JPH06102089A - ノイズ低減型焦電検出器 - Google Patents
ノイズ低減型焦電検出器Info
- Publication number
- JPH06102089A JPH06102089A JP27554292A JP27554292A JPH06102089A JP H06102089 A JPH06102089 A JP H06102089A JP 27554292 A JP27554292 A JP 27554292A JP 27554292 A JP27554292 A JP 27554292A JP H06102089 A JPH06102089 A JP H06102089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal stem
- pyroelectric detector
- noise reduction
- noise reducing
- type pyroelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好なノイズ低減効果を得られるコンパクト
なノイズ低減型焦電検出器を提供する。 【構成】 焦電素材２が取り付けられている支持基板３
を、リードピン４，５，６を介して金属ステム７の上に
間隔をおいて支持させ、その支持基板３と金属ステム７
との間に前記リードピン４，５，６を被うようにフェラ
イト磁性体８，９，10，を介装させている。
なノイズ低減型焦電検出器を提供する。 【構成】 焦電素材２が取り付けられている支持基板３
を、リードピン４，５，６を介して金属ステム７の上に
間隔をおいて支持させ、その支持基板３と金属ステム７
との間に前記リードピン４，５，６を被うようにフェラ
イト磁性体８，９，10，を介装させている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はノイズ低減型焦電検出器
に係り、詳しくは携帯電話やトランシーバあるいはトラ
ック無線等による高周波雑音を効果的に低減させるよう
にした焦電検出器に関する。
に係り、詳しくは携帯電話やトランシーバあるいはトラ
ック無線等による高周波雑音を効果的に低減させるよう
にした焦電検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】侵入者警報器等に内蔵されている焦電素
材が赤外光を受けて発生する焦電流はその焦電素材にソ
ースフォロア接続されたＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）を通してインピーダンス変換されて検出信号が出力
されるが、その検出信号が外部雑音によって妨害される
ことがないように、通常、その焦電素材やＦＥＴ等は金
属ステムや金属キャップによって覆われシールドされた
状態で収納されている。
材が赤外光を受けて発生する焦電流はその焦電素材にソ
ースフォロア接続されたＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）を通してインピーダンス変換されて検出信号が出力
されるが、その検出信号が外部雑音によって妨害される
ことがないように、通常、その焦電素材やＦＥＴ等は金
属ステムや金属キャップによって覆われシールドされた
状態で収納されている。
【０００３】しかるに、外部に検出信号を出力するため
のリード線が高周波に対してインダクタンスを持ってい
るため、周囲に強力な高周波電磁界がある場合には、そ
のリード線に誘導起電力が発生し、雑音として検出信号
に重畳される。
のリード線が高周波に対してインダクタンスを持ってい
るため、周囲に強力な高周波電磁界がある場合には、そ
のリード線に誘導起電力が発生し、雑音として検出信号
に重畳される。
【０００４】従って、侵入者警報器の近くに携帯電話や
トランシーバあるいはトラック無線等の高周波発生源が
ある場合には、誤報を発生させることもあった。
トランシーバあるいはトラック無線等の高周波発生源が
ある場合には、誤報を発生させることもあった。
【０００５】そこで、このような問題点を解消するため
に、例えば特開昭６０−１２５５３０号公報には、ＦＥ
Ｔのドレイン電極およびソース電極のうち少なくとも一
方の電極とアース電位との間に比較的容量の大きなバイ
パスコンデンサを接続して高周波に対する増幅度を減ず
るようにした赤外線センサが提案されている。
に、例えば特開昭６０−１２５５３０号公報には、ＦＥ
Ｔのドレイン電極およびソース電極のうち少なくとも一
方の電極とアース電位との間に比較的容量の大きなバイ
パスコンデンサを接続して高周波に対する増幅度を減ず
るようにした赤外線センサが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上述のよう
にバイパスコンデンサを用い、結果として高周波の増幅
度を低減させることができても、高周波そのものが強力
である場合には、充分なノイズ低減効果を得ることがで
きず、ノイズの低減効果に限界があった。また、このよ
うなノイズ低減型焦電検出器はコンパクトに形成される
ことも望まれる。
にバイパスコンデンサを用い、結果として高周波の増幅
度を低減させることができても、高周波そのものが強力
である場合には、充分なノイズ低減効果を得ることがで
きず、ノイズの低減効果に限界があった。また、このよ
うなノイズ低減型焦電検出器はコンパクトに形成される
ことも望まれる。
【０００７】本発明はこのような実情に鑑みてなされ、
良好なノイズ低減効果を得られるコンパクトなノイズ低
減型焦電検出器を提供することを目的としている。
良好なノイズ低減効果を得られるコンパクトなノイズ低
減型焦電検出器を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するための手段を以下のように構成している。すなわ
ち、焦電素材が取り付けられている支持基板がリードピ
ンを介して金属ステムの上に間隔をおいて支持され、そ
の支持基板と金属ステムとの間に前記リードピンを被う
ようにフェライト磁性体が介装されていることを特徴と
している。
決するための手段を以下のように構成している。すなわ
ち、焦電素材が取り付けられている支持基板がリードピ
ンを介して金属ステムの上に間隔をおいて支持され、そ
の支持基板と金属ステムとの間に前記リードピンを被う
ようにフェライト磁性体が介装されていることを特徴と
している。
【０００９】
【作用】リードピンが、比較的抵抗が大きく高周波損失
の小さいフェライト磁性体によって被われているので、
外部からの高周波エネルギーはそのフェライト磁性体に
よって吸収されてしまい、高周波そのものが低減されて
しまう効果があり、従来のバイパスコンデンサ等よりも
大きなノイズ低減効果がある。また、そのフェライト磁
性体は支持基板と金属ステムとの間に介装されるため別
途スペースを要することなくコンパクト化を実現するこ
とができる。
の小さいフェライト磁性体によって被われているので、
外部からの高周波エネルギーはそのフェライト磁性体に
よって吸収されてしまい、高周波そのものが低減されて
しまう効果があり、従来のバイパスコンデンサ等よりも
大きなノイズ低減効果がある。また、そのフェライト磁
性体は支持基板と金属ステムとの間に介装されるため別
途スペースを要することなくコンパクト化を実現するこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１および図２はノイズ低減型焦電検出器
１の好ましい一例を示し、符号２は自発分極性を有する
焦電素材で、ＰＺＴやＬｉＴａＯ3 等の強誘電体結晶に
よりペレット状に形成され、その表面にはＣｒ等の金属
の蒸着やスパッタリングによって厚さ１００Å程度の一
対の受光部電極2a，2bが、またその裏面には同様の金属
よりなる１０００Å程度の共通の反射電極（図示省略）
が、それぞれ被着形成されている。
に説明する。図１および図２はノイズ低減型焦電検出器
１の好ましい一例を示し、符号２は自発分極性を有する
焦電素材で、ＰＺＴやＬｉＴａＯ3 等の強誘電体結晶に
よりペレット状に形成され、その表面にはＣｒ等の金属
の蒸着やスパッタリングによって厚さ１００Å程度の一
対の受光部電極2a，2bが、またその裏面には同様の金属
よりなる１０００Å程度の共通の反射電極（図示省略）
が、それぞれ被着形成されている。
【００１１】３はその焦電素材２が上載固定されている
プリアンプ基板、４，５，６はディスク状の金属ステム
７に貫挿固定され各上端をプリアンプ基板（支持基板）
３に螺入固定されるリードピンで、８，９，10はその各
リードピン４，５，６に被嵌されてプリアンプ基板３と
金属ステム７との間に介装される強磁性体よりなるフェ
ライトビーズコア、11はプリアンプ基板３の下部に接続
して設けられたインピーダンス変換用のＦＥＴである。
なお、その各リードピン４，５，６のプリアンプ基板３
と金属ステム７との間の部分はステムインナーリードと
称される一方、金属ステム７より下方に突出した部分は
ステムアウターリードと称され、それぞれ電源入力端子
4a、検出出力端子5aおよびアース接続端子6aを形成して
いる。
プリアンプ基板、４，５，６はディスク状の金属ステム
７に貫挿固定され各上端をプリアンプ基板（支持基板）
３に螺入固定されるリードピンで、８，９，10はその各
リードピン４，５，６に被嵌されてプリアンプ基板３と
金属ステム７との間に介装される強磁性体よりなるフェ
ライトビーズコア、11はプリアンプ基板３の下部に接続
して設けられたインピーダンス変換用のＦＥＴである。
なお、その各リードピン４，５，６のプリアンプ基板３
と金属ステム７との間の部分はステムインナーリードと
称される一方、金属ステム７より下方に突出した部分は
ステムアウターリードと称され、それぞれ電源入力端子
4a、検出出力端子5aおよびアース接続端子6aを形成して
いる。
【００１２】上述の金属ステム７の上部は、金属キャッ
プ12（図２参照）によって覆われ、その金属キャップ12
の上底部に開設された開口には光学フィルタ13が嵌装さ
れ、焦電素材２上の両受光部電極2a，2bが光学フィルタ
13を介して監視領域に臨むように、ノイズ低減型焦電検
出器１が配置される。
プ12（図２参照）によって覆われ、その金属キャップ12
の上底部に開設された開口には光学フィルタ13が嵌装さ
れ、焦電素材２上の両受光部電極2a，2bが光学フィルタ
13を介して監視領域に臨むように、ノイズ低減型焦電検
出器１が配置される。
【００１３】このような構成のノイズ低減型焦電検出器
１の基本的な等価回路14は図３に示され、焦電素材２上
の両受光部電極2a，2bは共通の反射電極に対して互いに
分極方向を対向させて直列に接続されてＦＥＴ11とゲー
ト抵抗Ｒｇに接続され、そのＦＥＴ11と電源端子ＶDDと
の間、およびＦＥＴ11と出力端子ＶOUT との間にそれぞ
れフェライトビーズコア８，９により形成されるインダ
クタンスＬ1 ，Ｌ2 を介在させている。なお、ＦＥＴ11
のドレイン電極およびソース電極とアース端子Ｅとの間
に示すＣS は数pF〜数十pF程度の浮遊容量を示してい
る。
１の基本的な等価回路14は図３に示され、焦電素材２上
の両受光部電極2a，2bは共通の反射電極に対して互いに
分極方向を対向させて直列に接続されてＦＥＴ11とゲー
ト抵抗Ｒｇに接続され、そのＦＥＴ11と電源端子ＶDDと
の間、およびＦＥＴ11と出力端子ＶOUT との間にそれぞ
れフェライトビーズコア８，９により形成されるインダ
クタンスＬ1 ，Ｌ2 を介在させている。なお、ＦＥＴ11
のドレイン電極およびソース電極とアース端子Ｅとの間
に示すＣS は数pF〜数十pF程度の浮遊容量を示してい
る。
【００１４】以上のように構成されるノイズ低減型焦電
検出器１では、フェライトビーズコア８，９が、強磁性
体よりなり比較的抵抗が大きく高周波損失が小さいた
め、たとえ周囲に携帯電話やトランシーバあるいはトラ
ック無線等の高周波発生源がある場合においても、金属
キャップ12や金属ステム７を介して外部から侵入する高
周波エネルギーは出力側と出力側とでバランスよく吸収
されてしまい、高周波そのものが低減されてしまう。そ
の結果、低周波数域通過型のフィルタとして機能し、ノ
イズ影響のない安定した信頼性の高い検出信号を得るこ
とができる。また、コモンモードノイズに対してはコモ
ンモードチョークとして機能し、良好な減衰能を得てい
る。なお、アース端子Ｅに接続されたリードピン６に被
嵌されているフェライトビーズコア10は、特に等価回路
を構成する上での寄与度はないが、プリアンプ基板３を
安定に支持するため、および障害となる大きな高周波が
アース端子Ｅから拾われることのないように設けられて
いる。
検出器１では、フェライトビーズコア８，９が、強磁性
体よりなり比較的抵抗が大きく高周波損失が小さいた
め、たとえ周囲に携帯電話やトランシーバあるいはトラ
ック無線等の高周波発生源がある場合においても、金属
キャップ12や金属ステム７を介して外部から侵入する高
周波エネルギーは出力側と出力側とでバランスよく吸収
されてしまい、高周波そのものが低減されてしまう。そ
の結果、低周波数域通過型のフィルタとして機能し、ノ
イズ影響のない安定した信頼性の高い検出信号を得るこ
とができる。また、コモンモードノイズに対してはコモ
ンモードチョークとして機能し、良好な減衰能を得てい
る。なお、アース端子Ｅに接続されたリードピン６に被
嵌されているフェライトビーズコア10は、特に等価回路
を構成する上での寄与度はないが、プリアンプ基板３を
安定に支持するため、および障害となる大きな高周波が
アース端子Ｅから拾われることのないように設けられて
いる。
【００１５】また、そのフェライトビーズコア８，９，
10がプリアンプ基板３と金属ステム７との間に設けられ
ているために構造上別途スペースを要することがなく、
ノイズ低減型焦電検出器１をコンパクトに形成すること
ができる。
10がプリアンプ基板３と金属ステム７との間に設けられ
ているために構造上別途スペースを要することがなく、
ノイズ低減型焦電検出器１をコンパクトに形成すること
ができる。
【００１６】さらに、このように、各フェライトビーズ
コア８，９，10を設けた場合においても、例えば、図４
に示すように、ＦＥＴ11のドレイン電極およびソース電
極とアース端子Ｅとの間に比較的容量の大きなバイパス
コンデンサ21，22を接続すれば、より一層良好なノイズ
低減効果が得られるのはいうまでもない。
コア８，９，10を設けた場合においても、例えば、図４
に示すように、ＦＥＴ11のドレイン電極およびソース電
極とアース端子Ｅとの間に比較的容量の大きなバイパス
コンデンサ21，22を接続すれば、より一層良好なノイズ
低減効果が得られるのはいうまでもない。
【００１７】図５はノイズ低減型焦電検出器１の異なる
実施例を示し、プリアンプ基板３と金属ステム７との間
に短円柱ブロック状に形成したフェライト磁性体よりな
る間装部材23を介装させるようにしたもので、その間装
部材23には、各リードピン４，５，６を貫通させるピン
孔23a, 23b, 23c と、ＦＥＴ11を収納するための矩形の
貫通孔23d とが穿設形成されている。このような構成に
よっても、前実施例と同様に良好なノイズ低減効果を得
ることができ、かつプリアンプ基板３を安定に支持する
ことができる。図５では金属ステム７を覆う金属キャッ
プの図示を省略している。ちなみに、間装部材23は各リ
ードピン４，５，６を囲むようなリング体に形成しても
よい。
実施例を示し、プリアンプ基板３と金属ステム７との間
に短円柱ブロック状に形成したフェライト磁性体よりな
る間装部材23を介装させるようにしたもので、その間装
部材23には、各リードピン４，５，６を貫通させるピン
孔23a, 23b, 23c と、ＦＥＴ11を収納するための矩形の
貫通孔23d とが穿設形成されている。このような構成に
よっても、前実施例と同様に良好なノイズ低減効果を得
ることができ、かつプリアンプ基板３を安定に支持する
ことができる。図５では金属ステム７を覆う金属キャッ
プの図示を省略している。ちなみに、間装部材23は各リ
ードピン４，５，６を囲むようなリング体に形成しても
よい。
【００１８】なお、上述の各実施例におけるフェライト
ビーズコア８，９，10や間装部材23等はＭｇ−Ｍｎ，Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライト等のスピネル系でもよく、あるいは
Ｙ−ＡｌやＹ−Ｇｄ−Ａｌ等のガーネット系でもよく、
また、成形を容易とするためにはフェライト粉末を樹脂
材に混入させたものを用いてもよい。
ビーズコア８，９，10や間装部材23等はＭｇ−Ｍｎ，Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライト等のスピネル系でもよく、あるいは
Ｙ−ＡｌやＹ−Ｇｄ−Ａｌ等のガーネット系でもよく、
また、成形を容易とするためにはフェライト粉末を樹脂
材に混入させたものを用いてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のノイズ低
減型焦電検出器によれば、焦電素材が取り付けられてい
る支持基板を、リードピンを介して金属ステム上に間隔
をおいて支持させ、その支持基板と金属ステムとの間
に、前記リードピンを被うようにフェライト磁性体を介
装させているので、良好なノイズ低減効果を得ることが
できる。また、そのフェライト磁性体を設けるために別
途スペースを要することがないので、検出器のコンパク
ト化を実現することができる。
減型焦電検出器によれば、焦電素材が取り付けられてい
る支持基板を、リードピンを介して金属ステム上に間隔
をおいて支持させ、その支持基板と金属ステムとの間
に、前記リードピンを被うようにフェライト磁性体を介
装させているので、良好なノイズ低減効果を得ることが
できる。また、そのフェライト磁性体を設けるために別
途スペースを要することがないので、検出器のコンパク
ト化を実現することができる。
【図１】本発明のノイズ低減型焦電検出器の一実施例に
おける一部破断要部断面図である。
おける一部破断要部断面図である。
【図２】同分解組立図である。
【図３】同等価回路図である。
【図４】同別の等価回路図である。
【図５】同異なる実施例を示す要部分解組立図である。
２…焦電素材、３…支持基板、４，５，６…リードピ
ン、７…金属ステム、８，９，10，23…フェライト磁性
体。
ン、７…金属ステム、８，９，10，23…フェライト磁性
体。
Claims (1)
- 【請求項１】 焦電素材が取り付けられている支持基板
がリードピンを介して金属ステムの上に間隔をおいて支
持され、その支持基板と金属ステムとの間に前記リード
ピンを被うようにフェライト磁性体が介装されているこ
とを特徴とするノイズ低減型焦電検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27554292A JPH06102089A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | ノイズ低減型焦電検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27554292A JPH06102089A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | ノイズ低減型焦電検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102089A true JPH06102089A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17556907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27554292A Pending JPH06102089A (ja) | 1992-09-19 | 1992-09-19 | ノイズ低減型焦電検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102089A (ja) |
-
1992
- 1992-09-19 JP JP27554292A patent/JPH06102089A/ja active Pending
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