JPH0577317B2 - - Google Patents

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JPH0577317B2
JPH0577317B2 JP62095858A JP9585887A JPH0577317B2 JP H0577317 B2 JPH0577317 B2 JP H0577317B2 JP 62095858 A JP62095858 A JP 62095858A JP 9585887 A JP9585887 A JP 9585887A JP H0577317 B2 JPH0577317 B2 JP H0577317B2
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oxide
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josephson
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Kyoshi Takeuchi
Hideomi Koinuma
Shunpei Yamazaki
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • HELECTRICITY
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    • H10N60/0912Manufacture or treatment of Josephson-effect devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明はセラミツクス系超電導材料を用いた固
体素子(デイバイス)特にジヨセフソン型素子の
作成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Application of the Invention The present invention relates to a method for producing a solid-state device, particularly a Josephson type device, using a ceramic superconducting material.

本発明は、酸化物超電導材料の表面を用いるデ
イバイスにおいて、特に重要な表面近傍の物性の
改良を施し、表面利用型素子の他差信頼性化を図
らんとするものである。
The present invention is intended to improve the particularly important physical properties near the surface of a device using the surface of an oxide superconducting material, thereby increasing the reliability of surface-based devices.

「従来の技術」 最近、セラミツクス系超電導材料が注目されて
いる。これはIBMチユーリツヒ研究所において
なされたBa−La−Cu−O系の酸化物超電導材料
の開発にその端を発している。これに加えて、イ
ツトリユーム系の超電導セラミツクスも知られ、
液体窒素温度での固体電子デイバイスの応用の可
能性が明らかになつた。
"Prior Art" Ceramic superconducting materials have recently attracted attention. This has its origins in the development of Ba-La-Cu-O based oxide superconducting materials at the IBM Zurich Research Institute. In addition to this, yttrium-based superconducting ceramics are also known.
The potential applications of solid-state electronic devices at liquid nitrogen temperatures have been revealed.

他方、Na3Ge等の金属を用いた超電導材料が
これまでによく知られている。そしてこの金属の
超電導材料を用いて、ジヨセフソン素子等の固体
電子デイバイスを構成させる試みがなされてい
る。
On the other hand, superconducting materials using metals such as Na 3 Ge are well known. Attempts have been made to construct solid-state electronic devices such as Josephson devices using this metallic superconducting material.

この金属を用いたジヨセフソン素子は十数年の
研究によりほぼ実用化が近くなつた。しかし、こ
の超電導体はTco(電気抵抗が零となる温度)が
23Kときわめて低く、液体ヘリユームを用いなけ
ればならず、実用性は十分ではない。
After more than ten years of research, Josephson devices using this metal are almost ready for practical use. However, this superconductor has a Tco (temperature at which electrical resistance becomes zero)
The temperature is extremely low at 23K, and liquid helium must be used, so it is not practical.

この金属の超電導材料においては、材料のすべ
てが金属であるため、その材料の成分を表面にお
いても、また内部(バルク)においてもまつたく
均一に作ることができる。
In this metallic superconducting material, since all of the material is metal, the components of the material can be made uniform both on the surface and in the interior (bulk).

「従来の問題点」 しかし、最近注目されている酸化物セラミツク
スの超電導材料は、その特性を調べていくと、表
面およびその近傍(表面より概略200Åまでの深
さ)が内部(バルク)に比べて特性の劣化(信頼
性の低下)がおきることがわかつた。
``Conventional Problems'' However, when investigating the properties of oxide ceramic superconducting materials, which have been attracting attention recently, it has been found that the surface and vicinity (approximately 200 Å depth from the surface) are compared to the interior (bulk). It was found that characteristics deteriorated (reliability decreased).

このため、ジヨセフソン素子を作らんとしても
初期においては正常であつたセラミツクスの特性
が劣化してしまつた。
For this reason, even when attempts were made to create Josephson devices, the characteristics of the ceramics, which were normal in the early stages, deteriorated.

その原因として、酸化物セラミツクスにおける
酸素が表面近傍においてはきわめて容易に脱気し
てしまうことが実験的に確かめることができた。
この酸素が理想状態にあるかまたは不足状態にあ
るかは、その材料にとつて、超電導特性を有する
かまたは単に常電導特性を有するにすぎない、と
の根本的な問題を提供することが判明した。
It was experimentally confirmed that the cause of this is that oxygen in oxide ceramics is extremely easily degassed near the surface.
It turns out that whether this oxygen is in ideal or deficient conditions presents a fundamental problem for the material: whether it has superconducting properties or only normal conducting properties. did.

本発明はこのため、この酸化物セラミツクスの
表面または表面近傍においても、超電導特性を有
せしめるべく、その表面にトンネル接合を可能に
するに十分な薄さを有し、かつ酸化物や材料より
の酸素の脱気に対してブロツキング作用を有する
被膜を形成するとともに、その内側の酸素欠乏型
になりやすいセラミツクス中に酸素を添加し、表
面近傍においても内部と同様に超電導特性を有せ
しめんとする方法を提供せんとするものである。
For this reason, the present invention aims to provide superconducting properties at or near the surface of this oxide ceramic, by having a thickness sufficient to enable tunnel junctions on the surface, and which is thinner than oxides or other materials. In addition to forming a coating that has a blocking effect against oxygen degassing, oxygen is added to the ceramics that tend to become oxygen-deficient on the inside, so that the near surface has superconducting properties as well as the interior. The purpose is to provide a method.

「問題を解決する手段」 本発明は、超電導性セラミツクスの表面に被膜
を形成し、これをより完全なブロツキング層とす
るとともに、この被膜を金属または半導体におい
ては酸化し、絶縁膜に変成する。さらにこの被膜
の酸素を固相−固相拡散(固体の被膜から他の固
体であるセラミツクス中への酸素の拡散)を行わ
しめることにより、表面またはその近傍、一般に
は約200Åの深さまでの領域の酸素濃度を適性に
せんとするものである。
"Means for Solving the Problem" The present invention forms a film on the surface of superconducting ceramics to make it a more complete blocking layer, and in the case of metals or semiconductors, oxidizes this film and transforms it into an insulating film. Furthermore, by performing solid phase-solid phase diffusion (diffusion of oxygen from the solid coating into another solid ceramic), the oxygen in this coating is diffused into a region on or near the surface, generally to a depth of approximately 200 Å. The aim is to optimize the oxygen concentration of

このために用いる被膜は、酸化アルミニユー
ム、酸化タンタル、酸化チタン等の酸化物絶縁膜
であつてもよい。
The film used for this purpose may be an oxide insulating film of aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, or the like.

またこの被膜としては、酸化処理後、酸化物絶
縁膜になる金属または半導体をも用い得る。即ち
金属にあつては、アルミニユーム、チタン、タン
タル、銅、バリユーム、イツトリユーム、また半
導体にあつてはシリコンまたはゲルマニユームで
ある。これらは酸化により酸化アルミニユーム、
酸化チタン、酸化タンタル、酸化銅、酸化バリユ
ーム、酸化イツトリユームとすることができる。
またシリコンは酸化珪素に、ゲルマニユームは酸
化ゲルマニユームとし得る。
Further, as this film, a metal or a semiconductor which becomes an oxide insulating film after oxidation treatment can also be used. Namely, metals include aluminum, titanium, tantalum, copper, barium, and yttrium, and semiconductors include silicon or germanium. These are aluminum oxide by oxidation,
It can be titanium oxide, tantalum oxide, copper oxide, barium oxide, or ytrium oxide.
Further, silicon may be replaced with silicon oxide, and germanium may be replaced with germanium oxide.

本発明では、スクリーン印刷法、スパツタ法、
MBE(モレキユラ・ビーム・エピタキシヤル)
法、CVD(気相反応)法等を用いて超電導材料を
形成させる。この1例として、(A1-xBX)
yCuzOw,x=0〜1、y=2.0〜4.0好ましくは
2.5〜3.5、z=1〜4好ましくは1.5〜3.5、W=
4〜10好ましくは6〜8を有する。AはY(イツ
トリユーム)、Gu(ガドリニユーム)、Yb(イツテ
ルビユーム)、Eu(ユーロピユーム)、Tb(テルビ
ユーム)、Dy(ジスプロシユーム)、Ho(ホルミウ
ム)、Er(エルビウム)、Tm(ツリウム)、Lu(ル
テチウム)、Sc(スカンジウム)またはその他の
元素周期表a族の1つまたは複数種類より選ば
れる。BはRa(ラジユーム)、Ba(バリユーム)、
Sr(ストロンチユーム)、Ca(カルシユーム)、Mg
(マグネシユーム)、Be(ベリリユーム)の元素周
期表a族より選ばれる。特にその具体例として
(YBa2)Cu3O68を用いた。またAとして元素
周期表における前記した元素以外のランタニド元
素またはアクチニド元素を用い得る。
In the present invention, screen printing method, sputtering method,
MBE (Molecular Beam Epitaxial)
A superconducting material is formed using a method such as a method or a CVD (vapor phase reaction) method. As an example of this, (A 1-x BX)
yCuzOw, x=0~1, y=2.0~4.0 preferably
2.5-3.5, z=1-4 preferably 1.5-3.5, W=
4 to 10, preferably 6 to 8. A is Y (yztrium), Gu (gadolinium), Yb (yzterubium), Eu (europium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), Lu (lutetium) ), Sc (scandium), or one or more of the other elements in group a of the periodic table. B is Ra (radium), Ba (bariyum),
Sr (strontium), Ca (calcium), Mg
(magnesium) and Be (beryllium) from group a of the periodic table. In particular , ( YBa2 ) Cu3O6-8 was used as a specific example. Further, as A, a lanthanide element or an actinide element other than the above-mentioned elements in the periodic table of elements can be used.

本発明においては、この酸化熱処理により形成
された絶縁膜として、5〜50Åのトンネル電流を
流し得る厚さとした。そしてこの絶縁膜の上面に
他の超電導材料を配設して第2図Aに示す如きジ
ヨフセソン素子を構成せしめるものである。
In the present invention, the insulating film formed by this oxidation heat treatment has a thickness that allows a tunnel current of 5 to 50 Å to flow. Then, another superconducting material is disposed on the upper surface of this insulating film to construct a Josephson element as shown in FIG. 2A.

即ち、被膜を超電導セラミツクス上に形成した
後、これらを空気または酸素中に400〜1000℃例
えば600℃に加熱処理を1〜100時間例えば5時間
施すことにより、この被膜を完全な絶縁膜とし得
る。さらにかかる高温においては、この絶縁膜の
酸素がセラミツクス中に拡散(固相−固相拡散)
し、この表面またはその近傍の酸素欠乏状態に対
し酸素を供給し、この表面またはその近傍におい
ても超電導特性を十分保持し得る。その結果、液
体窒素温度に保持してジヨセフソン効果の確認を
行つた結果、その特性として第2図Bに示す性能
を得ることができた。
That is, after a film is formed on superconducting ceramics, this film can be made into a complete insulating film by subjecting it to heat treatment in air or oxygen at 400 to 1000°C, for example, 600°C, for 1 to 100 hours, for example, 5 hours. . Furthermore, at such high temperatures, oxygen in this insulating film diffuses into the ceramics (solid phase-solid phase diffusion).
However, oxygen can be supplied to the oxygen-deficient state at or near this surface, and superconducting properties can be sufficiently maintained at or near this surface. As a result, we confirmed the Josephson effect by maintaining the temperature at liquid nitrogen, and as a result, we were able to obtain the performance shown in FIG. 2B as its characteristics.

「作用」 かくすることにより、これまで酸化物超電導セ
ラミツクスの表面近傍で原因不明で超電導状態が
消えてしまうという信頼性低下問題がなくなり、
長期間安定に表面の超電導状態を有効利用するこ
とができるようになつた。
``Operation'' By doing this, the problem of reduced reliability, where the superconducting state disappears for unknown reasons near the surface of oxide superconducting ceramics, is eliminated.
It has now become possible to effectively utilize the superconducting state of the surface in a stable manner for a long period of time.

その結果、この表面を用いるデイバイス特にジ
ヨセフソン素子を長期間安定して高信頼性を有し
て動作させることができるようになつた。
As a result, it has become possible to operate devices using this surface, particularly Josephson devices, stably and with high reliability for a long period of time.

以下に図面に従つて本発明を説明する。 The present invention will be explained below with reference to the drawings.

実施例 1 第1図は本発明の実施例の製造工程およびそれ
に関する酸素濃度分布の相対特性を示す。
Example 1 FIG. 1 shows the manufacturing process of an example of the present invention and the relative characteristics of the oxygen concentration distribution related thereto.

第1図Aは超電導セラミツクス、例えば
YBa2Cu3O68である。銅の成分は3またはそれ
以下になり得る。かかる超電導性セラミツクスを
タブレツトまたは薄膜上に単結晶または多結晶構
造を有して形成し、出発材料(第1図A1)とし
た。
Figure 1A shows superconducting ceramics, e.g.
YBa2Cu3O6-8 . _ _ The copper content can be 3 or less. Such a superconducting ceramic was formed on a tablet or a thin film to have a single crystal or polycrystalline structure, and was used as a starting material (A1 in FIG. 1).

これを真空装置に保持し、雰囲気を真空引きす
ると、その表面近傍1′の酸素が脱気し、概略200
Åまでの範囲の電気特性に劣化がおきてしまう。
When this is held in a vacuum device and the atmosphere is evacuated, the oxygen near the surface 1' is degassed, and approximately 200
Deterioration occurs in the electrical characteristics in the range up to 100 Å.

即ち、第1図Aと対応した酸素濃度を第1図D
に示す。図面において、領域1は正常の酸素濃度
を有する。また領域1′は不足の領域を示す。こ
の深さは超電導材料の種類、構造、緻密さにもよ
るが、50〜1000Å、一般には約200Å程度である。
That is, the oxygen concentration corresponding to Figure 1A is shown in Figure 1D.
Shown below. In the figure, region 1 has normal oxygen concentration. Furthermore, area 1' indicates a shortage area. This depth depends on the type, structure, and density of the superconducting material, but is generally about 50 to 1000 Å, and generally about 200 Å.

これらの上面にアルミニユーム2を真空蒸着法
で30Åの厚さに形成した。
Aluminum 2 was formed on the upper surfaces of these to a thickness of 30 Å by vacuum evaporation.

さらにこれら全体を酸素中で400〜1000℃、例
えば600℃で加熱処理を1〜100時間例えば5時間
行つた。この加熱処理は減圧状態ではなく、大気
圧または加圧状態が好ましい。
Further, the whole was heat-treated in oxygen at 400 to 1000°C, for example, 600°C, for 1 to 100 hours, for example, 5 hours. This heat treatment is preferably performed under atmospheric pressure or under increased pressure, rather than under reduced pressure.

かかる酸化雰囲気での加熱処理を長時間行うこ
とにより、この金属2は酸化され、酸化アルミニ
ユーム3に変成する。さらに酸化アルミニユーム
中より酸素が超電導材料中に拡散する。その結
果、第1図Eに示す如く、内部と酸素の濃度が同
じとすることができた。
By performing heat treatment in such an oxidizing atmosphere for a long time, this metal 2 is oxidized and transformed into aluminum oxide 3. Furthermore, oxygen diffuses into the superconducting material from the aluminum oxide. As a result, as shown in FIG. 1E, it was possible to make the concentration of oxygen the same as that inside.

この実施例で作られた試料を加熱状態より取り
出し、再び真空中に保存してみた。するとこのブ
ロツキング層3により超電導材料の表面または近
傍において、酸素が欠乏することがなく、高信頼
性の素子を作ることができた。
The sample made in this example was removed from the heated state and stored again in a vacuum. This blocking layer 3 prevents oxygen from being depleted on or near the surface of the superconducting material, making it possible to produce a highly reliable device.

この絶縁膜はパツシベイシヨン膜としてきわめ
て有効であつた。
This insulating film was extremely effective as a passivation film.

実施例 2 この実施例は実施例1の事実に基づき、ジヨセ
フソン接合型超電導素子を作つたものである。
Example 2 In this example, a Josephson junction type superconducting element was manufactured based on the facts of Example 1.

実施例1に従つて酸化物絶縁物3を20Åの厚さ
に形成した。この後この上面に他の超電導材料4
をスパツタ法、CVD法、MBE法、スクリーン印
刷法等の方法により選択的に形成した。この他に
超電導材料を全面に形成した後、選択的に超電導
材料を形成する方法をとつてもよい。
According to Example 1, oxide insulator 3 was formed to a thickness of 20 Å. After this, other superconducting material 4 is applied to this upper surface.
was selectively formed by methods such as sputtering, CVD, MBE, and screen printing. Alternatively, a method may be used in which the superconducting material is formed on the entire surface and then the superconducting material is selectively formed.

かくするとトンネル接合型のジヨセフソン接合
装置が得られ、その特性の1例を第2図Bに示
す。図面より明らかなように、ジヨセフソン効果
により同一電流で2つの安定点が作られ、論理回
路素子、メモリ素子への応用が可能であることが
判明した。
In this way, a tunnel junction type Josephson junction device is obtained, and an example of its characteristics is shown in FIG. 2B. As is clear from the drawings, two stable points are created with the same current due to the Josefson effect, and it has been found that the present invention can be applied to logic circuit elements and memory elements.

実施例 3 この実施例は第3図にその作成工程を示す。即
ち、非超電導性表面を有する基体10上に薄膜で
超電導材料1を形成している。
Example 3 The production process of this example is shown in FIG. That is, the superconducting material 1 is formed as a thin film on the base 10 having a non-superconducting surface.

この超電導材料上に酸化珪素膜6をCVD法に
より0.5μmの厚さに形成した。
A silicon oxide film 6 was formed on this superconducting material to a thickness of 0.5 μm by CVD.

さらに第3図Bに示す如く、この酸化珪素膜に
フオトエツチングを施し、ジヨセフソン接合を有
すべき領域のみに開穴7を設けた。
Furthermore, as shown in FIG. 3B, this silicon oxide film was photo-etched to form holes 7 only in the region where Josephson junctions were to be formed.

この後実施例1を行い、トンネル電流を流し得
る絶縁膜3を全面に形成した。さらにその上面に
他の超電導セラミツクス4をスパツタ法等により
形成した。
Thereafter, Example 1 was carried out to form an insulating film 3 on the entire surface through which a tunnel current could flow. Furthermore, another superconducting ceramic 4 was formed on the upper surface by sputtering method or the like.

次にこのセラミツクス4をフオトエツチング法
により選択的に除去し、複数のジヨセフソン接合
素子20,20′,20″を設けた。
Next, this ceramic 4 was selectively removed by photoetching, and a plurality of Josephson junction elements 20, 20', 20'' were provided.

それらは下側の超電導材料1、接合用被覆3′,
3″,3さらに上側の超電導材料4′,4″,4
により構成している。
They are the lower superconducting material 1, the bonding coating 3',
3″, 3 Further upper superconducting material 4′, 4″, 4
It is composed of:

また図面において、下側の超電導材料を第1図
Aに示すように選択的に不要部分を除去し、複数
の島状領域を構成させると、いわゆる集積化され
たジヨセフソン接合素子を作ることができる。
In addition, in the drawing, if unnecessary parts of the lower superconducting material are selectively removed as shown in Figure 1A to form a plurality of island-like regions, a so-called integrated Josephson junction device can be created. .

「効果」 本発明に示す如く、酸化物超電導体を作製し、
その表面にパツシベイシヨン膜を形成し、さらに
それを緻密化または酸化絶縁化することにより、
この膜をより完全な状態にすると同時に、それに
密接した超電導材料の改質を行うことにより高信
頼性のジヨフソン素子を作製する方法は、その製
造工程をより簡単にできるため、きわめて有効で
あつた。
"Effect" As shown in the present invention, an oxide superconductor is produced,
By forming a passivation film on the surface and further densifying or oxidizing it,
The method of fabricating highly reliable Jofson devices by making this film more perfect and at the same time modifying the superconducting material in close contact with it is extremely effective because it simplifies the manufacturing process. .

本発明において、超電導性セラミツクスという
言葉を用いた。しかしこれは超電導材料が酸化物
であることによる。その結晶構造は多結晶であつ
ても、また単結晶であつてもよいことは、本発明
の技術思想において明らかである。特に単結晶構
造の場合には、超電導材料を用いるに際し、基板
上にエピタキシアル成長をさせればよい。
In the present invention, the term superconducting ceramics is used. However, this is due to the fact that the superconducting material is an oxide. It is clear from the technical concept of the present invention that the crystal structure may be polycrystalline or single crystalline. In particular, in the case of a single crystal structure, when using a superconducting material, epitaxial growth may be performed on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の作製方法および不純物濃度を
示す。第2図および第3図は本発明のジヨセフソ
ン接合型超電導装置およびその特性を示す。
FIG. 1 shows the manufacturing method and impurity concentration of the present invention. FIGS. 2 and 3 show the Josephson junction superconducting device of the present invention and its characteristics.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 超電導性セラミツクスの上面に絶縁膜または
酸化後絶縁膜になる金属または半導体を形成する
工程と、これら全体を酸化性雰囲気にて熱処理を
することにより前記セラミツクス上部の酸素欠乏
状態を除去する工程と、該工程の後、前記被膜上
に他の超電導材料を配設することを特徴とするジ
ヨセフソン型装置の作製方法。 2 特許請求の範囲第1項において、他の超電導
材料は超電導性セラミツクスよりなることを特徴
とするジヨセフソン型装置の作製方法。 3 特許請求の範囲第1項において、被膜は金属
または半導体により形成され、酸化性雰囲気で熱
処理することにより絶縁膜に変成することを特徴
とするジヨセフソン型装置の作製方法。
[Claims] 1. A step of forming an insulating film or a metal or semiconductor that will become an insulating film after oxidation on the upper surface of superconducting ceramics, and heat-treating the entirety in an oxidizing atmosphere to eliminate oxygen depletion in the upper part of the ceramics. 1. A method for manufacturing a Josephson-type device, comprising the steps of removing the superconducting material, and, after the step, disposing another superconducting material on the coating. 2. A method for manufacturing a Josephson type device according to claim 1, wherein the other superconducting material is made of superconducting ceramics. 3. The method of manufacturing a Josephson type device according to claim 1, wherein the film is formed of a metal or a semiconductor and is transformed into an insulating film by heat treatment in an oxidizing atmosphere.
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