JPH0596059U - 基板保持装置 - Google Patents

基板保持装置

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JPH0596059U
JPH0596059U JP024210U JP2421093U JPH0596059U JP H0596059 U JPH0596059 U JP H0596059U JP 024210 U JP024210 U JP 024210U JP 2421093 U JP2421093 U JP 2421093U JP H0596059 U JPH0596059 U JP H0596059U
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JP
Japan
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substrate
mask
holding device
front surface
film
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JP024210U
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English (en)
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ラッツ ルドルフ
リッター ヨッヒェン
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Oerlikon Deutschland Holding GmbH
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Unaxis Deutschland Holding GmbH
Oerlikon Deutschland Holding GmbH
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
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    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板上に成膜層を製造する場合に常に成膜基
板面から非成膜基板面への移行区域において常にシャー
プな層段を得ることができるようにする。 【構成】 弾性的な薄膜状のマスク6が前面側の基板ホ
ルダー4と結合されており、しかも該マスク6の輪郭形
状は、マスク縁部が前記前面側の基板ホルダー4から平
行な間隔をおいて張出すように成形されており、前記マ
スク6が前記前面側の基板ホルダー4によって所定の角
度δをとって、基板1の成膜すべき前面へ導かれてお
り、かつ、前面側の基板ホルダー4を超えて張出してい
る前記のマスク縁部が、基板1の前面に圧着される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、スパッタリング法、真空蒸着法又はCVD(化学的気相成長法)の ような成膜法の実施中に、実質的に扁平な基板を保持するための少なくとも2部 構成の基板ホルダーから成る基板保持装置であって、前記基板ホルダーの前面側 部分が、膜生成源の方に向いた基板前面をマスク状に被覆しかつ前記基板ホルダ ーの背面側部分が、膜生成源から離反した方の基板の背面側に設けられている形 式の基板保持装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板を成膜する場合、基板前面の一部分にだけ成膜を施すことが要求される場 合が往々にしてある。これは例えばディスプレイ装置の画像スクリーンの場合で あり、この場合、基板前面側の外縁域には成膜処理は施されてはならない。この ために従来は、主として扁平なマスクプレートが使用され、該マスクプレートは 、成膜すべき基板前面に載設され、場合によっては圧着された。しかしその場合 に特に留意すべき点は、このマスクによって成形される成膜層が著しく細い移行 区域を有していること、すなわち成膜区域から非成膜区域へ移行する層段がシャ ープに境界づけられていることである。この移行区域の幅は、実質的に3つのフ ァクターに関連している、すなわち: 1.膜生成粒子が基板−マスク区域に衝突する衝突角度、 2.制限縁におけるマスク材料の肉厚、及び 3.マスクと基板との距離に関連している。
【0003】 しかしながら、これまで使用された前記の公知の解決手段は、マスクと基板と の気密な密閉部を作るためには、マスクも基板も共に著しく扁平でなければなら ず、起伏状に湾曲していてはならない。このような起伏は大型のマスク及び基板 の場合に特に問題になる。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
本考案の課題は、基板上に成膜層を製造する場合に常に成膜基板面から非成膜 基板面への移行区域において常にシャープな層段を得ることができるようにする ことである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本考案の構成手段は、弾性的な薄膜状のマスクが前面側の 基板ホルダーと結合されており、しかも該マスクの輪郭形状は、マスク縁部が前 記前面側の基板ホルダーから平行な間隔をおいて張出すように成形されており、 前記マスクが前記前面側の基板ホルダーによって所定の角度をとって、基板の成 膜すべき前面へ導かれており、かつ、前面側の基板ホルダーを超えて張出してい る前記のマスク縁部が、基板の前面に圧着される点にある。
【0006】
【作用】
本考案の構成手段によって、たとえ基板前面又はマスクが真っ平らでないよう な場合でさえも、マスクを常に基板上に気密に載せることができるという利点が 得られる。
【0007】 本考案の有利な実施態様及びその他の構成手段は請求項2以降に記載した通り である。
【0008】 ディスプレイの画像スクリーンに成膜する場合の1具体例では、層厚約150 nmの成膜層が基板上に被着された。その場合、銅−ベリリウム薄膜から成る使 用マスクの肉厚は0.1mmであり、またマスク角度δ、すなわち基板前面に対 するマスク薄膜の衝突角度は約20〜30°であった。
【0009】 成膜工程時に前記マスクが曝される温度は200℃の温度範囲内にあった。
【0010】
【実施例】 次に、多種多様の実施態様を可能にする本考案をその1実施例について図面に 基づいて詳説する。
【0011】 成膜すべき扁平な基板1は、図示を省いた真空室内に設けられたベース体2に よって、基板1とベース体2の互いに対面した両端面間に狭いギャップ3を残存 させるように、周方向で取り囲まれている。ベース体2の扁平な前面には、前面 側の基板ホルダー4が固定されており、該基板ホルダーは膜生成源の方に向いて いる。膜生成源自体は、図面を簡単にするために図示されていないが、該膜生成 源の位置は成膜方向Bによって明確に特定されている。実質的に扁平な基板ホル ダー4は、基板中心寄りの自由端部に、ノーズ状の屈曲部5を有し、該屈曲部5 は成膜方向Bへ基板1の方に向かって方向づけられている。
【0012】 前記前面側の基板ホルダー4の背面にはフレキシブルなマスク6が固定されて おり、この場合その固定は例えばリベット7によって行なうことができる。該マ スク6は所定の固有剛さを有する材料から成り、薄膜状であり、マスクの初期形 状は扁平である。いマスク6は角度δだけ基板1の方に向かって屈曲されて屈曲 部5を形成してる。基板1は、背面側の基板ホルダー8と固定的に結合された保 持ばね9によってマスク6に圧着される。その際、角度δだけ曲げられたマスク 6は、該マスク6の弾性的な端部が基板1の前面に対して平行に延びて該前面に 密着するまで、基板1の成膜すべき前面上を基板中心の方へ摺動する。
【0013】 こうして成膜方向Bに従って膜生成源から基板1上に成膜層10が被着され、 該成膜層は、周方向に延びる外縁に沿ってマスク6によって制限されてシャープ なエッジを形成する。
【図面の簡単な説明】
【図1】成膜すべき基板の縁部区域に本考案のマスクを
備えた基板保持装置の断面図である。
【符号の説明】
1 基板、 2 ベース体、 3 ギャップ、
4 前面側の基板ホルダー、 5 ノーズ状の屈曲
部、 6 マスク、 7 リベット、 8背面側の
基板ホルダー、 9 保持ばね、 10 成膜層、
B 成膜方向、 δ 角度

Claims (13)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スパッタリング法、真空蒸着法又は化学
    的気相成長法のような成膜法の実施中に、実質的に扁平
    な基板(1)を保持するための少なくとも2部構成の基
    板ホルダーから成る基板保持装置であって、前記基板ホ
    ルダーの前面側部分(7)が、膜生成源の方に向いた基
    板前面をマスク状に被覆しかつ前記基板ホルダーの背面
    側部分(8)が、膜生成源から離反した方の基板(1)
    の背面側に設けられている形式のものにおいて、弾性的
    な薄膜状のマスク(6)が前面側の基板ホルダー(4)
    と結合されており、しかも該マスク(6)の輪郭形状
    は、マスク縁部が前記前面側の基板ホルダー(4)から
    平行な間隔をおいて張出すように成形されており、前記
    マスク(6)が前記前面側の基板ホルダー(4)によっ
    て所定の角度(δ)をとって、基板(1)の成膜すべき
    前面へ導かれており、かつ、前面側の基板ホルダー
    (4)を超えて張出している前記のマスク縁部が、基板
    (1)の前面に圧着されることを特徴とする、基板保持
    装置。
  2. 【請求項2】 背面側の基板ホルダー(8)に保持ばね
    (9)が設けられている、請求項1記載の基板保持装
    置。
  3. 【請求項3】 基板(1)が保持ばね(9)によってマ
    スク(6)に圧着される、請求項2記載の基板保持装
    置。
  4. 【請求項4】 マスク(6)が固有剛さを有する材料か
    ら成る、請求項1記載の基板保持装置。
  5. 【請求項5】 マスク(6)がCr−Ni鋼又はCu−
    Be合金から製造されている、請求項4記載の基板保持
    装置。
  6. 【請求項6】 前面側の基板ホルダー(4)がノーズ状
    の屈曲部(5)を有している、請求項1記載の基板保持
    装置。
  7. 【請求項7】 屈曲部(5)が基板前面に対して所定の
    角度(δ)を有している、請求項6記載の基板保持装
    置。
  8. 【請求項8】 マスク(6)が、前面側の基板ホルダー
    (4)の、膜生成源から離反した方の背面に固定されて
    いる、請求項1記載の基板保持装置。
  9. 【請求項9】 マスク(6)の肉厚が、基板(1)の前
    面に被着すべき成膜層(10)の層厚の複数倍に選ばれ
    ている、請求項1記載の基板保持装置。
  10. 【請求項10】 マスク(6)の固有剛さが、該マスク
    (6)を基板前面の起伏に追従させて基板前面に密着さ
    せうるように選ばれている、請求項1又は4記載の基板
    保持装置。
  11. 【請求項11】 マスク(6)が枠状に構成されてい
    る、請求項1記載の基板保持装置。
  12. 【請求項12】 マスク(6)が、基板前面の周方向に
    延びる外縁を被覆している、請求項11記載の基板保持
    装置。
  13. 【請求項13】 マスク(6)が任意の形状に構成可能
    である、請求項1記載の基板保持装置。
JP024210U 1992-05-15 1993-05-11 基板保持装置 Pending JPH0596059U (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE9206635U DE9206635U1 (ja) 1992-05-15 1992-05-15
DE9206635.6 1992-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0596059U true JPH0596059U (ja) 1993-12-27

Family

ID=6879567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP024210U Pending JPH0596059U (ja) 1992-05-15 1993-05-11 基板保持装置

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EP (1) EP0569660A1 (ja)
JP (1) JPH0596059U (ja)
KR (1) KR930026522U (ja)
CA (1) CA2096274A1 (ja)
DE (1) DE9206635U1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4307382A1 (de) * 1993-03-09 1994-09-15 Leybold Ag Maske zum Abdecken des radial äußeren Bereichs einer scheibenförmigen Substratoberfläche
JPH1021586A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Sony Corp Dcスパッタリング装置
US6264804B1 (en) 2000-04-12 2001-07-24 Ske Technology Corp. System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system
GB0207375D0 (en) 2002-03-28 2002-05-08 Hardide Ltd Cutting tool with hard coating
DE10324202A1 (de) * 2003-05-28 2004-12-16 Aixtron Ag Maskenhaltevorrichtung
WO2014191624A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Beneq Oy Substrate holder and arrangement for holding substrates
CN110168131B (zh) * 2017-01-23 2022-06-07 应用材料公司 基板保持器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2044519A1 (de) * 1970-09-08 1972-03-09 Siemens Ag Vorrichtung zum Herstellen von Kon taktschichten an den Enden elektrischer Bauelemente
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck

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Publication number Publication date
KR930026522U (ko) 1993-12-28
DE9206635U1 (ja) 1992-09-10
CA2096274A1 (en) 1993-11-16
EP0569660A1 (de) 1993-11-18

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