JPH059065A - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JPH059065A JPH059065A JP3185266A JP18526691A JPH059065A JP H059065 A JPH059065 A JP H059065A JP 3185266 A JP3185266 A JP 3185266A JP 18526691 A JP18526691 A JP 18526691A JP H059065 A JPH059065 A JP H059065A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 中性または還元性の雰囲気中において、還元
することなく１０５０℃以下の低温で焼結し、静電容量
の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下、Ｑ値が２
５００以上、２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃｍ
以上の温度補償用誘電体磁器組成物を得る。 【構成】 酸化バリウムと酸化ストロンチウムの含有量
の合計を（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ（ただし、０＜ａ≦０．
９）に換算してＸ重量部、酸化ジルコニウムと酸化アル
ミニウムの含有量の合計を｛（ＺｒＯ2 ）1-b （Ａｌ2
Ｏ3 ）b ｝（ただし、０≦ｂ≦０．５）に換算してＹ重
量部、酸化珪素の含有量をＳｉＯ2に換算してＺ重量部
としたとき（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）、３成分組
成図において、多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲に
ある主成分に対して、副成分としてＴｉＯ2 をＶ重量部
（ただし、０≦Ｖ≦１０）、Ｂ2 Ｏ3 をＷ重量部（ただ
し、０＜Ｗ≦５）添加した、温度補償用誘電体磁器組成
物。
することなく１０５０℃以下の低温で焼結し、静電容量
の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下、Ｑ値が２
５００以上、２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃｍ
以上の温度補償用誘電体磁器組成物を得る。 【構成】 酸化バリウムと酸化ストロンチウムの含有量
の合計を（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ（ただし、０＜ａ≦０．
９）に換算してＸ重量部、酸化ジルコニウムと酸化アル
ミニウムの含有量の合計を｛（ＺｒＯ2 ）1-b （Ａｌ2
Ｏ3 ）b ｝（ただし、０≦ｂ≦０．５）に換算してＹ重
量部、酸化珪素の含有量をＳｉＯ2に換算してＺ重量部
としたとき（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）、３成分組
成図において、多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲に
ある主成分に対して、副成分としてＴｉＯ2 をＶ重量部
（ただし、０≦Ｖ≦１０）、Ｂ2 Ｏ3 をＷ重量部（ただ
し、０＜Ｗ≦５）添加した、温度補償用誘電体磁器組成
物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は温度補償用誘電体磁器
組成物に関し、特にたとえば、積層コンデンサの誘電体
磁器の材料として用いられる温度補償用誘電体磁器組成
物に関する。
組成物に関し、特にたとえば、積層コンデンサの誘電体
磁器の材料として用いられる温度補償用誘電体磁器組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の温度補償用誘電体磁器組
成物としては、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物
があった。
成物としては、ＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物
があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｇＴ
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物を用いた磁器では、そ
の焼成温度が１３００℃以上と高く、さらに中性または
還元性の低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化
するという性質を有していた。そのため、このような組
成物を積層コンデンサなどの材料として使用した場合、
内部電極の材料として、誘電体磁器材料の焼結する温度
で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化しない高い
酸素分圧下でも酸化されない、たとえばＰｔやＰｄなど
の貴金属を使用しなければならなかった。そのため、製
造される積層コンデンサの低価格化の大きな妨げとなっ
ていた。
ｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 系の組成物を用いた磁器では、そ
の焼成温度が１３００℃以上と高く、さらに中性または
還元性の低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化
するという性質を有していた。そのため、このような組
成物を積層コンデンサなどの材料として使用した場合、
内部電極の材料として、誘電体磁器材料の焼結する温度
で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化しない高い
酸素分圧下でも酸化されない、たとえばＰｔやＰｄなど
の貴金属を使用しなければならなかった。そのため、製
造される積層コンデンサの低価格化の大きな妨げとなっ
ていた。
【０００４】そこで、上述の問題を解決するために、た
とえばＮｉやＣｕなどの安価な卑金属を内部電極の材料
として使用することが望まれていた。しかしながら、こ
のような卑金属を内部電極用材料として使用し、従来の
酸化性雰囲気の条件下で焼成すると、電極材料が酸化し
たり溶融したりしてしまう。そのため、このような卑金
属を内部電極用材料として使用するために、酸素分圧の
低い中性または還元性の雰囲気中において低温で焼成し
ても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体材料として十
分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘電体材料が必
要とされていた。
とえばＮｉやＣｕなどの安価な卑金属を内部電極の材料
として使用することが望まれていた。しかしながら、こ
のような卑金属を内部電極用材料として使用し、従来の
酸化性雰囲気の条件下で焼成すると、電極材料が酸化し
たり溶融したりしてしまう。そのため、このような卑金
属を内部電極用材料として使用するために、酸素分圧の
低い中性または還元性の雰囲気中において低温で焼成し
ても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体材料として十
分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘電体材料が必
要とされていた。
【０００５】この種の問題を解決するための誘電体磁器
組成物が、特開平１−１０２８０６号公報などに開示さ
れている。この誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性
および還元性雰囲気中において焼成が可能であるので、
これを使用してＮｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とす
る温度補償用積層コンデンサを作製することができる。
しかし、特開平１−１０２８０６号公報に開示されてい
る誘電体磁器組成物では、焼成温度や誘電率の温度係数
に関しては上述の問題点を解決できるが、Ｑ値は１ＭＨ
ｚで２０００以下と小さい。
組成物が、特開平１−１０２８０６号公報などに開示さ
れている。この誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性
および還元性雰囲気中において焼成が可能であるので、
これを使用してＮｉ，Ｃｕなどの卑金属を内部電極とす
る温度補償用積層コンデンサを作製することができる。
しかし、特開平１−１０２８０６号公報に開示されてい
る誘電体磁器組成物では、焼成温度や誘電率の温度係数
に関しては上述の問題点を解決できるが、Ｑ値は１ＭＨ
ｚで２０００以下と小さい。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、酸
素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中において、１
０５０℃以下の低温で焼結し、かつ還元されることがな
く、静電容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以
下、Ｑ値が２５００以上、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上であり、Ｃｕなどの安価な金属を内部
電極用材料として使用できる、温度補償用誘電体磁器組
成物を提供することである。
素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中において、１
０５０℃以下の低温で焼結し、かつ還元されることがな
く、静電容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以
下、Ｑ値が２５００以上、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上であり、Ｃｕなどの安価な金属を内部
電極用材料として使用できる、温度補償用誘電体磁器組
成物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、酸化バリウ
ム，酸化ストロンチウム，酸化珪素，酸化ジルコニウム
および酸化アルミニウムを含み、酸化バリウムおよび酸
化ストロンチウムの含有量を（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ（た
だし、０＜ａ≦０．９）に換算してＸ重量部とし、酸化
ジルコニウムおよび酸化アルミニウムの含有量を｛（Ｚ
ｒＯ2 ）1-b （Ａｌ2 Ｏ3 ）b ｝（ただし、０≦ｂ≦
０．５）に換算してＹ重量部とし、酸化珪素の含有量を
ＳｉＯ2 に換算してＺ重量部としたとき（ただし、Ｘ＋
Ｙ＋Ｚ＝１００）、３成分組成図において、（Ｘ，Ｙ，
Ｚ）が、Ａ（５０， ２．５， ４７．５），Ｂ（５
０， ３０， ２０），Ｃ（１５， ６５， ２０），
Ｄ（１５， ２．５， ８２．５）の各組成点を頂点と
する多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲にある主成分
に対して、副成分としてＴｉＯ2 をＶ重量部（ただし、
０≦Ｖ≦１０）、Ｂ2Ｏ3 をＷ重量部（ただし、０＜Ｗ
≦５）添加した、温度補償用誘電体磁器組成物である。
ム，酸化ストロンチウム，酸化珪素，酸化ジルコニウム
および酸化アルミニウムを含み、酸化バリウムおよび酸
化ストロンチウムの含有量を（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ（た
だし、０＜ａ≦０．９）に換算してＸ重量部とし、酸化
ジルコニウムおよび酸化アルミニウムの含有量を｛（Ｚ
ｒＯ2 ）1-b （Ａｌ2 Ｏ3 ）b ｝（ただし、０≦ｂ≦
０．５）に換算してＹ重量部とし、酸化珪素の含有量を
ＳｉＯ2 に換算してＺ重量部としたとき（ただし、Ｘ＋
Ｙ＋Ｚ＝１００）、３成分組成図において、（Ｘ，Ｙ，
Ｚ）が、Ａ（５０， ２．５， ４７．５），Ｂ（５
０， ３０， ２０），Ｃ（１５， ６５， ２０），
Ｄ（１５， ２．５， ８２．５）の各組成点を頂点と
する多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲にある主成分
に対して、副成分としてＴｉＯ2 をＶ重量部（ただし、
０≦Ｖ≦１０）、Ｂ2Ｏ3 をＷ重量部（ただし、０＜Ｗ
≦５）添加した、温度補償用誘電体磁器組成物である。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中にお
いて、１０５０℃以下の低温で焼結し、静電容量の温度
係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下で、Ｑ値が２５０
０以上であり、２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃ
ｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁器組成物を得
ることができる。したがって、この温度補償用誘電体磁
器組成物を積層コンデンサ用材料として用いれば、Ｃｕ
などの卑金属を内部電極用材料として使用することが可
能となる。そのため、積層コンデンサの大容量化にとも
なう電極のコストの増大を解消することができ、低価格
の積層コンデンサを提供することができる。また、Ｑ値
が高いために、マイクロ波領域で使用されるＬＣフィル
タ，ＲＦモジュールなどの材料として使用することがで
きる。
いて、１０５０℃以下の低温で焼結し、静電容量の温度
係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下で、Ｑ値が２５０
０以上であり、２０℃における比抵抗が１×１０13Ωｃ
ｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁器組成物を得
ることができる。したがって、この温度補償用誘電体磁
器組成物を積層コンデンサ用材料として用いれば、Ｃｕ
などの卑金属を内部電極用材料として使用することが可
能となる。そのため、積層コンデンサの大容量化にとも
なう電極のコストの増大を解消することができ、低価格
の積層コンデンサを提供することができる。また、Ｑ値
が高いために、マイクロ波領域で使用されるＬＣフィル
タ，ＲＦモジュールなどの材料として使用することがで
きる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】まず、主成分の出発原料となるＢａＣＯ3 ，
ＳｒＣＯ3 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 と、副成
分となるＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 を準備した。これらの原料
を表１に示す組成になるように秤量して、秤量物を得
た。さらに、表１に示す組成を３成分組成図上に表し
て、図１に示した。図１において、組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄで囲まれた部分は、この発明の範囲内であることを示
す。
ＳｒＣＯ3 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 と、副成
分となるＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 を準備した。これらの原料
を表１に示す組成になるように秤量して、秤量物を得
た。さらに、表１に示す組成を３成分組成図上に表し
て、図１に示した。図１において、組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄで囲まれた部分は、この発明の範囲内であることを示
す。
【００１１】
【表１】
【００１２】得られた秤量物をボールミルで１６時間湿
式混合したのち、蒸発乾燥して混合粉末を得た。この混
合粉末を８５０℃で２時間仮焼し、これに結合剤として
酢酸ビニルを８重量部加え、再びボールミルで１６時間
湿式混合，粉砕して粉砕物を得た。この粉砕物を蒸発乾
燥して整粒し、顆粒状の粉末を得た。このようにして得
られた粉末を、乾式プレス機で２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力
で加圧し、直径２０ｍｍ，厚さ１．０ｍｍの円板状に成
形して成形物を得た。次に、この成形物をＮ2 −Ｈ2 ガ
ス雰囲気中で表２に示した温度条件で２時間焼成を行っ
て焼成物を得た。得られた焼成物の両面にＩｎ−Ｇａ合
金を塗布して電極を形成し、試料としてのコンデンサを
作製した。
式混合したのち、蒸発乾燥して混合粉末を得た。この混
合粉末を８５０℃で２時間仮焼し、これに結合剤として
酢酸ビニルを８重量部加え、再びボールミルで１６時間
湿式混合，粉砕して粉砕物を得た。この粉砕物を蒸発乾
燥して整粒し、顆粒状の粉末を得た。このようにして得
られた粉末を、乾式プレス機で２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力
で加圧し、直径２０ｍｍ，厚さ１．０ｍｍの円板状に成
形して成形物を得た。次に、この成形物をＮ2 −Ｈ2 ガ
ス雰囲気中で表２に示した温度条件で２時間焼成を行っ
て焼成物を得た。得られた焼成物の両面にＩｎ−Ｇａ合
金を塗布して電極を形成し、試料としてのコンデンサを
作製した。
【００１３】得られた試料について、誘電率ε，Ｑ値，
静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃），２０℃における
比抵抗ρ20（Ωｃｍ）を測定した。なお、Ｑ値について
は、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍｓ，２０℃の条件で測定した。
また、静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃）は、２０℃
における静電容量Ｃ20および８５℃における静電容量Ｃ
85から次式によって求めた。
静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃），２０℃における
比抵抗ρ20（Ωｃｍ）を測定した。なお、Ｑ値について
は、１ＭＨｚ，１Ｖｒｍｓ，２０℃の条件で測定した。
また、静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／℃）は、２０℃
における静電容量Ｃ20および８５℃における静電容量Ｃ
85から次式によって求めた。
【００１４】
【数１】
【００１５】さらに、２０℃における比抵抗ρ20（Ωｃ
ｍ）は、２０℃において５００Ｖの直流電圧を印加した
ときに流れる電流値から求めた。そして、これらの結果
を表２に示した。なお、表１および表２において、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外はこの発明の範囲内のものである。
ｍ）は、２０℃において５００Ｖの直流電圧を印加した
ときに流れる電流値から求めた。そして、これらの結果
を表２に示した。なお、表１および表２において、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外はこの発明の範囲内のものである。
【００１６】
【表２】
【００１７】次に、この発明の温度補償用誘電体磁器組
成物の主成分の数値を限定した理由について説明する。
試料番号６のように、３成分組成図において、組成点Ａ
およびＢを結ぶ線分の外側の組成領域では、Ｑ値が２５
００以下となるので好ましくない。試料番号５のよう
に、３成分組成図において、組成点ＡおよびＤを結ぶ線
分の外側の組成領域では、Ｑ値が２５００以下となり、
かつ比抵抗が１×１０13を下回り、しかも焼結磁器素体
の表面上にガラス質が浮くので好ましくない。試料番号
７のように、３成分組成図において、組成点ＢおよびＣ
を結ぶ線分の外側の組成領域では、１０５０℃の温度で
焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましくな
い。試料番号８のように、３成分組成図において、組成
点ＣおよびＤを結ぶ線分の外側の組成領域では、Ｑ値が
２５００以下となり、かつ比抵抗が１×１０13を下回
り、しかも焼結磁器素体の表面上にガラス質が浮くので
好ましくない。
成物の主成分の数値を限定した理由について説明する。
試料番号６のように、３成分組成図において、組成点Ａ
およびＢを結ぶ線分の外側の組成領域では、Ｑ値が２５
００以下となるので好ましくない。試料番号５のよう
に、３成分組成図において、組成点ＡおよびＤを結ぶ線
分の外側の組成領域では、Ｑ値が２５００以下となり、
かつ比抵抗が１×１０13を下回り、しかも焼結磁器素体
の表面上にガラス質が浮くので好ましくない。試料番号
７のように、３成分組成図において、組成点ＢおよびＣ
を結ぶ線分の外側の組成領域では、１０５０℃の温度で
焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましくな
い。試料番号８のように、３成分組成図において、組成
点ＣおよびＤを結ぶ線分の外側の組成領域では、Ｑ値が
２５００以下となり、かつ比抵抗が１×１０13を下回
り、しかも焼結磁器素体の表面上にガラス質が浮くので
好ましくない。
【００１８】試料番号１２のように、（Ｂａ1-a Ｓ
ｒa ）Ｏのａが０．９より大きい場合、１０５０℃の温
度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましく
ない。試料番号１６のように、｛（ＺｒＯ2 ）1-b （Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）b ｝のｂが０．５より大きい場合、１０５０
℃で焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましく
ない。試料番号１９のように、ＴｉＯ2 が１０重量部よ
り大きい場合、Ｑ値が２５００以下となり、かつ静電容
量の温度係数が−１００ｐｐｍ／℃より大きくなるので
好ましくない。試料番号２０のように、Ｂ2 Ｏ3 が０重
量部の場合、Ｑ値が２５００以下となるため好ましくな
い。試料番号２２のように、Ｂ2 Ｏ3 が５重量部より大
きい場合、Ｑ値が２５００以下となり、かつ比抵抗が１
×１０13を下回り、しかも静電容量の温度係数が−１０
０ｐｐｍ／℃より大きくなるので好ましくない。
ｒa ）Ｏのａが０．９より大きい場合、１０５０℃の温
度で焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましく
ない。試料番号１６のように、｛（ＺｒＯ2 ）1-b （Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）b ｝のｂが０．５より大きい場合、１０５０
℃で焼成しても緻密な焼結体が得られないので好ましく
ない。試料番号１９のように、ＴｉＯ2 が１０重量部よ
り大きい場合、Ｑ値が２５００以下となり、かつ静電容
量の温度係数が−１００ｐｐｍ／℃より大きくなるので
好ましくない。試料番号２０のように、Ｂ2 Ｏ3 が０重
量部の場合、Ｑ値が２５００以下となるため好ましくな
い。試料番号２２のように、Ｂ2 Ｏ3 が５重量部より大
きい場合、Ｑ値が２５００以下となり、かつ比抵抗が１
×１０13を下回り、しかも静電容量の温度係数が−１０
０ｐｐｍ／℃より大きくなるので好ましくない。
【００１９】それに対して、この発明によれば、還元性
雰囲気中において１０５０℃以下の低温で焼結し、静電
容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下で、Ｑ
値が２５００以上であり、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁器
組成物を得ることができる。したがって、この温度補償
用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材料として用い
れば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料として使用す
ることが可能となる。そのため、積層コンデンサの大容
量化にともなう電極のコストの増大を解消することがで
き、低価格の積層コンデンサを提供することができる。
また、Ｑ値が高いために、マイクロ波領域で使用される
ＬＣフィルタやＲＦモジュールなどの材料として使用す
ることができる。
雰囲気中において１０５０℃以下の低温で焼結し、静電
容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐｍ／℃以下で、Ｑ
値が２５００以上であり、２０℃における比抵抗が１×
１０13Ωｃｍ以上の特性を有する温度補償用誘電体磁器
組成物を得ることができる。したがって、この温度補償
用誘電体磁器組成物を積層コンデンサ用材料として用い
れば、Ｃｕなどの卑金属を内部電極用材料として使用す
ることが可能となる。そのため、積層コンデンサの大容
量化にともなう電極のコストの増大を解消することがで
き、低価格の積層コンデンサを提供することができる。
また、Ｑ値が高いために、マイクロ波領域で使用される
ＬＣフィルタやＲＦモジュールなどの材料として使用す
ることができる。
【図１】この発明の温度補償用誘電体磁器組成物の成分
の配合比の範囲を表す３成分組成図である。
の配合比の範囲を表す３成分組成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂 部 行 雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 酸化バリウム，酸化ストロンチウム，酸
化珪素，酸化ジルコニウムおよび酸化アルミニウムを含
み、 前記酸化バリウムおよび前記酸化ストロンチウムの含有
量を（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ（ただし、０＜ａ≦０．９）
に換算してＸ重量部とし、前記酸化ジルコニウムおよび
前記酸化アルミニウムの含有量を｛（ＺｒＯ2 ）
1-b （Ａｌ2 Ｏ3 ）b ｝（ただし、０≦ｂ≦０．５）に
換算してＹ重量部とし、前記酸化珪素の含有量をＳｉＯ
2 に換算してＺ重量部としたとき（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ
＝１００）、３成分組成図において、（Ｘ，Ｙ，Ｚ）
が、 Ａ（５０， ２．５， ４７．５） Ｂ（５０， ３０， ２０） Ｃ（１５， ６５， ２０） Ｄ（１５， ２．５， ８２．５） の各組成点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれ
た範囲にある主成分に対して、副成分としてＴｉＯ2 を
Ｖ重量部（ただし、０≦Ｖ≦１０）、Ｂ2 Ｏ3 をＷ重量
部（ただし、０＜Ｗ≦５）添加した、温度補償用誘電体
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185266A JP2967440B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185266A JP2967440B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059065A true JPH059065A (ja) | 1993-01-19 |
| JP2967440B2 JP2967440B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=16167822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185266A Expired - Lifetime JP2967440B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967440B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7693449B2 (en) | 2006-03-23 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with moveable image processing units |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3185266A patent/JP2967440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7693449B2 (en) | 2006-03-23 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with moveable image processing units |
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