JPH0580355A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0580355A JPH0580355A JP24221191A JP24221191A JPH0580355A JP H0580355 A JPH0580355 A JP H0580355A JP 24221191 A JP24221191 A JP 24221191A JP 24221191 A JP24221191 A JP 24221191A JP H0580355 A JPH0580355 A JP H0580355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance layer
- substrate
- liquid crystal
- lower electrode
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に
関し、下部電極のステップ部における素子の絶縁破壊等
の不良発生を防止しながら、マスク合せを容易にするこ
とができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことを課題としている。 【構成】非線形抵抗層14を補助基板21上に形成し、次い
で非線形抵抗層14上に下部電極13および素子基板12を形
成した後、補助基板21を非線形抵抗層14から剥離するこ
とにより、非線形抵抗層14が均一かつ平坦な層から構成
されるＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子11を形成
する。
関し、下部電極のステップ部における素子の絶縁破壊等
の不良発生を防止しながら、マスク合せを容易にするこ
とができる液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことを課題としている。 【構成】非線形抵抗層14を補助基板21上に形成し、次い
で非線形抵抗層14上に下部電極13および素子基板12を形
成した後、補助基板21を非線形抵抗層14から剥離するこ
とにより、非線形抵抗層14が均一かつ平坦な層から構成
されるＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子11を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置およびそ
の製造方法に係り、特に、液晶と液晶駆動電極間の各画
素毎に、液晶と直列に非線形抵抗素子を配置した液晶表
示装置およびその製造方法に関する。
の製造方法に係り、特に、液晶と液晶駆動電極間の各画
素毎に、液晶と直列に非線形抵抗素子を配置した液晶表
示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、ＭＩＭ（Metal Insurator Me
tal）素子において、下部電極上に非線形抵抗膜を形成
する場合、下部電極パターンの段差に対する非線形抵抗
膜成膜時のステップカレッジ性が問題となり、このステ
ップカレッジ性が悪いと素子の絶縁破壊を引起こすこと
になる。また、エッチング工程により下部電極をパター
ン形成する場合等は、エッチングテーパ面が素子の動作
に悪影響を与え、素子の不良・劣化を引起こすことにな
る。
tal）素子において、下部電極上に非線形抵抗膜を形成
する場合、下部電極パターンの段差に対する非線形抵抗
膜成膜時のステップカレッジ性が問題となり、このステ
ップカレッジ性が悪いと素子の絶縁破壊を引起こすこと
になる。また、エッチング工程により下部電極をパター
ン形成する場合等は、エッチングテーパ面が素子の動作
に悪影響を与え、素子の不良・劣化を引起こすことにな
る。
【０００３】上述のような不具合を解消するものとし
て、例えば特開平１−２７００２７号公報および特開平
１−２８３５２４号公報に記載のものが知られている。
すなわち、前者の公報記載のものは、液晶駆動用のスイ
ッチング素子がＭＩＭ、ＭＳＩ（Metal Insulator Meta
l）の２端子素子であり、かつ素子に中間層を設けるこ
とにより素子電極のエッチングテーパ面が素子として利
用されないようにしている。また、後者の公報記載のも
のは、上記中間層として下部電極材料の酸化物を用いる
ようにしている。これらの素子構造は例えば図５、図６
のように示され、図５、図６中、１は素子基板、２は下
部電極、３は非線形抵抗層、４は上部電極、５は画素電
極、６は走査電極、７は中間層としての絶縁層である。
て、例えば特開平１−２７００２７号公報および特開平
１−２８３５２４号公報に記載のものが知られている。
すなわち、前者の公報記載のものは、液晶駆動用のスイ
ッチング素子がＭＩＭ、ＭＳＩ（Metal Insulator Meta
l）の２端子素子であり、かつ素子に中間層を設けるこ
とにより素子電極のエッチングテーパ面が素子として利
用されないようにしている。また、後者の公報記載のも
のは、上記中間層として下部電極材料の酸化物を用いる
ようにしている。これらの素子構造は例えば図５、図６
のように示され、図５、図６中、１は素子基板、２は下
部電極、３は非線形抵抗層、４は上部電極、５は画素電
極、６は走査電極、７は中間層としての絶縁層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の液晶表示装置およびその製造方法にあって
は、一般的にはマスクを使ったフォトレジスト工程を用
いており、下部電極２のテーパ面を避けて精度良くマス
ク合せをする必要がある。このため、特にＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）等の高分子フィルムからなる
素子基板１上にＭＩＭ素子を形成する場合には、成膜プ
ロセスにおいてフィルムの収縮が生じ、精度良いマスク
の位置合せが困難になるといった問題点があった。
うな従来の液晶表示装置およびその製造方法にあって
は、一般的にはマスクを使ったフォトレジスト工程を用
いており、下部電極２のテーパ面を避けて精度良くマス
ク合せをする必要がある。このため、特にＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）等の高分子フィルムからなる
素子基板１上にＭＩＭ素子を形成する場合には、成膜プ
ロセスにおいてフィルムの収縮が生じ、精度良いマスク
の位置合せが困難になるといった問題点があった。
【０００５】そこで、本発明は、下部電極のステップ部
における素子の絶縁破壊等の不良発生を防止しながら、
マスク合せを容易にすることができる液晶表示装置およ
びその製造方法を提供することを課題としている。
における素子の絶縁破壊等の不良発生を防止しながら、
マスク合せを容易にすることができる液晶表示装置およ
びその製造方法を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
素子基板上に形成された下部電極、非線形抵抗層および
上部電極からなるＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素
子を、スイッチング素子として用いた液晶表示装置にお
いて、前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦な層から構成
されることを特徴とするものである。
素子基板上に形成された下部電極、非線形抵抗層および
上部電極からなるＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素
子を、スイッチング素子として用いた液晶表示装置にお
いて、前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦な層から構成
されることを特徴とするものである。
【０００７】請求項２記載の発明は、素子基板上に形成
された下部電極、非線形抵抗層および上部電極からなる
ＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子を、スイッチン
グ素子として用い、前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦
な層から構成される液晶表示装置の製造方法であって、
前記非線形抵抗層を補助基板上に形成する第１の工程
と、前記非線形抵抗層上に下部電極および素子基板を形
成する第２の工程と、該第２の工程の後、補助基板を非
線形抵抗層から剥離する第３の工程と、を有することを
特徴とするものである。
された下部電極、非線形抵抗層および上部電極からなる
ＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子を、スイッチン
グ素子として用い、前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦
な層から構成される液晶表示装置の製造方法であって、
前記非線形抵抗層を補助基板上に形成する第１の工程
と、前記非線形抵抗層上に下部電極および素子基板を形
成する第２の工程と、該第２の工程の後、補助基板を非
線形抵抗層から剥離する第３の工程と、を有することを
特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項２の前記第
１の工程において、所定の剥離液により除去される中間
層を補助基板と非線形抵抗層の間に形成し、前記第３の
工程において、前記所定の剥離液によって中間層を除去
することにより、補助基板を非線形抵抗層から剥離する
ようにしたことを特徴とするものである。請求項４記載
の発明は、請求項２の前記第１の工程における補助基板
を、所定の剥離液により除去される材料から構成し、前
記第３の工程において、前記所定の剥離液によって補助
基板を除去することにより、補助基板を非線形抵抗層か
ら剥離するようにしたことを特徴とするものである。
１の工程において、所定の剥離液により除去される中間
層を補助基板と非線形抵抗層の間に形成し、前記第３の
工程において、前記所定の剥離液によって中間層を除去
することにより、補助基板を非線形抵抗層から剥離する
ようにしたことを特徴とするものである。請求項４記載
の発明は、請求項２の前記第１の工程における補助基板
を、所定の剥離液により除去される材料から構成し、前
記第３の工程において、前記所定の剥離液によって補助
基板を除去することにより、補助基板を非線形抵抗層か
ら剥離するようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】請求項５記載の発明は、請求項２から請求
項４の何れか一つの前記第２の工程において、素子基板
を、高分子材料の注形、高分子材料の熱プレス、フィル
ム材の接着、または、ガラス材の接着により、形成する
ことを特徴とするものである。
項４の何れか一つの前記第２の工程において、素子基板
を、高分子材料の注形、高分子材料の熱プレス、フィル
ム材の接着、または、ガラス材の接着により、形成する
ことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載の発明では、非線形抵抗層が均
一、平坦に形成されたことにより、下部電極とのコンタ
クト部においてステップ部が形成されることなく、素子
が形成される。したがって、下部電極のステップ部にお
ける素子の絶縁破壊の発生が防止される。
一、平坦に形成されたことにより、下部電極とのコンタ
クト部においてステップ部が形成されることなく、素子
が形成される。したがって、下部電極のステップ部にお
ける素子の絶縁破壊の発生が防止される。
【００１１】請求項２から請求項５記載の発明では、請
求項１記載の液晶表示装置が製造されるとともに、素子
基板を後工程で形成するようになり、例えば高分子フィ
ルム上に成膜するとき等に生じる高分子フィルムの収縮
がなくなり、層間でのマスクのずれが防止される。
求項１記載の液晶表示装置が製造されるとともに、素子
基板を後工程で形成するようになり、例えば高分子フィ
ルム上に成膜するとき等に生じる高分子フィルムの収縮
がなくなり、層間でのマスクのずれが防止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１、図２は本発明に係る液晶表示装置およびその製造方
法の第１実施例を示す図である。なお、図１はＭＩＭ素
子形成部および図２は下部電極コンタクト部を示し、ま
た、簡単にするため液晶層を含めた対向する側の構成の
図示は省略する。
１、図２は本発明に係る液晶表示装置およびその製造方
法の第１実施例を示す図である。なお、図１はＭＩＭ素
子形成部および図２は下部電極コンタクト部を示し、ま
た、簡単にするため液晶層を含めた対向する側の構成の
図示は省略する。
【００１３】まず、構成を説明する。図１（ｂ）、図２
（ｂ）において、11はスイッチング素子として用いられ
るＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子であり、ＭＩ
Ｍ素子11は素子基板12上に形成された下部電極13、非線
形抵抗層14および上部電極15からなる。非線形抵抗層14
は均一かつ平坦な層から構成される。なお、16は画素電
極である。
（ｂ）において、11はスイッチング素子として用いられ
るＭＩＭ（Metal Insurator Metal）素子であり、ＭＩ
Ｍ素子11は素子基板12上に形成された下部電極13、非線
形抵抗層14および上部電極15からなる。非線形抵抗層14
は均一かつ平坦な層から構成される。なお、16は画素電
極である。
【００１４】次に、上述のように構成される液晶表示装
置の製造方法の第１例を説明する。まず、図１（ａ）、
図２（ａ）に示すようにガラス基板等からなる補助基板
21上の全面に素子剥離用中間層（所定の中間層）22を均
一かつ平坦に形成し、素子剥離用中間層22上に非線形抵
抗層14を均一かつ平坦に成膜する（第１の工程）。次い
で、非線形抵抗層14上に所定パターンの下部電極13およ
び素子基板12を形成（第２の工程）した後、所定の剥離
液によって素子剥離用中間層22を除去することにより、
補助基板21を非線形抵抗層14から剥離する（第３の工
程）。そして、図１（ｂ）に示すように非線形抵抗層14
上に上部電極15および画素電極16を順次形成することに
より、ＭＩＭ素子11が形成される。また、下部電極コン
タクト部は剥離処理により図２（ｂ）に示すようにして
設けることができる。
置の製造方法の第１例を説明する。まず、図１（ａ）、
図２（ａ）に示すようにガラス基板等からなる補助基板
21上の全面に素子剥離用中間層（所定の中間層）22を均
一かつ平坦に形成し、素子剥離用中間層22上に非線形抵
抗層14を均一かつ平坦に成膜する（第１の工程）。次い
で、非線形抵抗層14上に所定パターンの下部電極13およ
び素子基板12を形成（第２の工程）した後、所定の剥離
液によって素子剥離用中間層22を除去することにより、
補助基板21を非線形抵抗層14から剥離する（第３の工
程）。そして、図１（ｂ）に示すように非線形抵抗層14
上に上部電極15および画素電極16を順次形成することに
より、ＭＩＭ素子11が形成される。また、下部電極コン
タクト部は剥離処理により図２（ｂ）に示すようにして
設けることができる。
【００１５】なお、補助基板21として、ガラス基板を用
いているが、これに限定されるものではなく、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネ
ート）、ポリエーテルサルフォン、ＰＡＲ（ポリアリレ
ート）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等の高
分子フィルムを用いてもよい。また、素子剥離用中間層
22としては、剥離液で除去することができる液状レジス
トやドライフィルムレジスト等を採用することができる
が、これらに限定されるものではなく、ＭＩＭ素子の特
性に影響を与えることなく、補助基板21と素子形成層を
容易に剥離することができるものであれば他のものでも
よい。さらに、素子基板11の形成方法としては、高分子
材料の注形や熱プレス、あるいは、フィルム材やガラス
板の接着等の方法を採用することができるが、これらに
限定されるものではなく、ＭＩＭ素子の特性に影響を与
えることなく、基板を形成することができるものであれ
ば他の方法であってもよい。上記高分子材料としては、
ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＡＲ等を採用することができるが、
これらに限定されるものではなく、耐熱性、可視透過性
を有し、強酸、強塩基に対する耐薬品性を有するもので
あれば他のものでもよい。
いているが、これに限定されるものではなく、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネ
ート）、ポリエーテルサルフォン、ＰＡＲ（ポリアリレ
ート）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等の高
分子フィルムを用いてもよい。また、素子剥離用中間層
22としては、剥離液で除去することができる液状レジス
トやドライフィルムレジスト等を採用することができる
が、これらに限定されるものではなく、ＭＩＭ素子の特
性に影響を与えることなく、補助基板21と素子形成層を
容易に剥離することができるものであれば他のものでも
よい。さらに、素子基板11の形成方法としては、高分子
材料の注形や熱プレス、あるいは、フィルム材やガラス
板の接着等の方法を採用することができるが、これらに
限定されるものではなく、ＭＩＭ素子の特性に影響を与
えることなく、基板を形成することができるものであれ
ば他の方法であってもよい。上記高分子材料としては、
ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＡＲ等を採用することができるが、
これらに限定されるものではなく、耐熱性、可視透過性
を有し、強酸、強塩基に対する耐薬品性を有するもので
あれば他のものでもよい。
【００１６】上述の実施例によれば、非線形抵抗層14を
均一かつ平坦に形成しているので、下部電極13とのコン
タクト部においてステップ部が形成されることなく、素
子を形成することができ、下部電極のステップ部におけ
る素子の絶縁破壊等の不良発生を防止することができ、
歩留りを向上することができる。また、理想的な平行平
板の構造となるため、素子特性が安定し、素子間の特性
のばらつきを防止することができる。
均一かつ平坦に形成しているので、下部電極13とのコン
タクト部においてステップ部が形成されることなく、素
子を形成することができ、下部電極のステップ部におけ
る素子の絶縁破壊等の不良発生を防止することができ、
歩留りを向上することができる。また、理想的な平行平
板の構造となるため、素子特性が安定し、素子間の特性
のばらつきを防止することができる。
【００１７】さらに、素子基板11を後工程で形成するた
め、例えば高分子フィルム上に成膜するとき等に生じる
該高分子フィルムの収縮を防止することができ、層間の
マスクのずれを防止することができる。したがって、マ
スク合せを容易にすることができる。次に、前述の液晶
表示装置の製造方法の第２例を図３、図４を参照しつつ
説明する。なお、図３はＭＩＭ素子形成部、図４は下部
電極形成部を示す。
め、例えば高分子フィルム上に成膜するとき等に生じる
該高分子フィルムの収縮を防止することができ、層間の
マスクのずれを防止することができる。したがって、マ
スク合せを容易にすることができる。次に、前述の液晶
表示装置の製造方法の第２例を図３、図４を参照しつつ
説明する。なお、図３はＭＩＭ素子形成部、図４は下部
電極形成部を示す。
【００１８】まず、図３、図４に示すように所定の剥離
液により除去される材料からなる補助基板31上に、非線
形抵抗層14を均一かつ平坦に成膜する（第１の工程）。
次いで、所定パターンの下部電極13および素子基板12を
形成（第２の工程）した後、所定の剥離液によって補助
基板31を除去することにより、補助基板31を非線形抵抗
層14から剥離する（第３の工程）。そして、非線形抵抗
層14上に上部電極15および画素電極16を順次形成するこ
とにより、ＭＩＭ素子11が形成される。
液により除去される材料からなる補助基板31上に、非線
形抵抗層14を均一かつ平坦に成膜する（第１の工程）。
次いで、所定パターンの下部電極13および素子基板12を
形成（第２の工程）した後、所定の剥離液によって補助
基板31を除去することにより、補助基板31を非線形抵抗
層14から剥離する（第３の工程）。そして、非線形抵抗
層14上に上部電極15および画素電極16を順次形成するこ
とにより、ＭＩＭ素子11が形成される。
【００１９】なお、補助基板31の材料としては、剥離液
で除去することができるドライフィルムレジスト等を採
用することができるが、これに限定されるものではな
く、ＭＩＭ素子の特性に影響を与えることなく、除去さ
れる材料であれば他のものでもよい。また、素子基板11
の形成方法は上述の第１例の形成方法と同様である。上
述の製造方法においても、前述の第１例による効果と同
様の効果を得ることができるのは勿論である。
で除去することができるドライフィルムレジスト等を採
用することができるが、これに限定されるものではな
く、ＭＩＭ素子の特性に影響を与えることなく、除去さ
れる材料であれば他のものでもよい。また、素子基板11
の形成方法は上述の第１例の形成方法と同様である。上
述の製造方法においても、前述の第１例による効果と同
様の効果を得ることができるのは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】請求項１から請求項５記載の発明によれ
ば、非線形抵抗層が均一かつ平坦に形成されるので、下
部電極のステップ部における素子の絶縁破壊等の不良発
生を防止することができ、歩留りを向上することができ
る。また、理想的な平行平板の構造となるので、素子特
性が安定し、素子間の特性のばらつきを防止することが
できる。さらに、素子基板を後工程で形成するので、層
間のマスクのずれを防止することができる。したがっ
て、マスク合せを容易にすることができる。
ば、非線形抵抗層が均一かつ平坦に形成されるので、下
部電極のステップ部における素子の絶縁破壊等の不良発
生を防止することができ、歩留りを向上することができ
る。また、理想的な平行平板の構造となるので、素子特
性が安定し、素子間の特性のばらつきを防止することが
できる。さらに、素子基板を後工程で形成するので、層
間のマスクのずれを防止することができる。したがっ
て、マスク合せを容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶表示装置のＭＩＭ素子部の製
造工程の第１例を示す図。
造工程の第１例を示す図。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の下部電極コンタク
ト部の製造工程の第１例を示す図。
ト部の製造工程の第１例を示す図。
【図３】本発明に係る液晶表示装置のＭＩＭ素子部の製
造工程の第２例を示す図。
造工程の第２例を示す図。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の下部電極コンタク
ト部の製造工程の第２例を示す図。
ト部の製造工程の第２例を示す図。
【図５】従来の液晶表示装置の要部概略上面図。
【図６】図５における液晶表示装置の要部断面図。
11 ＭＩＭ素子 12 素子基板 13 下部電極 14 非線形抵抗層 15 上部電極 21、31 補助基板 22 素子剥離用中間層（所定の中間層）
Claims (5)
- 【請求項１】素子基板上に形成された下部電極、非線形
抵抗層および上部電極からなるＭＩＭ（Metal Insurato
r Metal）素子を、スイッチング素子として用いた液晶
表示装置において、 前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦な層から構成される
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】素子基板上に形成された下部電極、非線形
抵抗層および上部電極からなるＭＩＭ（Metal Insurato
r Metal）素子を、スイッチング素子として用い、 前記非線形抵抗層が、均一かつ平坦な層から構成される
液晶表示装置の製造方法であって、 前記非線形抵抗層を補助基板上に形成する第１の工程
と、 前記非線形抵抗層上に下部電極および素子基板を形成す
る第２の工程と、 該第２の工程の後、補助基板を非線形抵抗層から剥離す
る第３の工程と、を有することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項３】前記第１の工程において、所定の剥離液に
より除去される中間層を補助基板と非線形抵抗層の間に
形成し、 前記第３の工程において、前記所定の剥離液によって中
間層を除去することにより、補助基板を非線形抵抗層か
ら剥離するようにしたことを特徴とする請求項２記載の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】前記第１の工程における補助基板を、所定
の剥離液により除去される材料から構成し、 前記第３の工程において、前記所定の剥離液によって補
助基板を除去することにより、補助基板を非線形抵抗層
から剥離するようにしたことを特徴とする請求項２記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】前記第２の工程において、素子基板を、高
分子材料の注形、高分子材料の熱プレス、フィルム材の
接着、または、ガラス材の接着により、形成することを
特徴とする請求項２から請求項４の何れか一つに記載の
液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24221191A JPH0580355A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24221191A JPH0580355A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580355A true JPH0580355A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17085903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24221191A Pending JPH0580355A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580355B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1993-11-08 | Fuji Kagaku Shikogyo |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24221191A patent/JPH0580355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580355B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1993-11-08 | Fuji Kagaku Shikogyo |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100303134B1 (ko) | 액정표시소자및그제조방법. | |
| KR970063783A (ko) | 반도체 장치 형성방법 | |
| JPH0580355A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US5246468A (en) | Method of fabricating a lateral metal-insulator-metal device compatible with liquid crystal displays | |
| US20070004108A1 (en) | Method and apparatus of fabricating liquid crystal display device | |
| JPH06214204A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH02215134A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS62153826A (ja) | カラ−液晶表示装置 | |
| JP3726492B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH10293326A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101045431B1 (ko) | 패턴 형성 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터 및액정표시장치 제조방법 | |
| JP2000047237A (ja) | 導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2857901B2 (ja) | 液晶表示素子用電極基板の製造方法 | |
| KR950012112A (ko) | 액정 디스플레이(lcd)용 칼라필터 및 그 제조방법 | |
| JPH03166519A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPH0283538A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR101386564B1 (ko) | 인쇄판 제작방법 | |
| JPS61121471A (ja) | 薄膜集積装置の製造方法 | |
| JPH01183628A (ja) | アクティブマトリックスアレイ | |
| JPH09197114A (ja) | カラーフィルタ形成基板の製造方法 | |
| JPH05119356A (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| KR940022143A (ko) | 액정표시장치 상부 판넬 제조방법 | |
| JPH02284119A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
| JPS62262890A (ja) | アクテイブマトリクス素子の製造方法 | |
| JPH09205236A (ja) | 薄膜ダイオード及びその製造方法 |