JPH0594927A - チツプ状固体電解コンデンサ - Google Patents
チツプ状固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0594927A JPH0594927A JP3211022A JP21102291A JPH0594927A JP H0594927 A JPH0594927 A JP H0594927A JP 3211022 A JP3211022 A JP 3211022A JP 21102291 A JP21102291 A JP 21102291A JP H0594927 A JPH0594927 A JP H0594927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- conductor layer
- lead frame
- layer
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿性の良好なチップ状固体電解コンデン
サ。 【構成】 表面に平均径が0.1〜10μmの均一に分
散したボイドを有する半田光沢メッキが施されたリード
フレームを用いたチップ状固体電解コンデンサ。
サ。 【構成】 表面に平均径が0.1〜10μmの均一に分
散したボイドを有する半田光沢メッキが施されたリード
フレームを用いたチップ状固体電解コンデンサ。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性能の良好なチッ
プ状固体電解コンデンサに関する。
プ状固体電解コンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来チップ状固体電解コンデンサは、図
1乃至図2に示すように表面に誘電体酸化皮膜層2を有
するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属1
の表面に陽極部となる一部を除いて半導体層3および導
電体層4を順次積層した固体電解コンデンサ素子5を形
成し、次いでこのコンデンサ素子5をリードフレーム6
に接続するが、リードフレーム6の2ケ所の凸部6a,
6bを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部6a,6
bに前記コンデンサ素子2の陽極部7と導電体層部8を
載置し、前者は熔接9などで、後者は銀ペースト等の導
電材10でリードフレーム6の凸部6a,6bに電気
的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂11で封止し
て、チップ状固体電解コンデンサ12が構成されてい
る。
1乃至図2に示すように表面に誘電体酸化皮膜層2を有
するアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属1
の表面に陽極部となる一部を除いて半導体層3および導
電体層4を順次積層した固体電解コンデンサ素子5を形
成し、次いでこのコンデンサ素子5をリードフレーム6
に接続するが、リードフレーム6の2ケ所の凸部6a,
6bを間隔をおいて対向させ、それぞれの凸部6a,6
bに前記コンデンサ素子2の陽極部7と導電体層部8を
載置し、前者は熔接9などで、後者は銀ペースト等の導
電材10でリードフレーム6の凸部6a,6bに電気
的、かつ機械的に接続した後、外装樹脂11で封止し
て、チップ状固体電解コンデンサ12が構成されてい
る。
【0003】これら外装樹脂11で封止されたコンデン
サ12は優れた耐湿性が要求されるが、耐湿テストを行
なうと、時間とともに容量が増大し、tanδおよびL
C値の上昇を招いている。
サ12は優れた耐湿性が要求されるが、耐湿テストを行
なうと、時間とともに容量が増大し、tanδおよびL
C値の上昇を招いている。
【0004】このような性能の劣化は、コンデンサ素子
5内部にリードフレームを伝わって水分が侵入するため
と考えられる。
5内部にリードフレームを伝わって水分が侵入するため
と考えられる。
【0005】これを防ぐために、コンデンサ素子に外装
を施すのに先立って、コンデンサ全体を耐水性の絶縁樹
脂で覆うことが試みられているが、この方法は工程を増
加させるばかりでなく、体積が増加し、材料もコストア
ップする不都合がある。
を施すのに先立って、コンデンサ全体を耐水性の絶縁樹
脂で覆うことが試みられているが、この方法は工程を増
加させるばかりでなく、体積が増加し、材料もコストア
ップする不都合がある。
【0006】また、外部リード端子がリードフレームの
場合、コンデンサ素子をリードフレームの2ケ所の互い
に向きあった凸部6a,6bに接続した後にコンデンサ
素子5全体を絶縁樹脂で覆うと、リードフレーム6自身
も絶縁化されてしまう欠点もあった。
場合、コンデンサ素子をリードフレームの2ケ所の互い
に向きあった凸部6a,6bに接続した後にコンデンサ
素子5全体を絶縁樹脂で覆うと、リードフレーム6自身
も絶縁化されてしまう欠点もあった。
【0007】さらに、リードフレームにコンデンサ素子
を接続する前にコンデンサ素子を絶縁樹脂で覆うと、リ
ードフレームへの電気的な接続が困難となる問題もあっ
た。
を接続する前にコンデンサ素子を絶縁樹脂で覆うと、リ
ードフレームへの電気的な接続が困難となる問題もあっ
た。
【0008】上記の問題を解決するため、本出願人は先
に下記(i)〜(iv)の固体電解コンデンサ或いはその
製造方法を提案した。
に下記(i)〜(iv)の固体電解コンデンサ或いはその
製造方法を提案した。
【0009】(i)弁作用を有する陽極基体の表面に誘
電体酸化皮膜層が形成された陽極基体に陽極部を設け、
この陽極部を除いた前記陽極基体の表面に半導体層及び
導電体層を順次形成した固体電解コンデンサ素子の陰極
と陽極とにそれぞれ外部リード端子が接続され外装樹脂
で封口した固体電解コンデンサにおいて、陰極外部リー
ド端子の前記外装樹脂中に埋設された部位に凹部を有す
る固体電解コンデンサ(特願平2−324400号)。
電体酸化皮膜層が形成された陽極基体に陽極部を設け、
この陽極部を除いた前記陽極基体の表面に半導体層及び
導電体層を順次形成した固体電解コンデンサ素子の陰極
と陽極とにそれぞれ外部リード端子が接続され外装樹脂
で封口した固体電解コンデンサにおいて、陰極外部リー
ド端子の前記外装樹脂中に埋設された部位に凹部を有す
る固体電解コンデンサ(特願平2−324400号)。
【0010】(ii)弁作用を有し表面に誘電体酸化皮膜
層が形成された陽極基体に陽極部を設け、この陽極部を
除いた前記陽極基体の表面に半導体層、その上に導電体
層を順次形成してコンデンサ素子とし、次いでリードフ
レームの陰極リード引出し部と陽極リード引出し部とに
それぞれ前記コンデンサ素子の導電体層部と陽極部とを
接続し外装樹脂で封止成形して固体電解コンデンサを製
造するに際し、前記陰極リード引出し部の外部引出し方
向と交差し外部引出し側の前記導電体層部の端部を残し
て、前記陰極リード引出し部に前記導電体層部を導電材
により接続するチップ状固体電解コンデンサの製造方法
(特願平3−155392号)。
層が形成された陽極基体に陽極部を設け、この陽極部を
除いた前記陽極基体の表面に半導体層、その上に導電体
層を順次形成してコンデンサ素子とし、次いでリードフ
レームの陰極リード引出し部と陽極リード引出し部とに
それぞれ前記コンデンサ素子の導電体層部と陽極部とを
接続し外装樹脂で封止成形して固体電解コンデンサを製
造するに際し、前記陰極リード引出し部の外部引出し方
向と交差し外部引出し側の前記導電体層部の端部を残し
て、前記陰極リード引出し部に前記導電体層部を導電材
により接続するチップ状固体電解コンデンサの製造方法
(特願平3−155392号)。
【0011】(iii) 表面に誘電体酸化皮膜層を有する弁
作用金属箔の一辺の端部に絶縁性樹脂を塗布して硬化
し、この絶縁性樹脂を含んで所定の部位の前記誘電体酸
化皮膜層上に半導体層、その上に導電体層を順次形成し
て導電体層部とし、前記導電体層が形成されていない前
記弁作用金属箔を陽極部とし、しかる後、リードフレー
ムの陰極リード引出し部の引出し方向が前記絶縁性樹脂
を塗布した弁作用金属箔の一辺と交差するように前記導
電体層部を前記陰極リード引出し部に接続し、リードフ
レームの陽極リード引出し部を前記陽極部に接続した
後、外装樹脂で封止成形したチップ状固体電解コンデン
サの製造方法(特願平3−155393号)。
作用金属箔の一辺の端部に絶縁性樹脂を塗布して硬化
し、この絶縁性樹脂を含んで所定の部位の前記誘電体酸
化皮膜層上に半導体層、その上に導電体層を順次形成し
て導電体層部とし、前記導電体層が形成されていない前
記弁作用金属箔を陽極部とし、しかる後、リードフレー
ムの陰極リード引出し部の引出し方向が前記絶縁性樹脂
を塗布した弁作用金属箔の一辺と交差するように前記導
電体層部を前記陰極リード引出し部に接続し、リードフ
レームの陽極リード引出し部を前記陽極部に接続した
後、外装樹脂で封止成形したチップ状固体電解コンデン
サの製造方法(特願平3−155393号)。
【0012】(iv)弁作用を有し表面に誘電体酸化皮膜
層が形成された陽極基体の一部を陽極部とし、残部に半
導体層、その上に導電体層を順次形成してコンデンサ素
子とし、次いでリードフレームの陰極リード引出し部と
陽極リード引出し部とにそれぞれ前記コンデンサ素子の
導電体層部と陽極部を接続して、外装樹脂で封止成形し
て固体電解コンデンサを製造するに際し、前記コンデン
サ素子が載置していない前記陰極リード引出し部上に位
置し、この陰極リード引出し部の外部引出し方向と交差
し外装樹脂により被覆される部位に帯状の熱硬化性樹脂
層を設けたリードフレームを用いる固体電解コンデンサ
の製造方法。(特願平)
層が形成された陽極基体の一部を陽極部とし、残部に半
導体層、その上に導電体層を順次形成してコンデンサ素
子とし、次いでリードフレームの陰極リード引出し部と
陽極リード引出し部とにそれぞれ前記コンデンサ素子の
導電体層部と陽極部を接続して、外装樹脂で封止成形し
て固体電解コンデンサを製造するに際し、前記コンデン
サ素子が載置していない前記陰極リード引出し部上に位
置し、この陰極リード引出し部の外部引出し方向と交差
し外装樹脂により被覆される部位に帯状の熱硬化性樹脂
層を設けたリードフレームを用いる固体電解コンデンサ
の製造方法。(特願平)
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記(i)
〜(iv)の提案は、いずれもリードフレームの凸部6b
を伝わって水分が侵入するのを相当程度防止することが
できるが、さらに耐湿性のよいことが望まれていた。
〜(iv)の提案は、いずれもリードフレームの凸部6b
を伝わって水分が侵入するのを相当程度防止することが
できるが、さらに耐湿性のよいことが望まれていた。
【0014】本発明者らは、耐湿性のさらに優れたチッ
プ状固体電解コンデンサを得べく鋭意検討した結果、特
殊な表面処理を施したリードフレームを用いることによ
って、耐湿性が大きく改善されることを発見した。
プ状固体電解コンデンサを得べく鋭意検討した結果、特
殊な表面処理を施したリードフレームを用いることによ
って、耐湿性が大きく改善されることを発見した。
【0015】本発明は上記の発見に基づいてなされたも
ので、耐湿性の極めて優れたチップ状固体電解コンデン
サを提供することを目的とする。
ので、耐湿性の極めて優れたチップ状固体電解コンデン
サを提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明に係るチップ状固
体電解コンデンサにおいては、弁作用を有し、表面に誘
電体酸化皮膜層が形成された陽極基体の一部を陽極部と
し、前記陽極基体の残部に半導体層、その上に導電体層
が形成され、前記陽極部と導電体層部とが、表面に平均
径0.1〜10μmの多数のボイドを有する半田光沢メ
ッキが施されたリードフレームの陽極リード引出し部
と、陰極リード引出し部とにそれぞれ載置して接続され
外装樹脂で封口されていることを問題解決の手段とし
た。
体電解コンデンサにおいては、弁作用を有し、表面に誘
電体酸化皮膜層が形成された陽極基体の一部を陽極部と
し、前記陽極基体の残部に半導体層、その上に導電体層
が形成され、前記陽極部と導電体層部とが、表面に平均
径0.1〜10μmの多数のボイドを有する半田光沢メ
ッキが施されたリードフレームの陽極リード引出し部
と、陰極リード引出し部とにそれぞれ載置して接続され
外装樹脂で封口されていることを問題解決の手段とし
た。
【0017】上記の手段は、リードフレームの表面処理
によって行なわれているので、この表面処理したリード
フレームを、前記(i)〜(iv)の提案に用いることに
よって、耐湿性をさらに向上させることができる。
によって行なわれているので、この表面処理したリード
フレームを、前記(i)〜(iv)の提案に用いることに
よって、耐湿性をさらに向上させることができる。
【0018】以下本発明について説明する。本発明にお
いてチップ状固体電解コンデンサ(以下コンデンサとい
う)の陽極として用いられる弁作用を有する陽極基体と
しては、例えばアルミニウム、タンタル、およびこれら
を基質とする合金等、弁作用を有する金属がいずれも使
用できる。そして陽極基体の形状としては、アルミニウ
ムの箔や板状、棒状のタンタル焼結体がある。
いてチップ状固体電解コンデンサ(以下コンデンサとい
う)の陽極として用いられる弁作用を有する陽極基体と
しては、例えばアルミニウム、タンタル、およびこれら
を基質とする合金等、弁作用を有する金属がいずれも使
用できる。そして陽極基体の形状としては、アルミニウ
ムの箔や板状、棒状のタンタル焼結体がある。
【0019】陽極基体の表面に設ける誘電体酸化皮膜層
は、弁作用金属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物
の層であってもよいが、特に弁作用金属自体の酸化物か
らなる層であることが好ましい。
は、弁作用金属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物
の層であってもよいが、特に弁作用金属自体の酸化物か
らなる層であることが好ましい。
【0020】いずれの場合にも酸化物層を設ける方法と
しては、電解液を用いた陽極化成法など従来公知の方法
を用いることができる。
しては、電解液を用いた陽極化成法など従来公知の方法
を用いることができる。
【0021】次に誘電体酸化皮膜層上に半導体層を形成
させるが、誘電体酸化皮膜層まで形成した部位の一部を
陽極部7として設けるか、またはこの部位の一部に陽極
リードを接続して陽極部としておく。そして、導電体層
部8は、これらの陽極部7とした部位を除いて誘電体酸
化皮膜層2上に半導体層3さらにその上に導電体層4を
積層して形成する。
させるが、誘電体酸化皮膜層まで形成した部位の一部を
陽極部7として設けるか、またはこの部位の一部に陽極
リードを接続して陽極部としておく。そして、導電体層
部8は、これらの陽極部7とした部位を除いて誘電体酸
化皮膜層2上に半導体層3さらにその上に導電体層4を
積層して形成する。
【0022】誘電体酸化皮膜層上に設けられる半導体層
の種類には特に制限は無く、従来公知の半導体層が使用
できるが、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛、
または二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層(特開昭62
−256423号公報、特開昭63−51621号公
報)が、作製したコンデンサの高周波性能が良好なため
に好ましい。
の種類には特に制限は無く、従来公知の半導体層が使用
できるが、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛、
または二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層(特開昭62
−256423号公報、特開昭63−51621号公
報)が、作製したコンデンサの高周波性能が良好なため
に好ましい。
【0023】また酸化剤と有機酸を用いて気相重合によ
ってポリアニリン、ポリピロール等の電導性高分子化合
物を半導体層として形成させる方法(特開昭62−47
109号公報)や、タリウムイオンおよび過硫酸イオン
を含んだ反応母液から化学的に酸化第2タリウムを半導
体層として析出させる方法(特開昭62−38715号
公報)もその一例である。
ってポリアニリン、ポリピロール等の電導性高分子化合
物を半導体層として形成させる方法(特開昭62−47
109号公報)や、タリウムイオンおよび過硫酸イオン
を含んだ反応母液から化学的に酸化第2タリウムを半導
体層として析出させる方法(特開昭62−38715号
公報)もその一例である。
【0024】このような半導体層上には、例えばカーボ
ンペーストおよび/または銀ペースト等の従来公知の導
電ペーストを積層して導電体層が形成される。
ンペーストおよび/または銀ペースト等の従来公知の導
電ペーストを積層して導電体層が形成される。
【0025】また、前記導電体層まで形成された固体電
解コンデンサ素子(以下コンデンサ素子という)を載置
するリードフレームは、半田光沢メッキを有するリード
フレームであって、表面に平均径が0.1〜10μmの
多数のボイドを有するリードフレームであることが肝要
である。
解コンデンサ素子(以下コンデンサ素子という)を載置
するリードフレームは、半田光沢メッキを有するリード
フレームであって、表面に平均径が0.1〜10μmの
多数のボイドを有するリードフレームであることが肝要
である。
【0026】該リードフレームの材質としては鉄−ニッ
ケル合金、銅、青銅等があげられるがこれらに限定され
ず従来公知のものが採用できる。
ケル合金、銅、青銅等があげられるがこれらに限定され
ず従来公知のものが採用できる。
【0027】前記リードフレームに半田光沢メッキを施
す手法としては、たとえば、アミンアルデヒド化合物等
の光沢剤を有する鉛イオンと錫イオンを含んだBF4 塩
液、スルホン酸塩液中でリードフレームを電解すること
によって得られる。
す手法としては、たとえば、アミンアルデヒド化合物等
の光沢剤を有する鉛イオンと錫イオンを含んだBF4 塩
液、スルホン酸塩液中でリードフレームを電解すること
によって得られる。
【0028】また半田光沢メッキされたリードフレーム
の表面に、平均径が0.1〜10μmの多数のボイドを
形成するには、例えば160℃以上の温度に保持された
炉中に半田光沢メッキされたリードフレームを放置する
ことによって行なわれる。その場合、半田メッキ表面の
酸化劣化を防ぐためアルゴン、窒素などの不活性ガスを
炉内に通してもよい。
の表面に、平均径が0.1〜10μmの多数のボイドを
形成するには、例えば160℃以上の温度に保持された
炉中に半田光沢メッキされたリードフレームを放置する
ことによって行なわれる。その場合、半田メッキ表面の
酸化劣化を防ぐためアルゴン、窒素などの不活性ガスを
炉内に通してもよい。
【0029】炉の温度が160℃未満では、所定範囲の
径のボイドを得ることが困難となる。ボイドの大きさが
0.1μm未満或いは10μmを超えるものが過半数で
あると、作製したコンデンサの耐湿性がよくならない。
径のボイドを得ることが困難となる。ボイドの大きさが
0.1μm未満或いは10μmを超えるものが過半数で
あると、作製したコンデンサの耐湿性がよくならない。
【0030】上記炉によって160℃以上の温度で加熱
処理すると、ボイドは数10ケ/mm2 のほぼ均一の密
度に分散して発生し、保持する温度が高い程、また加熱
が長い程平均径が大きくなる。またボイドの深さはメッ
キの厚みより浅いものである。
処理すると、ボイドは数10ケ/mm2 のほぼ均一の密
度に分散して発生し、保持する温度が高い程、また加熱
が長い程平均径が大きくなる。またボイドの深さはメッ
キの厚みより浅いものである。
【0031】このように表面処理されたリードフレーム
を用いてコンデンサを作製するには、図1乃至図3に示
す従来のものと同様にしてつくられる。すなわち、表面
処理されたドリームフレーム6′の2ケ所の互いに向き
あった凸部6a,6bに、コンデンサ素子5の陽極部7
と導電体層部8をそれぞれ載置し、前者は、熔接等で後
者は銀ペースト等の導電材10でリードフレーム6′の
凸部6a,6bに電気的かつ機械的に接続した後、エポ
キシ樹脂等の外装樹脂によりトランスファー成形機など
で封止成形を行った後、リードフレームの凸部をコンデ
ンサ素子の近辺で切断してコンデンサとする。
を用いてコンデンサを作製するには、図1乃至図3に示
す従来のものと同様にしてつくられる。すなわち、表面
処理されたドリームフレーム6′の2ケ所の互いに向き
あった凸部6a,6bに、コンデンサ素子5の陽極部7
と導電体層部8をそれぞれ載置し、前者は、熔接等で後
者は銀ペースト等の導電材10でリードフレーム6′の
凸部6a,6bに電気的かつ機械的に接続した後、エポ
キシ樹脂等の外装樹脂によりトランスファー成形機など
で封止成形を行った後、リードフレームの凸部をコンデ
ンサ素子の近辺で切断してコンデンサとする。
【0032】
【作用】コンデンサのリードフレームを半田光沢メッキ
処理し、さらに表面に平均径が0.1〜10μmの均一
に分散した多数のボイドを有するリードフレームを使用
することにより、耐湿テスト時にリードフレームの凸部
6bから水分が進入しても、前記ボイドに水分がトラッ
プされ、コンデンサ素子内部になかなか到達しないた
め、耐湿性がよくなるものと見られる。
処理し、さらに表面に平均径が0.1〜10μmの均一
に分散した多数のボイドを有するリードフレームを使用
することにより、耐湿テスト時にリードフレームの凸部
6bから水分が進入しても、前記ボイドに水分がトラッ
プされ、コンデンサ素子内部になかなか到達しないた
め、耐湿性がよくなるものと見られる。
【0033】
【実施例】以下、実施例および比較例を示して本発明を
説明する。
説明する。
【0034】実施例1〜3,比較例1〜3 りん酸とりん酸アンモニウム水溶液中で化成処理して表
面に誘電体酸化皮膜層を形成した30μF/cm2 のア
ルミニウムエッチング箔(以下、化成箔と称する。)の
小片5×3mmを、酢酸鉛三水和物2.4モル/lの水
溶液と過硫酸アンモニウム4.0モル/l水溶液の混合
液に、小片の3×3mm部分が浸漬するように漬け60
℃で20分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層
を形成した。
面に誘電体酸化皮膜層を形成した30μF/cm2 のア
ルミニウムエッチング箔(以下、化成箔と称する。)の
小片5×3mmを、酢酸鉛三水和物2.4モル/lの水
溶液と過硫酸アンモニウム4.0モル/l水溶液の混合
液に、小片の3×3mm部分が浸漬するように漬け60
℃で20分放置し、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層
を形成した。
【0035】このような操作を3回行なった後、半導体
層上にカーボンペーストおよび銀ペーストを順に積層し
て導電体層を形成した。
層上にカーボンペーストおよび銀ペーストを順に積層し
て導電体層を形成した。
【0036】一方別に用意した厚さ0.1mmの鉄−ニ
ッケル合金のリードフレームを、錫イオンおよび鉛イオ
ンを含んだBF4 塩、光沢剤として石原薬品株製のUT
B1,2,補強剤としてホルムアルデヒドを加えたメッ
キ液に浸漬し電解して厚さ約4μmの半田光沢メッキを
表面に形成した。
ッケル合金のリードフレームを、錫イオンおよび鉛イオ
ンを含んだBF4 塩、光沢剤として石原薬品株製のUT
B1,2,補強剤としてホルムアルデヒドを加えたメッ
キ液に浸漬し電解して厚さ約4μmの半田光沢メッキを
表面に形成した。
【0037】この半田光沢メッキを施したリードフレー
ムを炉の温度および放置時間を種々変えて処理しボイド
を形成した。このリードフレームにコンデンサ素子の陽
極部、導電体層形成部を、前者は熔接で、後者は銀ペー
ストで接続した後、エポキシ樹脂をトランスファー成形
してコンデンサを作製した。
ムを炉の温度および放置時間を種々変えて処理しボイド
を形成した。このリードフレームにコンデンサ素子の陽
極部、導電体層形成部を、前者は熔接で、後者は銀ペー
ストで接続した後、エポキシ樹脂をトランスファー成形
してコンデンサを作製した。
【0038】実施例4〜6,比較例4〜6 半導体層を形成するに当り、酢酸鉛三水和物2.0モル
/l水溶液に化成箔を浸漬して、別途用意した白金陰極
との間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は実
施例1〜3,比較例1〜3と同様にしてコンデンサをそ
れぞれ作製した。
/l水溶液に化成箔を浸漬して、別途用意した白金陰極
との間で電気化学的に形成した二酸化鉛にした以外は実
施例1〜3,比較例1〜3と同様にしてコンデンサをそ
れぞれ作製した。
【0039】実施例1〜6,比較例1〜6におけるコン
デンサの熱処理条件、ボイド径を表1に、また作製直後
のコンデンサの容量、tanδおよび85℃,85%R
H中で500時間放置した耐湿試験後のtanδを表2
に一括して示した。なお、全数値はn=20点の平均値
である。又、ボイドの平均径は、リードフレーム表面の
SEM観察から得た数値である。
デンサの熱処理条件、ボイド径を表1に、また作製直後
のコンデンサの容量、tanδおよび85℃,85%R
H中で500時間放置した耐湿試験後のtanδを表2
に一括して示した。なお、全数値はn=20点の平均値
である。又、ボイドの平均径は、リードフレーム表面の
SEM観察から得た数値である。
【0040】
【表1】
【0041】
【表2】
【0042】前記表面に平均径0.1〜10μmの多数
のボイドを有する半田光沢メッキが施されたリードフレ
ームは、これを用いて形成したコンデンサの耐湿性を高
めることが出来るが、さらに本願出願人が先に提案し
た、前記(i)〜(iv)におけるコンデンサに用いると
さらに耐湿性を優れたものとすることが出来る。
のボイドを有する半田光沢メッキが施されたリードフレ
ームは、これを用いて形成したコンデンサの耐湿性を高
めることが出来るが、さらに本願出願人が先に提案し
た、前記(i)〜(iv)におけるコンデンサに用いると
さらに耐湿性を優れたものとすることが出来る。
【0043】実施例7〔表面処理したリードフレームを
(i)に利用〕 リードフレーム6′の陰極リード端子の外装樹脂中に埋
設された部分に、図4に示すように一辺の幅が0.4m
mの三角形状の凹部21を形成した以外は実施例1と同
じにしてチップ状固体電解コンデンサを得た。
(i)に利用〕 リードフレーム6′の陰極リード端子の外装樹脂中に埋
設された部分に、図4に示すように一辺の幅が0.4m
mの三角形状の凹部21を形成した以外は実施例1と同
じにしてチップ状固体電解コンデンサを得た。
【0044】実施例8〔表面処理したリードフレームを
(ii)に利用〕 図5に示すように、表面処理したリードフレーム6′に
コンデンサ素子5の陽極部7、導電体層部8をそれぞれ
前者は熔接で後者は銀ペース(導電材)10で接続する
場合、上記導電体層部の端部のうち0.5mmの寸法部
位22を除いて銀ペーストでリードフレームに接続した
以外は実施例1と同じにしてチップ状固体電解コンデン
サを得た。
(ii)に利用〕 図5に示すように、表面処理したリードフレーム6′に
コンデンサ素子5の陽極部7、導電体層部8をそれぞれ
前者は熔接で後者は銀ペース(導電材)10で接続する
場合、上記導電体層部の端部のうち0.5mmの寸法部
位22を除いて銀ペーストでリードフレームに接続した
以外は実施例1と同じにしてチップ状固体電解コンデン
サを得た。
【0045】実施例9〔表面処理したリードフレームを
(iii)に利用〕 図6、図7に示すように化成箔の小片5×3mm23の
一端3×0.2mm部分23aを旭硝子製フッ素樹脂L
F200溶液に浸漬し、150℃で乾燥硬化させた後、
このフッ素樹脂に浸漬して硬化させた部分23aを含ん
で、3×3mmに半導体層、導電体層を形成した以外は
実施例1と同じにしてチップ状固体電解コンデンサを得
た。
(iii)に利用〕 図6、図7に示すように化成箔の小片5×3mm23の
一端3×0.2mm部分23aを旭硝子製フッ素樹脂L
F200溶液に浸漬し、150℃で乾燥硬化させた後、
このフッ素樹脂に浸漬して硬化させた部分23aを含ん
で、3×3mmに半導体層、導電体層を形成した以外は
実施例1と同じにしてチップ状固体電解コンデンサを得
た。
【0046】実施例10〔表面処理したリードフレーム
を(iv)に利用〕 図8に示すように、コンデンサ素子が載置されていな
い、陰極リード引出し部上に位置し、この陰極リード引
出し部の外部引出し方向と交差し、外装樹脂により被覆
される部位にエポキシ樹脂で幅1mm高で0.5〜1m
mの樹脂層をデスペンサーで形成し、これを175℃で
5時間かけて硬化した帯状の樹脂層24を有するリード
フレームに接続した以外は実施例1と同じにしてチップ
状固体電解コンデンサを得た。
を(iv)に利用〕 図8に示すように、コンデンサ素子が載置されていな
い、陰極リード引出し部上に位置し、この陰極リード引
出し部の外部引出し方向と交差し、外装樹脂により被覆
される部位にエポキシ樹脂で幅1mm高で0.5〜1m
mの樹脂層をデスペンサーで形成し、これを175℃で
5時間かけて硬化した帯状の樹脂層24を有するリード
フレームに接続した以外は実施例1と同じにしてチップ
状固体電解コンデンサを得た。
【0047】実施例7〜10で得られたコンデンサの耐
湿試験前の容量、tanδ、および85℃,85%RH
の条件に500時間放置した耐湿試験直後のtanδを
一括して表3に示した。
湿試験前の容量、tanδ、および85℃,85%RH
の条件に500時間放置した耐湿試験直後のtanδを
一括して表3に示した。
【0048】
【表3】
【0049】表3より明らかなように、本願出願人の先
に提案したコンデンサに本願特定発明で用いたリードフ
レームを併用することにより、耐湿性はさらに向上す
る。
に提案したコンデンサに本願特定発明で用いたリードフ
レームを併用することにより、耐湿性はさらに向上す
る。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のコンデン
サに使用されるリードフレームは半田光沢メッキによっ
て表面処理されたリードフレームで、表面に0.1〜1
0μmの均一分布された多数のボイドを有しているの
で、これがトラップ化するためか、耐湿性が極めて良好
である。
サに使用されるリードフレームは半田光沢メッキによっ
て表面処理されたリードフレームで、表面に0.1〜1
0μmの均一分布された多数のボイドを有しているの
で、これがトラップ化するためか、耐湿性が極めて良好
である。
【0051】さらに、表面処理されたリードフレームに
よるため、従来の方法にこのリードフレームを使用すれ
ば、それぞれ併用することができるので、加算された効
果が発揮され、耐湿性は大幅に向上される。
よるため、従来の方法にこのリードフレームを使用すれ
ば、それぞれ併用することができるので、加算された効
果が発揮され、耐湿性は大幅に向上される。
【図1】リードフレームの凸部にコンデンサ素子を載置
した平面図である。
した平面図である。
【図2】コンデンサの縦断面図である。
【図3】図2の簡略化した図である。
【図4】実施例7のコンデンサの一例を示す図3相当図
である。
である。
【図5】実施例8のコンデンサの一例を示す図3相当図
である。
である。
【図6】実施例9の一辺の端部に樹脂を塗布した弁作用
金属箔の平面図である。
金属箔の平面図である。
【図7】実施例9のコンデンサの一例を示す図3相当図
である。
である。
【図8】実施例10のコンデンサの一例を示す図3相当
図である。
図である。
1 弁作用金属 2 誘電体酸化皮膜層 3 半導体層 4 導電体層 5 固体電解コンデンサ素子(コンデンサ素子) 6 リードフレーム 6′ 表面処理されたドリームフレーム 6a,6b リードフレームの凸部(凸部) 7 陽極部 8 導電体層部 9 熔接 10 導電材 11 外装樹脂 12 チップ状固体電解コンデンサ(コンデンサ) 21 凹部 22 0.5mmの寸法部位 23 化成箔の小片5×3mm 23a フッ素樹脂に浸漬して硬化させた部分 24 帯状の樹脂層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年9月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図8
【補正方法】変更
【補正内容】
【図8】
Claims (5)
- 【請求項1】 弁作用を有し、表面に誘電体酸化皮膜層
が形成された陽極基体の一部を陽極部とし、前記陽極基
体の残部に半導体層、その上に導電体層が形成され、前
記陽極部と導電体層部とが、表面に平均径0.1〜10
μmの均一分布した多数のボイドを有する半田光沢メッ
キが施されたリードフレームの陽極リード引出し部と、
陰極リード引出し部とにそれぞれ載置して接続され、外
装樹脂で封口されていることを特徴とするチップ状固体
電解コンデンサ。 - 【請求項2】 リードフレームの陰極リード引出し部
に、導電体層部が載置して接続されており、この導電体
層部から離れた外部引出方向のリードフレームの部分
に、外部引出方向と交差して凹部が形成され、この凹部
を含んで外装樹脂で封口されている請求項1記載のチッ
プ状固体電解コンデンサ。 - 【請求項3】 リードフレームの陰極リード引出し部の
外部引出し方向と交差し、外部引出し側の導電体層部の
端部を残して、前記陰極リード引出し部に前記導電体層
部を導電材により接続した請求項1記載のチップ状固体
電解コンデンサ。 - 【請求項4】 表面に誘電体酸化皮膜層を有する弁作用
金属箔の一辺の端部に絶縁性樹脂層が設けられており、
この絶縁性樹脂層を含んで所定の部位の前記誘電体酸化
皮膜上に半導体層、その上に導電体層を順次積層して導
電体層部が形成されており、リードフレームの陰極リー
ド引出し部の引出方向が前記絶縁性樹脂層を形成した弁
作用金属箔の一辺と交差するように前記導電体層部を前
記陰極リード引出し部に接続している請求項1記載のチ
ップ状固体電解コンデンサ。 - 【請求項5】 リードフレームの陰極リード引出し部に
導電体層部が載置して接続されており、この導電体層部
から離れた外部引出し方向の前記リードフレーム上に、
外部引出し方向と交差して帯状の熱硬化性樹脂層が設け
られており、この熱硬化樹脂層を含んで外装樹脂で封口
した請求項1記載のチップ状固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3211022A JPH0594927A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | チツプ状固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3211022A JPH0594927A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | チツプ状固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0594927A true JPH0594927A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=16599060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3211022A Withdrawn JPH0594927A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | チツプ状固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0594927A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018061535A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP3211022A patent/JPH0594927A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018061535A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
CN109791845A (zh) * | 2016-09-29 | 2019-05-21 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体电解电容器 |
JPWO2018061535A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2019-07-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US11031188B2 (en) | 2016-09-29 | 2021-06-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4017773A (en) | Solid valve-metal capacitor with buried graphite in the particles in the electrolyte | |
US5473503A (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same | |
US6215651B1 (en) | Solid electrolyte capacitor using conductive polymer | |
US5036434A (en) | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
JPH07320982A (ja) | タンタル固体電解コンデンサ用コンデンサ素子の製造方法 | |
US7349197B2 (en) | Method for manufacturing capacitor element for solid electrolytic capacitor, method for manufacturing solid electrolytic capacitor using such capacitor element and solid electrolytic capacitor using such capacitor element | |
JPH0594927A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサ | |
JP2504182B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0590099A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP3546451B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP3441095B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2596996B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH06275477A (ja) | チップ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH04192405A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0821516B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0620882A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
JPS5879715A (ja) | チツプ型電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH04354318A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2549702B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH09266136A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
JPH0511408B2 (ja) | ||
JPH0547608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0258210A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH05152171A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |