JPH0577462A - サーマルヘツドとその製造方法 - Google Patents
サーマルヘツドとその製造方法Info
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- JPH0577462A JPH0577462A JP27037991A JP27037991A JPH0577462A JP H0577462 A JPH0577462 A JP H0577462A JP 27037991 A JP27037991 A JP 27037991A JP 27037991 A JP27037991 A JP 27037991A JP H0577462 A JPH0577462 A JP H0577462A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性絶縁樹脂層で被われた基板を用いたサ
ーマルヘッドで、膜剥がれを防ぐ。 【構成】 ステンレス基板１上が端部までポリイミド層
２で被われ、その上にＳｉＯ2膜３が形成され、その上
に発熱体４ａ、共通電極５ａ、選択電極５ｂが形成され
ている。ＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，５ｂは
それらの端部が基板１の端部よりも内側に存在してい
る。保護膜６はＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，
５ｂの端部及びボンディングパッド部以外の表面を被う
ように形成されており、保護膜６の端部も基板１の端部
よりも内側に存在している。
ーマルヘッドで、膜剥がれを防ぐ。 【構成】 ステンレス基板１上が端部までポリイミド層
２で被われ、その上にＳｉＯ2膜３が形成され、その上
に発熱体４ａ、共通電極５ａ、選択電極５ｂが形成され
ている。ＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，５ｂは
それらの端部が基板１の端部よりも内側に存在してい
る。保護膜６はＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，
５ｂの端部及びボンディングパッド部以外の表面を被う
ように形成されており、保護膜６の端部も基板１の端部
よりも内側に存在している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやプリンタ
などに使用されるサーマルヘッドに関するものであり、
特に基板として表面がポリイミドなどの耐熱性絶縁樹脂
層で被われたものを用いたサーマルヘッドとその製造方
法に関するものである。
などに使用されるサーマルヘッドに関するものであり、
特に基板として表面がポリイミドなどの耐熱性絶縁樹脂
層で被われたものを用いたサーマルヘッドとその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に用いられているサーマルヘッド
では、基板としてセラミック基板の表面をガラス質のグ
レーズ層で被ったものが用いられている。その基板上に
発熱体、電極、保護膜が形成されて発熱基板が形成され
る。一方、ファクシミリにおけるＧ４規格や高速プリン
タに用いるために、ガラス質のグレーズ層で被われたセ
ラミック基板に代えてセラミックなどの絶縁板や金属板
上に保温層としてポリイミド層などの耐熱性絶縁樹脂層
を塗布した基板を用いたサーマルヘッドが提案されてい
る（特開昭５２−１００２４５号公報、特開昭５９−１
４２１６７号公報、特開昭６０−１６７５７４号公報、
特開平１−２２５５６８号公報、特開平２−３８０６０
号公報参照）。ポリイミド層を保温層とする基板を用い
たサーマルヘッドは高速印字や低エネルギー印字に好都
合である。
では、基板としてセラミック基板の表面をガラス質のグ
レーズ層で被ったものが用いられている。その基板上に
発熱体、電極、保護膜が形成されて発熱基板が形成され
る。一方、ファクシミリにおけるＧ４規格や高速プリン
タに用いるために、ガラス質のグレーズ層で被われたセ
ラミック基板に代えてセラミックなどの絶縁板や金属板
上に保温層としてポリイミド層などの耐熱性絶縁樹脂層
を塗布した基板を用いたサーマルヘッドが提案されてい
る（特開昭５２−１００２４５号公報、特開昭５９−１
４２１６７号公報、特開昭６０−１６７５７４号公報、
特開平１−２２５５６８号公報、特開平２−３８０６０
号公報参照）。ポリイミド層を保温層とする基板を用い
たサーマルヘッドは高速印字や低エネルギー印字に好都
合である。
【０００３】図１は保温層としての耐熱性絶縁樹脂層の
ポリイミド層と無機絶縁層のＳｉＯ2膜とを備えたサー
マルヘッドの一例を表わす。金属基板１上にポリイミド
層２が形成され、その上にＳｉＯ2膜３が形成されてい
る。ＳｉＯ2膜３上に抵抗体膜４がパターン化されて形
成され、その上に電極５がパターン化されて形成されて
いる。抵抗体膜４のうち共通電極５ａと選択電極５ｂと
から露出した部分４ａが発熱体となる。６は保護膜であ
る。
ポリイミド層と無機絶縁層のＳｉＯ2膜とを備えたサー
マルヘッドの一例を表わす。金属基板１上にポリイミド
層２が形成され、その上にＳｉＯ2膜３が形成されてい
る。ＳｉＯ2膜３上に抵抗体膜４がパターン化されて形
成され、その上に電極５がパターン化されて形成されて
いる。抵抗体膜４のうち共通電極５ａと選択電極５ｂと
から露出した部分４ａが発熱体となる。６は保護膜であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】絶縁板上や金属板上を
ポリイミドなどの耐熱性絶縁樹脂層で被った基板を用い
たサーマルヘッドの場合、一般には発熱基板は大判（例
えば４５ｍｍ×２７０ｍｍ）の基板上に複数個のサーマ
ルヘッド分の薄膜パターンや厚膜パターンが形成された
後、個々のサーマルヘッド用に切断される。切断された
サーマルヘッドでは、大判の基板から切り出されて端部
となった部分にはポリイミド層２とＳｉＯ2膜３の界面
が露出し、その露出した界面から水分が浸透して膜剥が
れなどを起こし、信頼性不良を起こす。ポリイミド層２
とＳｉＯ2膜３の間の付着力がこの構成では一番弱い。
その界面に水分が侵入する原因となっているのは、切断
の際に切断部へ力が集中して膜が変形するなど、各薄膜
間（ポリイミド層２とＳｉＯ2膜３間を含む）の付着力
が弱まったり、場合によっては完全に剥がれたりするこ
とによる。
ポリイミドなどの耐熱性絶縁樹脂層で被った基板を用い
たサーマルヘッドの場合、一般には発熱基板は大判（例
えば４５ｍｍ×２７０ｍｍ）の基板上に複数個のサーマ
ルヘッド分の薄膜パターンや厚膜パターンが形成された
後、個々のサーマルヘッド用に切断される。切断された
サーマルヘッドでは、大判の基板から切り出されて端部
となった部分にはポリイミド層２とＳｉＯ2膜３の界面
が露出し、その露出した界面から水分が浸透して膜剥が
れなどを起こし、信頼性不良を起こす。ポリイミド層２
とＳｉＯ2膜３の間の付着力がこの構成では一番弱い。
その界面に水分が侵入する原因となっているのは、切断
の際に切断部へ力が集中して膜が変形するなど、各薄膜
間（ポリイミド層２とＳｉＯ2膜３間を含む）の付着力
が弱まったり、場合によっては完全に剥がれたりするこ
とによる。
【０００５】大判基板の端部に位置するサーマルヘッド
ではもともと端部であるものも含まれるが、その部分で
も基板端部には応力が集中するため付着力が弱まってお
り、その端部でも膜剥がれをおこす可能性がある。本発
明は耐熱性絶縁樹脂層で被われた基板を用いたサーマル
ヘッドにおいて、膜剥がれによる信頼性の低下を防ぐこ
とを目的とするものである。
ではもともと端部であるものも含まれるが、その部分で
も基板端部には応力が集中するため付着力が弱まってお
り、その端部でも膜剥がれをおこす可能性がある。本発
明は耐熱性絶縁樹脂層で被われた基板を用いたサーマル
ヘッドにおいて、膜剥がれによる信頼性の低下を防ぐこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面が耐熱性
絶縁樹脂層を含む保温層で被われた基板上に少なくとも
抵抗体膜による発熱体と、この発熱体に電流を供給する
電極と、表面を保護する保護膜とを有するサーマルヘッ
ドにおいて、前記耐熱性絶縁樹脂層は基板端部まで存在
し、その耐熱性絶縁樹脂層上の各層の端部が基板端部よ
り内側に存在するようにしたものである。好ましい態様
によれば、耐熱性絶縁樹脂層上の各層は上層の端部が下
層の端部より外側にきて順次下層を被っている。
絶縁樹脂層を含む保温層で被われた基板上に少なくとも
抵抗体膜による発熱体と、この発熱体に電流を供給する
電極と、表面を保護する保護膜とを有するサーマルヘッ
ドにおいて、前記耐熱性絶縁樹脂層は基板端部まで存在
し、その耐熱性絶縁樹脂層上の各層の端部が基板端部よ
り内側に存在するようにしたものである。好ましい態様
によれば、耐熱性絶縁樹脂層上の各層は上層の端部が下
層の端部より外側にきて順次下層を被っている。
【０００７】基板としてはステンレスやアルミニウムな
どの金属基板のほかに、セラミックスを用いることもで
きる。耐熱性絶縁樹脂層としてはポリイミドやポリアミ
ド、ポリイミドアミドなどを用いることができる。硬質
無機絶縁膜は電極へのボンディング特性を向上させるの
が主な目的であり、そのような膜としてはＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やＴａ2Ｏ5などを用いることができ
る。この硬質無機絶縁膜は省略することもできる。抵抗
体膜としてはＴａＳｉＯ2やＴａＮなどのＴａ系抵抗体
膜その他の既知の抵抗体膜を用いることができる。電極
膜としてはアルミニウムや金、銅などを用いることがで
きる。保護膜としてはＳｉ3Ｎ4膜やＴａ2Ｏ5膜その他の
既知のものを用いることができる。
どの金属基板のほかに、セラミックスを用いることもで
きる。耐熱性絶縁樹脂層としてはポリイミドやポリアミ
ド、ポリイミドアミドなどを用いることができる。硬質
無機絶縁膜は電極へのボンディング特性を向上させるの
が主な目的であり、そのような膜としてはＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やＴａ2Ｏ5などを用いることができ
る。この硬質無機絶縁膜は省略することもできる。抵抗
体膜としてはＴａＳｉＯ2やＴａＮなどのＴａ系抵抗体
膜その他の既知の抵抗体膜を用いることができる。電極
膜としてはアルミニウムや金、銅などを用いることがで
きる。保護膜としてはＳｉ3Ｎ4膜やＴａ2Ｏ5膜その他の
既知のものを用いることができる。
【０００８】本発明のサーマルヘッドを製造する一方法
は、以下の工程（Ａ）から（Ｇ）を含んでいる。（Ａ）
大判の基板表面の全面に耐熱性絶縁樹脂層を形成する工
程、（Ｂ）その上に硬質無機絶縁体層を大判基板の切断
部と端部を除いた領域に形成する工程、（Ｃ）前記無機
絶縁体層を被い、かつ前記切断部と端部には至らない領
域に抵抗体膜を形成する工程、（Ｄ）抵抗体膜を被い、
かつ前記切断部と端部には至らない領域に電極膜を形成
する工程、（Ｅ）電極膜及び抵抗体膜にパターン化を施
して電極と発熱体を形成する工程、（Ｆ）前記切断部及
び端部には至らない領域に保護膜を形成する工程、
（Ｇ）前記切断部で大判基板を切断する工程。
は、以下の工程（Ａ）から（Ｇ）を含んでいる。（Ａ）
大判の基板表面の全面に耐熱性絶縁樹脂層を形成する工
程、（Ｂ）その上に硬質無機絶縁体層を大判基板の切断
部と端部を除いた領域に形成する工程、（Ｃ）前記無機
絶縁体層を被い、かつ前記切断部と端部には至らない領
域に抵抗体膜を形成する工程、（Ｄ）抵抗体膜を被い、
かつ前記切断部と端部には至らない領域に電極膜を形成
する工程、（Ｅ）電極膜及び抵抗体膜にパターン化を施
して電極と発熱体を形成する工程、（Ｆ）前記切断部及
び端部には至らない領域に保護膜を形成する工程、
（Ｇ）前記切断部で大判基板を切断する工程。
【０００９】
【作用】各薄膜層間の付着力を比較すると、ポリイミド
層などの耐熱性絶縁性樹脂層上にＳｉＯ2膜などの無機
絶縁膜層を設けている場合には、耐熱性絶縁性樹脂層と
無機絶縁膜層間の付着力が最も弱く、それに対して基板
と耐熱性絶縁性樹脂層間は信頼性的に問題がない。ただ
し、本発明には耐熱性絶縁性樹脂層上の無機絶縁膜層を
含まない場合もある。本発明により切断部や端部には耐
熱性絶縁性樹脂層以外の薄膜が存在しないので、耐熱性
絶縁性樹脂層とその上の薄膜との間の付着力が弱まった
り剥がれたりすることがなくなる。耐熱性絶縁樹脂層上
で上層が下層の端部を被うように形成されておれば、付
着力がより強まり、信頼性が高まる。
層などの耐熱性絶縁性樹脂層上にＳｉＯ2膜などの無機
絶縁膜層を設けている場合には、耐熱性絶縁性樹脂層と
無機絶縁膜層間の付着力が最も弱く、それに対して基板
と耐熱性絶縁性樹脂層間は信頼性的に問題がない。ただ
し、本発明には耐熱性絶縁性樹脂層上の無機絶縁膜層を
含まない場合もある。本発明により切断部や端部には耐
熱性絶縁性樹脂層以外の薄膜が存在しないので、耐熱性
絶縁性樹脂層とその上の薄膜との間の付着力が弱まった
り剥がれたりすることがなくなる。耐熱性絶縁樹脂層上
で上層が下層の端部を被うように形成されておれば、付
着力がより強まり、信頼性が高まる。
【００１０】
【実施例】図３は第１の実施例を表わす。図１と同一の
部分には同一の記号を用いる。基板１としてステンレス
板が用いられ、その表面は保温層としての耐熱性絶縁樹
脂層のポリイミド層２によって被われている。ポリイミ
ド層２は基板１上にポリイミド溶液をスピンコート法な
どにより塗布し、硬化させたものである。硬化後のポリ
イミド層２の膜厚は約１５μｍである。
部分には同一の記号を用いる。基板１としてステンレス
板が用いられ、その表面は保温層としての耐熱性絶縁樹
脂層のポリイミド層２によって被われている。ポリイミ
ド層２は基板１上にポリイミド溶液をスピンコート法な
どにより塗布し、硬化させたものである。硬化後のポリ
イミド層２の膜厚は約１５μｍである。
【００１１】ポリイミド層２上には付着強度を高めるた
めにＳｉＯ2膜３が５００〜３０００Åの厚さに形成さ
れている。ＳｉＯ2膜３上には抵抗体膜４と、全ての発
熱体４ａに通電用電源を供給する共通電極５ａ、及び発
熱体４ａを個別に選択する選択電極５ｂが形成されてい
る。ＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，５ｂはそれ
らの端部が基板１の端部よりも内側に存在するように形
成されている。保護膜６はＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、
電極５ａ，５ｂの端部及びボンディングパッド部以外の
表面を被うように形成されている。保護膜６の端部も基
板１の端部よりも内側に存在している。この発熱基板
は、例えば幅が４５ｍｍで長さが２７０ｍｍの大きさの
大判の基板を用い、複数個のサーマルヘッド用に発熱体
や電極が形成されたものをそれぞれのサーマルヘッド用
に切断して得られたものである。
めにＳｉＯ2膜３が５００〜３０００Åの厚さに形成さ
れている。ＳｉＯ2膜３上には抵抗体膜４と、全ての発
熱体４ａに通電用電源を供給する共通電極５ａ、及び発
熱体４ａを個別に選択する選択電極５ｂが形成されてい
る。ＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、電極５ａ，５ｂはそれ
らの端部が基板１の端部よりも内側に存在するように形
成されている。保護膜６はＳｉＯ2膜３、抵抗体膜４、
電極５ａ，５ｂの端部及びボンディングパッド部以外の
表面を被うように形成されている。保護膜６の端部も基
板１の端部よりも内側に存在している。この発熱基板
は、例えば幅が４５ｍｍで長さが２７０ｍｍの大きさの
大判の基板を用い、複数個のサーマルヘッド用に発熱体
や電極が形成されたものをそれぞれのサーマルヘッド用
に切断して得られたものである。
【００１２】図４は第２の実施例を表わす。ポリイミド
層２が基板１の端部にまで形成されている点は図３と同
じである。ＳｉＯ2膜３よりも抵抗体膜４の端部の方が
外側まで形成されてＳｉＯ2膜３の端部を被っており、
また電極５ａ，５ｂの端部が抵抗体膜４の端部よりも外
側に形成されて抵抗体膜４の端部を被っている点で図３
のものとは異なっている。保護膜６はさらに電極５ａ，
５ｂの外側よりも広い領域に形成されている。最も広い
領域に及ぶ保護膜６の端部も基板１の端部よりも内側に
存在している。
層２が基板１の端部にまで形成されている点は図３と同
じである。ＳｉＯ2膜３よりも抵抗体膜４の端部の方が
外側まで形成されてＳｉＯ2膜３の端部を被っており、
また電極５ａ，５ｂの端部が抵抗体膜４の端部よりも外
側に形成されて抵抗体膜４の端部を被っている点で図３
のものとは異なっている。保護膜６はさらに電極５ａ，
５ｂの外側よりも広い領域に形成されている。最も広い
領域に及ぶ保護膜６の端部も基板１の端部よりも内側に
存在している。
【００１３】次に、図３の実施例の製造方法を図５によ
り説明する。 （Ａ）基板１上にポリイミド層を２０〜４０μｍの厚さ
に塗布する。塗布方法にはディップ法やスピンコート法
など種々の方法を用いることができる。ポリイミド層を
ベーキングする。ベーキング温度は例えば初めに１３０
〜１５０℃でベーキングして半硬化状態とし、その後２
００℃に上げ、さらに３００〜３５０℃まで上げて全硬
化状態とする。全硬化状態となったポリイミド層２の膜
厚は塗布膜厚の約１／２に減少し、この場合１０〜２０
μｍ程度となる。ボンディング特性を上げるための硬質
無機絶縁膜としてＳｉＯ2膜３を１０００〜３０００Å
の厚さにスパッタリング法により堆積する。その上に抵
抗体膜４として例えばＴａＳｉＯ2膜を約５００Åの厚
さにスパッタリング法により堆積する。抵抗体膜４の厚
さは発熱体の抵抗値により設定する。その上に電極膜５
として例えばアルミニウム膜を約１．２μｍの厚さに蒸
着法により堆積する。
り説明する。 （Ａ）基板１上にポリイミド層を２０〜４０μｍの厚さ
に塗布する。塗布方法にはディップ法やスピンコート法
など種々の方法を用いることができる。ポリイミド層を
ベーキングする。ベーキング温度は例えば初めに１３０
〜１５０℃でベーキングして半硬化状態とし、その後２
００℃に上げ、さらに３００〜３５０℃まで上げて全硬
化状態とする。全硬化状態となったポリイミド層２の膜
厚は塗布膜厚の約１／２に減少し、この場合１０〜２０
μｍ程度となる。ボンディング特性を上げるための硬質
無機絶縁膜としてＳｉＯ2膜３を１０００〜３０００Å
の厚さにスパッタリング法により堆積する。その上に抵
抗体膜４として例えばＴａＳｉＯ2膜を約５００Åの厚
さにスパッタリング法により堆積する。抵抗体膜４の厚
さは発熱体の抵抗値により設定する。その上に電極膜５
として例えばアルミニウム膜を約１．２μｍの厚さに蒸
着法により堆積する。
【００１４】（Ｂ）写真製版とエッチングにより電極膜
５、抵抗体膜４をパターン化して電極５ａ，５ｂと発熱
体４ａを形成する。さらに、ＳｉＯ2膜３も切断部Ｃや
端部Ｅに残らないように除去する。その後、ＣＶＤ法や
スパッタリング法により保護膜を形成する。保護膜も切
断部Ｃや端部Ｅに残らないように写真製版とエッチング
によりパターン化する。その後、ダイシング法やスライ
シング法などにより基板１を切断して個々のサーマルヘ
ッドに分離する。
５、抵抗体膜４をパターン化して電極５ａ，５ｂと発熱
体４ａを形成する。さらに、ＳｉＯ2膜３も切断部Ｃや
端部Ｅに残らないように除去する。その後、ＣＶＤ法や
スパッタリング法により保護膜を形成する。保護膜も切
断部Ｃや端部Ｅに残らないように写真製版とエッチング
によりパターン化する。その後、ダイシング法やスライ
シング法などにより基板１を切断して個々のサーマルヘ
ッドに分離する。
【００１５】図４の実施例の製造方法を図６により説明
する。ポリイミド層２は図５と同様に形成する。ＳｉＯ
2膜３を堆積した後、写真製版とエッチングにより基板
の切断部と端部のＳｉＯ2膜を除去する。その後に抵抗
体膜を堆積し、写真製版とエッチングによりパターン化
を施して抵抗体膜の端部がＳｉＯ2膜３の端部よりも外
側に位置して抵抗体膜がＳｉＯ2膜３を被い、かつ抵抗
体膜が基板の切断部や端部に及ばないようにする。その
後、電極膜を堆積し、パターン化を施して電極膜の端部
が抵抗体膜の端部よりも外側になるように、かつ電極膜
も切断部や端部には存在しないようにする。写真製版と
エッチングにより電極膜と抵抗体膜にパターン化を施し
て共通電極、個別電極、及び発熱体を形成する。その
後、保護膜を電極領域を被う領域で、かつ基板の切断部
や端部に及ばない領域に形成する。その後、基板を個々
のサーマルヘッドに切断する。
する。ポリイミド層２は図５と同様に形成する。ＳｉＯ
2膜３を堆積した後、写真製版とエッチングにより基板
の切断部と端部のＳｉＯ2膜を除去する。その後に抵抗
体膜を堆積し、写真製版とエッチングによりパターン化
を施して抵抗体膜の端部がＳｉＯ2膜３の端部よりも外
側に位置して抵抗体膜がＳｉＯ2膜３を被い、かつ抵抗
体膜が基板の切断部や端部に及ばないようにする。その
後、電極膜を堆積し、パターン化を施して電極膜の端部
が抵抗体膜の端部よりも外側になるように、かつ電極膜
も切断部や端部には存在しないようにする。写真製版と
エッチングにより電極膜と抵抗体膜にパターン化を施し
て共通電極、個別電極、及び発熱体を形成する。その
後、保護膜を電極領域を被う領域で、かつ基板の切断部
や端部に及ばない領域に形成する。その後、基板を個々
のサーマルヘッドに切断する。
【００１６】製造方法よっては大判の基板を用いない
で、最初から個々のサーマルヘッド用の基板を用いるこ
ともある。その場合には基板端部にはポリイミドなどの
耐熱性絶縁樹脂層以外の薄膜層が存在しないようにパタ
ーン化すればよい。基板、抵抗体、電極、保護膜などの
材質や膜厚は従来から用いられているものに任意に設定
することができる。また、無機絶縁膜３は省略すること
もできる。
で、最初から個々のサーマルヘッド用の基板を用いるこ
ともある。その場合には基板端部にはポリイミドなどの
耐熱性絶縁樹脂層以外の薄膜層が存在しないようにパタ
ーン化すればよい。基板、抵抗体、電極、保護膜などの
材質や膜厚は従来から用いられているものに任意に設定
することができる。また、無機絶縁膜３は省略すること
もできる。
【００１７】
【発明の効果】本発明では個々のサーマルヘッドに形成
された状態では、基板端部には耐熱性絶縁樹脂層以外の
薄膜層が存在しないので、外部からの水分の侵入などに
よって膜剥がれなどの信頼性不良がおきにくくなる。耐
熱性絶縁樹脂層上の各層で上層が下層を被う構造にすれ
ば、膜剥がれなどの信頼性不良をより有効に防止するこ
とができる。
された状態では、基板端部には耐熱性絶縁樹脂層以外の
薄膜層が存在しないので、外部からの水分の侵入などに
よって膜剥がれなどの信頼性不良がおきにくくなる。耐
熱性絶縁樹脂層上の各層で上層が下層を被う構造にすれ
ば、膜剥がれなどの信頼性不良をより有効に防止するこ
とができる。
【図１】従来のサーマルヘッドを示す断面図である。
【図２】大判基板からサーマルヘッドを切り出す状態を
示す概略平面図である。
示す概略平面図である。
【図３】一実施例を示す断面図である。
【図４】他の実施例を示す断面図である。
【図５】図３の実施例の製造方法を示す工程断面図であ
る。
る。
【図６】図４の実施例の製造途中の工程を示す断面図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ ポリイミド層 ３ ＳｉＯ2膜 ４ 抵抗体膜 ４ａ 発熱体 ５ａ 共通電極 ５ｂ 選択電極 ６ 保護膜 Ｃ 切断部 Ｅ 大判基板の端部
Claims (3)
- 【請求項１】 表面が耐熱性絶縁樹脂層を含む保温層で
被われた基板上に少なくとも抵抗体膜による発熱体と、
この発熱体に電流を供給する電極と、表面を保護する保
護膜とを有するサーマルヘッドにおいて、前記耐熱性絶
縁樹脂層は基板端部まで存在し、その耐熱性絶縁樹脂層
上の各層の端部が基板端部より内側に存在することを特
徴とするサーマルヘッド。 - 【請求項２】 耐熱性絶縁樹脂層上の各層は上層の端部
が下層の端部より外側にきて順次下層を被っている請求
項１に記載のサーマルヘッド。 - 【請求項３】 以下の工程（Ａ）から（Ｇ）を含むサー
マルヘッドの製造方法。 （Ａ）大判の基板表面の全面に耐熱性絶縁樹脂層を形成
する工程、 （Ｂ）その上に硬質無機絶縁体層を大判基板の切断部と
端部を除いた領域に形成する工程、 （Ｃ）前記無機絶縁体層を被い、かつ前記切断部と端部
には至らない領域に抵抗体膜を形成する工程、 （Ｄ）抵抗体膜を被い、かつ前記切断部と端部には至ら
ない領域に電極膜を形成する工程、 （Ｅ）電極膜及び抵抗体膜にパターン化を施して電極と
発熱体を形成する工程、 （Ｆ）前記切断部及び端部には至らない領域に保護膜を
形成する工程、 （Ｇ）前記切断部で大判基板を切断する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27037991A JPH0577462A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | サーマルヘツドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27037991A JPH0577462A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | サーマルヘツドとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0577462A true JPH0577462A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17485439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27037991A Pending JPH0577462A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | サーマルヘツドとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0577462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452850B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린터의 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
| JP2008049657A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| JP2013071355A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP27037991A patent/JPH0577462A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100452850B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린터의 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
| JP2008049657A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| US7843475B2 (en) | 2006-08-28 | 2010-11-30 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head and method for manufacturing the same |
| JP2013071355A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
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