JPH0575168A - 超伝導素子 - Google Patents
超伝導素子Info
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- JPH0575168A JPH0575168A JP3231826A JP23182691A JPH0575168A JP H0575168 A JPH0575168 A JP H0575168A JP 3231826 A JP3231826 A JP 3231826A JP 23182691 A JP23182691 A JP 23182691A JP H0575168 A JPH0575168 A JP H0575168A
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- superconductor
- superconducting
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- superconductors
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】膜厚およびパターンルールに関する制約を取り
除き、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特性ばらつき
のない超伝導素子を提供する。 【構成】空間的に分離された２つの第１超伝導体３をそ
れらの臨界電流密度より小さい臨界電流密度を有する第
２超伝導体２で連結し、第１超伝導体３と第２超伝導体
２をともに酸化物超伝導体から構成する。 【効果】酸化物高温超伝導体を用いた超伝導素子に応用
すれば現有の薄膜形成技術とフォトリソグラフィー技術
を用いて容易に製造可能な超伝導素子を提供することが
できる。
除き、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特性ばらつき
のない超伝導素子を提供する。 【構成】空間的に分離された２つの第１超伝導体３をそ
れらの臨界電流密度より小さい臨界電流密度を有する第
２超伝導体２で連結し、第１超伝導体３と第２超伝導体
２をともに酸化物超伝導体から構成する。 【効果】酸化物高温超伝導体を用いた超伝導素子に応用
すれば現有の薄膜形成技術とフォトリソグラフィー技術
を用いて容易に製造可能な超伝導素子を提供することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチ、メモリー、
ＳＱＵＩＤ、電磁波検出器、電圧標準などに用いる超伝
導素子に関するものである。
ＳＱＵＩＤ、電磁波検出器、電圧標準などに用いる超伝
導素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超伝導素子は電気的および磁気的に特異
な特性を有すること、また高速かつ低消費電力で動作す
ることからエレクトロニクス分野に多様な応用が可能で
あり、これまで多くの研究開発がおこなわれてきた。特
に高臨界温度を有する酸化物超伝導体の発見以来極低温
から解放され、大がかりな冷却設備とランニングコスト
の問題も解決してますます研究開発に拍車がかかり現在
に至っている。
な特性を有すること、また高速かつ低消費電力で動作す
ることからエレクトロニクス分野に多様な応用が可能で
あり、これまで多くの研究開発がおこなわれてきた。特
に高臨界温度を有する酸化物超伝導体の発見以来極低温
から解放され、大がかりな冷却設備とランニングコスト
の問題も解決してますます研究開発に拍車がかかり現在
に至っている。
【０００３】従来の超伝導素子における一般的な必須基
本構成要素は、２端子素子であれより複雑な３端子素子
であれ、２つの超伝導体とそれらを弱く結び付ける弱結
合体であった。そして従来の弱結合体はほとんどの場合
絶縁体、半導体あるいは常伝導体であった。弱結合体と
して超伝導転移する金属を用いて超伝導素子を作製した
例もあるが、そのような場合でも素子の動作温度はその
金属の臨界温度よりはるかに高い温度に設定されてい
て、金属は常伝導体として用いられていた。従来の超伝
導素子の本質は超伝導弱結合にあり、それが生じる理由
を述べると、絶縁体あるいは一部の半導体からなる弱結
合体ではその理由はトンネル効果であり、また他の一部
の半導体あるいは常伝導体からなる弱結合体ではその理
由は超伝導状態のしみ込み効果、すなわち近接効果であ
る。
本構成要素は、２端子素子であれより複雑な３端子素子
であれ、２つの超伝導体とそれらを弱く結び付ける弱結
合体であった。そして従来の弱結合体はほとんどの場合
絶縁体、半導体あるいは常伝導体であった。弱結合体と
して超伝導転移する金属を用いて超伝導素子を作製した
例もあるが、そのような場合でも素子の動作温度はその
金属の臨界温度よりはるかに高い温度に設定されてい
て、金属は常伝導体として用いられていた。従来の超伝
導素子の本質は超伝導弱結合にあり、それが生じる理由
を述べると、絶縁体あるいは一部の半導体からなる弱結
合体ではその理由はトンネル効果であり、また他の一部
の半導体あるいは常伝導体からなる弱結合体ではその理
由は超伝導状態のしみ込み効果、すなわち近接効果であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超伝導
素子には弱結合体を数１００ｎｍ以下の超薄膜あるいは
超微細パターンにしないと充分にその機能を発揮しない
という欠点があった。その理由は、トンネル効果にしろ
近接効果にしろそれらが顕著に現われる長さの程度が従
来の超伝導素子の使用材料と動作環境では数１０から数
１００ｎｍ以下だからである。特に近接効果について
は、一般にしみ込み長さは弱結合体のコヒーレンス長と
密接に関係していて両者は同程度の長さであるとされて
いる。一方、酸化物高温超伝導体のコヒーレンス長は金
属超伝導体のそれより短く数ｎｍ以下であることが知ら
れている。したがって、特に酸化物高温超伝導体の近接
効果を用いた超伝導素子の場合には弱結合体の大きさを
数ｎｍ以下にすることが必要である。弱結合体をこの程
度の大きさにすることは、薄膜形成技術およびフォトリ
ソグラフィー技術の見地からみてひじょうに難しい技術
であり、超伝導素子の製造歩留まり、信頼性、および特
性の一様性において大きなマイナス要因になる。特に酸
化物高温超伝導体を用いる場合には弱結合体の大きさの
制約はより厳しくなり、高臨界温度を有するというせっ
かくの長所を生かせないという意味で重大な欠点と言わ
ざるを得ない。
素子には弱結合体を数１００ｎｍ以下の超薄膜あるいは
超微細パターンにしないと充分にその機能を発揮しない
という欠点があった。その理由は、トンネル効果にしろ
近接効果にしろそれらが顕著に現われる長さの程度が従
来の超伝導素子の使用材料と動作環境では数１０から数
１００ｎｍ以下だからである。特に近接効果について
は、一般にしみ込み長さは弱結合体のコヒーレンス長と
密接に関係していて両者は同程度の長さであるとされて
いる。一方、酸化物高温超伝導体のコヒーレンス長は金
属超伝導体のそれより短く数ｎｍ以下であることが知ら
れている。したがって、特に酸化物高温超伝導体の近接
効果を用いた超伝導素子の場合には弱結合体の大きさを
数ｎｍ以下にすることが必要である。弱結合体をこの程
度の大きさにすることは、薄膜形成技術およびフォトリ
ソグラフィー技術の見地からみてひじょうに難しい技術
であり、超伝導素子の製造歩留まり、信頼性、および特
性の一様性において大きなマイナス要因になる。特に酸
化物高温超伝導体を用いる場合には弱結合体の大きさの
制約はより厳しくなり、高臨界温度を有するというせっ
かくの長所を生かせないという意味で重大な欠点と言わ
ざるを得ない。
【０００５】本発明はかかる問題を解決するものであっ
て、薄膜の膜厚およびパターンルールに関する制約を取
り除き、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特性ばらつ
きのない超伝導素子を提供するものである。
て、薄膜の膜厚およびパターンルールに関する制約を取
り除き、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特性ばらつ
きのない超伝導素子を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、空間的に分離
された２つの第１超伝導体をそれらの臨界電流密度より
小さい臨界電流密度を有する第２超伝導体で連結し、第
２超伝導体の超伝導臨界温度以下の温度で動作させるこ
と、第１超伝導体と第２超伝導体はともに酸化物超伝導
体からなることを特徴とする。
された２つの第１超伝導体をそれらの臨界電流密度より
小さい臨界電流密度を有する第２超伝導体で連結し、第
２超伝導体の超伝導臨界温度以下の温度で動作させるこ
と、第１超伝導体と第２超伝導体はともに酸化物超伝導
体からなることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下、実施例に従って本発明を詳細に説明し
ていく。以下の説明においては、第２超伝導体を、その
臨界電流密度が第１超伝導体の臨界電流密度より小さい
という理由から、弱超伝導体と呼称する。
ていく。以下の説明においては、第２超伝導体を、その
臨界電流密度が第１超伝導体の臨界電流密度より小さい
という理由から、弱超伝導体と呼称する。
【０００８】図１は本発明の実施例における超伝導素子
の断面図である。超伝導素子はＳｒＴｉＯ3からなる基
板１上に形成されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦
０．５）からなる弱超伝導体２とＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-y（０≦ｙ＜０．２）からなる２つに分割された第１
超伝導体３によって構成される。弱超伝導体２の膜厚と
第１超伝導体３の膜厚はともに約１０００Åである。な
お、図１中の記号ｄは２つの第１超伝導体の間隔を示し
ている。この構造を得るための製造方法は次のとうりで
ある。基板１上にＭＢＥを用いて弱超伝導体２となるＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦０．５）および第１超
伝導体３となるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）
を連続薄膜形成する。薄膜の酸化はＭＢＥ中にＥＣＲプ
ラズマ発生装置を用いて活性化した酸素を導入すること
によって膜形成と同時におこなう。指標ｘとｙによって
示される酸化度の制御は、酸素のガス圧と流量およびＥ
ＣＲプラズマ発生装置による活性化酸素量の調整あるい
は蒸着レートの調整によっておこなうことができる。
０．２＜ｘ≦０．５および０≦ｙ＜０．２となるように
すると、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xは６０Ｋ級の超伝導体にな
り、またＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yは９０Ｋ級の超伝導体にな
る。本実施例では弱超伝導体２と第１超伝導体３に同じ
ＹＢＣＯ系物質を用いている。それゆえ連続形成が可能
であり、このことは薄膜形成技術の見地からみて好都合
である。また、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦０．
５）とＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）の格子定
数はほぼ同じであり、これは薄膜エピタキシャル成長技
術の見地からみて好都合である。基板１上に弱超伝導体
２と第１超伝導体３を連続薄膜形成した後、フォトリソ
グラフィーによってエッチングをおこない図１の構造を
得る。
の断面図である。超伝導素子はＳｒＴｉＯ3からなる基
板１上に形成されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦
０．５）からなる弱超伝導体２とＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-y（０≦ｙ＜０．２）からなる２つに分割された第１
超伝導体３によって構成される。弱超伝導体２の膜厚と
第１超伝導体３の膜厚はともに約１０００Åである。な
お、図１中の記号ｄは２つの第１超伝導体の間隔を示し
ている。この構造を得るための製造方法は次のとうりで
ある。基板１上にＭＢＥを用いて弱超伝導体２となるＹ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦０．５）および第１超
伝導体３となるＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）
を連続薄膜形成する。薄膜の酸化はＭＢＥ中にＥＣＲプ
ラズマ発生装置を用いて活性化した酸素を導入すること
によって膜形成と同時におこなう。指標ｘとｙによって
示される酸化度の制御は、酸素のガス圧と流量およびＥ
ＣＲプラズマ発生装置による活性化酸素量の調整あるい
は蒸着レートの調整によっておこなうことができる。
０．２＜ｘ≦０．５および０≦ｙ＜０．２となるように
すると、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xは６０Ｋ級の超伝導体にな
り、またＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yは９０Ｋ級の超伝導体にな
る。本実施例では弱超伝導体２と第１超伝導体３に同じ
ＹＢＣＯ系物質を用いている。それゆえ連続形成が可能
であり、このことは薄膜形成技術の見地からみて好都合
である。また、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（０．２＜ｘ≦０．
５）とＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）の格子定
数はほぼ同じであり、これは薄膜エピタキシャル成長技
術の見地からみて好都合である。基板１上に弱超伝導体
２と第１超伝導体３を連続薄膜形成した後、フォトリソ
グラフィーによってエッチングをおこない図１の構造を
得る。
【０００９】実験として２つの第１超伝導体の間隔が５
００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍ、３０００ｎ
ｍ、４０００ｎｍ、５０００ｎｍ、および６０００ｎｍ
の７種類の試料を作製し、２つの第１超伝導体に電極を
取り付けて４０ＫにおいてＩ−Ｖ特性を測定した。図２
は４０Ｋにおける超伝導素子のＩ−Ｖ特性を示す図であ
る。図２から本実施例の試料は超伝導弱結合にもとづく
２端子超伝導素子の特性と同等の特性を示していること
がわかる。図３は超伝導素子の２つの第１超伝導体の間
隔ｄと臨界電流Ｉｃの関係を示す図である。図３から、
ｄが現有のフォトリソグラフィー技術でも容易にパター
ン形成可能な３０００ｎｍでも、Ｉｃは０．１ｍＡ以上
であって充分実使用可能な値が得られていることがわか
る。
００ｎｍ、１０００ｎｍ、２０００ｎｍ、３０００ｎ
ｍ、４０００ｎｍ、５０００ｎｍ、および６０００ｎｍ
の７種類の試料を作製し、２つの第１超伝導体に電極を
取り付けて４０ＫにおいてＩ−Ｖ特性を測定した。図２
は４０Ｋにおける超伝導素子のＩ−Ｖ特性を示す図であ
る。図２から本実施例の試料は超伝導弱結合にもとづく
２端子超伝導素子の特性と同等の特性を示していること
がわかる。図３は超伝導素子の２つの第１超伝導体の間
隔ｄと臨界電流Ｉｃの関係を示す図である。図３から、
ｄが現有のフォトリソグラフィー技術でも容易にパター
ン形成可能な３０００ｎｍでも、Ｉｃは０．１ｍＡ以上
であって充分実使用可能な値が得られていることがわか
る。
【００１０】ここで、本実施例の構造では絶縁体、半導
体、あるいは常伝導体からなる弱結合体のかわりに超伝
導臨界温度以下の温度にある弱超伝導体を用いているに
もかかわらず、そしてさらに２つの第１超伝導体の間隔
が３０００ｎｍ以上であるにもかかわらず、そのＩ−Ｖ
特性が超伝導弱結合にもとづく２端子超伝導素子のそれ
と同等になった理由について述べる。ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x（０．２＜ｘ≦０．５）からなる弱超伝導体は４０
Ｋでは超伝導状態になっている。ただし、その臨界電流
密度はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）からなる
第１超伝導体の臨界電流密度より小さい。このことに起
因して本実施例の構造からなる超伝導素子に電流を流す
と以下に述べる現象が生じる。まず、電流の大きさが弱
超伝導体の臨界電流以下の場合には超伝導電流が流れ
る。この超伝導電流は２つの第１超伝導体の間隔ｄに無
関係であり、原理的にはｄをどんなに長く選んでも流れ
るものである。次に、電流の大きさが弱超伝導体の臨界
電流を越えた場合を考える。この場合は電流の大きさに
よってさらに次に述べる２つの場合に分けられる。第１
の場合は弱超伝導体の臨界電流よりやや大きい電流を流
した場合であり、また第２の場合は第１の場合より大き
な電流を流した場合である。第１の場合では、弱超伝導
体単体では本来超伝導状態が破られるはずであるにもか
かわらず、第１超伝導体が隣接していることによる近接
効果のおかげで弱超伝導体の超伝導状態が維持されてい
る。したがって、この場合には弱超伝導体の臨界電流以
下の大きさの電流を流した場合と同様に超伝導電流が流
れる。ただし、本実施例の実験水準ではｄは近接効果が
有効に作用する長さより充分長いため第１の場合に対応
する超伝導電流の領域は狭い範囲に限られている。つづ
いて第２の場合では、弱超伝導体の超伝導状態は完全に
破られて、２つの第１超伝導体の間に電圧が発生する。
以上をまとめると、ある大きさの電流までは超伝導電流
が流れ、それ以上の電流では電圧が発生することにな
る。ここで言うある大きさの電流が図２のＩｃであり、
これは厳密に言えば弱超伝導体単体の臨界電流より大き
な値になる。
体、あるいは常伝導体からなる弱結合体のかわりに超伝
導臨界温度以下の温度にある弱超伝導体を用いているに
もかかわらず、そしてさらに２つの第１超伝導体の間隔
が３０００ｎｍ以上であるにもかかわらず、そのＩ−Ｖ
特性が超伝導弱結合にもとづく２端子超伝導素子のそれ
と同等になった理由について述べる。ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x（０．２＜ｘ≦０．５）からなる弱超伝導体は４０
Ｋでは超伝導状態になっている。ただし、その臨界電流
密度はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-y（０≦ｙ＜０．２）からなる
第１超伝導体の臨界電流密度より小さい。このことに起
因して本実施例の構造からなる超伝導素子に電流を流す
と以下に述べる現象が生じる。まず、電流の大きさが弱
超伝導体の臨界電流以下の場合には超伝導電流が流れ
る。この超伝導電流は２つの第１超伝導体の間隔ｄに無
関係であり、原理的にはｄをどんなに長く選んでも流れ
るものである。次に、電流の大きさが弱超伝導体の臨界
電流を越えた場合を考える。この場合は電流の大きさに
よってさらに次に述べる２つの場合に分けられる。第１
の場合は弱超伝導体の臨界電流よりやや大きい電流を流
した場合であり、また第２の場合は第１の場合より大き
な電流を流した場合である。第１の場合では、弱超伝導
体単体では本来超伝導状態が破られるはずであるにもか
かわらず、第１超伝導体が隣接していることによる近接
効果のおかげで弱超伝導体の超伝導状態が維持されてい
る。したがって、この場合には弱超伝導体の臨界電流以
下の大きさの電流を流した場合と同様に超伝導電流が流
れる。ただし、本実施例の実験水準ではｄは近接効果が
有効に作用する長さより充分長いため第１の場合に対応
する超伝導電流の領域は狭い範囲に限られている。つづ
いて第２の場合では、弱超伝導体の超伝導状態は完全に
破られて、２つの第１超伝導体の間に電圧が発生する。
以上をまとめると、ある大きさの電流までは超伝導電流
が流れ、それ以上の電流では電圧が発生することにな
る。ここで言うある大きさの電流が図２のＩｃであり、
これは厳密に言えば弱超伝導体単体の臨界電流より大き
な値になる。
【００１１】以上に述べた理由により、本実施例の超伝
導素子では、弱結合体のかわりに弱超伝導体を用いてい
るにもかかわらず、そしてさらに２つの第１超伝導体の
間隔が３０００ｎｍ以上の広い間隔であるにもかかわら
ず、そのＩ−Ｖ特性は超伝導弱結合にもとづく超伝導体
間隔が数１００ｎｍ以下の２端子超伝導素子のそれと同
等になる。なお、ギンツブルグ・ランダウ理論によって
示されるようにコヒーレンス長は温度に依存していて臨
界温度で無限大になる。また、臨界電流密度も温度に依
存する。そのためにＩｃとｄの関係は動作温度に依存す
る。したがって、本実施例では動作温度を４０Ｋとした
が、動作温度を弱超伝導体の臨界温度以下の温度領域で
制御することによってＩ−Ｖ特性を所望の特性に合わせ
込むことができる。
導素子では、弱結合体のかわりに弱超伝導体を用いてい
るにもかかわらず、そしてさらに２つの第１超伝導体の
間隔が３０００ｎｍ以上の広い間隔であるにもかかわら
ず、そのＩ−Ｖ特性は超伝導弱結合にもとづく超伝導体
間隔が数１００ｎｍ以下の２端子超伝導素子のそれと同
等になる。なお、ギンツブルグ・ランダウ理論によって
示されるようにコヒーレンス長は温度に依存していて臨
界温度で無限大になる。また、臨界電流密度も温度に依
存する。そのためにＩｃとｄの関係は動作温度に依存す
る。したがって、本実施例では動作温度を４０Ｋとした
が、動作温度を弱超伝導体の臨界温度以下の温度領域で
制御することによってＩ−Ｖ特性を所望の特性に合わせ
込むことができる。
【００１２】以上に述べた実施例では平面構造型の超伝
導素子を取り扱ったが、本発明は第１超伝導体、弱超伝
導体、第１超伝導体をこの順番に積み上げた積層構造型
の超伝導素子にも応用することができる。その場合には
弱超伝導体の積層膜厚を厚くできるから薄膜形成技術の
見地からみて有利になる。また、弱超伝導体によって連
結される２つの第１超伝導体は同じものである必要はな
く、異なる臨界温度を有するあるいは異なる物質からな
る２つの第１超伝導体を用いることもできる。さらに弱
超伝導体の材料について言えば、上記実施例で述べたＹ
ＢＣＯ系物質以外に、たとえばＣ60あるいはＣ72のフラ
ーレン、特にハロゲン元素をドープしたフラーレンなど
の他の材料からなる超伝導物質であってもよい。
導素子を取り扱ったが、本発明は第１超伝導体、弱超伝
導体、第１超伝導体をこの順番に積み上げた積層構造型
の超伝導素子にも応用することができる。その場合には
弱超伝導体の積層膜厚を厚くできるから薄膜形成技術の
見地からみて有利になる。また、弱超伝導体によって連
結される２つの第１超伝導体は同じものである必要はな
く、異なる臨界温度を有するあるいは異なる物質からな
る２つの第１超伝導体を用いることもできる。さらに弱
超伝導体の材料について言えば、上記実施例で述べたＹ
ＢＣＯ系物質以外に、たとえばＣ60あるいはＣ72のフラ
ーレン、特にハロゲン元素をドープしたフラーレンなど
の他の材料からなる超伝導物質であってもよい。
【００１３】なお、以上の説明では２端子素子だけにつ
いて述べたが、本発明は３端子超伝導素子にも応用する
ことができる。
いて述べたが、本発明は３端子超伝導素子にも応用する
ことができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明は、空間
的に分離された２つの第１超伝導体をそれらの臨界電流
密度より小さい臨界電流密度を有する弱超伝導体で連結
し該弱超伝導体の超伝導臨界温度以下の温度で動作させ
ることによって、２つの第１超伝導体間隔の距離に関す
る制約を解放し、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特
性が一様な超伝導素子を提供することができるという効
果を有する。
的に分離された２つの第１超伝導体をそれらの臨界電流
密度より小さい臨界電流密度を有する弱超伝導体で連結
し該弱超伝導体の超伝導臨界温度以下の温度で動作させ
ることによって、２つの第１超伝導体間隔の距離に関す
る制約を解放し、製造歩留まりと信頼性が高くしかも特
性が一様な超伝導素子を提供することができるという効
果を有する。
【００１５】本発明を酸化物高温超伝導体を用いた超伝
導素子に応用すれば現有の薄膜形成技術とフォトリソグ
ラフィー技術を用いて容易に製造可能な超伝導素子を提
供することができるから特にその効果は大である。
導素子に応用すれば現有の薄膜形成技術とフォトリソグ
ラフィー技術を用いて容易に製造可能な超伝導素子を提
供することができるから特にその効果は大である。
【図１】 本発明の実施例における超伝導素子の断面
図。
図。
【図２】 本発明の実施例における超伝導素子のＩ−Ｖ
特性を示す図。
特性を示す図。
【図３】 本発明の実施例における超伝導素子の２つの
第１超伝導体の間隔ｄと臨界電流Ｉｃの関係を示す図で
ある。
第１超伝導体の間隔ｄと臨界電流Ｉｃの関係を示す図で
ある。
１ 基板 ２ 弱超伝導体 ３ 第１超伝導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 達也 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 空間的に分離された２つの第１超伝導体
をそれらの臨界電流密度より小さい臨界電流密度を有す
る第２超伝導体で連結し、第２超伝導体の超伝導臨界温
度以下の温度で動作させることを特徴とする超伝導素
子。 - 【請求項２】 第１超伝導体と第２超伝導体はともに酸
化物超伝導体からなることを特徴とする請求項１記載の
超伝導素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231826A JPH0575168A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 超伝導素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231826A JPH0575168A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 超伝導素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575168A true JPH0575168A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16929627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231826A Pending JPH0575168A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 超伝導素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295136B1 (en) * | 1906-10-29 | 2001-09-25 | Seiko Epson Corporation | Printer control apparatus method of controlling printer and recording medium used therefor |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231826A patent/JPH0575168A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295136B1 (en) * | 1906-10-29 | 2001-09-25 | Seiko Epson Corporation | Printer control apparatus method of controlling printer and recording medium used therefor |
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