JPH0594961A - 超伝導配線の製造方法 - Google Patents
超伝導配線の製造方法Info
- Publication number
- JPH0594961A JPH0594961A JP3253934A JP25393491A JPH0594961A JP H0594961 A JPH0594961 A JP H0594961A JP 3253934 A JP3253934 A JP 3253934A JP 25393491 A JP25393491 A JP 25393491A JP H0594961 A JPH0594961 A JP H0594961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- superconducting
- wiring
- cacu
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】超伝導配線の製造方法に関し、特に、超伝導特
性が安定な超伝導配線の製造方法の提供を目的とする。 【構成】絶縁物基板１に超伝導膜２を堆積する工程と、
反応物質３を前記超伝導膜２の所望の領域内に導入し、
導入領域の前記超伝導膜２を高抵抗化して層間絶縁領域
層４を形成する工程とを含み構成する。
性が安定な超伝導配線の製造方法の提供を目的とする。 【構成】絶縁物基板１に超伝導膜２を堆積する工程と、
反応物質３を前記超伝導膜２の所望の領域内に導入し、
導入領域の前記超伝導膜２を高抵抗化して層間絶縁領域
層４を形成する工程とを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導配線の製造方法
に関し、半導体装置の配線に用いられる超伝導膜のパタ
ーニング方法に関する。
に関し、半導体装置の配線に用いられる超伝導膜のパタ
ーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の超伝導配線の製造方法について図
を参照しながら説明する。図４は、従来例に係る超伝導
配線の製造方法の工程図である。
を参照しながら説明する。図４は、従来例に係る超伝導
配線の製造方法の工程図である。
【０００３】図４（ａ）に示すように、まず、超伝導配
線層であるBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をＭｇＯ基板21上に蒸着
し、その上層にレジスト膜23を塗布する。次に、図４
（ｂ）に示すように、レジスト膜23の上部にフォトマス
ク24を配置し、露光する。露光後に現像して、レジスト
膜23をパターニングする。
線層であるBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をＭｇＯ基板21上に蒸着
し、その上層にレジスト膜23を塗布する。次に、図４
（ｂ）に示すように、レジスト膜23の上部にフォトマス
ク24を配置し、露光する。露光後に現像して、レジスト
膜23をパターニングする。
【０００４】次いで、図４（ｃ）に示すように、パター
ニングされたレジスト膜23をマスクにして塩酸などのエ
ッチング液によってBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をウエットエッ
チングする。さらにレジスト膜23を溶剤により除去する
ことによってBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をパターニングし、こ
れを超伝導配線として用いる。
ニングされたレジスト膜23をマスクにして塩酸などのエ
ッチング液によってBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をウエットエッ
チングする。さらにレジスト膜23を溶剤により除去する
ことによってBi2Sr2CaCu2Oy 膜22をパターニングし、こ
れを超伝導配線として用いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の超伝導配線
の製造方法によると、超伝導膜であるBi2Sr2CaCu2Oy 膜
22を形成したのち、通常のフォトリソグラフィー法によ
って該Bi2Sr2CaCu2Oy 膜22をパターニングすることによ
り配線を形成していた。
の製造方法によると、超伝導膜であるBi2Sr2CaCu2Oy 膜
22を形成したのち、通常のフォトリソグラフィー法によ
って該Bi2Sr2CaCu2Oy 膜22をパターニングすることによ
り配線を形成していた。
【０００６】ところで、この製造方法によると、現像工
程で現像液に浸したり、ウエットエッチングで塩酸に浸
したりというように、超伝導体を液体にさらす工程が多
い。しかし、超伝導体は液体に対して不安定で、水分等
にさらされると、超伝導特性が失われてしまうといった
問題が生じる。
程で現像液に浸したり、ウエットエッチングで塩酸に浸
したりというように、超伝導体を液体にさらす工程が多
い。しかし、超伝導体は液体に対して不安定で、水分等
にさらされると、超伝導特性が失われてしまうといった
問題が生じる。
【０００７】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
て創作されたものであり、安定な超伝導特性のパターン
形成を可能にする超伝導配線の製造方法の提供を目的と
する。
て創作されたものであり、安定な超伝導特性のパターン
形成を可能にする超伝導配線の製造方法の提供を目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る超伝導配線
の製造方法によれば、図１に示すように、絶縁物基板１
に超伝導膜２を堆積する工程と、反応物質３を前記超伝
導膜２の所望の領域内に導入し、導入領域の前記超伝導
膜２を高抵抗化して層間絶縁領域層４を形成する工程と
を含むことを特徴とし、又、反応物質３を支持基板上に
パターン形成する工程と、パターン形成された前記反応
物質３を前記超伝導膜２に接触させる工程と、熱処理に
よって前記反応物質３を前記超伝導膜２に導入して、前
記超伝導膜２の一部領域を高抵抗化する工程とを含むこ
とを特徴とし、なお、前記超伝導配線の製造方法におい
て、反応物質３を前記超伝導膜２の所望の領域内に導入
し、導入領域の前記超伝導膜２を高抵抗化して層間絶縁
領域層４を形成する工程は、スパッタ法を含む工程であ
ることを特徴とし、さらに、前記超伝導配線の製造方法
において、反応物質３は、シリコンを含むことを特徴と
し、上記目的を達成する。
の製造方法によれば、図１に示すように、絶縁物基板１
に超伝導膜２を堆積する工程と、反応物質３を前記超伝
導膜２の所望の領域内に導入し、導入領域の前記超伝導
膜２を高抵抗化して層間絶縁領域層４を形成する工程と
を含むことを特徴とし、又、反応物質３を支持基板上に
パターン形成する工程と、パターン形成された前記反応
物質３を前記超伝導膜２に接触させる工程と、熱処理に
よって前記反応物質３を前記超伝導膜２に導入して、前
記超伝導膜２の一部領域を高抵抗化する工程とを含むこ
とを特徴とし、なお、前記超伝導配線の製造方法におい
て、反応物質３を前記超伝導膜２の所望の領域内に導入
し、導入領域の前記超伝導膜２を高抵抗化して層間絶縁
領域層４を形成する工程は、スパッタ法を含む工程であ
ることを特徴とし、さらに、前記超伝導配線の製造方法
において、反応物質３は、シリコンを含むことを特徴と
し、上記目的を達成する。
【０００９】
【作 用】本発明の超伝導配線の製造方法によれば、予
めパターニングされた反応物質３を超伝導膜２内に導入
して層間絶縁領域層４を形成する工程を含んでいる。
めパターニングされた反応物質３を超伝導膜２内に導入
して層間絶縁領域層４を形成する工程を含んでいる。
【００１０】このため、超伝導膜２内において、反応物
質３の導入された領域、すなわち層間絶縁領域層４のみ
超伝導性が失われ、その部分が絶縁されるので、不要な
部分の超伝導膜２を除去するのと電気的には同等であ
る。したがって、従来のフォトリソグラフィー法によら
ずとも超伝導膜２のパターニングが可能になる。
質３の導入された領域、すなわち層間絶縁領域層４のみ
超伝導性が失われ、その部分が絶縁されるので、不要な
部分の超伝導膜２を除去するのと電気的には同等であ
る。したがって、従来のフォトリソグラフィー法によら
ずとも超伝導膜２のパターニングが可能になる。
【００１１】これにより、従来の方法のように、現像工
程のように超伝導体を液体にさらす工程が無くなるの
で、超伝導性が失われることを抑止でき、より安定な超
伝導配線パターンの形成が可能になる。
程のように超伝導体を液体にさらす工程が無くなるの
で、超伝導性が失われることを抑止でき、より安定な超
伝導配線パターンの形成が可能になる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を図を参照しながら説明
する。 （１）第１の実施例 図１は本実施例に係る超伝導配線の製造方法の工程図で
ある。
する。 （１）第１の実施例 図１は本実施例に係る超伝導配線の製造方法の工程図で
ある。
【００１３】まず、図１（ａ）に示すように、絶縁物基
板としてＭｇＯ基板１を用いる。該ＭｇＯ基板１上に、
Electron Beam 多元蒸着法によって、超伝導膜としてBi
2Sr2CaCu2Oy膜２を約1000Å堆積する。
板としてＭｇＯ基板１を用いる。該ＭｇＯ基板１上に、
Electron Beam 多元蒸着法によって、超伝導膜としてBi
2Sr2CaCu2Oy膜２を約1000Å堆積する。
【００１４】次に、図１（ｂ）に示すように、予めパタ
ーニングされたメタルマスク14を用いて、スパッタ法に
より、反応物質としてシリコンを選択的に約500 Å堆積
する。
ーニングされたメタルマスク14を用いて、スパッタ法に
より、反応物質としてシリコンを選択的に約500 Å堆積
する。
【００１５】次いで、約680 ℃の熱処理を行う。これに
より、シリコンがBi2Sr2CaCu2Oy 膜２内に導入され、図
１（ｃ）に示すように、パターニングされたシリコン含
有領域層４が形成され、これに挟まれたBi2Sr2CaCu2Oy
膜２が超伝導配線となる。
より、シリコンがBi2Sr2CaCu2Oy 膜２内に導入され、図
１（ｃ）に示すように、パターニングされたシリコン含
有領域層４が形成され、これに挟まれたBi2Sr2CaCu2Oy
膜２が超伝導配線となる。
【００１６】図２は、本実施例に係る超伝導配線の製造
方法の補足説明図である。上記工程によってBi2Sr2CaCu
2Oy 膜２を横切るシリコン含有領域層４が形成された装
置において、図２（ａ）に示すような，の場合につ
いて電気伝導性を調べる。
方法の補足説明図である。上記工程によってBi2Sr2CaCu
2Oy 膜２を横切るシリコン含有領域層４が形成された装
置において、図２（ａ）に示すような，の場合につ
いて電気伝導性を調べる。
【００１７】すなわち、定電流源FS，電圧計VMを用い
て、シリコン含有領域層４を挟まない二点間（の場
合）及びシリコン含有領域層４を挟む二点間（の場
合）の電気抵抗を四端子法により測定する。
て、シリコン含有領域層４を挟まない二点間（の場
合）及びシリコン含有領域層４を挟む二点間（の場
合）の電気抵抗を四端子法により測定する。
【００１８】図２（ｂ），（ｃ）は、それぞれ，の
場合の測定結果を示すグラフであり、横軸は温度
（Ｋ），縦軸は抵抗（Ω）を示している。シリコン含有
領域層４を挟まない二点間の抵抗を測定すると、図２
（ｂ）に示すように、（の場合）臨界温度Ｔｃ＝８０
Ｋの超伝導特性を示すが、シリコン含有領域層４を挟む
二点間では（の場合）、図２（ｃ）に示すように全く
超伝導特性を示さず、高抵抗のままである。
場合の測定結果を示すグラフであり、横軸は温度
（Ｋ），縦軸は抵抗（Ω）を示している。シリコン含有
領域層４を挟まない二点間の抵抗を測定すると、図２
（ｂ）に示すように、（の場合）臨界温度Ｔｃ＝８０
Ｋの超伝導特性を示すが、シリコン含有領域層４を挟む
二点間では（の場合）、図２（ｃ）に示すように全く
超伝導特性を示さず、高抵抗のままである。
【００１９】このように、シリコン含有領域層４におい
て明らかに超伝導特性が途切れており、臨界温度下では
電気的には絶縁されているといってよい。すなわち、こ
れは電気的にみれば、シリコン含有領域層４の領域に対
応するBi 2Sr2CaCu2Oy 膜２を除去するのと同じことであ
る。
て明らかに超伝導特性が途切れており、臨界温度下では
電気的には絶縁されているといってよい。すなわち、こ
れは電気的にみれば、シリコン含有領域層４の領域に対
応するBi 2Sr2CaCu2Oy 膜２を除去するのと同じことであ
る。
【００２０】このため、シリコンをBi2Sr2CaCu2Oy 膜２
内に導入することによって、フォトリソグラフィー法に
よらずとも、超伝導配線パターンを形成することが可能
になる。
内に導入することによって、フォトリソグラフィー法に
よらずとも、超伝導配線パターンを形成することが可能
になる。
【００２１】しかも、その表面は平坦化されるために、
多層配線の装置において、段差による断線が防止され
る。 （２）第２の実施例 図３は本実施例に係る超伝導配線の製造方法の工程図で
ある。
多層配線の装置において、段差による断線が防止され
る。 （２）第２の実施例 図３は本実施例に係る超伝導配線の製造方法の工程図で
ある。
【００２２】まず、図３（ａ）に示すように、絶縁物基
板としてのＭｇＯ基板11上に、Electron Beam 多元蒸着
法によって、超伝導膜としてBi2Sr2CaCu2Oy 膜12を約10
00Å堆積する。
板としてのＭｇＯ基板11上に、Electron Beam 多元蒸着
法によって、超伝導膜としてBi2Sr2CaCu2Oy 膜12を約10
00Å堆積する。
【００２３】次に、図３（ｂ）に示すように、支持基板
としての石英ガラス16上に積層され、予めパターニング
された反応物質としてのシリコン層13を上記Bi2Sr2CaCu
2Oy 膜12に接触させる。
としての石英ガラス16上に積層され、予めパターニング
された反応物質としてのシリコン層13を上記Bi2Sr2CaCu
2Oy 膜12に接触させる。
【００２４】次いで、約７００℃の温度で熱処理し、シ
リコン層13を上記Bi2Sr2CaCu2Oy 膜12内に導入し、図３
（ｃ）に示すように、シリコン含有領域層14を形成す
る。上記工程によって超伝導配線パターンが形成でき
る。
リコン層13を上記Bi2Sr2CaCu2Oy 膜12内に導入し、図３
（ｃ）に示すように、シリコン含有領域層14を形成す
る。上記工程によって超伝導配線パターンが形成でき
る。
【００２５】本実施例の超伝導配線の製造方法によれ
ば、予めパターニングされたシリコン層13をBi2Sr2CaCu
2Oy 膜12に貼り合わせたのちに熱処理することによって
シリコン層13をBi2Sr2CaCu2Oy 膜12に導入する工程を含
んでいる。
ば、予めパターニングされたシリコン層13をBi2Sr2CaCu
2Oy 膜12に貼り合わせたのちに熱処理することによって
シリコン層13をBi2Sr2CaCu2Oy 膜12に導入する工程を含
んでいる。
【００２６】このため、上記第１の実施例と同様に、Bi
2Sr2CaCu2Oy 膜12内において、シリコン層13の導入され
た領域であるシリコン含有領域層14のみ超伝導性が失わ
れるので、その領域で超伝導性が途切れるので、不要な
部分のBi2Sr2CaCu2Oy 膜12を除去するのと同様であり、
従来のフォトリソグラフィー法によらずとも超伝導配線
パターンを形成することが可能になる。
2Sr2CaCu2Oy 膜12内において、シリコン層13の導入され
た領域であるシリコン含有領域層14のみ超伝導性が失わ
れるので、その領域で超伝導性が途切れるので、不要な
部分のBi2Sr2CaCu2Oy 膜12を除去するのと同様であり、
従来のフォトリソグラフィー法によらずとも超伝導配線
パターンを形成することが可能になる。
【００２７】これにより、現像工程などの超伝導体を液
体にさらす工程が無くなるので、配線上必要な領域のBi
2Sr2CaCu2Oy膜12において、超伝導性が失われることな
く、より安定な超伝導配線が可能になる。
体にさらす工程が無くなるので、配線上必要な領域のBi
2Sr2CaCu2Oy膜12において、超伝導性が失われることな
く、より安定な超伝導配線が可能になる。
【００２８】（３）その他の実施例 なお、上記第１，第２の実施例において、超伝導膜を堆
積する工程は、Electron Beam 多元蒸着法を用いている
が、スパッタ法，ＭＢＥ法又はＣＶＤ法を用いて堆積し
ても同様の効果を得る。
積する工程は、Electron Beam 多元蒸着法を用いている
が、スパッタ法，ＭＢＥ法又はＣＶＤ法を用いて堆積し
ても同様の効果を得る。
【００２９】又、上記第１，第２の実施例において、絶
縁物基板としてＭｇＯ基板を用いたが、SrTi03又はＹＳ
Ｚ(Y2O3-stabilized-ZrO2)から成る基板においても同様
の効果を得る。
縁物基板としてＭｇＯ基板を用いたが、SrTi03又はＹＳ
Ｚ(Y2O3-stabilized-ZrO2)から成る基板においても同様
の効果を得る。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の超伝導配線
の製造方法によれば、反応物質を超伝導膜内の所望の領
域に導入して超伝導体を高抵抗化する工程を含んでい
る。
の製造方法によれば、反応物質を超伝導膜内の所望の領
域に導入して超伝導体を高抵抗化する工程を含んでい
る。
【００３１】これにより配線上必要な領域の超伝導膜に
おいて、超伝導性の破壊が抑止でき、より安定な超伝導
配線が可能になる。
おいて、超伝導性の破壊が抑止でき、より安定な超伝導
配線が可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る超伝導配線の製造
方法の工程図である。
方法の工程図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る超伝導配線の製造
方法の補足説明図である。
方法の補足説明図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る超伝導配線の製造
方法の工程図である。
方法の工程図である。
【図４】従来例に係る超伝導配線の製造方法の工程図で
ある。
ある。
１…ＭｇＯ基板（絶縁物基板）、 ２…Bi2Sr2CaCu2Oy 膜（超伝導膜）、 ３…シリコン（反応物質）、 ４…シリコン含有領域層（層間絶縁領域層）、 ５…メタルマスク。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁物基板（１）に超伝導膜（２）を堆積
する工程と、 反応物質（３）を前記超伝導膜（２）の所望の領域内に
導入し、導入領域の前記超伝導膜（２）を高抵抗化して
層間絶縁領域層（４）を形成する工程とを含むことを特
徴とする超伝導配線の製造方法。 - 【請求項２】反応物質（３）を支持基板上にパターン形
成する工程と、 パターン形成された前記反応物質（３）を前記超伝導膜
（２）に接触させる工程と、 熱処理によって前記反応物質（３）を前記超伝導膜
（２）に導入して、前記超伝導膜（２）の一部領域を高
抵抗化する工程とを含むことを特徴とする超伝導配線の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253934A JPH0594961A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 超伝導配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253934A JPH0594961A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 超伝導配線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594961A true JPH0594961A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17258049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253934A Withdrawn JPH0594961A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 超伝導配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594961A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7630774B2 (en) | 2005-01-18 | 2009-12-08 | Alma Lasers Ltd. | System and method for heating biological tissue via RF energy |
| US9215788B2 (en) | 2005-01-18 | 2015-12-15 | Alma Lasers Ltd. | System and method for treating biological tissue with a plasma gas discharge |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253934A patent/JPH0594961A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7630774B2 (en) | 2005-01-18 | 2009-12-08 | Alma Lasers Ltd. | System and method for heating biological tissue via RF energy |
| US8150532B2 (en) | 2005-01-18 | 2012-04-03 | Alma Lasers Ltd. | System and method for heating biological tissue via RF energy |
| US9215788B2 (en) | 2005-01-18 | 2015-12-15 | Alma Lasers Ltd. | System and method for treating biological tissue with a plasma gas discharge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4957899A (en) | Method of patterning superconducting oxide thin films | |
| JP4711249B2 (ja) | 超伝導集積回路及びその作製方法 | |
| US4176029A (en) | Subminiature bore and conductor formation | |
| US5240905A (en) | Method for forming electrode for electrical connections to oxide super-conductor | |
| JPH0594961A (ja) | 超伝導配線の製造方法 | |
| US4263603A (en) | Subminiature bore and conductor formation | |
| US5462919A (en) | Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region and device utilizing the superconducting thin film | |
| JP2682136B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
| KR20010067425A (ko) | 경사형 모서리 조셉슨 접합소자 및 그 제조방법 | |
| JPS63308979A (ja) | 酸化物超伝導体接合の形成方法 | |
| KR930004024B1 (ko) | 초전도 집적회로소자의 제조방법 | |
| JPH054828B2 (ja) | ||
| US3450534A (en) | Tin-lead-tin layer arrangement to improve adherence of photoresist and substrate | |
| JPS5967675A (ja) | ジヨセフソン集積回路装置の製造方法 | |
| Hohenwarter et al. | Closed system fabrication of Josephson tunnel junctions | |
| JPS61263179A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JP2566028B2 (ja) | 超伝導素子の製造加工方法 | |
| JP2727648B2 (ja) | 超電導素子の製造方法 | |
| JPS61111589A (ja) | トンネル型ジヨセフソン素子の製造方法 | |
| JPH0261142B2 (ja) | ||
| JPS63194376A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JPH02194570A (ja) | 酸化物超伝導配線の形成方法 | |
| JPH02248082A (ja) | ジョセフソン接合の製造方法 | |
| JPS58125880A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JPS5877268A (ja) | トンネル型ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |