JPH05759U - スパツタリング装置のタ−ゲツト取付構造 - Google Patents
スパツタリング装置のタ−ゲツト取付構造Info
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- JPH05759U JPH05759U JP1190191U JP1190191U JPH05759U JP H05759 U JPH05759 U JP H05759U JP 1190191 U JP1190191 U JP 1190191U JP 1190191 U JP1190191 U JP 1190191U JP H05759 U JPH05759 U JP H05759U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Oリング28のバッキングプレ―ト24に対す
るシ―ル面の変更により、装置の大型化及び高価格化を
招くことなく、脆い材料からなるタ―ゲット8の割れを
効果的に防止して、良質の膜質を得ることを可能にす
る。 【構成】表面側を裏面側に凹ませた凹部22を有するタ
―ゲット支持部材21の表面側の周縁部に、表面側にタ
―ゲット8を直付けしかつ裏面側に中央部より外方に突
出する突出部25を有するバッキングプレ―ト24の裏
面側の周縁部を第2ボルト26締結する。そして、上記
タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側縦壁面2
2aと、上記バッキングプレ―ト24の突出部25外周
の外側縦壁面25aとの間に、該両縦壁面22a,25
a間をシ―ルするOリング28を設ける。
るシ―ル面の変更により、装置の大型化及び高価格化を
招くことなく、脆い材料からなるタ―ゲット8の割れを
効果的に防止して、良質の膜質を得ることを可能にす
る。 【構成】表面側を裏面側に凹ませた凹部22を有するタ
―ゲット支持部材21の表面側の周縁部に、表面側にタ
―ゲット8を直付けしかつ裏面側に中央部より外方に突
出する突出部25を有するバッキングプレ―ト24の裏
面側の周縁部を第2ボルト26締結する。そして、上記
タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側縦壁面2
2aと、上記バッキングプレ―ト24の突出部25外周
の外側縦壁面25aとの間に、該両縦壁面22a,25
a間をシ―ルするOリング28を設ける。
Description
【0001】
本考案は、スパッタリングによりタ―ゲット物質からなる被膜を基板に形成す るようにしたスパッタリング装置に係り、特にタ―ゲットの保守を行うためのタ ―ゲット取付構造に関するものである。
【0002】
従来より、真空槽のケ―シング内に、被膜形成用タ―ゲットを配置するととも に、ワ―クとなる基板を上記タ―ゲットに対向するよう配置し、ガス粒子を加速 して上記タ―ゲット物質のスパッタリングによる被膜を上記基板表面に形成する ようにしたスパッタリング装置において、真空槽のケ―シングにタ―ゲットを取 付ける場合には、真空槽のケ―シングに対してタ―ゲットを支持するためのタ― ゲット支持部材を設け、該タ―ゲット支持部材に、その表面側中央部を裏面側に 凹ませてガス粒子の加速用電極を収納するための凹部を設けるとともに、上記タ ―ゲット支持部材の表面側における周縁部に、その表面側にタ―ゲットを直付け した銅製のバッキングプレ―トの裏面側における周縁部をボルト締結している。
【0003】 そして、この場合、ボルト締結部よりも内方側における,タ―ゲット支持部材 の周縁部と、バッキングプレ―トの周縁部との間には、該両周縁部間をシ―ルす るOリングを設けている。
【0004】
ところで、上記Oリングは、タ―ゲット支持部材の周縁部と、バッキングプレ ―トの周縁部との間においてボルトによるボルト締結部からの圧縮力によりその 直径が約30%縮むように塑性変形してシ―ルが確実になされるようにしている 。その場合、ボルト締結部に作用するボルトからの下向きの圧縮力に対し、ボル ト締結部からの圧縮力により塑性変形するOリングからの反発力は、ボルト締結 部よりも内方側において、バッキングプレ―トの周縁部を上方に押し上げるよう ,上向きに作用することになる。これにより、バッキングプレ―トには、その中 央部を上方に反り返らせるような曲げ力が作用して、このバッキングプレ―トに 直付けされたタ―ゲットも同様に中央部を上方に反り返らせる。このため、特に タ―ゲットが酸化物などを焼結した脆い材料からなる場合には、真空槽のケ―シ ング内においてイオン化されたスパッタガス粒子が電極から発する磁力線により 加速されタ―ゲットに引き寄せられて当接するとタ―ゲットが割れる確率が非常 に高くなり、電極への高電力投与が自ずと控えられて所望する成膜速度が得られ ずに膜の分子構造が変わる恐れがあり、膜質への影響が危惧される。
【0005】 そこで、バッキングプレ―トの厚みを増加させて該バッキングプレ―トの剛性 強度を高めることにより、ボルトからの圧縮力がボルト締結部に作用してもバッ キングプレ―トの中央部を上方に反り返らせるような曲げ力が作用しないように することが考えられる。
【0006】 しかしながら、上記の如きものでは、電極から発する磁力線が厚みを増加させ たバッキングプレ―トを通過するように電極自体を大型化しなければならず、装 置が大型化するとともに高価なものになる。
【0007】 本考案はかかる諸点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、Oリ ングのバッキングプレ―トに対するシ―ル面の変更により、装置の大型化及び高 価格化を招くことなく、脆い材料からなるタ―ゲットの割れを効果的に防止して 、良質の膜質が得られるようにしようとするものである。
【0008】
上記目的を達成するため、本考案の解決手段は、ボルト締結部に作用するボル トからの下向きの圧縮力に対し、ボルト締結部からの圧縮力により塑性変形する Oリングからの反発力を略直交する方向に作用させるようにすることにある。
【0009】 具体的には、真空槽のケ―シング内に、被膜形成用タ―ゲットを配置するとと もに基板を上記タ―ゲットに対向するよう配置し、ガス粒子を加速して上記タ― ゲット物質のスパッタリングによる被膜を上記基板表面に形成するようにしたス パッタリング装置を前提とする。そして、上記真空槽のケ―シングに、そのケ― シングに対して上記タ―ゲットを支持するためのタ―ゲット支持部材を設け、該 タ―ゲット支持部材に、その表面側を裏面側に凹ませた,ガス粒子の加速用電極 を収納するための凹部を設けるとともに、上記タ―ゲット支持部材の表面側にお ける周縁部に、その表面側にタ―ゲットを直付けする一方裏面側中央部より外方 に突出する突出部を有するバッキングプレ―トをその周縁部によりボルト締結す る。さらに、上記タ―ゲット支持部材の凹部内周の内側縦壁面と、上記バッキン グプレ―トの突出部外周の外側縦壁面との間に、該両縦壁面間をシ―ルするOリ ングを設ける構成としたものである。
【0010】
上記の構成により、本考案では、タ―ゲット支持部材の周縁部と、バッキング プレ―トの周縁部との間をシ―ルするOリングは、タ―ゲット支持部材の凹部内 周の内側縦壁面と、バッキングプレ―トの突出部外周の外側縦壁面との間に設け られているので、ボルト締結部に作用するボルトからの下向きの圧縮力に対し、 ボルト締結部からの圧縮力により塑性変形するOリングからの反発力は、ボルト 締結部よりも内方側における,タ―ゲット支持部材の凹部内周の内側縦壁面と、 バッキングプレ―トの突出部外周の外側縦壁面との間において略直交する水平方 向に作用することになり、従来のものの如くOリングからの反発力が上向に作用 してバッキングプレ―トの中央部を上方に反り返らせる曲げ力によりタ―ゲット の中央部を上方に反り返らせることがない。このため、酸化物などを焼結した脆 い材料からなるタ―ゲットに対し、真空槽のケ―シング内においてイオン化され たスパッタガス粒子が電極から発する磁力線により引き寄せられて当接しても、 タ―ゲットの割れが効果的に防止できる。
【0011】 しかも、上記の如くボルト締結部に作用するボルトからの下向きの圧縮力に対 するOリングからの反発力が、タ―ゲット支持部材の凹部内周の内側縦壁面と、 バッキングプレ―トの突出部外周の外側縦壁面との間において略直交する水平方 向に作用してタ―ゲットの中央部を上方に反り返らせることがないことから、バ ッキングプレ―トの厚みを増加させて剛性強度を高めるもののように電極自体を 大型化する必要がなく、既存する電極を用いて装置を構成できる。
【0012】
以上の如く、本考案におけるスパッタリング装置のタ―ゲット取付構造によれ ば、ボルト締結部に作用するボルトからの下向きの圧縮力に対し、ボルト締結部 よりも内方側における,タ―ゲット支持部材の凹部内周の内側縦壁面と、バッキ ングプレ―トの突出部外周の外側縦壁面との間において略直交する水平方向にO リングの反発力を作用させたので、バッキングプレ―トに作用する曲げ力によっ てタ―ゲットの中央部を上方に反り返らせることなく電極から発する磁力線によ りガス粒子を当接するガス粒子によるタ―ゲットの割れを効果的に防止し、電極 への高電力投与を可能にして所望する成膜速度により良質の膜質を得ることがで きる。しかも、バッキングプレ―トの厚みを増加により剛性強度を高めてタ―ゲ ットの中央部の上方への反り返りを防止する必要がなく、既存する電極を用いて 装置のコンパクト化及び低価格化を図ることができる。
【0013】
以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
【0014】 図3および図4は本考案の一実施例に係るタ―ゲット取付構造を用いたスパッ タリング装置を示し、1はスパッタガス導入ポート2,真空引き用の排気ポート 3及びスパッタガス用の排気ポート4を備えた真空槽であり、そのケ―シング1 aの底部中央にターンテーブル5が軸心を垂直にして設けられている。そして、 このターンテーブル5の上に複数の基板取付面6aを断面多角形(本例では8角 形)状に配設したカルーセル型治具6が立設され、このターンテーブル5は真空 槽1の下方に配設した駆動手段7にて駆動されるようになっている。また、上記 真空槽1内には、上記カルーセル型治具6の外周囲に、一対のターゲット8,8 がカルーセル型治具6を存して相対して配設されている。該各タ―ゲット8は、 酸化物などを焼結した脆い材料からなる。
【0015】 さらに、上記真空槽1のケ―シング1aには、上記各ターゲット用のシャッタ ー9,9が真空槽1の天井板にモータ10にて回転可能に支持して配設されてい るとともに、ハロゲンランプヒータ11が配設されている。
【0016】 上記駆動手段7は、ロータ12,ステータ13とを備え、ロータ12の位置を 検出するエンコーダ14の出力に基づいて制御手段15にて駆動が制御されるよ うになっている。この場合、制御手段15は、このエンコーダ14の出力を受け てターンテーブル5つまり基板aの回転速度を、基板aにおけるスパッタ粒子の 堆積量が基板aの全面にわたって略一定になるよう制御するものである。つまり 、上記制御手段15は、基板aがカルーセル型治具6の回転方向におけるターゲ ット8の略中央を向いた状態のときに速く、当該基板aが上記回転方向における ターゲット8の両端を向いた状態のときに遅くなるサインカーブ状の振幅を与え て制御するようになっている。また、上記エンコーダ14は、基板aとターゲッ ト8とが平行になって正面で向い合う、つまり、基板aがターゲット8の中央を 向く基準位置からの基板aのずれ角度を検出して、その検出信号を制御手段15 に与えることになる。
【0017】 そして、図1及び図2にも示すように、上記真空槽1のケ―シング1aの上下 端部には、そのケ―シング1aに対して上記タ―ゲット8を支持するためのタ― ゲット支持部材21がその周縁部に挿通された第1ボルト20,20(図では2 箇所のみ示す)により締結されている。上記タ―ゲット支持部材21には、その 表面側(基板a側)の中央部を裏面側(反基板a側)に凹ませた凹部22が設け られており、この凹部22内にはイオン化されたスパッタガス粒子を加速させる ための複数のマグネット23,…が間隔をおいて配設(収納)されている。また 、上記タ―ゲット支持部材21の表面側における周縁部には、裏面側中央部より 外方(反基板a側)に突出する突出部25を有する銅製のバッキングプレ―ト2 4が周縁部に挿通された第2ボルト26,26(図では2箇所のみ示す)により 締結されている。さらに、上記バッキングプレ―ト24の表面側中央部には、上 記タ―ゲット8がハンダ付けされている。そして、上記拡大2ボルトによる第2 締結部30の内方側に位置するバッキングプレ―ト24の突出部25外周の外側 縦壁面25aには、断面略コ字状の環状溝27が設けられ、該環状溝27内には 、上記タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側縦壁面22aと、バッキン グプレ―ト24の突出部25外周の外側縦壁面25aとの間をシ―ルするOリン グ28が設けられている。また、上記各マグネット23間には、各マグネット2 3を冷却するための冷却水通路29,…が設けられている。この場合、Oリング 28は、第2ボルト締結部30よりも内方側において、各第2ボルト26の締結 力によりその軸と直交する方向に直径が約30%縮むよう圧縮されて塑性変形し ている。また、真空槽1のケ―シング1aは、真空引き用とスパッタガス用との 両排気ポート3,4が設けられた固定壁32aに対して、可動壁32bがヒンジ 31で連結されてなり、この可動壁32bにて真空槽1を開閉して基板aを取り 付けたカルーセル型治具6の出し入れを行なうようになっている。
【0018】 この場合、スパッタリング装置においては、真空槽1に基板aを取り付けたカ ルーセル型治具6を入れてターンテーブル5に載置する。そして、大型の真空ポ ンプによる真空引き用の排気ポート3からの排気により真空槽1内の圧力を下げ 、次にスパッタガスを導入ポート2から導入し、且つスパッタガス用の排気ポー ト4から小型の真空ポンプにて真空槽1内が一定の真空圧になるように排気しな がら、ヒータ11による一定温度下でスパッタリングを行なう。すなわち、各マ グネット23への電力供給によりイオン化されたスパッタガス粒子を加速してタ ―ゲット8に当接させることによりタ―ゲット物質のスパッタリングによる被膜 を基板aの表面に形成する。
【0019】 したがって、上記実施例では、タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側 縦壁面22aと、バッキングプレ―ト24の突出部25外周の外側縦壁面25a との間をシ―ルするOリング28は、バッキングプレ―ト24の突出部25外周 の外側縦壁面25aの環状溝27内に設けられているので、第2ボルト締結部3 0に作用する第2ボルト26からの下向きの圧縮力に対し、この圧縮力により塑 性変形するOリング28からの反発力は、第2ボルト締結部30よりも内方側に おける,タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側縦壁面22aと、バッキ ングプレ―ト24の突出部25外周の外側縦壁面25aとの間において略直交す る水平方向に作用することになり、従来のものの如くOリングからの反発力が上 向きに作用してバッキングプレ―トの中央部を上方に反り返らせる曲げ力により タ―ゲットの中央部を上方に反り返らせることがない。このため、酸化物などを 焼結した脆い材料からなる各タ―ゲット8に対し、真空槽1のケ―シング1a内 においてイオン化されたスパッタガス粒子が電極から発する磁力線により引き寄 せられて当接しても、タ―ゲット8の割れが効果的に防止され、各マグネット2 3への高電力投与を可能にして所望する成膜速度により良質の膜質を得ることが できる。
【0020】 しかも、上記の如く第2ボルト26からの下向きの圧縮力に対するOリング2 8からの反発力が、タ―ゲット支持部材21の凹部22内周の内側縦壁面22a と、バッキングプレ―ト24の突出部25外周の外側縦壁面25aとの間におい て略直交する水平方向に作用してタ―ゲット8の中央部を上方に反り返らせるこ とがないことから、バッキングプレ―トの厚みを増加させて剛性強度を高めるも ののようにマグネット(電極)自体を大型化する必要がなく、既存するマグネッ ト23を用いてスパッタリング装置のコンパクト化及び低価格化を図ることがで きる。
【0021】 尚、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、その他種々の変形例を包 含するものである。例えば、上記実施例では、バッキングプレ―ト24の突出部 25外周の外側縦壁面25aに設けた環状溝27内にOリング28を設けたが、 タ―ゲット支持部材の凹部内周の内側縦壁面に断面略コ字状の環状溝を設け、こ の環状溝内にOリングが設けられるようにしてもよい。
【0022】 また、上記実施例では、断面8角形のカルーセル型治具を用いた例であるが、 他の多角形状のカルーセル型治具においても適用できるのはもちろんのこと、こ のほか、ド―ム型及びドラム型などの各種タイプのものに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】タ―ゲット支持部材に対するバッキングプレ―
トの取付状態を示す断面図である。
トの取付状態を示す断面図である。
【図2】バッキングプレ―トを下方よりみた斜視図であ
る。
る。
【図3】スパッタリング装置の縱断面図である。
【図4】同装置を一部切り欠いて示す平面図である。
1 真空槽 1a ケ―シング 8 ターゲット 21 タ―ゲット支持部材 22 凹部 22a 内側縦壁面 23 マグネット(加速用電極) 24 バッキングプレ―ト 25 突出部 25a 外側縦壁面 26 第2ボルト(ボルト) 28 Oリング a 基板
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 真空槽のケ―シング内に、被膜形成用タ
―ゲットを配置するとともに基板を上記タ―ゲットに対
向するよう配置し、ガス粒子を加速して上記タ―ゲット
物質のスパッタリングによる被膜を上記基板表面に形成
するようにしたスパッタリング装置において、上記真空
槽のケ―シングには、そのケ―シングに対して上記タ―
ゲットを支持するためのタ―ゲット支持部材が設けら
れ、該タ―ゲット支持部材には、その表面側を裏面側に
凹ませた,ガス粒子の加速用電極を収納するための凹部
が設けられているとともに、上記タ―ゲット支持部材の
表面側における周縁部には、その表面側にタ―ゲットを
直付けする一方裏面側中央部より外方に突出する突出部
を有するバッキングプレ―トがその周縁部によりボルト
締結されており、上記タ―ゲット支持部材の凹部内周の
内側縦壁面と、上記バッキングプレ―トの突出部外周の
外側縦壁面との間には、該両縦壁面間をシ―ルするOリ
ングが設けられていることを特徴とするスパッタリング
装置のタ―ゲット取付構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1190191U JPH05759U (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | スパツタリング装置のタ−ゲツト取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1190191U JPH05759U (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | スパツタリング装置のタ−ゲツト取付構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05759U true JPH05759U (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=11790639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1190191U Pending JPH05759U (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | スパツタリング装置のタ−ゲツト取付構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05759U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101302647B1 (ko) * | 2012-01-06 | 2013-09-03 | (주)삼현엔지니어링 | Lcd 스퍼터링 공정수행을 위한 서셉터 고정용 와셔 일체 절연스크류 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP1190191U patent/JPH05759U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101302647B1 (ko) * | 2012-01-06 | 2013-09-03 | (주)삼현엔지니어링 | Lcd 스퍼터링 공정수행을 위한 서셉터 고정용 와셔 일체 절연스크류 |
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