JPH0582329A - 酸化物系超電導体コイルの製造方法 - Google Patents
酸化物系超電導体コイルの製造方法Info
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- JPH0582329A JPH0582329A JP24147791A JP24147791A JPH0582329A JP H0582329 A JPH0582329 A JP H0582329A JP 24147791 A JP24147791 A JP 24147791A JP 24147791 A JP24147791 A JP 24147791A JP H0582329 A JPH0582329 A JP H0582329A
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- oxide
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- shaped
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は、緻密な酸化物系超電導体を有し、し
かも高い磁場の発生が可能である酸化物系超電導体コイ
ルの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】酸化物系超電導体原料をドクターブレード法に
より成形して略Ｃ字形状の１ターンのコイル状体１１を
作製し、前記コイル状体１１をグリーンシートの状態で
スリット１２を有するセラミックス基板上に銀層１３を
介して配置して単層コイル１を作製し、各層の前記コイ
ル状体１１を前記スリット１２を通じて接触させるよう
にして複数の前記単層コイル１を積層し、前記コイル状
体１１を焼結すると共に各層の前記コイル状体１１を超
電導接続することを特徴としている。
かも高い磁場の発生が可能である酸化物系超電導体コイ
ルの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】酸化物系超電導体原料をドクターブレード法に
より成形して略Ｃ字形状の１ターンのコイル状体１１を
作製し、前記コイル状体１１をグリーンシートの状態で
スリット１２を有するセラミックス基板上に銀層１３を
介して配置して単層コイル１を作製し、各層の前記コイ
ル状体１１を前記スリット１２を通じて接触させるよう
にして複数の前記単層コイル１を積層し、前記コイル状
体１１を焼結すると共に各層の前記コイル状体１１を超
電導接続することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物系超電導体コイ
ルの製造方法に関する。
ルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年より、臨界温度が液体窒素温度を超
えるＹ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系等の酸化物系超電導体が知ら
れており、これらの酸化物系超電導材料を応用するため
に、これらの材料を線状体、棒状バルク体、膜状成形体
等の種々の形状に成形することが検討されている。特
に、超電導マグネットに応用するためにコイルを作製す
る場合には、一般に金属シース法により酸化物系超電導
材料を線材化した後、これをソレノイドあるいは渦巻状
に成型する。あるいは、あらかじめ酸化物系超電導材料
を棒状バルク体や膜状成形体をコイル状に成形した後に
これを焼成する。
えるＹ系、Ｂｉ系、Ｔｌ系等の酸化物系超電導体が知ら
れており、これらの酸化物系超電導材料を応用するため
に、これらの材料を線状体、棒状バルク体、膜状成形体
等の種々の形状に成形することが検討されている。特
に、超電導マグネットに応用するためにコイルを作製す
る場合には、一般に金属シース法により酸化物系超電導
材料を線材化した後、これをソレノイドあるいは渦巻状
に成型する。あるいは、あらかじめ酸化物系超電導材料
を棒状バルク体や膜状成形体をコイル状に成形した後に
これを焼成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属シ
ース法を用いた場合、線材をソレノイドコイル用に断面
が円形である丸線にしたときに、酸化物系超電導体の結
晶配向が強くならない。このため、高い臨界電流値を示
す超電導体コイルを得ることができない。酸化物系超電
導体に強い結晶配向性を持たせるためには、テープ状の
線材にすることが好ましい。このテープ状の線材を用い
てコイルを作製するといわゆるパンケーキ状のコイルと
なる。このコイルは、臨界電流密度の高いｃ面方向に平
行な方向に磁場が加わる中心部では高い特性が得られる
が、端部では磁場の回り込みによりｃ面方向に垂直な方
向に磁場が加わるので特性が低くなる。
ース法を用いた場合、線材をソレノイドコイル用に断面
が円形である丸線にしたときに、酸化物系超電導体の結
晶配向が強くならない。このため、高い臨界電流値を示
す超電導体コイルを得ることができない。酸化物系超電
導体に強い結晶配向性を持たせるためには、テープ状の
線材にすることが好ましい。このテープ状の線材を用い
てコイルを作製するといわゆるパンケーキ状のコイルと
なる。このコイルは、臨界電流密度の高いｃ面方向に平
行な方向に磁場が加わる中心部では高い特性が得られる
が、端部では磁場の回り込みによりｃ面方向に垂直な方
向に磁場が加わるので特性が低くなる。
【０００４】また、いずれの場合でも金属シース法を用
いると加工上の制約から線材における金属の割合を低く
することが難しい。このため、金属シース法を用いて得
られた線材からなる超電導体コイルは、いわゆるパッキ
ングファクターが低いという欠点がある。
いると加工上の制約から線材における金属の割合を低く
することが難しい。このため、金属シース法を用いて得
られた線材からなる超電導体コイルは、いわゆるパッキ
ングファクターが低いという欠点がある。
【０００５】一方、バルク体や膜状成形体を用いた超電
導体コイルでは、これらの欠点はある程度回避できる
が、１層の渦巻状コイルでは高い磁場を発生できない。
また、高い磁場を発生させるために、複数の渦巻状コイ
ルを積層するとそれぞれの層間における接続が困難であ
る等の欠点がある。
導体コイルでは、これらの欠点はある程度回避できる
が、１層の渦巻状コイルでは高い磁場を発生できない。
また、高い磁場を発生させるために、複数の渦巻状コイ
ルを積層するとそれぞれの層間における接続が困難であ
る等の欠点がある。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、緻密な酸化物系超電導体を有し、しかも高い磁場
の発生が可能である酸化物系超電導体コイルを得ること
ができる酸化物系超電導体コイルの製造方法を提供する
ことを目的とする。
あり、緻密な酸化物系超電導体を有し、しかも高い磁場
の発生が可能である酸化物系超電導体コイルを得ること
ができる酸化物系超電導体コイルの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物系超電
導体原料をドクターブレード法により成形して略Ｃ字形
状の１ターンのコイル状体を作製し、前記コイル状体を
グリーンシートの状態でスリットを有するセラミックス
基板上に銀層を介して配置して単層コイルを作製し、各
層の前記コイル状体を前記スリットを通じて接触させる
ようにして複数の前記単層コイルを積層し、前記コイル
状体を焼結すると共に各層の前記コイル状体を超電導接
続することを特徴とする酸化物系超電導体コイルの製造
方法を提供する。
導体原料をドクターブレード法により成形して略Ｃ字形
状の１ターンのコイル状体を作製し、前記コイル状体を
グリーンシートの状態でスリットを有するセラミックス
基板上に銀層を介して配置して単層コイルを作製し、各
層の前記コイル状体を前記スリットを通じて接触させる
ようにして複数の前記単層コイルを積層し、前記コイル
状体を焼結すると共に各層の前記コイル状体を超電導接
続することを特徴とする酸化物系超電導体コイルの製造
方法を提供する。
【０００８】ここで、酸化物系超電導体としては、Ｒｎ
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （ＲｎはＹおよび稀土類元素）系、
Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 、（Ｂｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2
Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10等のＢｉ系、Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａ2 Ｃｕ
3 Ｏ10、ＴｌＢａ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ8.5 等のＴｌ系の酸
化物系超電導体を用いることができる。これらの材料
は、液体窒素温度を超える臨界温度（Ｔｃ）を有し、高
い臨界電流密度（Ｊｃ）を示すので使用に適している。
Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （ＲｎはＹおよび稀土類元素）系、
Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8 、（Ｂｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2
Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ10等のＢｉ系、Ｔｌ2 Ｂａ2 Ｃａ2 Ｃｕ
3 Ｏ10、ＴｌＢａ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ8.5 等のＴｌ系の酸
化物系超電導体を用いることができる。これらの材料
は、液体窒素温度を超える臨界温度（Ｔｃ）を有し、高
い臨界電流密度（Ｊｃ）を示すので使用に適している。
【０００９】セラミックス基板の材料としては、電気絶
縁性に優れ、酸化物系超電導体との反応性の低いＭｇ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＹＳＺ（イットリア安定化
ジルコニア）、ＳｒＴｉＯ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＡｌＧａ
Ｏ3 等を用いることができる。
縁性に優れ、酸化物系超電導体との反応性の低いＭｇ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＹＳＺ（イットリア安定化
ジルコニア）、ＳｒＴｉＯ3 、ＢａＺｒＯ3 、ＡｌＧａ
Ｏ3 等を用いることができる。
【００１０】酸化物系超電導体とセラミックス基板との
間に介在させる銀の代わりに使用することができる金属
としては、金、白金等の貴金属が考えられる。
間に介在させる銀の代わりに使用することができる金属
としては、金、白金等の貴金属が考えられる。
【００１１】図１は２層の酸化物系超電導体コイルを示
す概略図である。図中１０はコア部に相当する円形の穴
を有する円盤状のセラミックス基板を示す。セラミック
ス基板１０上には、銀シートを介してドクターブレード
法により成形された酸化物系超電導体からなる略Ｃ字形
状である１ターンのコイル状体１１が配置されている。
なお、銀シートはコイル状体１１と同じ形状となるよう
に作製されている。また、セラミックス基板１０にはス
リット１２が形成されており、このスリット１２におい
て、上層のコイル状体１１ａの端部と下層のコイル状体
１１ｂの端部が超電導接合されている。
す概略図である。図中１０はコア部に相当する円形の穴
を有する円盤状のセラミックス基板を示す。セラミック
ス基板１０上には、銀シートを介してドクターブレード
法により成形された酸化物系超電導体からなる略Ｃ字形
状である１ターンのコイル状体１１が配置されている。
なお、銀シートはコイル状体１１と同じ形状となるよう
に作製されている。また、セラミックス基板１０にはス
リット１２が形成されており、このスリット１２におい
て、上層のコイル状体１１ａの端部と下層のコイル状体
１１ｂの端部が超電導接合されている。
【００１２】図２は本発明により製造された５層の超電
導体コイルの断面図である。各単層コイル１において、
セラミックス基板１０上に略Ｃ字形状に作製された銀シ
ート１３配置されており、その銀シート１３上に酸化物
系超電導体からなる略Ｃ字形状の１ターンのコイル状体
１１配置されている。セラミックス基板１０は、コイル
状体１１の起点または終点、すなわち端部に対応する部
分にスリット１２が形成されている。このように構成さ
れている単層コイル１が５層に積層されている。この場
合、スリット１２にコイル状体１１および銀シート１３
の端部が位置するようにする。
導体コイルの断面図である。各単層コイル１において、
セラミックス基板１０上に略Ｃ字形状に作製された銀シ
ート１３配置されており、その銀シート１３上に酸化物
系超電導体からなる略Ｃ字形状の１ターンのコイル状体
１１配置されている。セラミックス基板１０は、コイル
状体１１の起点または終点、すなわち端部に対応する部
分にスリット１２が形成されている。このように構成さ
れている単層コイル１が５層に積層されている。この場
合、スリット１２にコイル状体１１および銀シート１３
の端部が位置するようにする。
【００１３】各単層コイル１のコイル状体１１は、スリ
ット１２において酸化物系超電導体１４により超電導接
続されている。なお、スリット１２において超電導接続
されているコイル状体１１にも銀シート１３ａが配置さ
れている。そのため、スリット１２を含むコイル状体１
１の全長にわたって銀シート１３が存在することにな
る。また、スリット１２における銀シート１３ａには電
気絶縁の目的でセラミックス基板と同質のセラミックス
層１５が形成されている。このセラミックス層１５は、
スリット１２における銀シート１３ａに位置するので、
グリーンシート状態で形成するか、または銀シートに厚
膜コーティング法により形成する。
ット１２において酸化物系超電導体１４により超電導接
続されている。なお、スリット１２において超電導接続
されているコイル状体１１にも銀シート１３ａが配置さ
れている。そのため、スリット１２を含むコイル状体１
１の全長にわたって銀シート１３が存在することにな
る。また、スリット１２における銀シート１３ａには電
気絶縁の目的でセラミックス基板と同質のセラミックス
層１５が形成されている。このセラミックス層１５は、
スリット１２における銀シート１３ａに位置するので、
グリーンシート状態で形成するか、または銀シートに厚
膜コーティング法により形成する。
【００１４】次に、本発明をその製造方法に沿って説明
する。
する。
【００１５】セラミックス基板は、上記に示す材料を乾
式一軸加圧プレス、ドクターブレード、ホットプレス等
の方法により板状体に成形し、これをドーナツ型円盤状
に切り出し焼結することにより作製される。この基板の
厚さは、コイル全体の外径により異なるが、パッキング
ファクターを考慮すると強度が許せばできるだけ薄いほ
うがよく、１０μｍ〜１mmであることが好ましい。ま
た、得られたセラミックス基板にはスリットを形成す
る。
式一軸加圧プレス、ドクターブレード、ホットプレス等
の方法により板状体に成形し、これをドーナツ型円盤状
に切り出し焼結することにより作製される。この基板の
厚さは、コイル全体の外径により異なるが、パッキング
ファクターを考慮すると強度が許せばできるだけ薄いほ
うがよく、１０μｍ〜１mmであることが好ましい。ま
た、得られたセラミックス基板にはスリットを形成す
る。
【００１６】酸化物系超電導体のグリーンシートは、ま
ず超電導体となし得る原料粉末にポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、セルロ
ースアセテートブチレート、または石油レジン等のバイ
ンダー、フタル酸エステル、ジブチルフタレート等の可
塑剤、および脂肪酸、ベンゼンスルホン酸、界面活性剤
等の解膠剤（分散剤）を加え、さらにアセトン、トルエ
ン、エタノール、ベンゼン、プロピルアルコール、トリ
クロロエチレン等の有機溶剤を単独あるいは２〜３種混
合して加えて混練してスラリーとし、このスラリーをド
クターブレード装置に供給して成形することにより作製
される。
ず超電導体となし得る原料粉末にポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、セルロ
ースアセテートブチレート、または石油レジン等のバイ
ンダー、フタル酸エステル、ジブチルフタレート等の可
塑剤、および脂肪酸、ベンゼンスルホン酸、界面活性剤
等の解膠剤（分散剤）を加え、さらにアセトン、トルエ
ン、エタノール、ベンゼン、プロピルアルコール、トリ
クロロエチレン等の有機溶剤を単独あるいは２〜３種混
合して加えて混練してスラリーとし、このスラリーをド
クターブレード装置に供給して成形することにより作製
される。
【００１７】このグリーンシートを図１に示したような
１ターンのコイル状体を切り出す。一方、銀シートを同
一形状の１ターンのコイル状に切り出す。コイル状体と
銀シートを重ね合わせ、セラミックス基板上に配して単
層のコイルを作製し、これを所望数積層し、これを最終
的に焼成する。なお、焼成後の酸化物系超電導体層の厚
さは、１０μｍ〜１mm程度とする。また、銀シートの厚
さは酸化物系超電導体層の厚さよりも薄くすることが好
ましい。なお、銀シートは、あらかじめ溶接して繋げて
おく。また、スリットの銀シートには厚膜コーティング
法等により電気絶縁用のセラミックス層を形成する。
１ターンのコイル状体を切り出す。一方、銀シートを同
一形状の１ターンのコイル状に切り出す。コイル状体と
銀シートを重ね合わせ、セラミックス基板上に配して単
層のコイルを作製し、これを所望数積層し、これを最終
的に焼成する。なお、焼成後の酸化物系超電導体層の厚
さは、１０μｍ〜１mm程度とする。また、銀シートの厚
さは酸化物系超電導体層の厚さよりも薄くすることが好
ましい。なお、銀シートは、あらかじめ溶接して繋げて
おく。また、スリットの銀シートには厚膜コーティング
法等により電気絶縁用のセラミックス層を形成する。
【００１８】また、スリットに配置して超電導接合に供
される酸化物系超電導体は、上記と同様にドクターブレ
ード法により作製したグリーンシートから切り出すこと
により作製する。この酸化物系超電導体は最終焼成時に
コイル状体と一体化し、各層のコイル状体を超電導接合
する。
される酸化物系超電導体は、上記と同様にドクターブレ
ード法により作製したグリーンシートから切り出すこと
により作製する。この酸化物系超電導体は最終焼成時に
コイル状体と一体化し、各層のコイル状体を超電導接合
する。
【００１９】
【作用】本発明の酸化物系超電導体コイルの製造方法に
よれば、ドクターブレード法を用いているので酸化物系
超電導体をコイル状に成形しても緻密で結晶配向性に優
れ、高い臨界電流密度を発揮せしめることができる。こ
れにより、本発明の方法により得られた超電導体コイル
は、優れたコイル特性を発揮する。
よれば、ドクターブレード法を用いているので酸化物系
超電導体をコイル状に成形しても緻密で結晶配向性に優
れ、高い臨界電流密度を発揮せしめることができる。こ
れにより、本発明の方法により得られた超電導体コイル
は、優れたコイル特性を発揮する。
【００２０】また、酸化物系超電導体とセラミックス基
板との間に銀層を介在させることにより、酸化物系超電
導体とセラミックス基板との反応を抑え、酸化物系超電
導体を有効に配向させ、しかも超電導体コイル全体を安
定化させる。
板との間に銀層を介在させることにより、酸化物系超電
導体とセラミックス基板との反応を抑え、酸化物系超電
導体を有効に配向させ、しかも超電導体コイル全体を安
定化させる。
【００２１】さらに、スリットを用いて各単層コイル間
の酸化物系超電導体を超電導接続しているので、接続部
分における電流損失等を抑えることができる。
の酸化物系超電導体を超電導接続しているので、接続部
分における電流損失等を抑えることができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００２３】実施例１ Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯ等の一次
原料粉をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕがモル比で２：２：
１：２となるように配合し混合した後、混合した原料粉
を８００℃×２０時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒
径５μｍの仮焼粉とした。この仮焼粉１ｋｇに、界面活
性剤（セラモＤ−１８）５０ｇを配合したトルエン−５
０％エタノール溶液４００cm3 を加え、５時間混合した
後にさらにポリビニルブチラール５０ｇ、フタル酸エス
テル２０ｇ、および界面活性剤（セラモＤ−１８）５ｇ
を加え、これを２４時間混練してスラリーとした。この
スラリーをドクターブレード装置でシート状に成形し
た。得られた成形体、すなわちグリーンシートの厚さは
５００μｍであった。
原料粉をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕがモル比で２：２：
１：２となるように配合し混合した後、混合した原料粉
を８００℃×２０時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒
径５μｍの仮焼粉とした。この仮焼粉１ｋｇに、界面活
性剤（セラモＤ−１８）５０ｇを配合したトルエン−５
０％エタノール溶液４００cm3 を加え、５時間混合した
後にさらにポリビニルブチラール５０ｇ、フタル酸エス
テル２０ｇ、および界面活性剤（セラモＤ−１８）５ｇ
を加え、これを２４時間混練してスラリーとした。この
スラリーをドクターブレード装置でシート状に成形し
た。得られた成形体、すなわちグリーンシートの厚さは
５００μｍであった。
【００２４】このグリーンシートを打ち抜いて、外径約
７０mm、内径約３０mm、線幅２０mmである略Ｃ字形状の
１ターンのコイル状体を４０個作製した。また、厚さ１
００μｍの銀シートを打ち抜いて、上記渦巻状コイルと
同一寸法、すなわち外径約７０mm、内径約３０mm、線幅
２０mmである略Ｃ字形状の１ターンの銀シートを４０個
作製した。この銀シートを溶接して繋げて連続した４０
タ−ンの銀シートとした。
７０mm、内径約３０mm、線幅２０mmである略Ｃ字形状の
１ターンのコイル状体を４０個作製した。また、厚さ１
００μｍの銀シートを打ち抜いて、上記渦巻状コイルと
同一寸法、すなわち外径約７０mm、内径約３０mm、線幅
２０mmである略Ｃ字形状の１ターンの銀シートを４０個
作製した。この銀シートを溶接して繋げて連続した４０
タ−ンの銀シートとした。
【００２５】一方、厚さ２００μｍのＹＳＺ基板にレー
ザ加工を施して、内径２９mmφ、外径７２mmφである４
０枚のドーナツ型円盤状体を作製した。このドーナツ型
円盤状体に幅１０mmのスリットを形成した。このスリッ
トには上述の酸化物系超電導体のグリーンシートをスリ
ットの寸法に切り出して配置した。また、銀シートのス
リットに対応する領域に酸化物系超電導体と同様にして
作製したＹＳＺのグリーンシートを被着して電気絶縁用
のセラミックス層を形成した。
ザ加工を施して、内径２９mmφ、外径７２mmφである４
０枚のドーナツ型円盤状体を作製した。このドーナツ型
円盤状体に幅１０mmのスリットを形成した。このスリッ
トには上述の酸化物系超電導体のグリーンシートをスリ
ットの寸法に切り出して配置した。また、銀シートのス
リットに対応する領域に酸化物系超電導体と同様にして
作製したＹＳＺのグリーンシートを被着して電気絶縁用
のセラミックス層を形成した。
【００２６】上述のコイル状体、銀シート、およびＹＳ
Ｚ基板を図２に示すように重ね合わせて単層コイルを作
製し、この単層コイルを４０層に積層した。このように
積層したコイルを酸素気流中で９００℃×１時間＋８５
０℃×５０時間焼成し、超電導体コイルとした。
Ｚ基板を図２に示すように重ね合わせて単層コイルを作
製し、この単層コイルを４０層に積層した。このように
積層したコイルを酸素気流中で９００℃×１時間＋８５
０℃×５０時間焼成し、超電導体コイルとした。
【００２７】この超電導体コイルについて液体ヘリウム
中における特性を評価した結果、Ｉｃ（臨界電流）が３
０００Ａであり、最大発生磁場３Ｔ（テスラ）を示し
た。
中における特性を評価した結果、Ｉｃ（臨界電流）が３
０００Ａであり、最大発生磁場３Ｔ（テスラ）を示し
た。
【００２８】実施例２ Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯ等の一次原料粉をＹ：Ｂ
ａ：Ｃｕがモル比で１：２：３になるように配合し混合
した後、混合した原料粉を酸素気流中で８５０℃×１０
時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒径５μｍの仮焼粉
とした。この仮焼粉１ｋｇを実施例１と同様にしてスラ
リーとし、ドクターブレード装置で厚さ５００μｍのグ
リーンシートを作製した。このグリーンシートを実施例
１と同様の方法でコイル状体を作製し、さらに銀シート
およびＹＳＺ基板を実施例１と同様にして作製し、これ
らを重ね合わせて積層して内径２９mmφ、外径７２mmφ
である４０層のコイルとした。これを酸素気流中で９２
０℃×１０時間焼成し超電導体コイルとした。
ａ：Ｃｕがモル比で１：２：３になるように配合し混合
した後、混合した原料粉を酸素気流中で８５０℃×１０
時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒径５μｍの仮焼粉
とした。この仮焼粉１ｋｇを実施例１と同様にしてスラ
リーとし、ドクターブレード装置で厚さ５００μｍのグ
リーンシートを作製した。このグリーンシートを実施例
１と同様の方法でコイル状体を作製し、さらに銀シート
およびＹＳＺ基板を実施例１と同様にして作製し、これ
らを重ね合わせて積層して内径２９mmφ、外径７２mmφ
である４０層のコイルとした。これを酸素気流中で９２
０℃×１０時間焼成し超電導体コイルとした。
【００２９】この超電導体コイルについて液体ヘリウム
中における特性を実施例１と同様にして評価した結果、
Ｉｃが１０００Ａであり、最大発生磁場１Ｔを示した。
中における特性を実施例１と同様にして評価した結果、
Ｉｃが１０００Ａであり、最大発生磁場１Ｔを示した。
【００３０】比較例 Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯ等の一次
原料粉をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕがモル比で２：２：
１：２となるように配合し混合した後、混合した原料粉
を８００℃×２０時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒
径５μｍの仮焼粉とした。この仮焼粉１ｋｇを実施例１
と同様にしてスラリーとし、このスラリーをＹＳＺ基板
上にスクリーン印刷して、厚さ５０μｍ、幅２０mmであ
る１ターンのコイル状体を形成した。このコイル状体を
４０個積層した。このように積層したコイルを酸素気流
中で９００×１時間＋８５０℃×５０時間焼成し超電導
体コイルとした。なお、各渦巻状コイル間は、各層にお
いて内側と外側で交互にＰｂ−Ｓｎ系半田で接続した。
原料粉をＢｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕがモル比で２：２：
１：２となるように配合し混合した後、混合した原料粉
を８００℃×２０時間仮焼し、仮焼体を粉砕して平均粒
径５μｍの仮焼粉とした。この仮焼粉１ｋｇを実施例１
と同様にしてスラリーとし、このスラリーをＹＳＺ基板
上にスクリーン印刷して、厚さ５０μｍ、幅２０mmであ
る１ターンのコイル状体を形成した。このコイル状体を
４０個積層した。このように積層したコイルを酸素気流
中で９００×１時間＋８５０℃×５０時間焼成し超電導
体コイルとした。なお、各渦巻状コイル間は、各層にお
いて内側と外側で交互にＰｂ−Ｓｎ系半田で接続した。
【００３１】この超電導体コイルについて液体ヘリウム
中における特性を実施例１と同様にして評価した結果、
酸化物系超電導体部分の結晶配向性が良くないこと、お
よび各層を半田で接続していること等により通電電流が
８０Ａと少なく、１２００Ｇ（ガウス）の最大発生磁場
しか得られなかった。
中における特性を実施例１と同様にして評価した結果、
酸化物系超電導体部分の結晶配向性が良くないこと、お
よび各層を半田で接続していること等により通電電流が
８０Ａと少なく、１２００Ｇ（ガウス）の最大発生磁場
しか得られなかった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の酸化物系超電
導体コイルの製造方法は、緻密な酸化物系超電導体を有
し、しかも高い磁場の発生が可能である酸化物系超電導
体コイルを得ることができる。
導体コイルの製造方法は、緻密な酸化物系超電導体を有
し、しかも高い磁場の発生が可能である酸化物系超電導
体コイルを得ることができる。
【図１】本発明の方法により得られた酸化物系超電導体
コイルの概略図。
コイルの概略図。
【図２】図１に示す酸化物系超電導体コイルの断面図。
１…単層コイル、１０…セラミックス基板、１１…コイ
ル状体、１２…スリット、１３…銀シート、１４…酸化
物系超電導体、１５…セラミックス層。
ル状体、１２…スリット、１３…銀シート、１４…酸化
物系超電導体、１５…セラミックス層。
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物系超電導体原料をドクターブレー
ド法により成形して略Ｃ字形状の１ターンのコイル状体
を作製し、前記コイル状体をグリーンシートの状態でス
リットを有するセラミックス基板上に銀層を介して配置
して単層コイルを作製し、各層の前記コイル状体を前記
スリットを通じて接触させるようにして複数の前記単層
コイルを積層し、前記コイル状体を焼結すると共に各層
の前記コイル状体を超電導接続することを特徴とする酸
化物系超電導体コイルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24147791A JPH0582329A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物系超電導体コイルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24147791A JPH0582329A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物系超電導体コイルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582329A true JPH0582329A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17074901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24147791A Pending JPH0582329A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物系超電導体コイルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8914557B2 (en) | 2005-12-16 | 2014-12-16 | Microsoft Corporation | Optimizing write and wear performance for a memory |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24147791A patent/JPH0582329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8914557B2 (en) | 2005-12-16 | 2014-12-16 | Microsoft Corporation | Optimizing write and wear performance for a memory |
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