JPH0597522A - セラミツクス焼結体およびその製造方法 - Google Patents
セラミツクス焼結体およびその製造方法Info
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- JPH0597522A JPH0597522A JP3284208A JP28420891A JPH0597522A JP H0597522 A JPH0597522 A JP H0597522A JP 3284208 A JP3284208 A JP 3284208A JP 28420891 A JP28420891 A JP 28420891A JP H0597522 A JPH0597522 A JP H0597522A
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- JP
- Japan
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- powder
- ysi
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- sintered compact
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温構造用セラミックス焼結体及びその製造
方法を提供する。 【構成】 焼結体の結晶相が、β―Si3N4相を主体と
してY2Hf7O17、Si2N2Oが存在し、前記Y2Hf7
O17とSi2N2OのX線回折ピークの強度比が(2〜
5):1であることを特徴とするセラミックス焼結体及
び室温での抗折強度を1400℃まで保持可能なことを
特徴とする窒化珪素のセラミックスの製造方法。 【効果】 熱処理なしで容易に1250℃以上1400
℃までの温度範囲で強度劣化しない高温構造材料が得ら
れる。
方法を提供する。 【構成】 焼結体の結晶相が、β―Si3N4相を主体と
してY2Hf7O17、Si2N2Oが存在し、前記Y2Hf7
O17とSi2N2OのX線回折ピークの強度比が(2〜
5):1であることを特徴とするセラミックス焼結体及
び室温での抗折強度を1400℃まで保持可能なことを
特徴とする窒化珪素のセラミックスの製造方法。 【効果】 熱処理なしで容易に1250℃以上1400
℃までの温度範囲で強度劣化しない高温構造材料が得ら
れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高温構造用のセラミッ
クス焼結体およびその製造方法に関するものである。
クス焼結体およびその製造方法に関するものである。
【0002】本発明のセラミックス焼結体は、高温での
使用が考えられる線引用ダイス、自動車・航空機・ロケ
ット等のエンジン用部材等の材料として使用することが
できる。
使用が考えられる線引用ダイス、自動車・航空機・ロケ
ット等のエンジン用部材等の材料として使用することが
できる。
【0003】
【従来の技術】これまで開発されてきたセラミックスの
機械的性質については、例えば特公昭55―11660
3号公報にみられるサイアロンセラミックスのもつ性質
が最も優れているものの一つとされてきた。
機械的性質については、例えば特公昭55―11660
3号公報にみられるサイアロンセラミックスのもつ性質
が最も優れているものの一つとされてきた。
【0004】その焼結体組成は、主にβ’―SIALO
N相であり、さらに高温強度を付与するため焼結時の液
相成分をY2O3およびAl2O3の高温型結晶相Y3Al5
O12(YAG相)、Y2O3・Si3N4(メリライト相)
とした結晶相などから成っていた。
N相であり、さらに高温強度を付与するため焼結時の液
相成分をY2O3およびAl2O3の高温型結晶相Y3Al5
O12(YAG相)、Y2O3・Si3N4(メリライト相)
とした結晶相などから成っていた。
【0005】しかし、それらは、高温強度としてせいぜ
い1250℃程度までしか保持できず、しかも結晶相の
生成のためには、数十時間にも及ぶ非常に長時間の結晶
化処理が必要であるとされてきた。
い1250℃程度までしか保持できず、しかも結晶相の
生成のためには、数十時間にも及ぶ非常に長時間の結晶
化処理が必要であるとされてきた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高温
強度に優れ、特に1250℃から1400℃までの温度
範囲で強度劣化をせずに、さらに容易に高温安定型の結
晶相の生成を可能にする窒化珪素系のセラミックスを開
発することである。
強度に優れ、特に1250℃から1400℃までの温度
範囲で強度劣化をせずに、さらに容易に高温安定型の結
晶相の生成を可能にする窒化珪素系のセラミックスを開
発することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、焼結体の結晶
相が、β―Si3N4相を主体として、Y2Hf7O17、S
i2N2Oが存在し、前記Y2Hf7O17、Si2N2Oの各
X線回折ピーク強度比が(Y2Hf7O17):(Si2N2
O)=(2〜5):1であることを特徴とするセラミッ
クス焼結体である。
相が、β―Si3N4相を主体として、Y2Hf7O17、S
i2N2Oが存在し、前記Y2Hf7O17、Si2N2Oの各
X線回折ピーク強度比が(Y2Hf7O17):(Si2N2
O)=(2〜5):1であることを特徴とするセラミッ
クス焼結体である。
【0008】また、その製造方法として、Si3N4粉末
原料に、焼結助剤としてY2O3、YN、YSi、YSi
2、HfO2、HfN、HfSi、HfSi2、SiO2の
中から選ばれる、Y、Hf、Si、Oの各元素について
少なくとも一種の化合物粉末を総量で5〜40重量%、
YとHfの原子比が5:(1〜10)の範囲内にあり総
量で3〜36重量%、SiO2量は予めSi3N4粉末原
料に含まれている酸素量と合わせて4重量%以下を添加
混合し、YN、YSi、YSi2、HfN、HfSi、
HfSi2の総量は5重量%以下とするセラミックス原
料粉末を、ホットプレス、雰囲気加圧焼結、または常圧
焼結後に雰囲気加圧焼結することを特徴とする。
原料に、焼結助剤としてY2O3、YN、YSi、YSi
2、HfO2、HfN、HfSi、HfSi2、SiO2の
中から選ばれる、Y、Hf、Si、Oの各元素について
少なくとも一種の化合物粉末を総量で5〜40重量%、
YとHfの原子比が5:(1〜10)の範囲内にあり総
量で3〜36重量%、SiO2量は予めSi3N4粉末原
料に含まれている酸素量と合わせて4重量%以下を添加
混合し、YN、YSi、YSi2、HfN、HfSi、
HfSi2の総量は5重量%以下とするセラミックス原
料粉末を、ホットプレス、雰囲気加圧焼結、または常圧
焼結後に雰囲気加圧焼結することを特徴とする。
【0009】Si3N4粉末原料に、焼結助剤としてY2
O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、HfN、Hf
Si、HfSi2、SiO2の中から選ばれる、Y、H
f、Si、Oの各元素について少なくとも一種の化合物
粉末を添加混合することは、Si3N4を主成分とするセ
ラミックス粉末を焼結する際には、相転移を促進させる
高温液相成分が必要であるからである。
O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、HfN、Hf
Si、HfSi2、SiO2の中から選ばれる、Y、H
f、Si、Oの各元素について少なくとも一種の化合物
粉末を添加混合することは、Si3N4を主成分とするセ
ラミックス粉末を焼結する際には、相転移を促進させる
高温液相成分が必要であるからである。
【0010】このときSi3N4粉末原料は、好ましくは
α化率が高く平均1μm以下で粒度分布の狭いものでか
つ粒子形状が球形に近いものがふさわしい。その理由と
しては、充填し易く相転移後緻密化も容易なためであ
る。
α化率が高く平均1μm以下で粒度分布の狭いものでか
つ粒子形状が球形に近いものがふさわしい。その理由と
しては、充填し易く相転移後緻密化も容易なためであ
る。
【0011】また、焼結助剤としてY2O3、YN、YS
i、YSi2、HfO2、HfN、HfSi、HfS
i2、SiO2の中から選ぶことは、比較的安定な化合物
で、かつ焼結時の液相成分となり、降温時においてY2
Hf7O17、Si2N2Oの結晶相を生成させるためであ
る。
i、YSi2、HfO2、HfN、HfSi、HfS
i2、SiO2の中から選ぶことは、比較的安定な化合物
で、かつ焼結時の液相成分となり、降温時においてY2
Hf7O17、Si2N2Oの結晶相を生成させるためであ
る。
【0012】焼結助剤として、Y2O3、YN、YSi、
YSi2、HfO2、HfN、HfSi、HfSi2、S
iO2の総量を5〜40重量%の範囲で添加混合するこ
とは、5重量%未満では焼結する際に相転移を促進させ
る高温液相成分が必要所定量に達しないので緻密化が充
分に進まない。
YSi2、HfO2、HfN、HfSi、HfSi2、S
iO2の総量を5〜40重量%の範囲で添加混合するこ
とは、5重量%未満では焼結する際に相転移を促進させ
る高温液相成分が必要所定量に達しないので緻密化が充
分に進まない。
【0013】また40重量%を超す場合は焼結体のマト
リックスであるβ―Si3N4の体積割合が低下し充分な
強度の発現が困難なことや軽比重を特徴とするセラミッ
クスの比重が比較的高くなってしまうため好ましくない
ためである。
リックスであるβ―Si3N4の体積割合が低下し充分な
強度の発現が困難なことや軽比重を特徴とするセラミッ
クスの比重が比較的高くなってしまうため好ましくない
ためである。
【0014】上述の原料となるセラミックス粉末を、1
780〜2000℃の温度範囲でそれぞれの各粉末が分
解揮発を起こさない焼結温度で、常圧焼結、雰囲気加圧
焼結、ホットプレス焼結、さらにはHIP焼結の一種ま
たは二種以上の組合せで焼結することで緻密質の焼結体
を得ることができる。
780〜2000℃の温度範囲でそれぞれの各粉末が分
解揮発を起こさない焼結温度で、常圧焼結、雰囲気加圧
焼結、ホットプレス焼結、さらにはHIP焼結の一種ま
たは二種以上の組合せで焼結することで緻密質の焼結体
を得ることができる。
【0015】焼結温度としては、焼結助剤として添加し
ているY2O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、Hf
N、HfSi、HfSi2、SiO2の液相生成温度を超
えかつ各成分が分解揮発せず、それ以上温度を上げても
緻密化が促進されず、経済性や危険性の点で問題の少な
い温度範囲とした。
ているY2O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、Hf
N、HfSi、HfSi2、SiO2の液相生成温度を超
えかつ各成分が分解揮発せず、それ以上温度を上げても
緻密化が促進されず、経済性や危険性の点で問題の少な
い温度範囲とした。
【0016】焼結体におけるY2Hf7O17、Si2N2O
の各X線回折ピーク強度比が、(Y2Hf7O17):(S
i2N2O)=(2〜5):1にすることは、焼結時の液
相成分の組成比に基づいている。
の各X線回折ピーク強度比が、(Y2Hf7O17):(S
i2N2O)=(2〜5):1にすることは、焼結時の液
相成分の組成比に基づいている。
【0017】即ち、Y2Hf7O17相がSi2N2O相に対
して2:1より少ない場合、主体となるβ―Si3N4の
結晶を成長させることが難かしいため好ましくなく、逆
に5:1より多い場合、主体となるβ―Si3N4および
Si2N2O相の有する特性を損なうため好ましくない。
して2:1より少ない場合、主体となるβ―Si3N4の
結晶を成長させることが難かしいため好ましくなく、逆
に5:1より多い場合、主体となるβ―Si3N4および
Si2N2O相の有する特性を損なうため好ましくない。
【0018】Si3N4粉末原料に、焼結助剤としてY2
O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、HfN、Hf
Si、HfSi2、SiO2の中から選ばれる、Y、H
f、Si、Oの各元素について少なくとも一種の化合物
粉末を加える際に、YとHfの原子比が5:(1〜1
0)の範囲内にあり、総量で3〜36重量%にすること
は、Y2Hf7O17相を得るために必要な構成元素比を有
するためと結晶相生成後にX線回折ピーク強度比が(Y
2Hf7O17):(Si2N2O)=(2〜5):1の範囲
内におさめるためである。
O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、HfN、Hf
Si、HfSi2、SiO2の中から選ばれる、Y、H
f、Si、Oの各元素について少なくとも一種の化合物
粉末を加える際に、YとHfの原子比が5:(1〜1
0)の範囲内にあり、総量で3〜36重量%にすること
は、Y2Hf7O17相を得るために必要な構成元素比を有
するためと結晶相生成後にX線回折ピーク強度比が(Y
2Hf7O17):(Si2N2O)=(2〜5):1の範囲
内におさめるためである。
【0019】また、SiO2量を予めSi3N4粉末原料
に含まれている酸素量と合わせて4重量%以下とするこ
とは、主原料粉末であるSi3N4粉末と反応後、過剰分
を残さず、SiO2粉末が全てSi2N2O粉末に化学変
化するための最大許容量であることに基づいている。
に含まれている酸素量と合わせて4重量%以下とするこ
とは、主原料粉末であるSi3N4粉末と反応後、過剰分
を残さず、SiO2粉末が全てSi2N2O粉末に化学変
化するための最大許容量であることに基づいている。
【0020】YN、YSi、YSi2、HfN、HfS
i、HfSi2の総量を5重量%以下とすることは、こ
れらの粉末は直接的にY2Hf7O17相やSi2N2O相と
ならずに一時的に他の酸化物、雰囲気ガス成分または酸
化層と反応した後Y2Hf7O17相やSi2N2O相となる
場合と結晶生成時の濡れ性を向上させたりその核となっ
たりするものであるため、5重量%を超えて添加すると
かえって阻害要因となるため好ましくない。
i、HfSi2の総量を5重量%以下とすることは、こ
れらの粉末は直接的にY2Hf7O17相やSi2N2O相と
ならずに一時的に他の酸化物、雰囲気ガス成分または酸
化層と反応した後Y2Hf7O17相やSi2N2O相となる
場合と結晶生成時の濡れ性を向上させたりその核となっ
たりするものであるため、5重量%を超えて添加すると
かえって阻害要因となるため好ましくない。
【0021】ここで、具体的な製造過程または製造方法
の手順を示す。
の手順を示す。
【0022】主原料であるSi3N4粉末に、Y2O3粉
末、SiO2粉末、HfO2粉末等を添加し、アセトン溶
媒中で遊星型ボールミルを用いて24時間混合したスラ
リーから、棚置き乾燥後乳鉢粉砕するかまたは噴霧乾燥
するかによって本発明のセラミックス原料粉末を得る。
末、SiO2粉末、HfO2粉末等を添加し、アセトン溶
媒中で遊星型ボールミルを用いて24時間混合したスラ
リーから、棚置き乾燥後乳鉢粉砕するかまたは噴霧乾燥
するかによって本発明のセラミックス原料粉末を得る。
【0023】このときアセトン溶媒を用いることは粉末
の酸化を防ぐことと凝集した粉末があればそれを解砕す
るためである。
の酸化を防ぐことと凝集した粉末があればそれを解砕す
るためである。
【0024】これを、例えば40MPa一軸加圧式ホッ
トプレス装置を用い、常圧N2ガス流通雰囲気の条件で
1850℃、30分保持後毎分約50℃の降温速度で放
冷することで目的の焼結体を得る。
トプレス装置を用い、常圧N2ガス流通雰囲気の条件で
1850℃、30分保持後毎分約50℃の降温速度で放
冷することで目的の焼結体を得る。
【0025】その焼結体より切り出された試験片のアル
キメデス法による密度は3.28〜3.40g/cm3
の範囲にあり、充分緻密化することを確認する。
キメデス法による密度は3.28〜3.40g/cm3
の範囲にあり、充分緻密化することを確認する。
【0026】また、焼結体のX線回折ピークを調べるこ
とでASTMカードの28―1450(Y2Hf7O17)
および18―1171(Si2N2O )以外はマトリック
ス相であるβ―Si3N4に帰属されることを確認する。
とでASTMカードの28―1450(Y2Hf7O17)
および18―1171(Si2N2O )以外はマトリック
ス相であるβ―Si3N4に帰属されることを確認する。
【0027】また、Y2Hf7O17とSi2N2Oの存在領
域は針状組織を有するβ―Si3N4間隙であり、β―S
i3N4表面に密着している。
域は針状組織を有するβ―Si3N4間隙であり、β―S
i3N4表面に密着している。
【0028】
【作用】本発明では、焼結時にマトリックス相の相転移
に必要な液相成分の焼結相をY2Hf7O17およびSi2
N2Oにすることにより相転移後のβ―Si3N4相の有
する本来の高温強度の保持を、Y2Hf7O17とSi2N2
Oの融点が充分に高いことから、可能にすることで14
00℃まで室温強度が維持された。
に必要な液相成分の焼結相をY2Hf7O17およびSi2
N2Oにすることにより相転移後のβ―Si3N4相の有
する本来の高温強度の保持を、Y2Hf7O17とSi2N2
Oの融点が充分に高いことから、可能にすることで14
00℃まで室温強度が維持された。
【0029】また、Y2Hf7O17とSi2N2Oは、結晶
相生成のための特別な熱処理工程なしに結晶化が容易に
できるため、製造時の低コスト化、短時間化が可能にな
った。これは、Y2Hf7O17とSi2N2Oの結晶安定性
に基づいている。
相生成のための特別な熱処理工程なしに結晶化が容易に
できるため、製造時の低コスト化、短時間化が可能にな
った。これは、Y2Hf7O17とSi2N2Oの結晶安定性
に基づいている。
【0030】
【実施例】この発明を以下に示す実施例により説明す
る。
る。
【0031】平均粒子径0.3μmのSi3N4粉末(酸
素含有量1.2重量%)に、同0.4μmのY2O3粉末
2.3重量%、同0.2μmのSiO2粉末2.0重量
%、同2μmのHfO2粉末7.7重量%を添加し、ア
セトン溶媒中遊星型ボールミルで24時間混合した。
素含有量1.2重量%)に、同0.4μmのY2O3粉末
2.3重量%、同0.2μmのSiO2粉末2.0重量
%、同2μmのHfO2粉末7.7重量%を添加し、ア
セトン溶媒中遊星型ボールミルで24時間混合した。
【0032】このスラリーを棚置き乾燥した後、乳鉢で
粉砕し100〜200gのセラミックス粉末を得た。
粉砕し100〜200gのセラミックス粉末を得た。
【0033】これを常圧N2ガス流通雰囲気中にて、4
0MPaの一軸加圧条件下で1850℃、30分保持後
毎分約50℃の降温速度で放冷する焼結条件でホットプ
レスし、厚さ8mmの焼結体を得た。
0MPaの一軸加圧条件下で1850℃、30分保持後
毎分約50℃の降温速度で放冷する焼結条件でホットプ
レスし、厚さ8mmの焼結体を得た。
【0034】その焼結体より切り出された試験片のアル
キメデス法による密度は3.28〜3.40g/cm3
の範囲に有り、以下の第1表に記載した抗折強度を示し
た。
キメデス法による密度は3.28〜3.40g/cm3
の範囲に有り、以下の第1表に記載した抗折強度を示し
た。
【0035】
【表1】
【0036】また、いずれの焼結体もX線回折の結果、
ASTMカードの28―1450(Y2Hf7O17)およ
び18―1171(Si2N2O)により同定され、他の
回折ピークはいずれもβ―Si3N4に帰属された。
ASTMカードの28―1450(Y2Hf7O17)およ
び18―1171(Si2N2O)により同定され、他の
回折ピークはいずれもβ―Si3N4に帰属された。
【0037】1200〜1400℃の高温において、本
発明の実施例はいずれも室温での強度を保持しており、
従来のHf元素を含まない系に比較すると1200℃以
上での強度が上回っていることが見い出された。
発明の実施例はいずれも室温での強度を保持しており、
従来のHf元素を含まない系に比較すると1200℃以
上での強度が上回っていることが見い出された。
【0038】原子比Y:Hf=5:(1.08〜9.5
1)において、いずれも強度低下が無くX線回折ピーク
の強度比もY2Hf7O17:Si2N2O=(2〜5):1
内におさまっていることが確認された。
1)において、いずれも強度低下が無くX線回折ピーク
の強度比もY2Hf7O17:Si2N2O=(2〜5):1
内におさまっていることが確認された。
【0039】
【発明の効果】本発明のセラミックス焼結体は、140
0℃まで高温強度劣化がなく優れた高温特性を有するも
のである。
0℃まで高温強度劣化がなく優れた高温特性を有するも
のである。
【0040】本発明により、セラミックス部品の高温強
度を向上させることが可能となり、その工業的有用性は
非常に大きい。
度を向上させることが可能となり、その工業的有用性は
非常に大きい。
Claims (2)
- 【請求項1】 焼結体の結晶相が、β―Si3N4相を主
体として、Y2Hf7O17相、Si2N2O相が存在し、前
記Y2Hf7O17、Si2N2Oの各X線回折ピーク強度比
が(Y2Hf7O17):(Si2N2O)=(2〜5):1
であることを特徴とするセラミックス焼結体。 - 【請求項2】 Si3N4粉末原料に、焼結助剤としてY
2O3、YN、YSi、YSi2、HfO2、HfN、Hf
Si、HfSi2、SiO2の中から選ばれる、Y、H
f、Si、Oの各元素について少なくとも一種の化合物
粉末を総量で5〜40重量%、YとHfの原子比が5:
(1〜10)の範囲内にあり両者の化合物総量で3〜3
6重量%、SiO2量は予めSi3N4粉末原料に含まれ
ている酸素量と合わせ4重量%以下を添加混合し、Y
N、YSi、YSi2、HfN、HfSi、HfSi2の
総量は5重量%以下とするセラミックス原料粉末をホッ
トプレス、雰囲気加圧焼結、または常圧焼結後雰囲気加
圧焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3284208A JPH0597522A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | セラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3284208A JPH0597522A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | セラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0597522A true JPH0597522A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17675567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3284208A Withdrawn JPH0597522A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | セラミツクス焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0597522A (ja) |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3284208A patent/JPH0597522A/ja not_active Withdrawn
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