JPH0597574A - 液相エピタキシヤル成長装置及び成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置及び成長方法Info
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- JPH0597574A JPH0597574A JP25797591A JP25797591A JPH0597574A JP H0597574 A JPH0597574 A JP H0597574A JP 25797591 A JP25797591 A JP 25797591A JP 25797591 A JP25797591 A JP 25797591A JP H0597574 A JPH0597574 A JP H0597574A
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- Japan
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- growth
- chamber
- handle
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はそれぞれ厚さの異なる複数の層をエ
ピタキシャル成長させるに於て、膜厚制御をし易く、か
つ一連の工程に於て作業し易く、かつウェハの割れを少
なくするための成長装置および方法を提供するものであ
る。 【構成】 本発明は上述の課題を解決するために、融液
を溜めた成長室と、その成長室の中にあって複数の半導
体基板を保持する基板保持具と、前記半導体基板を略垂
直になる様に、及び露出した前記半導体基板を上方又は
下方で前記融液と接触させるべく略水平になる様に、前
記成長室を内蔵しかつ回転させる容器とを設けるもので
ある。
ピタキシャル成長させるに於て、膜厚制御をし易く、か
つ一連の工程に於て作業し易く、かつウェハの割れを少
なくするための成長装置および方法を提供するものであ
る。 【構成】 本発明は上述の課題を解決するために、融液
を溜めた成長室と、その成長室の中にあって複数の半導
体基板を保持する基板保持具と、前記半導体基板を略垂
直になる様に、及び露出した前記半導体基板を上方又は
下方で前記融液と接触させるべく略水平になる様に、前
記成長室を内蔵しかつ回転させる容器とを設けるもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液相エピタキシャル成長
層に係る液相エピタキシャル成長装置及び成長方法に関
する。
層に係る液相エピタキシャル成長装置及び成長方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より化合物半導体、とりわけＧａＡ
ｌＡｓの液相エピタキシャル成長は特開昭６３−５１６
２４号公報の如くスライド法により行っており、図６に
示す様に下側ホルダ３１に半導体基板３２を配置し、そ
の上に融液３３を摺動移動させて、露出した半導体基板
３２を上方で融液３３と接触させ、徐冷してエピタキシ
ャル成長させている。しかし実験によると、９５０℃か
ら６００℃までエピタキシャル成長させると図５のＣの
如く高々１００μｍしか厚くならない。そしてこの第１
の装置を使って、半導体基板３２の上に複数のＧａＡｌ
Ａｓ成長層を成長させて、ダブルヘテロ型発光ダイオー
ドを製作すると、特開昭６０−２０６１８４号公報に示
される様に、成長層は１５〜４０μｍと薄く、割れ易く
作業性も悪い。
ｌＡｓの液相エピタキシャル成長は特開昭６３−５１６
２４号公報の如くスライド法により行っており、図６に
示す様に下側ホルダ３１に半導体基板３２を配置し、そ
の上に融液３３を摺動移動させて、露出した半導体基板
３２を上方で融液３３と接触させ、徐冷してエピタキシ
ャル成長させている。しかし実験によると、９５０℃か
ら６００℃までエピタキシャル成長させると図５のＣの
如く高々１００μｍしか厚くならない。そしてこの第１
の装置を使って、半導体基板３２の上に複数のＧａＡｌ
Ａｓ成長層を成長させて、ダブルヘテロ型発光ダイオー
ドを製作すると、特開昭６０−２０６１８４号公報に示
される様に、成長層は１５〜４０μｍと薄く、割れ易く
作業性も悪い。
【０００３】それに対して、特開平２−７９４２２号公
報の如く、露出した半導体基板を下方で融液と接触させ
成長させると、図５のＤの如く成長層の膜厚を厚く成長
できる。そしてこの第２の装置を使ってダブルヘテロ型
発光ダイオードを製作すると半導体基板上の第１の成長
層は１２０μｍと厚く形成できる。しかし０．５〜２μ
ｍの厚さを要求される活性層、すなわち第１の成長層の
上に形成される第２の成長層も厚く成長し、０．５〜２
μｍの厚さを制御するのが極めて困難である。そしてこ
の従来の装置で上述の様に、第１、第２の成長層を厳密
に膜厚制御しようとすれば、製造工程中に第１と第２の
装置を切り替えてエピタキシャル成長させる必要があ
り、作業性が悪い。更に半導体基板を水平に、又は垂直
に配置して回転させる従来の回転エピタキシャル成長方
法でも、第１、第２の成長層の膜厚をそれぞれ厳密に制
御するのは困難である。
報の如く、露出した半導体基板を下方で融液と接触させ
成長させると、図５のＤの如く成長層の膜厚を厚く成長
できる。そしてこの第２の装置を使ってダブルヘテロ型
発光ダイオードを製作すると半導体基板上の第１の成長
層は１２０μｍと厚く形成できる。しかし０．５〜２μ
ｍの厚さを要求される活性層、すなわち第１の成長層の
上に形成される第２の成長層も厚く成長し、０．５〜２
μｍの厚さを制御するのが極めて困難である。そしてこ
の従来の装置で上述の様に、第１、第２の成長層を厳密
に膜厚制御しようとすれば、製造工程中に第１と第２の
装置を切り替えてエピタキシャル成長させる必要があ
り、作業性が悪い。更に半導体基板を水平に、又は垂直
に配置して回転させる従来の回転エピタキシャル成長方
法でも、第１、第２の成長層の膜厚をそれぞれ厳密に制
御するのは困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上述
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわちそれぞれ
厚さの異なる複数の層を積層してエピタキシャル成長さ
せるに於て、膜厚制御をし易く、かつ一連の工程に於て
作業し易く、かつウェハの割れを少なくするための成長
装置及び方法を提供するものである。
の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわちそれぞれ
厚さの異なる複数の層を積層してエピタキシャル成長さ
せるに於て、膜厚制御をし易く、かつ一連の工程に於て
作業し易く、かつウェハの割れを少なくするための成長
装置及び方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、融液を溜めた成長室と、その成長室の中
にあって複数の半導体基板を保持する基板保持具と、前
記半導体基板を略垂直になる様に、及び露出した前記半
導体基板を上方又は下方で前記融液と接触させるべく略
水平になる様に、前記成長室を内蔵しかつ回転させる容
器とを設けるものである。
決するために、融液を溜めた成長室と、その成長室の中
にあって複数の半導体基板を保持する基板保持具と、前
記半導体基板を略垂直になる様に、及び露出した前記半
導体基板を上方又は下方で前記融液と接触させるべく略
水平になる様に、前記成長室を内蔵しかつ回転させる容
器とを設けるものである。
【０００６】また本発明はＧａＡｌＡｓ又はＧａＡｓか
らなる露出した半導体基板を上方又は下方で成長室内の
融液と接触させ第１の成長層を成長させ、前記成長室を
回転させ、露出した前記半導体基板を逆に下方又は上方
で前記成長室内の別の融液と接触させ第２の成長層を成
長させるものである。
らなる露出した半導体基板を上方又は下方で成長室内の
融液と接触させ第１の成長層を成長させ、前記成長室を
回転させ、露出した前記半導体基板を逆に下方又は上方
で前記成長室内の別の融液と接触させ第２の成長層を成
長させるものである。
【０００７】
【作用】上述の手段により、略垂直の半導体基板と融液
を接触させることにより、濡れ性が向上し成長層が成長
し易くなる。そして露出した半導体基板を上方又は下方
で融液と接触させて成長させるので、それぞれ薄膜、厚
膜の成長層が容易な制御の下で得られ、ウェハの割れも
少なくなる。しかもこれは一連の工程で行なえるので作
業性もよい。
を接触させることにより、濡れ性が向上し成長層が成長
し易くなる。そして露出した半導体基板を上方又は下方
で融液と接触させて成長させるので、それぞれ薄膜、厚
膜の成長層が容易な制御の下で得られ、ウェハの割れも
少なくなる。しかもこれは一連の工程で行なえるので作
業性もよい。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１と図２に従い説
明する。図１は本実施例に係る液相エピタキシャル成長
装置の断面図であり、図２はそのＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、容器１はカーボン、石英等から成り、
中央近傍の外形は略円筒状であり、回転軸２を有し、こ
れに係合するハンドル３により回転可能な構成になって
いる。容器１の内部は略直方体状の空洞となる成長室４
が形成される。成長室４には半導体基板５を多数枚、略
垂直に保持する複数の基板保持具６が固定される。基板
保持具６はカーボン、石英等から成り、半導体基板５を
接着剤又はそれと同等の働きをするもので貼りつけた
り、あるいは爪や折り曲げを設けて半導体基板５を係止
したりして保持している。容器１の略真上に小判状をし
た成長室の透孔７が形成されている。
明する。図１は本実施例に係る液相エピタキシャル成長
装置の断面図であり、図２はそのＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、容器１はカーボン、石英等から成り、
中央近傍の外形は略円筒状であり、回転軸２を有し、こ
れに係合するハンドル３により回転可能な構成になって
いる。容器１の内部は略直方体状の空洞となる成長室４
が形成される。成長室４には半導体基板５を多数枚、略
垂直に保持する複数の基板保持具６が固定される。基板
保持具６はカーボン、石英等から成り、半導体基板５を
接着剤又はそれと同等の働きをするもので貼りつけた
り、あるいは爪や折り曲げを設けて半導体基板５を係止
したりして保持している。容器１の略真上に小判状をし
た成長室の透孔７が形成されている。
【０００９】容器保持具８は中央近傍が略円筒状の容器
１を保持する様に形成され、下部に排出孔が形成され
る。そして図２の様に成長室の透孔７が略真上の位置に
ある時に、この透孔７と同じ位置に容器保持具８の透孔
が形成される。メルトホルダガイド９はカーボン等から
成り、容器保持具８の透孔と同じ位置に透孔が形成され
容器保持具８の上に固定される。メルトホルダ１０はカ
ーボン等から成り、仕切り壁によって複数の融液溜１
１，１２，１３が形成され、その下部に融液溜の透孔１
４が形成され、メルトホルダガイド９の上に位置してい
る。ガイド１５は容器保持具８とメルトガイド９とメル
トホルダ１０を固定している。メルトホルダ１０に係止
されたフック１６により、メルトホルダ１０は水平方向
に摺動移動することができる。これらにより液相エピタ
キシャル成長装置１７は構成される。
１を保持する様に形成され、下部に排出孔が形成され
る。そして図２の様に成長室の透孔７が略真上の位置に
ある時に、この透孔７と同じ位置に容器保持具８の透孔
が形成される。メルトホルダガイド９はカーボン等から
成り、容器保持具８の透孔と同じ位置に透孔が形成され
容器保持具８の上に固定される。メルトホルダ１０はカ
ーボン等から成り、仕切り壁によって複数の融液溜１
１，１２，１３が形成され、その下部に融液溜の透孔１
４が形成され、メルトホルダガイド９の上に位置してい
る。ガイド１５は容器保持具８とメルトガイド９とメル
トホルダ１０を固定している。メルトホルダ１０に係止
されたフック１６により、メルトホルダ１０は水平方向
に摺動移動することができる。これらにより液相エピタ
キシャル成長装置１７は構成される。
【００１０】次にこの様な成長装置１７に於て、ダブル
ヘテロ型発光ダイオードを製作するためにＧａＡｓから
成る半導体基板５にＧａＡｌＡｓ層を成長させる成長方
法を述べる。最初に融液溜１１の中へＧａ１００ｇにＧ
ａＡｓを６ｇ、Ａｌを６００ｍｇ、Ｚｎを１００ｍｇ混
入した融液１８を準備する。融液溜１２の中へＧａ１０
０ｇにＧａＡｓを６ｇ、Ａｌを３００ｍｇ、Ｚｎを６０
０ｍｇ混入した別の融液１９を準備する。そして融液溜
１３の中へＧａ１００ｇにＧａＡｓを６ｇ、Ａｌを５０
０ｍｇ、Ｔｅを２ｍｇ混入した次の融液２０を準備す
る。
ヘテロ型発光ダイオードを製作するためにＧａＡｓから
成る半導体基板５にＧａＡｌＡｓ層を成長させる成長方
法を述べる。最初に融液溜１１の中へＧａ１００ｇにＧ
ａＡｓを６ｇ、Ａｌを６００ｍｇ、Ｚｎを１００ｍｇ混
入した融液１８を準備する。融液溜１２の中へＧａ１０
０ｇにＧａＡｓを６ｇ、Ａｌを３００ｍｇ、Ｚｎを６０
０ｍｇ混入した別の融液１９を準備する。そして融液溜
１３の中へＧａ１００ｇにＧａＡｓを６ｇ、Ａｌを５０
０ｍｇ、Ｔｅを２ｍｇ混入した次の融液２０を準備す
る。
【００１１】融液溜の透孔１４とメルトホルダガイド９
の透孔を異なる位置にして、融液１８、１９、２０を約
９４０℃で約１時間保持する。その後、メルトホルダ１
０を摺動させ、融液溜１１の透孔１４とメルトホルダガ
イド９の透孔を位置合わせする。融液１８が落下して成
長室４の中を満たす。
の透孔を異なる位置にして、融液１８、１９、２０を約
９４０℃で約１時間保持する。その後、メルトホルダ１
０を摺動させ、融液溜１１の透孔１４とメルトホルダガ
イド９の透孔を位置合わせする。融液１８が落下して成
長室４の中を満たす。
【００１２】次にハンドル３を右回りに９０度回転させ
ると図３の様に、成長室の透孔７と容器保持具８の透孔
の位置が離れて、成長室４は密室となる。この時、露出
した半導体基板５を下方で融液１８と接触させ、約０．
５〜１℃／分の温度勾配で徐冷することにより、エピタ
キシャル成長を行う。各半導体基板５が接触する融液１
８の厚さ（Ｂ）は約５ｍｍである。融液１８の温度が約
８３５℃まで降温したら、ハンドル３を更に右回りに９
０度回転させ、成長室の透孔７を下に向けて、融液１８
を容器保持具８の排出孔から排出させる。これにより半
導体基板５の表面に約１２０μｍの厚さのＰ型ＧａＡｌ
Ａｓ層から成る第１の成長層が形成される。
ると図３の様に、成長室の透孔７と容器保持具８の透孔
の位置が離れて、成長室４は密室となる。この時、露出
した半導体基板５を下方で融液１８と接触させ、約０．
５〜１℃／分の温度勾配で徐冷することにより、エピタ
キシャル成長を行う。各半導体基板５が接触する融液１
８の厚さ（Ｂ）は約５ｍｍである。融液１８の温度が約
８３５℃まで降温したら、ハンドル３を更に右回りに９
０度回転させ、成長室の透孔７を下に向けて、融液１８
を容器保持具８の排出孔から排出させる。これにより半
導体基板５の表面に約１２０μｍの厚さのＰ型ＧａＡｌ
Ａｓ層から成る第１の成長層が形成される。
【００１３】更にハンドル３を右回り又は左回りに９０
度回転させ、元の位置に戻すと共にメルトホルダ１０を
摺動させる。融液溜１２の透孔１４とメルトガイド９の
透孔の位置が一致して、別の融液１９が落下して成長室
４の中を満たす。
度回転させ、元の位置に戻すと共にメルトホルダ１０を
摺動させる。融液溜１２の透孔１４とメルトガイド９の
透孔の位置が一致して、別の融液１９が落下して成長室
４の中を満たす。
【００１４】次にハンドル３を左回りに９０度回転させ
図４の様に、露出した半導体基板５を上方で別の融液１
９と接触させ、徐冷し、別の融液１９の温度を約８３３
℃まで降温させる。そしてハンドル３を更に左回りに９
０度回転させ、成長室の透孔７を下に向け、別の融液１
９を容器保持具８の排出孔から排出する。これにより第
１の成長層の表面に約１．５μｍの厚さの第２の成長
層、すなわち活性層が形成される。
図４の様に、露出した半導体基板５を上方で別の融液１
９と接触させ、徐冷し、別の融液１９の温度を約８３３
℃まで降温させる。そしてハンドル３を更に左回りに９
０度回転させ、成長室の透孔７を下に向け、別の融液１
９を容器保持具８の排出孔から排出する。これにより第
１の成長層の表面に約１．５μｍの厚さの第２の成長
層、すなわち活性層が形成される。
【００１５】更にハンドル３を回して、元の位置に戻す
と共にメルトホルダ１０を摺動させ次の融液２０を落下
させ、成長室４の中を満たす。そしてハンドル３を左回
りに９０度回転させ、再び図４の様に露出した半導体基
板５を上方で次の融液２０と接触させ、１〜３℃／分の
温度勾配で徐冷し、次の融液２０の温度が約６９０℃ま
で降温させ、その後ハンドルを回して、次の融液２０を
排出する。これにより第２の成長層の表面に約３０μｍ
の厚さのＮ型ＧａＡｌＡｓ層が形成される。
と共にメルトホルダ１０を摺動させ次の融液２０を落下
させ、成長室４の中を満たす。そしてハンドル３を左回
りに９０度回転させ、再び図４の様に露出した半導体基
板５を上方で次の融液２０と接触させ、１〜３℃／分の
温度勾配で徐冷し、次の融液２０の温度が約６９０℃ま
で降温させ、その後ハンドルを回して、次の融液２０を
排出する。これにより第２の成長層の表面に約３０μｍ
の厚さのＮ型ＧａＡｌＡｓ層が形成される。
【００１６】更に必要に応じて、半導体基板５をエッチ
ングして除去し、電極を形成し、メサエッチングし、ダ
イシングして、発光ダイオードを完成させる。
ングして除去し、電極を形成し、メサエッチングし、ダ
イシングして、発光ダイオードを完成させる。
【００１７】次に９５０℃〜６００℃にエピタキシャル
成長させた時のエピタキシャル成長層の厚さの特性図を
図５に再び示す。この図５に於て特性Ｄは図３の様に露
出した半導体基板５を下方で融液と接触させた時の成長
層を、特性Ｃは図４の様に露出した半導体基板５を上方
で融液と接触させた時の成長層を示す。特性Ｄでは融液
の厚さ（Ｂ）を厚くする程、厚い成長層が得られるが、
定まった大きさの成長室４に収容できる半導体基板５の
数が減るので、本実施例の様に約５ｍｍ位の融液の厚さ
が適切である。また本実施例ではＰ型ＧａＡｌＡｓ層か
ら成る第１の成長層の成長温度を９４０〜８３５℃にし
ているので、成長層の厚さは特性Ｄより少し薄い。
成長させた時のエピタキシャル成長層の厚さの特性図を
図５に再び示す。この図５に於て特性Ｄは図３の様に露
出した半導体基板５を下方で融液と接触させた時の成長
層を、特性Ｃは図４の様に露出した半導体基板５を上方
で融液と接触させた時の成長層を示す。特性Ｄでは融液
の厚さ（Ｂ）を厚くする程、厚い成長層が得られるが、
定まった大きさの成長室４に収容できる半導体基板５の
数が減るので、本実施例の様に約５ｍｍ位の融液の厚さ
が適切である。また本実施例ではＰ型ＧａＡｌＡｓ層か
ら成る第１の成長層の成長温度を９４０〜８３５℃にし
ているので、成長層の厚さは特性Ｄより少し薄い。
【００１８】
【発明の効果】上述の様に本発明の装置に於て、略垂直
の半導体基板と融液を接触させるので濡れ性が向上し、
成長層が容易に成長し易くなる。そして容器を回転させ
ることによって、露出した半導体基板を下方又は上方で
融液と接触させることができるので、第１の成長層は厚
く、第２の成長層は薄くすることができるから、膜厚の
制御がし易い。そしてこの作業を一つの装置で行えるの
で作業性も良い。
の半導体基板と融液を接触させるので濡れ性が向上し、
成長層が容易に成長し易くなる。そして容器を回転させ
ることによって、露出した半導体基板を下方又は上方で
融液と接触させることができるので、第１の成長層は厚
く、第２の成長層は薄くすることができるから、膜厚の
制御がし易い。そしてこの作業を一つの装置で行えるの
で作業性も良い。
【００１９】更に本装置では、露出した半導体基板を垂
直に、又は上方に、又は下方にそれぞれ独立して融液と
接触させて成長させることもできるので、それぞれ任意
の膜厚を持つ積層された成長層を容易に形成することが
できる。
直に、又は上方に、又は下方にそれぞれ独立して融液と
接触させて成長させることもできるので、それぞれ任意
の膜厚を持つ積層された成長層を容易に形成することが
できる。
【００２０】そして本発明の方法に於て、上述の如く異
なる膜厚を有する成長層の形成の制御がし易い。更にこ
の方法では異なる膜厚を形成するのに、従来の様な装置
の切り替えなしに一連の工程で行えるので作業性が良
い。また複数のＧａＡｌＡｓ層から成る厚い半導体層を
製作できるので、取扱中のウェハの割れが激減する。
なる膜厚を有する成長層の形成の制御がし易い。更にこ
の方法では異なる膜厚を形成するのに、従来の様な装置
の切り替えなしに一連の工程で行えるので作業性が良
い。また複数のＧａＡｌＡｓ層から成る厚い半導体層を
製作できるので、取扱中のウェハの割れが激減する。
【００２１】また本発明の方法に於て、最初に露出した
半導体基板を上方で融液と接触させ次に露出した半導体
基板を下方で別の融液と接触させれば、第１の成長層は
薄く第２の成長層は厚くなる様に、容易な制御の下で形
成することもできる。これによって第２の成長層、例え
ば活性層の位置を変えることができる。
半導体基板を上方で融液と接触させ次に露出した半導体
基板を下方で別の融液と接触させれば、第１の成長層は
薄く第２の成長層は厚くなる様に、容易な制御の下で形
成することもできる。これによって第２の成長層、例え
ば活性層の位置を変えることができる。
【００２２】更に従来のスライド法では、半導体基板と
融液をスライドさせるので、半導体基板及びその上の成
長層の界面にストレスがかかる。これに対して、本発明
は融液を自由落下させるので、半導体基板及びその上の
成長層にストレスがかからないので、結晶内の歪みが少
なくなり、均一なかつ寿命の長い成長層が得られる。
融液をスライドさせるので、半導体基板及びその上の成
長層の界面にストレスがかかる。これに対して、本発明
は融液を自由落下させるので、半導体基板及びその上の
成長層にストレスがかからないので、結晶内の歪みが少
なくなり、均一なかつ寿命の長い成長層が得られる。
【図１】本発明の実施例に係る液相エピタキシャル成長
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の装置を用いたエピタキシャル工程の説
明図（成長室の透孔が右回りに９０度回転した時）であ
る。
明図（成長室の透孔が右回りに９０度回転した時）であ
る。
【図４】本発明の装置を用いたエピタキシャル工程の説
明図（成長室の透孔が左回りに９０度回転した時）であ
る。
明図（成長室の透孔が左回りに９０度回転した時）であ
る。
【図５】エピタキシャル成長層の厚さの特性図である。
【図６】従来のエピタキシャル成長装置の断面図であ
る。
る。
１ 容器 ４ 成長室 ５ 半導体基板 ６ 基板保持具 １８，１９，２０ 融液
Claims (2)
- 【請求項１】 融液を溜めた成長室と、その成長室の中
にあって複数の半導体基板を保持する基板保持具と、前
記半導体基板を略垂直になる様に、及び露出した前記半
導体基板を上方又は下方で前記融液と接触させるべく略
水平になる様に、前記成長室を内蔵しかつ回転させる容
器とを具備した事を特徴とする液相エピタキシャル成長
装置。 - 【請求項２】 ＧａＡｌＡｓ又はＧａＡｓからなる露出
した半導体基板を上方又は下方で成長室内の融液と接触
させ第１の成長層を成長させ、前記成長室を回転させ、
露出した前記半導体基板を逆に下方又は上方で前記成長
室内の別の融液と接触させ第２の成長層を成長させた事
を特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257975A JP2975740B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257975A JP2975740B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597574A true JPH0597574A (ja) | 1993-04-20 |
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