JPH0599773A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH0599773A JPH0599773A JP4083871A JP8387192A JPH0599773A JP H0599773 A JPH0599773 A JP H0599773A JP 4083871 A JP4083871 A JP 4083871A JP 8387192 A JP8387192 A JP 8387192A JP H0599773 A JPH0599773 A JP H0599773A
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- pressure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値が圧力に依存して変化する少なくとも
１つの抵抗２８，２９と共働するダイヤフラム２４を備
えた圧力センサにおいて、ダイヤフラムのたわみを十分
に回避し、さらに抵抗２８，２９の引っ張り応力も僅か
にし、割れに対する安全性を高める。 【構成】 ダイヤフラム２４上に圧電抵抗２８，２９が
配置されており、これらの抵抗は、負荷を受けない抵抗
２６，２７とともに測定ブリッジを成すように互いに接
続されている。さらに、加圧時にセンサ素子としてはた
らく抵抗２８，２９が圧力を受けるように、ダイヤフラ
ム２４が対向部材２１と共働する。
１つの抵抗２８，２９と共働するダイヤフラム２４を備
えた圧力センサにおいて、ダイヤフラムのたわみを十分
に回避し、さらに抵抗２８，２９の引っ張り応力も僅か
にし、割れに対する安全性を高める。 【構成】 ダイヤフラム２４上に圧電抵抗２８，２９が
配置されており、これらの抵抗は、負荷を受けない抵抗
２６，２７とともに測定ブリッジを成すように互いに接
続されている。さらに、加圧時にセンサ素子としてはた
らく抵抗２８，２９が圧力を受けるように、ダイヤフラ
ム２４が対向部材２１と共働する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗値が圧力に依存し
て変化する少なくとも１つの抵抗と共働するダイヤフラ
ムを備えた圧力センサに関する。
て変化する少なくとも１つの抵抗と共働するダイヤフラ
ムを備えた圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】抵抗ないし圧電抵抗測定素子がダイヤフ
ラム上に取り付けられており、このダイヤフラムが圧力
の作用によって弾性的に変形する即ち湾曲するように構
成されている圧力センサは公知である。これにより生じ
る抵抗の伸長または圧縮、ないしは引っ張り応力ないし
圧縮応力によって、負荷に比例する信号が発生する。こ
の目的で抵抗ないし圧電抵抗測定素子は、たいてい測定
ブリッジの形式に接続されている。ドイツ連邦共和国特
許第３９１９０５９号公報により、例えば厚膜抵抗の形
式の測定素子がダイヤフラムとしてはたらく基板上に配
置されている圧力センサが公知である。さらにドイツ連
邦共和国特許第３９２８５４２号公報には半導体圧力変
換器が記載されており、この場合、ダイヤフラムがシリ
コンダイヤフラムとして構成されており、さらに抵抗は
例えば拡散により形成されている。
ラム上に取り付けられており、このダイヤフラムが圧力
の作用によって弾性的に変形する即ち湾曲するように構
成されている圧力センサは公知である。これにより生じ
る抵抗の伸長または圧縮、ないしは引っ張り応力ないし
圧縮応力によって、負荷に比例する信号が発生する。こ
の目的で抵抗ないし圧電抵抗測定素子は、たいてい測定
ブリッジの形式に接続されている。ドイツ連邦共和国特
許第３９１９０５９号公報により、例えば厚膜抵抗の形
式の測定素子がダイヤフラムとしてはたらく基板上に配
置されている圧力センサが公知である。さらにドイツ連
邦共和国特許第３９２８５４２号公報には半導体圧力変
換器が記載されており、この場合、ダイヤフラムがシリ
コンダイヤフラムとして構成されており、さらに抵抗は
例えば拡散により形成されている。
【０００３】抵抗と、例えばセラミクス、鋼、ガラス、
シリコンまたはその他の材料から成るダイヤフラムとの
この種の共働作用は、以下のような欠点を有する。即
ち、割れに対するダイヤフラムの安全性が不十分である
ことが多く、ないしは作動状態において要求される安全
性の維持が著しく困難である。したがってこの種のダイ
ヤフラムを著しく厚く構成しなければならないことが多
いが、これによって測定精度と測定範囲が制限されてし
まう、あるいは要求されている安全性ないしは必要な安
全性を提供することなく、この種のセンサが使用限界に
達してしまう。さらにこの種のセンサの場合、例えばダ
イヤフラムと共働する厚膜抵抗が引っ張り応力を受け
る。しかし引っ張り応力に対する厚膜抵抗の耐久性は著
しく低く、したがって圧力に対するセンサの耐久性が著
しく制限されてしまうことが多い。
シリコンまたはその他の材料から成るダイヤフラムとの
この種の共働作用は、以下のような欠点を有する。即
ち、割れに対するダイヤフラムの安全性が不十分である
ことが多く、ないしは作動状態において要求される安全
性の維持が著しく困難である。したがってこの種のダイ
ヤフラムを著しく厚く構成しなければならないことが多
いが、これによって測定精度と測定範囲が制限されてし
まう、あるいは要求されている安全性ないしは必要な安
全性を提供することなく、この種のセンサが使用限界に
達してしまう。さらにこの種のセンサの場合、例えばダ
イヤフラムと共働する厚膜抵抗が引っ張り応力を受け
る。しかし引っ張り応力に対する厚膜抵抗の耐久性は著
しく低く、したがって圧力に対するセンサの耐久性が著
しく制限されてしまうことが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、上述の従来技術の欠点を回避することにある。
題は、上述の従来技術の欠点を回避することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、圧力の作用時に前記ダイヤフラムは対向部材と当接
するようにし、これによりダイヤフラムの湾曲が十分に
回避されるようにしたことによって解決される。
は、圧力の作用時に前記ダイヤフラムは対向部材と当接
するようにし、これによりダイヤフラムの湾曲が十分に
回避されるようにしたことによって解決される。
【０００６】
【発明の利点】請求項１の特徴部分に記載の構成を有す
る本発明のセンサは、ダイヤフラムの弾性変形が僅かで
ある利点を有する。それ故このセンサは著しく高い割れ
抗力を有しており、したがって比較の対象になり得るダ
イヤフラムの厚さにおいて著しく高い安全性を有してお
り、つまりダイヤフラムの厚さを薄くしても著しく高い
測定信号の分解能が得られる。２つの作動抵抗ないし測
定素子しか用いなくても、薄いダイヤフラムの下で測定
信号を大きくすることができ、あるいは少なくとも比較
的大きいまま維持することができる。
る本発明のセンサは、ダイヤフラムの弾性変形が僅かで
ある利点を有する。それ故このセンサは著しく高い割れ
抗力を有しており、したがって比較の対象になり得るダ
イヤフラムの厚さにおいて著しく高い安全性を有してお
り、つまりダイヤフラムの厚さを薄くしても著しく高い
測定信号の分解能が得られる。２つの作動抵抗ないし測
定素子しか用いなくても、薄いダイヤフラムの下で測定
信号を大きくすることができ、あるいは少なくとも比較
的大きいまま維持することができる。
【０００７】次に、本発明の実施例を図面に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
【０００８】
【実施例の説明】図１〜図３に示された圧力センサ１０
は、底部１４の外面１３にスリーブ状の突出部１２を備
えたグラス状のケーシング１１を有する。底部１４の内
面１５にはシリンダ状の突出部１６が設けられており、
この突出部は底部１４と共に孔１７によって貫通されて
いる。この孔はスリーブ状の突出部１２の内部から外へ
向かっている。スリーブ状の突出部１２を介して、孔１
７とケーシング１１の内部は、ここでは図示されていな
い圧力源とつながっている。
は、底部１４の外面１３にスリーブ状の突出部１２を備
えたグラス状のケーシング１１を有する。底部１４の内
面１５にはシリンダ状の突出部１６が設けられており、
この突出部は底部１４と共に孔１７によって貫通されて
いる。この孔はスリーブ状の突出部１２の内部から外へ
向かっている。スリーブ状の突出部１２を介して、孔１
７とケーシング１１の内部は、ここでは図示されていな
い圧力源とつながっている。
【０００９】ケーシングの内部へ、相前後してディスク
状のダイヤフラム支持体２０、対向ディスク２１、およ
び支持リング２２がはめ込まれている。例えばセラミク
ス、シリコン、鋼、チタン、またはこれと類似のものか
ら成るダイヤフラム支持体２０は、相応の直径を有し突
出部１６を収容するシリンダ状の凹欠部２３を有する。
この凹欠部２３の底部はダイヤフラム２４として構成さ
れている。ダイヤフラム２４が突出部１６で支えられる
ことなくダイヤフラム支持体２０がケーシング１１の底
部１４に当接するように、突出部１６と凹欠部２３の長
手方向延在部は互いに適合されている。ケーシング１１
の内部を密閉する目的で、突出部１６の外周に密閉リン
グ２５が設けられており、このリングは凹欠部２３の壁
に当接している。
状のダイヤフラム支持体２０、対向ディスク２１、およ
び支持リング２２がはめ込まれている。例えばセラミク
ス、シリコン、鋼、チタン、またはこれと類似のものか
ら成るダイヤフラム支持体２０は、相応の直径を有し突
出部１６を収容するシリンダ状の凹欠部２３を有する。
この凹欠部２３の底部はダイヤフラム２４として構成さ
れている。ダイヤフラム２４が突出部１６で支えられる
ことなくダイヤフラム支持体２０がケーシング１１の底
部１４に当接するように、突出部１６と凹欠部２３の長
手方向延在部は互いに適合されている。ケーシング１１
の内部を密閉する目的で、突出部１６の外周に密閉リン
グ２５が設けられており、このリングは凹欠部２３の壁
に当接している。
【００１０】ダイヤフラム支持体２０とダイヤフラム２
４上において、対向ディスク２１に面した端面に４つの
抵抗２６〜２９が被着されて、導体路３０と接続されて
いる。これらの抵抗２６〜２９と導体路３０は、厚膜技
術または薄膜技術で形成されており、フルブリッジを成
すように互いに接続されている。厚膜抵抗として、例え
ばサーメット、導電性プラスチック、または金属から成
る厚膜抵抗を使用することができ、それらの比抵抗は力
の作用で変化する。給電電圧の供給ならびに測定信号の
導出は、金属の端子ピン２１を介して行なわれる。この
端子ピンは、ダイヤフラム支持体２０の、対向ディスク
２１に面した端面のポケット孔３２内に配置されてい
る。この端子ピン３１は導体路３０を貫通し、それらと
はんだ付けされている。
４上において、対向ディスク２１に面した端面に４つの
抵抗２６〜２９が被着されて、導体路３０と接続されて
いる。これらの抵抗２６〜２９と導体路３０は、厚膜技
術または薄膜技術で形成されており、フルブリッジを成
すように互いに接続されている。厚膜抵抗として、例え
ばサーメット、導電性プラスチック、または金属から成
る厚膜抵抗を使用することができ、それらの比抵抗は力
の作用で変化する。給電電圧の供給ならびに測定信号の
導出は、金属の端子ピン２１を介して行なわれる。この
端子ピンは、ダイヤフラム支持体２０の、対向ディスク
２１に面した端面のポケット孔３２内に配置されてい
る。この端子ピン３１は導体路３０を貫通し、それらと
はんだ付けされている。
【００１１】抵抗２６〜２９は次のように配置されてい
る。即ち、抵抗２８と２９の双方は、ダイヤフラム２４
上において互いに比較的近くに隣り合うように配置され
ており、抵抗２６、２７の双方は、ダイヤフラム支持体
２０上において直径方向に互いに対向して位置するよう
に配置されている。ダイヤフラム２４上に設けられた抵
抗２８、２９は、測定ブリッジの可変抵抗として用いら
れる。つまり圧電抵抗測定素子として用いられ、相応に
構成されている。このため抵抗２６〜２９には電圧が加
えられ、圧電抵抗測定素子における電気（オーム）抵抗
が圧力の作用で変化する。
る。即ち、抵抗２８と２９の双方は、ダイヤフラム２４
上において互いに比較的近くに隣り合うように配置され
ており、抵抗２６、２７の双方は、ダイヤフラム支持体
２０上において直径方向に互いに対向して位置するよう
に配置されている。ダイヤフラム２４上に設けられた抵
抗２８、２９は、測定ブリッジの可変抵抗として用いら
れる。つまり圧電抵抗測定素子として用いられ、相応に
構成されている。このため抵抗２６〜２９には電圧が加
えられ、圧電抵抗測定素子における電気（オーム）抵抗
が圧力の作用で変化する。
【００１２】ダイヤフラム支持体２０ないしダイヤフラ
ム２４に対して導電材料を使用する場合、抵抗２６〜２
９と導体路３０は、適切な絶縁層によって電気的に互い
に絶縁される。端子ピン３１を、このピンとダイヤフラ
ム支持体２０とが接触しないように配置できる。つまり
端子ピンがポケット孔内を面から離れて案内されるよう
に配置できる。しかし端子ピン３１をポケット孔の壁に
対して相応に絶縁するのも有利である。
ム２４に対して導電材料を使用する場合、抵抗２６〜２
９と導体路３０は、適切な絶縁層によって電気的に互い
に絶縁される。端子ピン３１を、このピンとダイヤフラ
ム支持体２０とが接触しないように配置できる。つまり
端子ピンがポケット孔内を面から離れて案内されるよう
に配置できる。しかし端子ピン３１をポケット孔の壁に
対して相応に絶縁するのも有利である。
【００１３】対向ディスク２１には孔３４が設けられて
おり、この孔は最終的な組み立ての後にダイヤフラム支
持体２０のポケット孔３２と心合わせされる。この孔３
４を通って端子ピン３１が案内されている。さらに対向
ディスク２１は、直径方向に対向して位置する２つの縦
孔３５、３６を有している。これらの縦孔は、最終組立
状態において抵抗２６、２７がそれぞれ、孔３５ないし
３６の壁により形成される面３７ないし３８の内側に位
置するように配置されている。面３７ないし３８の寸法
は、抵抗２６ないし２７の寸法よりも大きい。
おり、この孔は最終的な組み立ての後にダイヤフラム支
持体２０のポケット孔３２と心合わせされる。この孔３
４を通って端子ピン３１が案内されている。さらに対向
ディスク２１は、直径方向に対向して位置する２つの縦
孔３５、３６を有している。これらの縦孔は、最終組立
状態において抵抗２６、２７がそれぞれ、孔３５ないし
３６の壁により形成される面３７ないし３８の内側に位
置するように配置されている。面３７ないし３８の寸法
は、抵抗２６ないし２７の寸法よりも大きい。
【００１４】対向ディスク２１と、抵抗２６〜２９およ
び導体路３０が設けられておりダイヤフラム２４を有す
るダイヤフラム支持体２０とは、結合部材４０によって
互いに固定的に結合されている。この結合部材は、例え
ば接着剤または溶融ガラスにより形成することができ
る。有利にはこの結合部材４０は、回転する環状リング
４１が自由空間にあるように対向ディスク２１上に被着
されている。
び導体路３０が設けられておりダイヤフラム２４を有す
るダイヤフラム支持体２０とは、結合部材４０によって
互いに固定的に結合されている。この結合部材は、例え
ば接着剤または溶融ガラスにより形成することができ
る。有利にはこの結合部材４０は、回転する環状リング
４１が自由空間にあるように対向ディスク２１上に被着
されている。
【００１５】ダイヤフラム支持体２０と対向ディスク２
１との間に所定の間隔を得る目的で、リング状の段を対
向ディスクに取り付けることができる。これにより、結
合部材４０をさらに薄く塗付することができ、このこと
によりセンサのヒステリシスが小さくなり、さらに粘着
力がいっそう高まる。対向ディスク２１を、ダイヤフラ
ム支持体２０のようにセラミクス、鋼、チタン、または
類似の材料により製造することができ、これにより圧力
センサのあらゆる用途に対して固有の材料の組み合わせ
が可能である。導電材料を使用する場合、抵抗２６〜２
９と導体路３０に対する絶縁が保証されなければならな
い。有利には、このことを既に結合部材によって行なう
ことができる。
１との間に所定の間隔を得る目的で、リング状の段を対
向ディスクに取り付けることができる。これにより、結
合部材４０をさらに薄く塗付することができ、このこと
によりセンサのヒステリシスが小さくなり、さらに粘着
力がいっそう高まる。対向ディスク２１を、ダイヤフラ
ム支持体２０のようにセラミクス、鋼、チタン、または
類似の材料により製造することができ、これにより圧力
センサのあらゆる用途に対して固有の材料の組み合わせ
が可能である。導電材料を使用する場合、抵抗２６〜２
９と導体路３０に対する絶縁が保証されなければならな
い。有利には、このことを既に結合部材によって行なう
ことができる。
【００１６】ダイヤフラム支持体２０と対向ディスク２
１は、対向ディスクに当接する支持リング２２によって
ケーシング内に固定される。さらに支持リング２２にお
いて、対向ディスク２１とは反対に位置する端面に、固
定リング４３が当接している。この固定リングは、ケー
シング１１のリング状の切欠４４内に取り付けられてい
る。固定リング４３の代わりに、ねじ山を有するねじリ
ングを用いることもできる。これによりバイアス力をい
っそう精確に調整することができる。
１は、対向ディスクに当接する支持リング２２によって
ケーシング内に固定される。さらに支持リング２２にお
いて、対向ディスク２１とは反対に位置する端面に、固
定リング４３が当接している。この固定リングは、ケー
シング１１のリング状の切欠４４内に取り付けられてい
る。固定リング４３の代わりに、ねじ山を有するねじリ
ングを用いることもできる。これによりバイアス力をい
っそう精確に調整することができる。
【００１７】センサ作動時にダイヤフラム２４は、孔１
７とスリーブ状の突出部１２とを介して圧力源とつなが
る。ダイヤフラム２４と対向ディスク２１との間に位置
する抵抗２８、２９は圧力に応動し、圧力係数に応じて
その抵抗値が変化する。これにより相応のセンサ信号が
発生する。ダイヤフラム２４の弾性変形即ち湾曲は、ほ
ぼ完全に回避される。これと同時に、抵抗２６〜２９の
引っ張り応力も回避される。
７とスリーブ状の突出部１２とを介して圧力源とつなが
る。ダイヤフラム２４と対向ディスク２１との間に位置
する抵抗２８、２９は圧力に応動し、圧力係数に応じて
その抵抗値が変化する。これにより相応のセンサ信号が
発生する。ダイヤフラム２４の弾性変形即ち湾曲は、ほ
ぼ完全に回避される。これと同時に、抵抗２６〜２９の
引っ張り応力も回避される。
【００１８】温度が変化してもゼロ点が固定されるよう
に、抵抗２８、２９の双方は抵抗２６、２７とともにフ
ルブリッジを成すように互いに接続されている。対向デ
ィスク２１の構成、縦孔３５、３６の相応の寸法および
配置、ならびに結合部材４０の相応の厚さによって、抵
抗２６、２７は圧力によっても負荷を受けず、したがっ
てそれらは温度補償に用いられる。同時に縦孔３５、３
６を介して、測定ブリッジのレーザによる調整（レーザ
トリミング）が可能である。
に、抵抗２８、２９の双方は抵抗２６、２７とともにフ
ルブリッジを成すように互いに接続されている。対向デ
ィスク２１の構成、縦孔３５、３６の相応の寸法および
配置、ならびに結合部材４０の相応の厚さによって、抵
抗２６、２７は圧力によっても負荷を受けず、したがっ
てそれらは温度補償に用いられる。同時に縦孔３５、３
６を介して、測定ブリッジのレーザによる調整（レーザ
トリミング）が可能である。
【００１９】ダイヤフラム支持体２０には面していない
側の、対向ディスク２１の端面の開放されている表面上
に、温度補償用回路網、増幅器、ならびにその他のエレ
クトロニクス素子を取り付けることができる。さらに厚
膜技術または薄膜技術による抵抗および導体路の代わり
に、シリコン−半導体素子を用いることもできる。
側の、対向ディスク２１の端面の開放されている表面上
に、温度補償用回路網、増幅器、ならびにその他のエレ
クトロニクス素子を取り付けることができる。さらに厚
膜技術または薄膜技術による抵抗および導体路の代わり
に、シリコン−半導体素子を用いることもできる。
【００２０】上記の圧力センサは、例えばＡＢＳシステ
ムのような油圧システムまたは油圧ブレーキ装置におい
て使用するのに適している。
ムのような油圧システムまたは油圧ブレーキ装置におい
て使用するのに適している。
【００２１】
【発明の効果】本発明による構成により、ダイヤフラム
の湾曲が十分に回避され、さらに抵抗の引っ張り応力も
僅かになり、割れに対する安全性が高まる。
の湾曲が十分に回避され、さらに抵抗の引っ張り応力も
僅かになり、割れに対する安全性が高まる。
【図１】圧力センサの簡略化された縦断面図である。
【図２】図１をII−IIに沿って切断した断面図である。
【図３】図１をIII−IIIに沿って切断した断面図であ
る。
る。
１１ ケーシング １２ 突出部 １３ 外面 １４ 底部 １５ 内面 １６ 突出部 １７ 孔 ２０ ダイヤフラム支持体 ２１ 対向ディスク ２２ 支持リング ２３ 凹欠部 ２４ ダイヤフラム ２５ 密閉リング ２６ 抵抗 ２７ 抵抗 ２８ 抵抗 ２９ 抵抗 ３０ 導体路 ３１ 接続ピン ３２ ポケット孔 ３４ 凹欠部 ３５ 縦孔 ３６ 縦孔 ３７ 面 ３８ 面 ４０ 結合部材 ４１ 環状リング ４３ 固定リング ４４ リング状切欠き
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリツヒ シヨール ドイツ連邦共和国 シユツツトガルト 40 トウーフブライヒエ ５ (72)発明者 クルト シユミート ドイツ連邦共和国 デイツインゲン ４ シユロス シユトラーセ 55
Claims (11)
- 【請求項１】 抵抗値が圧力に依存して変化する少なく
とも１つの抵抗（２８，２９）と共働するダイヤフラム
（２４）を備えた圧力センサにおいて、 前記ダイヤフラム（２４）のたわみが十分に回避される
ように、圧力の作用時に前記ダイヤフラム（２４）が対
向部材（２１）と当接するようにしたことを特徴とする
圧力センサ。 - 【請求項２】 前記ダイヤフラム（２４）はダイヤフラ
ム支持体（２０）から成形されている、請求項１記載の
圧力センサ。 - 【請求項３】 前記ダイヤフラム支持体（２０）と対向
部材（２１）は互いに固定的に結合されている、請求項
１または２記載の圧力センサ。 - 【請求項４】 圧力を受けない少なくとも１つの付加的
な抵抗（２６，２７）がダイヤフラム支持体（２０）上
に配置されており、さらに該抵抗に、抵抗値が圧力に依
存して変化する前記抵抗（２８，２９）が、測定ブリッ
ジを形成するように接続されている、請求項１〜３のい
ずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項５】 前記対向部材（２１）は少なくとも１つ
の切欠部（３５，３６）を有しており、その領域内に、
ダイヤフラム支持体上に配置された、圧力を受けない前
記付加的な抵抗が設けられている、請求項１〜４のいず
れか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項６】 前記ダイヤフラム（２４）上に２つの抵
抗（２８，２９）が配置されており、さらに前記ダイヤ
フラム支持体（２０）上にも、圧力を受けない２つの付
加的な抵抗（２６，２７）が配置されており、それらの
抵抗はフルブリッジを成すように互いに接続されてい
る、請求項１〜５のいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項７】 各抵抗（２６〜２９）は導体路（３０）
と導電接続されており、さらに該導体路は導出部（３
１）と接続されており、さらに該導出部は前記ダイヤフ
ラム支持体（２０）の凹欠部（３２）内に突入してい
る、請求項１〜６のいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項８】 前記対向部材（２１）には、前記導出部
（３１）を収容する開口部（３４）が設けられている、
請求項１〜７のいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項９】 前記抵抗（２６〜２９）と導体路（３
０）を薄膜技術により形成するようにした、請求項１〜
８のいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項１０】 前記抵抗（２６〜２９）と導体路（３
０）を厚膜技術により形成するようにした、請求項１〜
８のいずれか１項記載の圧力センサ。 - 【請求項１１】 前記抵抗（２６〜２９）をシリコン−
半導体素子として構成するようにした、請求項１〜８の
いずれか１項記載の圧力センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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- 1992-04-06 JP JP4083871A patent/JPH0599773A/ja active Pending
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