JPH0586460A - Target for sputtering and its manufacture - Google Patents
Target for sputtering and its manufactureInfo
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- JPH0586460A JPH0586460A JP19220891A JP19220891A JPH0586460A JP H0586460 A JPH0586460 A JP H0586460A JP 19220891 A JP19220891 A JP 19220891A JP 19220891 A JP19220891 A JP 19220891A JP H0586460 A JPH0586460 A JP H0586460A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、成膜速度及び経済性を
改善することができるスパッタリング用ターゲットおよ
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target capable of improving a film forming rate and economical efficiency, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、磁気ディスクや磁気ヘッドの磁性
薄膜を成膜する方法の一つにマグネトロンスパッタリン
グがある。2. Description of the Related Art Conventionally, magnetron sputtering is one of the methods for forming a magnetic thin film of a magnetic disk or a magnetic head.
【０００３】この方法は、電場と磁場の直交するマグネ
トロン放電を利用したもので、基板温度の上昇を低く抑
えることができ、ターゲットへ大電力を投入して成膜速
度（スパッタレイト）を大きくすることができ、ミクロ
ンオーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点が
あるために、現在では、実験室はもとより本格的な量産
装置として最も多用されている薄膜形成方法の１つであ
る。This method utilizes magnetron discharge in which an electric field and a magnetic field are orthogonal to each other, and the rise in substrate temperature can be suppressed to a low level, and a large amount of power is applied to the target to increase the film formation rate (sputter rate). It is one of the most widely used thin film forming methods at present, not only in laboratories but also in full-scale mass production equipment, because it has the advantage of being able to easily obtain a film thickness on the order of microns. ..
【０００４】この方法により成膜された磁性薄膜は、従
来のスピンコート等の塗布法と比べて高密度記録が可能
であり、電磁変換特性に優れており、ＳＮ比が高い等、
種々の優れた特徴がある。The magnetic thin film formed by this method is capable of high-density recording as compared with a conventional coating method such as spin coating, has excellent electromagnetic conversion characteristics, and has a high SN ratio.
It has various excellent features.
【０００５】図５は前記マグネトロンスパッタリングに
用いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にタ
ーゲットと略称する）１であって、略矩形状もしくは円
板状のバッキングプレート（冷却板）２上に、磁性材料
を該バッキングプレート２と同形状に形成した磁性体３
が接合されている。FIG. 5 shows a sputtering target (hereinafter, simply referred to as a target) 1 used for the magnetron sputtering, in which a magnetic material is placed on a backing plate (cooling plate) 2 having a substantially rectangular or disk shape. Magnetic body 3 formed in the same shape as the backing plate 2
Are joined.
【０００６】ターゲット１の製造方法としては、前記Ｃ
ｏ系合金のターゲットの場合は粉末冶金法が好適に用い
られるが、センダストの場合は粉末冶金法の適用が難し
いために溶解鋳造法が好適に用いられる。As a method of manufacturing the target 1, the C
The powder metallurgy method is preferably used in the case of an o-based alloy target, but the melt casting method is preferably used in the case of sendust because it is difficult to apply the powder metallurgy method.
【０００７】このターゲット１を用いてスパッタリング
する場合、図６に示す様に磁石４，４を用いてターゲッ
ト１の上方に磁力線Ｍを発生させ前記ターゲット１の上
方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１の近傍
に高密度プラズマを発生させてマグネトロン放電を起こ
すことにより、マグネトロンスパッタリングをすること
ができる。When sputtering is performed using this target 1, as shown in FIG. 6, the magnetic lines of force M are generated above the target 1 using the magnets 4 and 4 to increase the leakage magnetic flux density above the target 1, Magnetron sputtering can be performed by generating high-density plasma near the target 1 and causing magnetron discharge.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲット１を用いた場合、成膜時の成膜速度（スパッタレ
イト）を確保するためには、磁石４を強力にするか、ま
たは磁性体３の厚み（ｔ）を薄くする必要がある。By the way, when the above target 1 is used, in order to secure the film formation rate (sputter rate) at the time of film formation, the magnet 4 is made strong or the magnetic body 3 is used. It is necessary to reduce the thickness (t).
【０００９】しかし、磁石４が発生する磁力線をこれ以
上強くすることは磁石４の特性上及び構造上難しいため
に、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くするしかないのである
が、この磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると機械加工時
に歪むために反りが生じバッキングプレート２へのハン
ダ付けの際に欠陥が生じ易くなり、また、機械加工性が
悪いために加工時に割れが生じ易くなる。したがって、
磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると直接バッキングプレ
ート２へ接合することが出来なくなり、実際に磁性体３
の厚みを５ｍｍ以下にすることは極めて困難である。However, it is difficult to make the magnetic field lines generated by the magnet 4 stronger than this because of the characteristics and structure of the magnet 4, and therefore the thickness (t) of the magnetic body 3 must be reduced. When the thickness (t) of 3 is thinned, warping occurs due to distortion during machining, and defects are likely to occur during soldering to the backing plate 2, and cracks tend to occur during machining due to poor machinability. Therefore,
When the thickness (t) of the magnetic body 3 is reduced, it becomes impossible to directly bond the magnetic body 3 to the backing plate 2, and the magnetic body 3 is actually
It is extremely difficult to reduce the thickness to 5 mm or less.
【００１０】本発明は、前記の事情に鑑みてなされたも
ので、以上の問題点を解決することができるとともに成
膜速度及び経済性を改善することができるターゲットお
よびその製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a target and a method of manufacturing the same which can solve the above problems and can improve the film forming speed and the economical efficiency. It is in.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲットおよびその製造方法
を採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットとし
ては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性
体を接合してなることを特徴としている。In order to solve the above problems, the present invention employs the following target and its manufacturing method. That is, the target according to claim 1 is characterized in that a non-magnetic material is bonded to one surface of a magnetic material as a target material.
【００１２】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法としては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合することを特徴としている。The target manufacturing method according to claim 2 is characterized in that a nonmagnetic material is bonded to one surface of a magnetic material as a target material by diffusion.
【００１３】[0013]
【作用】請求項１記載のターゲットでは、ターゲット材
となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなるこ
とにより、磁性材料を薄厚化して成膜速度を向上させ
る。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、磁
性材料の不使用部分を削減し経済性を向上させる。In the target according to the first aspect, the nonmagnetic material is bonded to one surface of the magnetic material serving as the target material, so that the magnetic material can be thinned and the film formation rate can be improved. Further, by making the thickness of the magnetic material thin, the unused portion of the magnetic material is reduced and the economical efficiency is improved.
【００１４】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法では、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散
により非磁性体を接合することにより、該非磁性体が磁
性材料に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れ
の発生を防止する。したがって、非磁性体を介すること
により薄厚の磁性材料をバッキングプレートに接合する
ことが可能になる。Further, in the target manufacturing method according to the second aspect, the nonmagnetic material is bonded to one surface of the magnetic material serving as the target material by diffusion so that the nonmagnetic material imparts mechanical strength to the magnetic material. To prevent warping and cracking during machining. Therefore, it becomes possible to bond a thin magnetic material to the backing plate through the non-magnetic material.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明に係るターゲットの一実施例に
ついて説明する。EXAMPLE An example of the target according to the present invention will be described below.
【００１６】図１は、ターゲット１１の断面図であっ
て、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷
却板）２の一方の面２ａ上に非磁性体１２が接合され、
該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３が一体に接合
されている。FIG. 1 is a cross-sectional view of a target 11, in which a non-magnetic material 12 is bonded on one surface 2a of a backing plate (cooling plate) 2 having a substantially rectangular or disk shape.
A magnetic body 13 is integrally joined to the surface 12a of the non-magnetic body 12.
【００１７】非磁性体１２は、バッキングプレート２と
同形状で大きさが該バッキングプレート２より若干小さ
いものである。この非磁性体１２の材料としては、例え
ばＴｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ等の弱磁性の金属、Ｃｕ等の反
磁性の金属、ステンレススチール（例えばオーステナイ
ト系のＳＵＳ３０４）等の弱磁性の合金が好適に用いら
れる。The non-magnetic body 12 has the same shape as the backing plate 2 and is slightly smaller than the backing plate 2. As the material of the non-magnetic body 12, for example, a weak magnetic metal such as Ti, Al, Mo, W, a diamagnetic metal such as Cu, or a weak magnetic alloy such as stainless steel (for example, austenitic SUS304) is suitable. Used for.
【００１８】磁性体１３は、非磁性体１２と同一の形状
で厚み（ｔ1）が該非磁性体１２の厚み（ｔ2）と同等か
またはそれより厚い強磁性材料からなるものである。こ
の磁性体１３の材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系合
金，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）等が好適に
用いられる。The magnetic body 13 is made of a ferromagnetic material having the same shape as the non-magnetic body 12 and having a thickness (t 1 ) equal to or larger than the thickness (t 2 ) of the non-magnetic body 12. As a material of the magnetic body 13, a Co—Cr—Pt type alloy, a Co—Cr—Ta type alloy, a Co—Nb—Zr type alloy, sendust (Fe—Al—Si type alloy), or the like is preferably used.
【００１９】また、磁性体１３の厚み（ｔ1）と該非磁
性体１２の厚み（ｔ2）の和は、従来のターゲット１の
厚み（ｔ）と同一となる様に設定されている。Further, the sum of the thickness of the magnetic body 13 (t 1) and the thickness of the non-magnetic body 12 (t 2) is set so that becomes the conventional target thickness 1 (t) and the same.
【００２０】次に、前記ターゲット１１を製造する方
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法について説明する。Next, a method of manufacturing the target 11, that is, a method of bonding the magnetic body 13 on one surface 12a of the non-magnetic body 12 by diffusion will be described.
【００２１】まず、ＨＩＰ処理により前記ターゲット１
１を製造する方法について図１及び図２を参照しながら
説明する。First, the target 1 is subjected to HIP processing.
A method for manufacturing 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
【００２２】まず、溶解鋳造法の一種である真空鋳造法
により、Ｃｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔの組成を
有する合金のインゴットを製造する。次に、ワイヤーカ
ット放電加工等の機械加工により前記インゴットを直方
体状に切断して素板２１とする。First, an ingot of an alloy having a composition of Co-9% by weight Cr-31% by weight Pt is manufactured by a vacuum casting method which is a kind of melting casting method. Next, the ingot is cut into a rectangular parallelepiped shape by machining such as wire-cut electric discharge machining to form the raw plate 21.
【００２３】次に、この素板２１を直方体状のステンレ
ススチール缶２２に挿入し、該ステンレススチール缶２
２の内部を真空にし密封する。次に、ＨＩＰによりステ
ンレススチール缶を焼結する。ＨＩＰ処理は、概ね１２
００℃、１.０ｔｏｎ／ｃｍ2の下で１時間行う。Next, the base plate 21 is inserted into a rectangular parallelepiped stainless steel can 22, and the stainless steel can 2 is inserted.
The inside of 2 is evacuated and sealed. Then, the stainless steel can is sintered by HIP. HIP processing is about 12
It is carried out at 00 ° C. and 1.0 ton / cm 2 for 1 hour.
【００２４】次に、６００℃で３０分間焼鈍処理を行な
い、その後所定の圧縮率Ｔで２回圧延処理を行う。Next, annealing treatment is performed at 600 ° C. for 30 minutes, and thereafter, rolling treatment is performed twice at a predetermined compression rate T.
【００２５】次に、前記素板２１とステンレススチール
缶２２とを一体に接合したまま略矩形状もしくは円板状
に切断しその後素板２１の表面に鏡面研磨等の仕上加工
を施し、その後ボンディングを行い略矩形状もしくは円
板状のターゲット１１とする。Next, while the base plate 21 and the stainless steel can 22 are integrally joined, the base plate 21 is cut into a substantially rectangular shape or a disk shape, and then the surface of the base plate 21 is subjected to finishing processing such as mirror polishing, and then bonding. Then, the target 11 having a substantially rectangular shape or a disk shape is obtained.
【００２６】以上により、磁性体１３（素板２１）と非
磁性体１２（ステンレススチール缶２２）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。As described above, the magnetic material 13 (base plate 21) and the non-magnetic material 12 (stainless steel can 22) are joined by diffusion to obtain the target 11 having an integrated structure.
【００２７】次に、真空ホットプレス（ＨＰ）処理によ
り前記ターゲット１１を製造する方法について図２及び
図３を参照しながら説明する。Next, a method of manufacturing the target 11 by a vacuum hot press (HP) process will be described with reference to FIGS.
【００２８】真空鋳造法により製造されたインゴットを
直方体状に切断して素板２１とし、この素板２１を同一
形状のステンレススチール板２３上に重ね、真空下にお
いて所定の温度Ｔ及び所定の圧力Ｐを所定時間Ｈ保持す
ることにより、素板２１とステンレススチール板２３と
を接合する。An ingot manufactured by the vacuum casting method is cut into a rectangular parallelepiped to form a base plate 21, which is stacked on a stainless steel plate 23 having the same shape, and a predetermined temperature T and a predetermined pressure are applied under vacuum. By holding P for H for a predetermined time, the base plate 21 and the stainless steel plate 23 are joined.
【００２９】ＨＰ処理の条件の一例を下記にしめす。 真 空 度 ：１×１０-2Ｔｏｒｒ 加 圧 力 Ｐ：２５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 Ｔ：１１５０℃ 保持時間 Ｈ：５時間An example of conditions for HP processing is shown below. Trueness: 1 × 10 -2 Torr Pressurizing force P: 250kg / cm 2 Temperature T: 1150 ° C Holding time H: 5 hours
【００３０】その後、焼鈍処理、圧延処理、仕上加工、
ボンディング等を施し、略矩形状もしくは円板状のター
ゲット１１とする。After that, annealing treatment, rolling treatment, finishing work,
Bonding or the like is performed to obtain a substantially rectangular or disk-shaped target 11.
【００３１】以上により、磁性体１３（素板２１）と非
磁性体１２（ステンレススチール板２３）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。As described above, the target 11 having an integrated structure can be obtained by joining the magnetic body 13 (base plate 21) and the non-magnetic body 12 (stainless steel plate 23) by diffusion.
【００３２】前記ターゲット１１を用いてスパッタリン
グする場合、図４に示す様に磁石４，４によりターゲッ
ト１１の上方に高密度の磁力線Ｍを発生させて前記ター
ゲット１１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ター
ゲット１１の近傍に高密度プラズマを発生させて大きな
イオン電流を流すことにより大電力化を図ることがで
き、これにより強いマグネトロン放電を起こすことがで
きる。このとき、電子はターゲットの表面近傍を円形状
もしくは略矩形状もしくは円形状の連続した軌跡を描い
て運動しており、ターゲット１１の電力密度（Ｗ／ｃｍ
2）を大幅に増大させることができ、最適条件の下にマ
グネトロンスパッタリングを行うことができる。In the case of sputtering using the target 11, as shown in FIG. 4, high density magnetic field lines M are generated above the target 11 by the magnets 4 and 4 to increase the leakage magnetic flux density above the target 11. By generating a high-density plasma near the target 11 and flowing a large ion current, it is possible to increase the electric power, and thus a strong magnetron discharge can be generated. At this time, the electrons move in the vicinity of the surface of the target in a circular or substantially rectangular or circular continuous trajectory, and the power density of the target 11 (W / cm).
2 ) can be greatly increased, and magnetron sputtering can be performed under optimum conditions.
【００３３】表１は、上記のターゲット（実施例）と、
従来のターゲット（比較例）について各々の特性を比較
したものである。ここでは、ターゲットの組成はＣｏ−
９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔ一種とし、このターゲッ
トの磁性体１３の厚み（ｔ1）と非磁性体１２の厚み
（ｔ2）を様々に変化させて特性を評価している。Table 1 shows the above targets (examples),
The characteristics of the conventional target (comparative example) are compared. Here, the composition of the target is Co−
9 and wt% Cr-31 wt% Pt kind, and we evaluate the characteristics thickness of the magnetic body 13 of the target (t 1) and the non-magnetic member 12 thickness of (t 2) by variously changing.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】表１から明らかなように、上記実施例のタ
ーゲットは従来のものと比べて磁性体１３の厚みｔ1が
薄くなるために、漏洩磁束密度Ｂが大きくなり、成膜速
度（スパッタレイト）も優れていることがわかる。As is clear from Table 1, in the target of the above embodiment, the magnetic flux density B becomes large because the thickness t 1 of the magnetic body 13 becomes smaller than that of the conventional target, and the film formation rate (sputter rate) becomes large. ) Is also excellent.
【００３６】以上説明した様に、上記実施例のターゲッ
ト１１によれば、バッキングプレート２上に非磁性体１
２を接合し、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３
を一体に接合したので、磁性体１３を薄厚化することが
でき成膜速度を向上させることができる。また、磁性体
１３の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料
の量を削減することができ、したがって経済性を向上さ
せることができる。As described above, according to the target 11 of the above embodiment, the non-magnetic material 1 is provided on the backing plate 2.
2 are bonded to each other, and the magnetic substance 13 is formed on the surface 12a of the non-magnetic substance 12.
Since they are integrally joined, the magnetic body 13 can be thinned and the film formation rate can be improved. Further, by making the thickness of the magnetic body 13 thin, the amount of the magnetic material used can be reduced, and therefore the economical efficiency can be improved.
【００３７】また、上記実施例のターゲットの製造方法
によれば、非磁性体１２の面１２ａ上に拡散により磁性
体１３を接合することとしたので、該非磁性体１２が磁
性体１３に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割
れの発生を防止することができる。したがって、非磁性
体１２を介することにより、薄厚の磁性体１３をバッキ
ングプレート２上に接合することが可能になる。Further, according to the target manufacturing method of the above-described embodiment, since the magnetic body 13 is bonded onto the surface 12a of the non-magnetic body 12 by diffusion, the non-magnetic body 12 is mechanically attached to the magnetic body 13. It is possible to impart strength and prevent warping and cracking during machining. Therefore, the thin magnetic body 13 can be bonded onto the backing plate 2 by interposing the non-magnetic body 12.
【００３８】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。As a result, for example, sendust (Fe-A)
Even with a difficult-to-work material such as an (1-Si alloy), good machining can be performed, and warpage and cracks will not occur.
【００３９】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタ
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。As described above, it is possible to provide a target which has a high film forming rate (high sputter rate) and can improve the economical efficiency, and a method for producing the target.
【００４０】なお、前記ターゲット１１を製造する方
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法としては、上述したＨＩ
Ｐ処理やＨＰ処理に限定されることなく種々の方法が適
用可能であり、例えば、爆着等の方法も好適に用いるこ
とができる。As a method of manufacturing the target 11, that is, a method of bonding the magnetic body 13 on one surface 12a of the non-magnetic body 12 by diffusion, the above-mentioned HI is used.
Various methods can be applied without being limited to the P treatment and the HP treatment, and for example, a method such as explosive deposition can also be preferably used.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１記載のター
ゲットによれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の
面に非磁性体を接合してなることとしたので、磁性材料
を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることが
できる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることによ
り、使用する磁性材料の量を削減することができ、した
がって経済性を向上させることができる。As described above, according to the target described in claim 1, since the nonmagnetic material is bonded to one surface of the magnetic material as the target material, the thickness of the magnetic material can be reduced. It is possible to improve the film formation rate. Further, by making the thickness of the magnetic material thin, the amount of the magnetic material used can be reduced, and therefore the economical efficiency can be improved.
【００４２】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法によれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合するので、該非磁性体が磁性
材料に機械的強度を付与することができ、機械加工時の
反りや割れの発生を防止することができる。したがっ
て、非磁性体を介することにより、薄厚の磁性材料をバ
ッキングプレート上に接合することが可能になる。According to the target manufacturing method of the second aspect, since the nonmagnetic material is bonded to one surface of the magnetic material as the target material by diffusion, the nonmagnetic material imparts mechanical strength to the magnetic material. It can be added and can prevent the occurrence of warpage and cracks during machining. Therefore, it becomes possible to bond a thin magnetic material onto the backing plate through the non-magnetic material.
【００４３】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。As a result, for example, sendust (Fe-A)
Even with a difficult-to-work material such as an (1-Si alloy), good machining can be performed, and warpage and cracks will not occur.
【００４４】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタ
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。As described above, it is possible to provide a target which has a high film forming rate (high sputter rate) and can improve the economical efficiency, and a manufacturing method thereof.
【図１】本発明の一実施例であるターゲットの断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view of a target that is an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法
の工程図である。FIG. 2 is a process drawing of a method of manufacturing a target according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法
の一部を示す概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a part of a method for manufacturing a target which is an embodiment of the present invention.
【図４】本発明に係るターゲットの磁力線の様子を示す
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of magnetic lines of force of a target according to the present invention.
【図５】従来のターゲットの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional target.
【図６】従来のターゲットの磁力線の様子を示す断面図
である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state of magnetic force lines of a conventional target.
１１ ターゲット ２ バッキングプレート（冷却板） １２ 非磁性体 １２ａ 面 １３ 磁性体 11 target 2 backing plate (cooling plate) 12 non-magnetic body 12a surface 13 magnetic body
Claims (2)
に非磁性体を接合してなることを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲット。1. A sputtering target comprising a non-magnetic material bonded to one surface of a magnetic material as a target material.
に拡散により非磁性体を接合することを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲットの製造方法。2. A method of manufacturing a sputtering target, which comprises bonding a non-magnetic material to one surface of a magnetic material as a target material by diffusion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19220891A JPH0586460A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Target for sputtering and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19220891A JPH0586460A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Target for sputtering and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586460A true JPH0586460A (en) | 1993-04-06 |
Family
ID=16287465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19220891A Withdrawn JPH0586460A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Target for sputtering and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0586460A (en) |
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