JPH0584971A - Method for driving light emitting element array - Google Patents
Method for driving light emitting element arrayInfo
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- JPH0584971A JPH0584971A JP8627891A JP8627891A JPH0584971A JP H0584971 A JPH0584971 A JP H0584971A JP 8627891 A JP8627891 A JP 8627891A JP 8627891 A JP8627891 A JP 8627891A JP H0584971 A JPH0584971 A JP H0584971A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、多数個の発光素子を同
一基板上に集積することにより形成された発光素子アレ
イの駆動方法に関し、特にこの発光素子アレイの長寿命
化に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of driving a light emitting element array formed by integrating a large number of light emitting elements on the same substrate, and more particularly to extending the life of the light emitting element array.
【０００２】[0002]
【従来の技術】多数個の発光素子を同一基板上に集積し
た発光素子アレイはその駆動用ＩＣと組み合わせて光プ
リンタ等の書き込み用光源として利用されている。本発
明者らは発光素子アレイの構成要素としてＰＮＰＮ構造
を持つ発光サイリスタに注目し、発光点の自己走査が実
現できることを既に特許出願（特開平１−２３８９６２
号、特開平２−１４５８４号、特開平２−９２６５０
号、特開平２−９２６５１号）し、光プリンタ用光源と
して実装上簡便となること、発光素子ピッチを細かくで
きること、コンパクトな発光装置を作製できること等を
示した。2. Description of the Related Art A light emitting element array in which a large number of light emitting elements are integrated on the same substrate is used as a writing light source for an optical printer or the like in combination with its driving IC. The present inventors have paid attention to a light emitting thyristor having a PNPN structure as a constituent element of a light emitting element array, and have already filed a patent application (Japanese Patent Laid-Open No. 1-238962) that a self-scanning of a light emitting point can be realized.
No. 2, JP-A-2-14584, JP-A-2-92650.
, JP-A-2-92651) and that it is easy to mount as a light source for an optical printer, the pitch of light emitting elements can be made fine, and a compact light emitting device can be manufactured.
【０００３】本発明者らが行ったこれらの発明の一例と
して、特開平２−１４５８４号に示すダイオードによる
電位結合を用いた、２相クロック駆動により自己走査が
可能な発光素子アレイを図４に示す。φ1 、φ2 は共
に、ハイレベル時間とローレベル時間との比（デューテ
ィ比）がほぼ１：１である転送用クロックパルスであ
り、ＶGKは電源（通常５Ｖ）である。Ｔ（１）〜Ｔ
（５）は発光素子として用いられる発光サイリスタ、Ｄ
1 〜Ｄ5 は電位結合用ダイオード、Ｇ1 〜Ｇ5 は発光サ
イリスタＴ（１）〜Ｔ（５）のゲート電極である。ＲL
はゲート電極の負荷抵抗であり、ゲート電極への電流を
制限する。As an example of these inventions carried out by the present inventors, a light emitting element array capable of self-scanning by two-phase clock driving using potential coupling by a diode shown in Japanese Patent Laid-Open No. 2-14584 is shown in FIG. Show. Both φ 1 and φ 2 are transfer clock pulses whose ratio (duty ratio) between the high level time and the low level time is approximately 1: 1 and V GK is a power supply (usually 5 V). T (1) -T
(5) is a light emitting thyristor used as a light emitting element, D
1 to D 5 are potential coupling diodes, and G 1 to G 5 are gate electrodes of the light emitting thyristors T (1) to T (5). RL
Is the load resistance of the gate electrode and limits the current to the gate electrode.
【０００４】動作を簡単に説明する。まず転送用クロッ
クパルスφ2 の電圧がハイレベルで、発光サイリスタＴ
（２）がオン状態（発光状態）であるとする。このと
き、ゲート電極Ｇ2 の電位はＶGKの５Ｖからほぼ零Ｖに
まで低下する。この電位降下の影響はダイオードＤ2 に
よってゲート電極Ｇ3 に伝えられ、その電位を約１Ｖに
設定する。しかし、ダイオードＤ1 は逆バイアス状態で
あるためゲート電極Ｇ1 への電位の接続は行われず、ゲ
ート電極Ｇ1 の電位は５Ｖのままとなる。発光サイリス
タのオン電位は、ゲート電極電位＋拡散電位（約１Ｖ）
で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ1 のハ
イレベル電圧は約２Ｖ（発光サイリスタＴ（３）をオン
させるために必要な電圧）以上でありかつ約４Ｖ（発光
サイリスタＴ（５）をオンさせるために必要な電圧）以
下に設定しておけば発光サイリスタＴ（３）のみがオン
し、これ以外の発光サイリスタはオフのままにすること
ができる。従って２本の転送用クロックパルスで発光状
態が転送されることになる。The operation will be briefly described. First, when the voltage of the transfer clock pulse φ 2 is high level, the light emitting thyristor T
It is assumed that (2) is in the on state (light emitting state). At this time, the potential of the gate electrode G 2 drops from 5 V of V GK to almost zero V. The influence of this potential drop is transmitted to the gate electrode G 3 by the diode D 2 and sets the potential to about 1V. However, since the diode D 1 is in the reverse bias state, the potential is not connected to the gate electrode G 1, and the potential of the gate electrode G 1 remains 5V. ON potential of the light emitting thyristor is gate electrode potential + diffusion potential (about 1V)
Therefore, the high level voltage of the next transfer clock pulse φ 1 is about 2V (voltage necessary to turn on the light emitting thyristor T (3)) or more and about 4V (light emitting thyristor T (5)). (Voltage required to turn on), only the light emitting thyristor T (3) is turned on, and the other light emitting thyristors can be kept off. Therefore, the light emission state is transferred by two transfer clock pulses.
【０００５】図５は、図４の発光素子アレイを同一半導
体基板上に形成した場合の例を示す。Ｎ型ＧａＡｓ基板
上にＧａＡｓのＰＮＰＮ構造を形成し、ホトエッチング
等の手法により図５の構造を形成する。FIG. 5 shows an example in which the light emitting element array of FIG. 4 is formed on the same semiconductor substrate. A GaAs PNPN structure is formed on an N-type GaAs substrate, and the structure shown in FIG. 5 is formed by a method such as photoetching.
【０００６】光プリンタの感光ドラムに画像を書き込む
（感光させる）ためには、ある最低エネルギー以上のエ
ネルギーを感光ドラムに与えることが必要である。感光
ドラムに与えられるエネルギーは、画像を書き込みたい
位置に相当する発光素子の発光時間とこの素子の発光強
度との積で与えられる。よって、図４の発光素子アレイ
を光プリンタ用光源として使用するためには、発光点の
転送のみならず、発光強度の変調が必要となるが、この
方法は特開平１−２３８９６２号により示されている。In order to write (sensitize) an image on the photosensitive drum of an optical printer, it is necessary to apply energy above a certain minimum energy to the photosensitive drum. The energy applied to the photosensitive drum is given by the product of the light emission time of the light emitting element corresponding to the position where an image is to be written and the light emission intensity of this element. Therefore, in order to use the light emitting element array of FIG. 4 as a light source for an optical printer, not only the transfer of light emitting points but also the modulation of light emission intensity is required. This method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-238962. ing.
【０００７】図６に、特開平１−２３８９６２号によ
る、発光素子の発光強度変調を行うための発光素子アレ
イの駆動方法を簡略化した駆動方法が示されている。図
６の回路は、発光強度変調用のクロックパルス（電流パ
ルス）φI1及びφI2を提供するクロックラインが、転送
用クロックパルスφ1 及びφ2 を提供するクロックライ
ンにそれぞれ接続されている以外は図４と同一である。
転送用クロックパルスφ1 及びφ2 は共にハイレベル時
間とローレベル時間との比（デューティ比）がほぼ１：
１でありかつ互いに略反転パルスである。発光強度変調
用クロックパルスφI1及びφI2は、画像を書き込みたい
位置に相当する発光素子が発光状態にあるときのみハイ
レベルとなる（その電流値は、このときの発光時間と発
光強度との積が、感光ドラムに画像を書き込むための最
低エネルギー以上となるように設定される）。その結
果、対応するクロックラインに電流が印加され、画像を
書き込みたい位置に相当する発光素子の発光強度は増大
し、感光ドラムに前記最低エネルギーを与えることがで
きる。FIG. 6 shows a driving method according to Japanese Patent Laid-Open No. 1-238962, which is a simplified driving method of a light emitting element array for modulating the emission intensity of a light emitting element. In the circuit shown in FIG. 6, except that the clock lines that provide the emission intensity modulation clock pulses (current pulses) φ I1 and φ I2 are connected to the clock lines that provide the transfer clock pulses φ 1 and φ 2 , respectively. Is the same as in FIG.
The transfer clock pulses φ 1 and φ 2 both have a ratio (duty ratio) of the high level time and the low level time of approximately 1:
They are 1 and are substantially inversion pulses with respect to each other. The light emission intensity modulation clock pulses φ I1 and φ I2 are at a high level only when the light emitting element corresponding to the position where the image is to be written is in the light emitting state (the current value is the emission time and the emission intensity at this time). The product is set to be equal to or higher than the minimum energy for writing an image on the photosensitive drum). As a result, a current is applied to the corresponding clock line, the light emission intensity of the light emitting element corresponding to the position where an image is to be written is increased, and the minimum energy can be given to the photosensitive drum.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の方法に
より、画像を書き込みたい位置に相当する発光素子の発
光強度を増大させると、発光素子に流れる電流量も増加
する、発光素子の寿命は、その素子に流れる電流量の増
加に伴って加速度的に短くなることが知られており、特
に大電流が流れた場合、発光素子の寿命は著しく低下す
る。従って、特開平１−２３８９６２号の方法で発光強
度の変調を行うと、発光素子の寿命を短くしてしまうこ
とになる。However, when the light emission intensity of the light emitting element corresponding to the position where an image is to be written is increased by the above method, the amount of current flowing through the light emitting element also increases. It is known that as the amount of current flowing through the element increases, it shortens at an accelerating rate, and especially when a large current flows, the life of the light emitting element is significantly reduced. Therefore, if the emission intensity is modulated by the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-238962, the life of the light emitting element will be shortened.
【０００９】本発明の目的は、発光素子の寿命を短くす
ることなく、発光素子の発光強度変調を行うことのでき
る発光素子アレイの駆動方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a method of driving a light emitting element array which can modulate the emission intensity of the light emitting element without shortening the life of the light emitting element.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明の発光素子アレイの駆動方法は、すべての発
光素子の発光時間を従来に比べて長時間化させる構成と
した。すなわち、本発明の、しきい電圧もしくはしきい
電流を制御するためのゲート電極と、外部電圧もしくは
外部電流が印加されるアノード電極とを有する発光素子
を一次元的、二次元的もしくは三次元的に多数個配列
し、上記各発光素子のゲート電極をこの発光素子の近傍
に位置する少なくとも１つの上記発光素子のゲート電極
と電気的手段を介して接続してネットワーク配線を形成
し、上記発光素子の発光状態を他の発光素子に転送する
ための信号である第１群のクロックパルスをそれぞれ個
別に印加する複数本のクロックラインを、上記各発光素
子のアノード電極に一本ずつ接続し、上記発光素子の発
光強度を増大させるための信号である第２群のクロック
パルスを提供する電流源を、上記各クロックラインに個
別に接続した発光素子アレイの駆動方法は、上記第１群
のクロックパルスがいずれも整形パルスであって、か
つ、互いにローレベル時間の重なりがない位相シフトパ
ルスであり、上記第１群のクロックパルスのローレベル
時間が、上記発光素子のオフに要する最小時間もしくは
それ以上の時間であって上記第１群のクロックパルスの
ハイレベル時間よりも十分に短い時間であり、上記第２
群のクロックパルスが、対応する第１群のクロックパル
スがハイレベルであり、かつ、そのとき発光している発
光素子の発光強度を増大させるときのみハイレベルとな
ることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the method for driving a light emitting element array of the present invention has a structure in which the light emission time of all the light emitting elements is made longer than in the conventional case. That is, a light emitting device having a gate electrode for controlling a threshold voltage or a threshold current and an anode electrode to which an external voltage or an external current is applied according to the present invention is one-dimensional, two-dimensional or three-dimensional. A plurality of gate electrodes of each of the light emitting elements are connected to the gate electrodes of at least one of the light emitting elements located in the vicinity of the light emitting element via electrical means to form a network wiring. A plurality of clock lines for individually applying the first group of clock pulses, which are signals for transferring the light emission state of the light emitting element to another light emitting element, are connected to the anode electrodes of the respective light emitting elements, one by one. A light source for providing a second group of clock pulses, which is a signal for increasing the light emission intensity of the light emitting element, is individually connected to each of the clock lines. In the driving method of (1), all the clock pulses of the first group are shaped pulses and are phase shift pulses that do not overlap each other in low level time, and the low level time of the clock pulses of the first group is The minimum time required to turn off the light emitting element or more, which is sufficiently shorter than the high level time of the clock pulse of the first group, and the second time.
The clock pulse of the group becomes high level only when the clock pulse of the corresponding first group is at the high level and the light emission intensity of the light emitting element which is emitting light at that time is increased.
【００１１】つまり、従来の転送用クロックパルスは、
ハイレベル時間とローレベル時間との比がほぼ１：１と
なるようにしていたが、本発明においては、各転送用ク
ロックパルスについてハイレベル時間がローレベル時間
よりも転送動作に差し支えない程度（ローレベル時間が
発光素子のオフに要する最小時間以上となる）に十分長
い整形パルスとなり、かつ、互いにローレベル時間の重
なりがない位相シフトパルスとなるようにする。それと
同時に、発光強度変調用クロックパルスは、対応する転
送用クロックパルスがハイレベルであり、かつ、そのと
き発光している発光素子の発光強度を増大させるときの
みハイレベルとする。That is, the conventional transfer clock pulse is
The ratio of the high level time to the low level time is set to be approximately 1: 1. However, in the present invention, the high level time may be more than the low level time for the transfer operation for each transfer clock pulse ( The low-level time is a shaped pulse long enough to be longer than the minimum time required to turn off the light-emitting element), and the phase-shift pulses are such that the low-level times do not overlap each other. At the same time, the emission intensity modulation clock pulse is set to the high level only when the corresponding transfer clock pulse is at the high level and the emission intensity of the light emitting element which is emitting light at that time is increased.
【００１２】本発明における、転送用クロックパルスを
それぞれ個別に印加するクロックラインの本数は、発光
状態の転送動作に必要な最小限の本数で十分であるが、
さらに発光時間を長く取るために発光状態の転送動作に
必要な最小限の本数以上の本数であってもよい。また、
発光強度が増大させられた時間とそのときの発光強度と
の積は、感光ドラムに画像を書き込むための最低エネル
ギー以上となるように設定される。さらに、本発明は、
スイッチ素子と発光素子を共に配列することにより形成
された発光素子アレイにも適用することが可能である。In the present invention, the number of clock lines to which the transfer clock pulses are individually applied is sufficient to be the minimum number required for the transfer operation in the light emitting state.
Further, the number may be equal to or more than the minimum number required for the transfer operation of the light emitting state in order to take a longer light emitting time. Also,
The product of the time when the emission intensity is increased and the emission intensity at that time is set to be equal to or higher than the minimum energy for writing an image on the photosensitive drum. Further, the present invention is
It can also be applied to a light emitting element array formed by arranging both a switch element and a light emitting element.
【００１３】[0013]
【作用】本発明により、個々の発光素子の発光時間が従
来に比べて大巾に長くなるから、上述の最低エネルギー
を感光ドラムに与える場合、発光強度を増大させたとき
の発光素子の発光強度を従来よりも大巾に弱くすること
ができる。すなわち、発光強度変調用のクロックパルス
（電流パルス）のハイレベル時での電流を小さくするこ
とができるから、発光強度を増大させる発光素子に流れ
る電流量を少なくでき、それにより発光素子の寿命を長
寿命化することができる。According to the present invention, the light emitting time of each light emitting element is significantly longer than that of the conventional one. Therefore, when the above-mentioned minimum energy is applied to the photosensitive drum, the light emitting intensity of the light emitting element is increased when the light emitting intensity is increased. Can be made much weaker than before. That is, since the current at the time of the high level of the light intensity modulation clock pulse (current pulse) can be reduced, the amount of current flowing through the light emitting element that increases the light emission intensity can be reduced, thereby extending the life of the light emitting element. The life can be extended.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図１、図２
及び図３を参照しながら説明する。図１は、本発明の第
１の実施例を示す図であって、（Ａ）の部分の回路構成
は図５と同一である。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below with reference to FIGS.
Also, description will be made with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, and the circuit configuration of the portion (A) is the same as that of FIG.
【００１５】転送用パルスφ1 、φ2 はいずれも整形パ
ルスであって、かつ、互いにローレベル時間の重なりが
ない位相シフトパルスである。また転送用パルスφ1 、
φ2 は、共に、ローレベル時間が約１μｓ（発光素子が
完全にオフ状態になるために必要な時間）にセットされ
ている。さらに、発光強度変調用クロックパルスφI1、
φI2は、それぞれ対応する転送用クロックパルスφ1 、
φ2 がハイレベルであり、かつ、そのとき発光している
発光素子の発光強度を増大させたいときのみハイレベル
となる。本実施例においては、発光素子Ｔ（２）のみに
ついて発光強度を増大させる。Each of the transfer pulses φ 1 and φ 2 is a shaping pulse and is a phase shift pulse in which the low level times do not overlap each other. In addition, transfer pulse φ 1 ,
Both φ 2 are set to a low level time of about 1 μs (time required for the light emitting element to be completely turned off). Further, a clock pulse for emission intensity modulation φ I1 ,
φ I2 is the corresponding transfer clock pulse φ 1 ,
Only when φ 2 is at a high level and it is desired to increase the light emission intensity of the light emitting element which is emitting light at that time, it becomes a high level. In this embodiment, the light emission intensity is increased only for the light emitting element T (2).
【００１６】動作を説明する。まず、スタートパルスφ
s をローレベル（約０Ｖ）にすると同時に転送用クロッ
クパルスφ1 をハイレベル（約２〜約４Ｖ）とし、発光
素子Ｔ（１）を発光させる。その後すぐ、スタートパル
スφs はハイレベルに戻される。The operation will be described. First, start pulse φ
At the same time when s is set to a low level (about 0 V), the transfer clock pulse φ 1 is set to a high level (about 2 to about 4 V), and the light emitting element T (1) emits light. Immediately after that, the start pulse φ s is returned to the high level.
【００１７】次に、発光素子Ｔ（１）の発光状態を発光
素子Ｔ（２）へ転送するために、発光素子Ｔ（１）が発
光したままの状態で転送用クロックパルスφ2 をハイレ
ベル（約２〜約４Ｖ）とする。すると発光素子Ｔ（２）
のみが発光する。発光素子Ｔ（２）が発光した後であっ
てそれとほぼ同じ時刻に発光強度変調用クロックパルス
φI2をハイレベルとする。すると、発光素子Ｔ（２）へ
流れる電流が増え、発光素子Ｔ（２）は発光強度を増
す。Next, in order to transfer the light emitting state of the light emitting element T (1) to the light emitting element T (2), the transfer clock pulse φ 2 is set to a high level while the light emitting element T (1) is still emitting light. (About 2 to about 4V). Then, the light emitting element T (2)
Only glows. After the light emitting element T (2) emits light and at about the same time as that, the emission intensity modulating clock pulse φ I2 is set to the high level. Then, the current flowing to the light emitting element T (2) increases, and the light emitting element T (2) increases the light emission intensity.
【００１８】次に、転送用クロックパルスφ1 をローレ
ベル（約０Ｖ）とする。すると、発光素子Ｔ（１）はオ
フ状態となるが、発光素子が完全にオフ状態になるため
には、通常１μｓ程度の時間が必要であるから、次に転
送用クロックパルスφ1 をハイレベルとして発光素子Ｔ
（３）を発光させるまでの時間（転送用クロックパルス
のローレベル時間ＴL ）は約１μｓにセットされてい
る。その後、転送用クロックパルスφ1 により発光素子
Ｔ（３）が発光状態となった後に発光強度変調用クロッ
クパルスφI2をローレベルとする。発光素子Ｔ（２）の
発光強度が通常の発光強度へ戻った後であってそれとほ
ぼ同時刻に転送用クロックパルスφ2 をローレベル（約
０Ｖ）とする。すると、発光素子Ｔ（２）はオフ状態と
なる。以下、同様の動作により発光素子の発光状態は順
次Ｔ（１），Ｔ（２），Ｔ（３），-------と転送され
る。Next, the transfer clock pulse φ 1 is set to low level (about 0 V). Then, the light emitting element T (1) is turned off, but it usually takes about 1 μs to completely turn off the light emitting element. Therefore, the transfer clock pulse φ 1 is set to the high level next. As the light emitting element T
The time until light emission of (3) (low level time T L of the transfer clock pulse) is set to about 1 μs. After that, after the light emitting element T (3) is brought into a light emitting state by the transfer clock pulse φ 1 , the light emission intensity modulation clock pulse φ I2 is set to the low level. After the light emission intensity of the light emitting element T (2) has returned to the normal light emission intensity and at about the same time, the transfer clock pulse φ 2 is set to the low level (about 0 V). Then, the light emitting element T (2) is turned off. Thereafter, the light emitting state of the light emitting element is sequentially transferred to T (1), T (2), T (3), ------- by the same operation.
【００１９】以上述べたように発光素子の発光状態は転
送されてゆくが、これらの動作中において発光素子Ｔ
（２）の発光が増大させられた時間とそのときの発光強
度との積は、光プリンタの感光ドラムに画像を書き込む
ための最低エネルギー以上であってそれに十分近い値を
取るように発光強度をなるべき弱く制御されている。こ
の場合、発光素子Ｔ（２）の発光時間が図５の駆動方法
に比べて約３倍に増えているので、発光強度すなわち発
光強度変調用クロックパルスのハイレベル時での電流は
約１／３の大きさでよいことになる。つまり発光素子Ｔ
（２）に流れ込む電流量を低減できるので、発光素子Ｔ
（２）ひいては発光素子アレイ全体を長寿命化させるこ
とができる。As described above, the light emitting state of the light emitting element is transferred, but during these operations, the light emitting element T
The product of (2) the time when the light emission is increased and the light emission intensity at that time is equal to or higher than the minimum energy for writing an image on the photosensitive drum of the optical printer, and the light emission intensity is set to a value sufficiently close thereto. Weakly controlled to be. In this case, since the light emission time of the light emitting element T (2) is increased about three times as compared with the driving method of FIG. 5, the light emission intensity, that is, the current at the high level of the light emission intensity modulation clock pulse is about 1 / A size of 3 will suffice. That is, the light emitting element T
Since the amount of current flowing into (2) can be reduced, the light emitting element T
(2) As a result, the life of the entire light emitting element array can be extended.
【００２０】図２は、本発明の第２の実施例を示す図で
あって、（Ａ）はクロックライン部分を除き図１及び図
５と同一である。本実施例においては、クロックライン
を３本用い、それらを発光素子の配列に従って各発光素
子に接続している。また、発光強度変調用クロックパル
スを提供する電流源が、上記３本のクロックラインに個
別に接続されている。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, in which (A) is the same as FIGS. 1 and 5 except for the clock line portion. In this embodiment, three clock lines are used and they are connected to each light emitting element according to the arrangement of the light emitting elements. In addition, current sources that provide clock pulses for light emission intensity modulation are individually connected to the three clock lines.
【００２１】転送用クロックパルスφ1 、φ2 、φ3は
いずれも整形パルスであって、かつ、互いにローレベル
時間の重なりがない位相シフトパルスである。また転送
用クロックパルスφ1 、φ2 、φ3 は、共に、ローレベ
ル時間が約１μｓ（発光素子が完全にオフ状態になるた
めに必要な時間）にセットされている。さらに、発光強
度変調用クロックパルスφI1、φI2、φI3は、それぞれ
対応する転送用クロックパルスφ1 、φ2 、φ3 がハイ
レベルであり、かつ、そのとき発光している発光素子の
発光強度を増大させたいときのみハイレベルとなる。本
実施例においては、発光素子Ｔ（２）のみについて発光
強度を増大させる。Each of the transfer clock pulses φ 1 , φ 2 , and φ 3 is a shaping pulse and is a phase shift pulse in which the low level times do not overlap each other. The transfer clock pulses φ 1 , φ 2 , and φ 3 are all set to a low level time of about 1 μs (the time required for the light emitting element to be completely turned off). Further, the emission intensity modulation clock pulses φ I1 , φ I2 , and φ I3 have the corresponding transfer clock pulses φ 1 , φ 2 , and φ 3 , respectively, which are at the high level, and the light emitting elements which emit light at that time. It goes high only when you want to increase the emission intensity. In this embodiment, the light emission intensity is increased only for the light emitting element T (2).
【００２２】動作を説明する。まず、スタートパルスφ
s をローレベル（約０Ｖ）にすると同時に転送用クロッ
クパルスφ1 をハイレベル（約２〜約４Ｖ）とし、発光
素子Ｔ（１）を発光させる。その後すぐ、スタートパル
スφs はハイレベルに戻される。The operation will be described. First, start pulse φ
At the same time when s is set to a low level (about 0 V), the transfer clock pulse φ 1 is set to a high level (about 2 to about 4 V), and the light emitting element T (1) emits light. Immediately after that, the start pulse φ s is returned to the high level.
【００２３】次に、発光素子Ｔ（１）の発光状態を発光
素子Ｔ（２）へ転送するために、発光素子Ｔ（１）が発
光したままの状態で転送用クロックパルスφ2 をハイレ
ベル（約２〜約４Ｖ）とする。すると発光素子Ｔ（２）
のみが発光する。発光素子Ｔ（２）が発光した後であっ
てそれとほぼ同じ時刻に発光強度変調用クロックパルス
φI2をハイレベルとする。すると、発光素子Ｔ（２）へ
流れる電流が増え、発光素子Ｔ（２）は発光強度を増
す。Next, in order to transfer the light emitting state of the light emitting element T (1) to the light emitting element T (2), the transfer clock pulse φ 2 is set to a high level while the light emitting element T (1) is still emitting light. (About 2 to about 4V). Then, the light emitting element T (2)
Only glows. After the light emitting element T (2) emits light and at about the same time as that, the emission intensity modulating clock pulse φ I2 is set to the high level. Then, the current flowing to the light emitting element T (2) increases, and the light emitting element T (2) increases the light emission intensity.
【００２４】次に、発光素子Ｔ（２）の発光状態を発光
素子Ｔ（３）へ転送するために、発光素子Ｔ（１）及び
Ｔ（２）が発光したままの状態でクロックパルスφ3 を
ハイレベル（約２〜約４Ｖ）とする。Next, in order to transfer the light emitting state of the light emitting element T (2) to the light emitting element T (3), the clock pulse φ 3 with the light emitting elements T (1) and T (2) still emitting light. Is set to a high level (about 2 to about 4V).
【００２５】次に、転送用クロックパルスφ1 をローレ
ベル（約０Ｖ）とする。すると、発光素子Ｔ（１）はオ
フ状態となるが、発光素子が完全にオフ状態になるため
には、通常１μｓ程度の時間が必要であるから、次に転
送用クロックパルスφ1 をハイレベルとして発光素子Ｔ
（４）を発光させるまでの時間（転送用クロックパルス
のローレベル時間：ＴL ）は約１μｓにセットされてい
る。ＴL 時間後、再び転送用クロックパルスφ1 はハイ
レベルとなり発光素子Ｔ（４）が発光状態となる。Next, the transfer clock pulse φ 1 is set to low level (about 0 V). Then, the light emitting element T (1) is turned off, but it usually takes about 1 μs to completely turn off the light emitting element. Therefore, the transfer clock pulse φ 1 is set to the high level next. As the light emitting element T
The time until light is emitted from (4) (low level time of transfer clock pulse: T L ) is set to about 1 μs. After the TL time, the transfer clock pulse φ 1 becomes high level again, and the light emitting element T (4) is in a light emitting state.
【００２６】次に、発光強度変調用クロックパルスφI2
をローレベルとし発光素子Ｔ（２）の発光強度を通常の
発光強度へ戻した後であってそれとほぼ同時刻に、転送
用クロックパルスφ2 をローレベル（約０Ｖ）とする
（このとき、発光素子Ｔ（１）及びＴ（２）が発光して
いた時間は同じ長さとする）。すると、発光素子Ｔ
（２）はオフ状態となる。上述の理由により、次に転送
用クロックパルスφ2 をハイレベルとして発光素子Ｔ
（５）を発光させるまでの時間（転送用クロックパルス
のローレベル時間：ＴL ）は約１μｓにセットされてい
る。以下、同様の動作により発光状態は順次Ｔ（１），
Ｔ（２），Ｔ（３）， -------と転送される。Next, the emission intensity modulation clock pulse φ I2
Is set to a low level and the light emission intensity of the light emitting element T (2) is returned to the normal light emission intensity, and at about the same time as that, the transfer clock pulse φ 2 is set to a low level (about 0 V) (at this time, The light emitting elements T (1) and T (2) emit light for the same length of time). Then, the light emitting element T
(2) is turned off. For the above reason, next, the transfer clock pulse φ 2 is set to the high level and the light emitting element T
The time until light is emitted from (5) (low level time of transfer clock pulse: T L ) is set to about 1 μs. After that, the light emitting states are sequentially T (1),
Transferred as T (2), T (3), ------- .
【００２７】以上述べたように各発光素子の発光状態は
転送されてゆくが、これらの動作中において、発光素子
Ｔ（２）の発光強度を増大させた時間とそのときの発光
強度との積は、光プリンタの感光ドラムに画像を書き込
むための最低エネルギー以上であってそれに十分近い値
を取るように発光強度をなるべく弱く制御されている。
この場合、発光素子Ｔ（２）の発光時間が図５の駆動方
法に比べて約４．５倍に増えているので、発光強度すな
わち発光強度変調用クロックパルスのハイレベル時での
電流は約１／４．５の大きさでよいことになる。つまり
図１に示された方法よりもさらに発光素子Ｔ（２）に流
れる電気量を低減できるので、発光素子Ｔ（２）ひいて
は発光素子アレイ全体の寿命はより一層長寿命化させら
れる。As described above, the light emitting states of the respective light emitting elements are transferred, but during these operations, the product of the time when the light emitting intensity of the light emitting element T (2) is increased and the light emitting intensity at that time. Is controlled to be as weak as possible so that the light emission intensity is equal to or higher than the minimum energy for writing an image on the photosensitive drum of the optical printer and is sufficiently close to it.
In this case, since the light emission time of the light emitting element T (2) is increased by about 4.5 times compared with the driving method of FIG. 5, the light emission intensity, that is, the current at the high level of the light emission intensity modulation clock pulse is about A size of 1 / 4.5 will suffice. That is, since the amount of electricity flowing through the light emitting element T (2) can be further reduced as compared with the method shown in FIG. 1, the life of the light emitting element T (2) and thus of the entire light emitting element array can be further extended.
【００２８】図３は、本発明の第３の実施例を示す図で
あって、（Ａ）の部分の上半分の回路は、図６で発光素
子Ｔ（１）〜Ｔ（４）をスイッチ素子Ｓ（１）〜Ｓ
（４）に置き換えたものである。各スイッチ素子のゲー
ト電極は、それぞれそのスイッチ素子と組をなす１個の
発光素子のゲート電極に接続されている。その結果各発
光素子は、対応するスイッチ素子がオン状態であれば発
光状態となる。さらに、この発光素子のアノード電極に
は、発光強度変調用クロックパルスφI1、φI2を供給す
る電流源が接続されている。FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. The circuit of the upper half of the portion (A) switches the light emitting elements T (1) to T (4) in FIG. Elements S (1) to S
It is replaced with (4). The gate electrode of each switch element is connected to the gate electrode of one light emitting element that forms a pair with the switch element. As a result, each light emitting element is in the light emitting state when the corresponding switch element is in the on state. Further, the anode electrode of this light emitting element is connected to a current source for supplying the emission intensity modulating clock pulses φ I1 and φ I2 .
【００２９】転送用クロックパルスφ1 、φ2 はいずれ
も整形パルスであって、かつ、互いにローレベル時間の
重なりがない位相シフトパルスである。また転送用クロ
ックパルスφ1 、φ2 は、共にローレベル時間が約１μ
ｓ（発光素子が完全にオフ状態になるために必要な時
間）にセットされている。さらに、発光強度変調用クロ
ックパルスは、対応する発光素子が発光状態であり、か
つ、そのとき発光している発光素子の発光強度を増大さ
せるときのみハイレベルとなる。本実施例においては、
発光素子Ｔ（２）のみについて発光強度を増大させるの
で、転送用クロックパルスφ2 がハイレベルとなり発光
素子Ｔ（２）が発光しているときのみ発光強度変調用ク
ロックパルスφI2をハイレベルとする。The transfer clock pulses φ 1 and φ 2 are both shaped pulses and are phase shift pulses that do not overlap each other in low level time. The transfer clock pulses φ 1 and φ 2 both have a low level time of about 1 μm.
s (time required for the light emitting element to be completely turned off). Further, the light emission intensity modulation clock pulse is at a high level only when the corresponding light emitting element is in the light emitting state and the light emitting intensity of the light emitting element which is emitting light at that time is increased. In this embodiment,
Since the emission intensity is increased only for the light emitting element T (2), the transfer clock pulse φ 2 becomes high level and the emission intensity modulation clock pulse φ I2 is set to high level only when the light emitting element T (2) emits light. To do.
【００３０】動作を説明する。まず、スタートパルスφ
s をローレベル（約０Ｖ）にすると同時に転送用クロッ
クパルスφ1 をハイレベル（約２〜約４Ｖ）とし、スイ
ッチ素子Ｓ（１）をオンさせる。すると発光素子Ｔ
（１）は発光状態となる。その後すぐ、スタートパルス
φs はハイレベルに戻される。The operation will be described. First, start pulse φ
At the same time when s is set to low level (about 0 V), the transfer clock pulse φ 1 is set to high level (about 2 to about 4 V) to turn on the switch element S (1). Then the light emitting element T
(1) is in a light emitting state. Immediately after that, the start pulse φ s is returned to the high level.
【００３１】次に、スイッチ素子Ｓ（１）のオン状態を
スイッチ素子Ｓ（２）へ転送するために、Ｓ（１）がオ
ンしたままの状態で転送用クロックパルスφ2 をハイレ
ベル（約２〜約４Ｖ）とする。すると、スイッチ素子Ｓ
（２）がオン状態となり、発光素子Ｔ（２）が発光状態
となる。スイッチ素子Ｓ（２）及び発光素子Ｔ（２）が
オン又は発光した後であってそれとほぼ同じ時刻に発光
強度変調用クロックパルスφI2をハイレベルとする。す
ると、発光素子Ｔ（２）へ流れる電流が増え、発光素子
Ｔ（２）は発光強度を増す。Next, in order to transfer the ON state of the switch element S (1) to the switch element S (2), the transfer clock pulse φ 2 is set to a high level (about) while the S (1) remains ON. 2 to about 4 V). Then, the switch element S
(2) is turned on, and the light emitting element T (2) is turned on. After the switch element S (2) and the light emitting element T (2) are turned on or emit light and at about the same time as that, the emission intensity modulating clock pulse φ I2 is set to the high level. Then, the current flowing to the light emitting element T (2) increases, and the light emitting element T (2) increases the light emission intensity.
【００３２】次に、転送用クロックパルスφ1 をローレ
ベル（約０Ｖ）とする。すると、発光素子Ｓ（１）はオ
フ状態となるが、スイッチ素子が完全にオフ状態になる
ためには、通常１μｓ程度の時間が必要であるから、次
に転送用クロックパルスφ1 をハイレベルとしてスイッ
チ素子Ｓ（３）を発光させるまでの時間（転送用クロッ
クパルスのローレベル時間：ＴL ）は約１μｓにセット
されている。その後、転送用クロックパルスφ1 により
スイッチ素子Ｓ（３）がオン状態となった後に発光強度
変調用クロックパルスφI2をローレベルとする。発光素
子Ｔ（２）の発光強度が通常の発光強度へ戻った後であ
ってそれとほぼ同時刻に転送用クロックパルスφ2 をロ
ーレベル（約０Ｖ）とする。すると、スイッチ素子Ｓ
（２）及び発光素子Ｔ（２）はオフ状態となる。以下、
同様の動作によりスイッチ素子のオン状態及び発光素子
の発光状態は順次Ｓ（１），Ｓ（２），Ｓ（３），
-------、順次Ｔ（１），Ｔ（２），Ｔ（３），
-------と転送される。Next, the transfer clock pulse φ 1 is set to low level (about 0 V). Then, the light emitting element S (1) is turned off, but it usually takes about 1 μs for the switch element to be completely turned off. Therefore, the transfer clock pulse φ 1 is set to the high level next. As a result, the time until the switch element S (3) emits light (low level time of transfer clock pulse: T L ) is set to about 1 μs. After that, after the switch element S (3) is turned on by the transfer clock pulse φ 1 , the emission intensity modulation clock pulse φ I2 is set to the low level. After the light emission intensity of the light emitting element T (2) has returned to the normal light emission intensity and at about the same time, the transfer clock pulse φ 2 is set to the low level (about 0 V). Then, the switch element S
(2) and the light emitting element T (2) are turned off. Less than,
By the same operation, the ON state of the switch element and the light emitting state of the light emitting element are sequentially S (1), S (2), S (3),
------- , T (1), T (2), T (3), in sequence
------- is transferred.
【００３３】以上述べたようにスイッチ素子のオン状態
及び発光素子の発光状態は転送されてゆくが、これらの
動作中において、発光素子Ｔ（２）の発光強度を増大さ
せた時間とそのときの発光強度との積は、光プリンタの
感光ドラムに画像を書き込むための最低エネルギー以上
であってそれに十分近い値を取るように発光強度をなる
べく弱く制御されている。この場合、発光素子Ｔ（２）
の発光時間が図５の駆動方法に比べて約３倍に増えてい
るので、発光強度すなわち発光強度変調用クロックパル
スのハイレベル時での電流は約１／３の大きさでよいこ
とになる。つまり発光素子Ｔ（２）に流れる電気量を低
減できるので、発光素子Ｔ（２）ひいては発光素子アレ
イ全体の寿命はより一層長寿命化させられる。As described above, the ON state of the switch element and the light emitting state of the light emitting element are transferred, but during these operations, the time when the light emitting intensity of the light emitting element T (2) is increased and the time at that time are increased. The product of the light emission intensity is controlled to be as weak as possible so that it takes a value that is equal to or higher than the minimum energy for writing an image on the photosensitive drum of the optical printer and sufficiently close to it. In this case, the light emitting element T (2)
Since the light emission time of is increased about three times compared with the driving method of FIG. 5, the light emission intensity, that is, the current at the high level of the clock pulse for light emission intensity modulation may be about 1/3. .. That is, since the amount of electricity flowing through the light emitting element T (2) can be reduced, the life of the light emitting element T (2) and thus of the entire light emitting element array can be further extended.
【００３４】なお、上述の実施例においては、クロック
ラインの本数が２本及び３本の例を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、クロックラインの本数
を４本以上で実施することも可能である。その場合さら
なる発光素子アレイの長寿命化が期待できる。また、以
上の説明においては、転送用クロックパルスはハイレベ
ル及びローレベルの２相駆動型であったが、本発明は３
相駆動型の転送用クロックパルスにも適用できる。さら
に各発光素子の結合部分はダイオードに限らず、トラン
ジスタ、抵抗などの電気的結合手段であってもよい。さ
らに、本発明が適用できる発光素子アレイは、上述のよ
うな発光素子を一次元的に配列した発光素子アレイに限
るものではなく、発光素子を二次元的または三次元的に
配列した発光素子アレイであってもよい。Although the number of clock lines is two and three in the above embodiment, the present invention is not limited to this, and the number of clock lines is four or more. It is also possible to carry out. In that case, further prolongation of the life of the light emitting element array can be expected. Further, in the above description, the transfer clock pulse is of the high-level and low-level two-phase drive type, but the present invention is 3
It can also be applied to a phase drive type transfer clock pulse. Further, the coupling portion of each light emitting element is not limited to a diode, and may be an electrical coupling means such as a transistor or a resistor. Further, the light emitting element array to which the present invention can be applied is not limited to the light emitting element array in which the above light emitting elements are arranged one-dimensionally, but a light emitting element array in which the light emitting elements are arranged two-dimensionally or three-dimensionally. May be
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明により発光素子アレイを構成する
各発光素子が長寿命化されるので、発光素子アレイを使
用した機器の長期信頼性を増すことができる。According to the present invention, each light emitting element forming the light emitting element array has a long life, so that the long-term reliability of a device using the light emitting element array can be increased.
【図１】本発明の発光素子アレイの駆動方法の第１の実
施例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a light emitting element array driving method of the present invention.
【図２】本発明の発光素子アレイの駆動方法の第２の実
施例を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of a light emitting element array driving method of the present invention.
【図３】本発明の発光素子アレイの駆動方法の第３の実
施例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of a method for driving a light emitting element array according to the present invention.
【図４】特開平２−１４５８４号において提出された発
光素子アレイの駆動方法を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a method of driving a light emitting element array proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 14584/1990.
【図５】図４に示した発光素子アレイの部分断面構造概
略図。5 is a schematic view of a partial cross-sectional structure of the light emitting element array shown in FIG.
【図６】特開平１−２３８９６２号において提案された
発光素子アレイの駆動方法を簡略化した駆動方法を示す
図。FIG. 6 is a diagram showing a driving method which is a simplified driving method of a light emitting element array proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-238962.
Ｔ（１） 発光素子 Ｔ（２） 発光素子 Ｔ（３） 発光素子 Ｔ（４） 発光素子 Ｔ（５） 発光素子 Ｄ1 結合用ダイオード Ｄ2 結合用ダイオード Ｄ3 結合用ダイオード Ｄ4 結合用ダイオード Ｄ5 結合用ダイオード φ1 転送用クロックパルス φ2 転送用クロックパルス φ3 転送用クロックパルス φI1 発光強度変調用クロックパルス φI2 発光強度変調用クロックパルス φI3 発光強度変調用クロックパルス φs スタートパルスT (1) Light emitting element T (2) Light emitting element T (3) Light emitting element T (4) Light emitting element T (5) Light emitting element D 1 coupling diode D 2 coupling diode D 3 coupling diode D 4 coupling diode D 5 Coupling diode φ 1 Transfer clock pulse φ 2 Transfer clock pulse φ 3 Transfer clock pulse φ I1 Emission intensity modulation clock pulse φ I2 Emission intensity modulation clock pulse φ I3 Emission intensity modulation clock pulse φ s start pulse
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ０９Ｇ 3/14 8621−5Ｇ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location // G09G 3/14 8621-5G
Claims (6)
ためのゲート電極と、外部電圧もしくは外部電流が印加
されるアノード電極とを有する発光素子を一次元的、二
次元的もしくは三次元的に多数個配列し、 上記各発光素子のゲート電極をこの発光素子の近傍に位
置する少なくとも１つの上記発光素子のゲート電極と電
気的手段を介して接続してネットワーク配線を形成し、 上記発光素子の発光状態を他の発光素子に転送するため
の信号である第１群のクロックパルスをそれぞれ個別に
印加する複数本のクロックラインを、上記各発光素子の
アノード電極に一本ずつ接続し、 上記発光素子の発光強度を増大させるための信号である
第２群のクロックパルスを供給する電流源を、上記各ク
ロックラインに個別に接続した発光素子アレイの駆動方
法において、 上記第１群のクロックパルスはいずれも整形パルスであ
って、かつ、互いにローレベル時間の重なりがない位相
シフトパルスであり、 上記第１群のクロックパルスのローレベル時間は、上記
発光素子のオフに要する最小時間、もしくはそれ以上の
時間であって上記第１群のクロックパルスのハイレベル
時間よりも十分に短い時間であり、 上記第２群のクロックパルスは、対応する第１群のクロ
ックパルスがハイレベルであり、かつ、そのとき発光し
ている発光素子の発光強度を増大させるときのみハイレ
ベルとなることを特徴とする発光素子アレイの駆動方
法。1. A light emitting device having a gate electrode for controlling a threshold voltage or a threshold current, and an anode electrode to which an external voltage or an external current is applied, one-dimensionally, two-dimensionally or three-dimensionally. A plurality of light emitting elements are arranged, and the gate electrode of each light emitting element is connected to at least one gate electrode of the light emitting element located in the vicinity of the light emitting element through an electric means to form a network wiring. A plurality of clock lines for individually applying the clock pulses of the first group, which are signals for transferring the light emission state to other light emitting elements, are connected to the anode electrodes of the respective light emitting elements, one by one, and A current source for supplying a second group of clock pulses, which is a signal for increasing the light emission intensity of the elements, is individually connected to each of the clock lines to drive the light emitting element array. In the method, all of the clock pulses of the first group are shaped pulses and are phase shift pulses that do not overlap each other in low level time, and the low level time of the clock pulses of the first group is the light emission. The minimum time required for turning off the element, or a time longer than that, which is sufficiently shorter than the high level time of the clock pulse of the first group, and the clock pulse of the second group corresponds to the corresponding first group. The method for driving a light emitting element array is characterized in that the clock pulse is at a high level, and is at a high level only when the emission intensity of the light emitting element which is emitting light at that time is increased.
ためのゲート電極と、外部電圧もしくは外部電流が印加
されるアノード電極とを有するスイッチ素子及び発光素
子それぞれ１つずつからなる組を一次元的、二次元的も
しくは三次元的に多数個配列し、 上記各スイッチ素子のゲート電極を、このスイッチ素子
の近傍に位置する少なくとも１つのスイッチ素子のゲー
ト電極、及び上記各スイッチ素子と組をなす発光素子の
ゲート電極と電気的手段を介して接続してネットワーク
配線を形成し、 上記スイッチ素子のオン状態及び上記発光素子の発光状
態を他のスイッチ素子及び発光素子の組にそれぞれ転送
するための信号である第１群のクロックパルスをそれぞ
れ個別に印加する複数本のクロックラインを、上記各ス
イッチ素子のアノード電極に一本ずつ接続し、 上記発光素子の発光強度を増大させるための信号である
第２群のクロックパルスを供給する電流源を、上記各発
光素子のアノード電極に接続した発光素子アレイの駆動
方法において、 上記第１群のクロックパルスはいずれも整形パルスであ
って、かつ、互いにローレベル時間の重なりがない位相
シフトパルスであり、 上記第１群のクロックパルスのローレベル時間は、上記
スイッチ素子のオフに要する最小時間、もしくはそれ以
上の時間であって上記第１群のクロックパルスのハイレ
ベル時間よりも十分に短い時間であり、 上記第２群のクロックパルスは、対応する発光素子が発
光状態であり、かつ、そのとき発光している発光素子の
発光強度を増大させるときのみハイレベルとなることを
特徴とする発光素子アレイの駆動方法。2. A one-dimensional group consisting of one switch element and one light emitting element each having a gate electrode for controlling a threshold voltage or a threshold current and an anode electrode to which an external voltage or an external current is applied. Are arranged in a two-dimensional or three-dimensional manner, and the gate electrode of each switch element is paired with the gate electrode of at least one switch element located near this switch element and each switch element. For connecting the gate electrode of the light emitting element through an electric means to form a network wiring, and transferring the ON state of the switch element and the light emitting state of the light emitting element to another set of the switch element and the light emitting element, respectively. A plurality of clock lines for individually applying the first group of clock pulses, which are signals, are connected to the anodes of the switch elements. Driving a light emitting element array in which a current source is connected to the poles one by one and supplies a second group of clock pulses that is a signal for increasing the light emission intensity of the light emitting element to the anode electrode of each light emitting element. In the method, all of the clock pulses of the first group are shaped pulses and are phase shift pulses that do not overlap each other in low level time, and the low level time of the clock pulses of the first group is the switch. It is a minimum time required to turn off the element or a time longer than the high level time of the clock pulse of the first group, and the clock pulse of the second group is generated by the corresponding light emitting element. A light emitting element array which is in a light emitting state and is at a high level only when the emission intensity of the light emitting element which is emitting light at that time is increased. Method of driving a.
子の発光状態を他の発光素子に転送するのに必要な最小
限の本数である請求項１又は２記載の発光素子アレイの
駆動方法。3. The method for driving a light emitting element array according to claim 1, wherein the number of the clock lines is the minimum number required to transfer the light emitting state of the light emitting element to another light emitting element.
子の発光状態を他の発光素子に転送するのに必要な最小
限の本数よりも多い本数である請求項１又は２記載の発
光素子アレイの駆動方法。4. The light emitting element array according to claim 1, wherein the number of the clock lines is greater than the minimum number required to transfer the light emitting state of the light emitting element to another light emitting element. Driving method.
間が１μｓ以上かつ１０μｓ以下である請求項１、２、
３または４記載の発光素子アレイの駆動方法。5. The low level time of the first clock pulse is not less than 1 μs and not more than 10 μs.
3. The method for driving the light emitting element array according to 3 or 4.
発光素子の発光強度と、その発光強度が増大させられた
時間との積が、光プリンタの感光ドラムを感光させるた
めの最低値、又はそれ以上であってそれに十分近い値で
ある請求項１、２、３、４または５記載の発光素子アレ
イの駆動方法。6. The product of the emission intensity of the light emitting element when the emission intensity is increased and the time when the emission intensity is increased is the minimum value for exposing the photosensitive drum of the optical printer to light, 6. The method for driving a light-emitting element array according to claim 1, wherein the value is not less than that and is sufficiently close to it.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8627891A JP2846135B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Driving method of light emitting element array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8627891A JP2846135B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Driving method of light emitting element array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0584971A true JPH0584971A (en) | 1993-04-06 |
| JP2846135B2 JP2846135B2 (en) | 1999-01-13 |
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ID=13882359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8627891A Expired - Fee Related JP2846135B2 (en) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Driving method of light emitting element array |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2846135B2 (en) |
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