）と面積検査論理を，多値化回路122 と多値化
データの総和による検査論理に変更したものである。す
なわち，多値化データ値の積算回路123 の出力値Ｄをデ
ータ判定回路124 に入力し, 予め設定された基準パルス
数ＤR と比較される。その結果, Ｄ＞ＤR ならば, バイ
アホールは欠陥としてその位置情報等が出力される。
【００３４】図４は本発明の実施例４の構成図である。
カウンタ118 が十分に高速の場合は，各走査ラインごと
の光パルス数ではなく，各画素ごとに光パルス数の計測
が可能となる。
カウンタ118 が十分に高速の場合は，各走査ラインごと
の光パルス数ではなく，各画素ごとに光パルス数の計測
が可能となる。
【００３５】実施例では，50 MHz以上のECL カウンタや
GaAsカウンタを用いる。カウンタ118 から出力された各
画素ごとのパルス数ｄi は，カウント値挿入回路122 を
経てパルス数積算回路119 に入力され, バイアホール全
域についてのパルス数の総和Ｎ＝Σｄi が算出される。
ここで，カウント値挿入回路122 においては２次元パタ
ーンにカウント値が挿入される。
GaAsカウンタを用いる。カウンタ118 から出力された各
画素ごとのパルス数ｄi は，カウント値挿入回路122 を
経てパルス数積算回路119 に入力され, バイアホール全
域についてのパルス数の総和Ｎ＝Σｄi が算出される。
ここで，カウント値挿入回路122 においては２次元パタ
ーンにカウント値が挿入される。
【００３６】パルス数の総和Ｎはパルス数判定回路120
に入力され，予め設定された基準パルス数ＮR と比較さ
れる。その結果, Ｎ＞ＮR ならば, バイアホールは欠陥
としてその位置情報等が出力される。
に入力され，予め設定された基準パルス数ＮR と比較さ
れる。その結果, Ｎ＞ＮR ならば, バイアホールは欠陥
としてその位置情報等が出力される。
【００３７】図５は本発明の実施例５の構成図である。
フォトン計数法による場合は，元の蛍光検知信号の強度
が大きく変動してしまうと，精度よくパターン数の計数
を行うことが困難となる。そこで実施例５では，蛍光検
知信号の基材レベルをモニタし，蛍光励起用のレーザ光
源の強度を制御する機能を付加した。
フォトン計数法による場合は，元の蛍光検知信号の強度
が大きく変動してしまうと，精度よくパターン数の計数
を行うことが困難となる。そこで実施例５では，蛍光検
知信号の基材レベルをモニタし，蛍光励起用のレーザ光
源の強度を制御する機能を付加した。
【００３８】すなわち，基材領域抽出回路115 の出力を
基材レベル平均回路126 に入力し，レーザ光量制御回路
127 によりレーザ光源の光量Ｐを，レーザ光量設定値Ｐ
R に等しくなるように制御する。
基材レベル平均回路126 に入力し，レーザ光量制御回路
127 によりレーザ光源の光量Ｐを，レーザ光量設定値Ｐ
R に等しくなるように制御する。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば，非常に薄いポリイミド
残渣を高い精度に検出できるようになった。この結果,
バイアホール検査の精度向上に寄与することができた。
残渣を高い精度に検出できるようになった。この結果,
バイアホール検査の精度向上に寄与することができた。
【図１】 本発明の実施例１の説明図
【図２】 本発明の実施例２の説明図
【図３】 本発明の実施例３の説明図
【図４】 本発明の実施例４の説明図
【図５】 本発明の実施例５の説明図
【図６】 本発明の作用説明図
【図７】 蛍光によるバイアホール検知の説明図
【図８】 バイアホールの検知信号の例の説明図
【図９】 蛍光信号を２値化する回路を示す図
【図10】 従来例によるバイアホールの検査論理の説明
図
図
【図11】 ポリイミド膜に形成したバイアホールの欠陥
例を示す断面図
例を示す断面図
【図12】 蛍光パターン検知光学系の一例を示す構成図
【図13】 従来例の問題点の説明図
１ セラミック基板 ２ 金属配線 ３ ポリイミド膜 ４ バイアホール ５ レーザ光 ６ 蛍光 11 蛍光励起用レーザ光源 12 ビームエクスパンダ 13 回転多面鏡 14 ミラー 15 ビームスプリッタ-1 16 波長フィルタ 17 再結像用レンズ 20 ビームスプリッタ-2 21 格子板 22 光センサ-2 24 走査型光電子増倍管（イメージディセクタ） 111 バイアホール位置データ 112 ステージ位置データ 113 バイアホール有無判定回路 114 形状検査論理回路 115 バイア領域抽出回路 116 面積計測回路 117 面積判定回路 118 カウンタ 119 パルス数積算回路 120 パルス数判定回路 121 基準パルス数設定 122 多値化回路 123 データ値積算回路 124 データ値判定回路 125 基準データ値設定 126 基材レベル平均回路 127 レーザ光量制御回路 128 レーザ光量設定
Claims (5)
- 【請求項１】 検査対象に照射する励起光を走査するこ
とにより発生する蛍光を検知し，該蛍光の検知信号によ
りバイアホールの欠陥を検出する検査論理を用い，該蛍
光検知信号に含まれるパルス状の光信号のパルス数を計
数する過程と，計数された該パルス数によりバイアホー
ル内部に残存する基材の残渣を検出する過程とを有する
ことを特徴とするバイアホール検査方法。 - 【請求項２】 前記光信号のパルス数を計数する過程
が，各走査ラインまたは各画素ごとにパルス数を計数
し，バイアホール全域について計数値の総和を算出する
ことを特徴とする請求項１記載のバイアホール検査方
法。 - 【請求項３】 前記バイアホール内部に残渣のない部分
の面積を計測することにより残渣を検出する過程を付加
したことを特徴とする請求項１記載のバイアホール検査
方法。 - 【請求項４】 前記蛍光検知信号を多値化し，バイアホ
ールの内部に相当する領域において多値化されたデータ
の総和を計測することによりバイアホール内の残渣を検
出する過程を付加したことを特徴とする請求項１記載の
バイアホール検査方法。 - 【請求項５】 前記蛍光検知信号から基材信号を抽出
し，その強度が一定となるように励起光の出力パワーを
制御する過程を付加したことを特徴とする請求項１記載
のバイアホール検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25022492A JPH06102191A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | バイアホール検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25022492A JPH06102191A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | バイアホール検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102191A true JPH06102191A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17204689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25022492A Withdrawn JPH06102191A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | バイアホール検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000009993A1 (fr) * | 1998-08-10 | 2000-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de verification de cartes a circuit imprime |
| JP2003098086A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Olympus Optical Co Ltd | 光量測定装置 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP25022492A patent/JPH06102191A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000009993A1 (fr) * | 1998-08-10 | 2000-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de verification de cartes a circuit imprime |
| US6633376B1 (en) | 1998-08-10 | 2003-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a printed circuit board |
| JP2003098086A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Olympus Optical Co Ltd | 光量測定装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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