JPH0574849A - Ｔａｂ式半導体装置の接続構造 - Google Patents
Ｔａｂ式半導体装置の接続構造Info
- Publication number
- JPH0574849A JPH0574849A JP23508691A JP23508691A JPH0574849A JP H0574849 A JPH0574849 A JP H0574849A JP 23508691 A JP23508691 A JP 23508691A JP 23508691 A JP23508691 A JP 23508691A JP H0574849 A JPH0574849 A JP H0574849A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＴＡＢ式半導体装置、またはフレキシブルテ
ープ等のリードと基板に設けたパターンとの間に位置ず
れを生じるおそれのないリードとパターンの接続構造を
提供し、接続後の信頼性も向上させる。 【構成】 基板のパターン２を形成する位置にＴＡＢ式
半導体装置１１、フレキシブルテープ等のリード１４と
同じピッチでかつ該リードの幅より広い幅の凹部３を設
け、該凹部の底部および側部にパターンを形成する。接
続後は、ＴＡＢ式半導体装置、フレキシブルテープ等の
リード１４が基板に設けたパターンに確実に挿入され
る。
ープ等のリードと基板に設けたパターンとの間に位置ず
れを生じるおそれのないリードとパターンの接続構造を
提供し、接続後の信頼性も向上させる。 【構成】 基板のパターン２を形成する位置にＴＡＢ式
半導体装置１１、フレキシブルテープ等のリード１４と
同じピッチでかつ該リードの幅より広い幅の凹部３を設
け、該凹部の底部および側部にパターンを形成する。接
続後は、ＴＡＢ式半導体装置、フレキシブルテープ等の
リード１４が基板に設けたパターンに確実に挿入され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドフィルムの
如き可撓性のフィルムに、半導体素子を搭載してフィル
ムに設けたインナリードと接続してなるＴＡＢ式半導体
装置、あるいは上記のフィルムにリードを設けてなるフ
レキシブルテープを、基板に設けたパターンに接続する
ＴＡＢ式半導体装置等の接続構造に関するものである。
如き可撓性のフィルムに、半導体素子を搭載してフィル
ムに設けたインナリードと接続してなるＴＡＢ式半導体
装置、あるいは上記のフィルムにリードを設けてなるフ
レキシブルテープを、基板に設けたパターンに接続する
ＴＡＢ式半導体装置等の接続構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィ
ルムに、半導体素子を搭載してフィルムに設けたリード
と接続したいわゆるＴＡＢ式半導体装置は広く実用に供
されている。また、上記のフィルムに多数のリードを設
け、その可撓性を利用して基板間等を接続するフレキシ
ブルテープも実用化されている。
ルムに、半導体素子を搭載してフィルムに設けたリード
と接続したいわゆるＴＡＢ式半導体装置は広く実用に供
されている。また、上記のフィルムに多数のリードを設
け、その可撓性を利用して基板間等を接続するフレキシ
ブルテープも実用化されている。
【０００３】図４は従来のこの種接続構造の一例を示す
模式図、図５はその要部の拡大図である。図において、
１は例えば液晶パネルを構成するガラス基板で、その外
縁には多数の電極パターン２が設けられている。１１は
ＴＡＢ式半導体装置で、可撓性のフィルム１２の中央部
には半導体素子１３が搭載され、その電極はフィルム１
２に形成したリード１４にそれぞれ接続されている。
模式図、図５はその要部の拡大図である。図において、
１は例えば液晶パネルを構成するガラス基板で、その外
縁には多数の電極パターン２が設けられている。１１は
ＴＡＢ式半導体装置で、可撓性のフィルム１２の中央部
には半導体素子１３が搭載され、その電極はフィルム１
２に形成したリード１４にそれぞれ接続されている。
【０００４】なお、５は例えばプリント基板、１５は多
数のリード１４が形成され、ガラス基板１に設けられた
電極パターンとプリント基板５に設けられた電極パター
ンとを電気的に接続するフレキシブルテープである。
数のリード１４が形成され、ガラス基板１に設けられた
電極パターンとプリント基板５に設けられた電極パター
ンとを電気的に接続するフレキシブルテープである。
【０００５】上記のようなガラス基板１の電極パターン
２にＴＡＢ式半導体装置１１のリード１４を接続するに
は、図６に示すようにガラス基板１の電極パターン２に
ＴＡＢ式半導体装置１１のリード１４を整合（位置合わ
せ）させて両者の間に異方性接着フィルム４を介装し、
フィルム１２を加熱かつ加圧して電極パターン（２）に
リード１４を接続する。ガラス基板１とプリント基板５
に対するフレキシブルテープ１５の接続も上記と同様に
して行われる。
２にＴＡＢ式半導体装置１１のリード１４を接続するに
は、図６に示すようにガラス基板１の電極パターン２に
ＴＡＢ式半導体装置１１のリード１４を整合（位置合わ
せ）させて両者の間に異方性接着フィルム４を介装し、
フィルム１２を加熱かつ加圧して電極パターン（２）に
リード１４を接続する。ガラス基板１とプリント基板５
に対するフレキシブルテープ１５の接続も上記と同様に
して行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなガラス基
板１やプリント基板５とＴＡＢ式半導体装置１１または
フレキシブルテープ１５との接続構造においては、異方
性接着フィルム４で両者を接続する際、熱と圧力とによ
ってフィルム１２が伸びるため、電極パターン２とリー
ド１４との位置が整合しなくなり、図６、図７に示すよ
うに両者の間に位置ずれ（ａ）が生じて一部の電極パタ
ーン２とリード１４との間に充分な接続面積が得られな
い場合が生じ、ときとしてリード１４が電極パターン２
から外れてしまい接続できなくなることもある。（位置
ずれ（ａ）は両端へいく程大きくなる。）また、接続後
においても熱によって異方性接着フィルム４がゆるむ可
能性があり、信頼性を損なうおそれがあった。これはテ
ープ両端へいく程著しく発生しやすい。
板１やプリント基板５とＴＡＢ式半導体装置１１または
フレキシブルテープ１５との接続構造においては、異方
性接着フィルム４で両者を接続する際、熱と圧力とによ
ってフィルム１２が伸びるため、電極パターン２とリー
ド１４との位置が整合しなくなり、図６、図７に示すよ
うに両者の間に位置ずれ（ａ）が生じて一部の電極パタ
ーン２とリード１４との間に充分な接続面積が得られな
い場合が生じ、ときとしてリード１４が電極パターン２
から外れてしまい接続できなくなることもある。（位置
ずれ（ａ）は両端へいく程大きくなる。）また、接続後
においても熱によって異方性接着フィルム４がゆるむ可
能性があり、信頼性を損なうおそれがあった。これはテ
ープ両端へいく程著しく発生しやすい。
【０００７】このような位置ずれ傾向は、図８に示すよ
うに接続ピッチが小さくなる程著しかった。
うに接続ピッチが小さくなる程著しかった。
【０００８】本発明は、上述の課題を解決すべくなされ
たもので、位置ずれを生ずるおそれのないパターンとリ
ードとの接続構造を得ることおよび接続後の信頼性向上
を目的としたものである。
たもので、位置ずれを生ずるおそれのないパターンとリ
ードとの接続構造を得ることおよび接続後の信頼性向上
を目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるＴＡＢ式
半導体装置の接続構造は、基板のパターンの形成位置
に、ＴＡＢ式半導体装置等のリードと同じピッチでかつ
このリードの幅より広い幅の凹部を設け、この凹部の底
部および側部にパターンを形成したものである。
半導体装置の接続構造は、基板のパターンの形成位置
に、ＴＡＢ式半導体装置等のリードと同じピッチでかつ
このリードの幅より広い幅の凹部を設け、この凹部の底
部および側部にパターンを形成したものである。
【００１０】
【作用】基板のパターンにＴＡＢ式半導体装置等のリー
ドを位置合わせしてリードを基板の凹部内にそれぞれ嵌
入し、各種接合材料によりパターンとリードを接続す
る。
ドを位置合わせしてリードを基板の凹部内にそれぞれ嵌
入し、各種接合材料によりパターンとリードを接続す
る。
【００１１】
【実施例】図１は本発明実施例を模式的に示した断面
図、図２はその一部拡大図である。図３は本発明実施例
のテープ両端の断面一部拡大図、なお、図６で説明した
従来技術と同じ部分に同じ符号を付し、説明を省略す
る。３はガラス基板１の電極パターン２を形成する位置
にリード１４と同じピッチでエッチング等により形成し
た凹部で実施例ではその深さ（ｂ）を５〜３５μｍ、幅
（ｃ）をリード１４の幅（ｄ）の１．２〜１．５倍にし
た。この凹部３の底部および側部には蒸着、スパッタ等
により電極パターン２が形成されている。
図、図２はその一部拡大図である。図３は本発明実施例
のテープ両端の断面一部拡大図、なお、図６で説明した
従来技術と同じ部分に同じ符号を付し、説明を省略す
る。３はガラス基板１の電極パターン２を形成する位置
にリード１４と同じピッチでエッチング等により形成し
た凹部で実施例ではその深さ（ｂ）を５〜３５μｍ、幅
（ｃ）をリード１４の幅（ｄ）の１．２〜１．５倍にし
た。この凹部３の底部および側部には蒸着、スパッタ等
により電極パターン２が形成されている。
【００１２】上記のような凹部３内に電極パターン２を
設けたガラス基板１にＴＡＢ式半導体装置１１を接続す
るには、先ず、ガラス基板１の電極パターン２とＴＡＢ
式半導体装置１１のリード１４との位置合わせを行った
のち、ガラス基板１の凹部３内に例えば異方性接着フィ
ルム４を挿入する。ついで、ＴＡＢ式半導体装置１１を
下降させてそのリード１４をそれぞれ凹部３内に嵌入し
フィルム１２を加熱かつ加圧して電極パターン２にリー
ド１４を接続する。
設けたガラス基板１にＴＡＢ式半導体装置１１を接続す
るには、先ず、ガラス基板１の電極パターン２とＴＡＢ
式半導体装置１１のリード１４との位置合わせを行った
のち、ガラス基板１の凹部３内に例えば異方性接着フィ
ルム４を挿入する。ついで、ＴＡＢ式半導体装置１１を
下降させてそのリード１４をそれぞれ凹部３内に嵌入し
フィルム１２を加熱かつ加圧して電極パターン２にリー
ド１４を接続する。
【００１３】この場合、凹部３の幅（ｃ）はリード１４
の幅（ｄ）の１．２〜１．５倍程度に形成されているの
で、電極パターン２とリード１４との位置合わせは多少
ラフであっても両者を確実に接続できるため、位置合わ
せがきわめて容易になる。また、接続の際、加熱、加圧
によりフィルム１２が多少伸びても、上述のように凹部
３、したがって電極パターン２の幅（ｃ）をリード１４
の幅（ｄ）より大きく形成して裕度をもたせてあるため
充分にカバーでき、接続不良を生じるようなことはな
い。
の幅（ｄ）の１．２〜１．５倍程度に形成されているの
で、電極パターン２とリード１４との位置合わせは多少
ラフであっても両者を確実に接続できるため、位置合わ
せがきわめて容易になる。また、接続の際、加熱、加圧
によりフィルム１２が多少伸びても、上述のように凹部
３、したがって電極パターン２の幅（ｃ）をリード１４
の幅（ｄ）より大きく形成して裕度をもたせてあるため
充分にカバーでき、接続不良を生じるようなことはな
い。
【００１４】また、テープの伸びは両端へいく程大きく
なるため、この作用を利用して図３のＡ部のようにリー
ド１４とガラス基板１の電極パターン２の接続において
底部はもちろん側部との接続も可能にした。
なるため、この作用を利用して図３のＡ部のようにリー
ド１４とガラス基板１の電極パターン２の接続において
底部はもちろん側部との接続も可能にした。
【００１５】さらに、リード１４の厚さ方向の大部分が
凹部３内に収容されるためガラス基板１とフィルム１２
との間に形成される空間が少なく、したがってこの空間
に充填される異方性接着フィルム４の容積も小さい。こ
のため熱によってフィルム４がゆるんでも信頼性を損な
うことはない。
凹部３内に収容されるためガラス基板１とフィルム１２
との間に形成される空間が少なく、したがってこの空間
に充填される異方性接着フィルム４の容積も小さい。こ
のため熱によってフィルム４がゆるんでも信頼性を損な
うことはない。
【００１６】また、テープ両側のリード１４はガラス基
板１の電極パターン２の底部はもちろん側部とも接続さ
れているため更に信頼性が向上される。
板１の電極パターン２の底部はもちろん側部とも接続さ
れているため更に信頼性が向上される。
【００１７】ＴＡＢ式半導体装置１１または、フレキシ
ブルテープ１５に設けたリード１４と、ガラス基板１に
設けた電極パターン２の、ピッチごとの幅と間隔（ギャ
ップ）との関係の一例を下記に示す。
ブルテープ１５に設けたリード１４と、ガラス基板１に
設けた電極パターン２の、ピッチごとの幅と間隔（ギャ
ップ）との関係の一例を下記に示す。
【００１８】 接続ピッチ ＴＡＢ式半導体装置 基板の電極パターン （μｍ） のリード リード幅 ギャップ パターン幅 ギャップ （μｍ） （μｍ） （μｍ） （μｍ） ４００ １６０ ２４０ ２００ ２００ ３００ １２０ １８０ １５０ １５０ ２００ ８０ １２０ １００ １００ １００ ４０ ６０ ５０ ５０ 上記の、各種のピッチごとに、従来技術と本発明とによ
ってガラス基板１の電極パターン２にＴＡＢ式半導体装
置１１のリード１４を異方性接着フィルム４を使用して
接続し、その位置ずれ（ａ）を調査した結果を図８に示
す。図から明かなように、従来技術では接続ピッチが小
さくなる（ファインパターン）程位置ずれ（ａ）が大き
くなり接続ピッチ１００μｍの場合は３５μｍ（電極２
の幅５０μｍの７０％）に達することがあり、歩留りが
低かった。
ってガラス基板１の電極パターン２にＴＡＢ式半導体装
置１１のリード１４を異方性接着フィルム４を使用して
接続し、その位置ずれ（ａ）を調査した結果を図８に示
す。図から明かなように、従来技術では接続ピッチが小
さくなる（ファインパターン）程位置ずれ（ａ）が大き
くなり接続ピッチ１００μｍの場合は３５μｍ（電極２
の幅５０μｍの７０％）に達することがあり、歩留りが
低かった。
【００１９】これに対して本発明においては接続ピッチ
の大小にかかわらず位置ずれは零であり、歩留りおよび
信頼性の高い接続構造が得られた。
の大小にかかわらず位置ずれは零であり、歩留りおよび
信頼性の高い接続構造が得られた。
【００２０】上記の説明では、ガラス基板１に凹部３を
設けた電極パターン２に、ＴＡＢ式半導体装置１１また
はフレキシブルテープ１５に設けたリード１４を接続す
る場合について述べたが、ガラス基板以外の基板にも本
発明を実施することができる。
設けた電極パターン２に、ＴＡＢ式半導体装置１１また
はフレキシブルテープ１５に設けたリード１４を接続す
る場合について述べたが、ガラス基板以外の基板にも本
発明を実施することができる。
【００２１】また、上記の実施例では電極パターン２と
リード１４とを異方性接着フィルム４で接続する場合に
ついて述べたが、本発明においては、はんだ、導電性接
着剤等、各種の接合材料を使用することができる。
リード１４とを異方性接着フィルム４で接続する場合に
ついて述べたが、本発明においては、はんだ、導電性接
着剤等、各種の接合材料を使用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明は
基板のパターンの位置にＴＡＢ式半導体装置等のリード
の幅より広い幅の凹部を設け、各凹部の底部および側部
にパターンを形成してＴＡＢ式半導体装置等のリードを
接続するようにしたので次のような効果を得ることがで
きる。
基板のパターンの位置にＴＡＢ式半導体装置等のリード
の幅より広い幅の凹部を設け、各凹部の底部および側部
にパターンを形成してＴＡＢ式半導体装置等のリードを
接続するようにしたので次のような効果を得ることがで
きる。
【００２３】（１）パターンとリードとの位置合わせは
多少ラフでも両者を確実に接続することができる。
多少ラフでも両者を確実に接続することができる。
【００２４】（２）リードをリードの幅より広い基板の
凹部に嵌入してパターンと接続するので、加熱および加
圧によりフィルムが若干伸びても両者を確実に接続する
ことができる。
凹部に嵌入してパターンと接続するので、加熱および加
圧によりフィルムが若干伸びても両者を確実に接続する
ことができる。
【００２５】（３）リードが基板の凹部内に収容される
ので基板とフィルムとの間に形成される空間が少なく、
したがってこの空間に充填される接合材料の容積もまた
小さいこのため熱によって接合材料がゆるんでも信頼性
を損なうことがない。
ので基板とフィルムとの間に形成される空間が少なく、
したがってこの空間に充填される接合材料の容積もまた
小さいこのため熱によって接合材料がゆるんでも信頼性
を損なうことがない。
【００２６】また、テープの伸びを利用してテープ両側
のリードはパターンの底部はもちろん、側部にも接続さ
れるため、より信頼性が向上する。
のリードはパターンの底部はもちろん、側部にも接続さ
れるため、より信頼性が向上する。
【００２７】（４）これらのことから、作業が容易でそ
の上、歩留りおよび信頼性が高く、ファインパターン化
のできる接続構造を得ることができる。
の上、歩留りおよび信頼性が高く、ファインパターン化
のできる接続構造を得ることができる。
【図１】本発明実施例を模式的に示した断面図である。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】本発明実施例のテープ両側の断面一部拡大図で
ある。
ある。
【図４】ガラス基板等とＴＡＢ式半導体装置等の接続例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】従来のガラス基板とＴＡＢ式半導体装置との接
続例を模式的に示した断面図である。（図の左側は中央
部、右側は端部）
続例を模式的に示した断面図である。（図の左側は中央
部、右側は端部）
【図７】電極パターンとリードとの位置ずれ状態を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】接続ピッチと位置ずれとの関係を示す線図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 電極パターン ３ 凹部 ４ 異方性接着フィルム ５ プリント基板 １１ ＴＡＢ式半導体装置 １２ フィルム １３ 半導体素子 １４ リード １５ フレキシブルテープ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＴＡＢ式半導体装置、フレキシブルテ
ープ等のリードを基板に設けたパターンに接続する接続
構造において、前記基板パターンを形成する位置に前記
リードと同じピッチでかつ該リードの幅より広い幅の凹
部を設け、該凹部の底部及び側部にパターンを形成した
ことを特徴とするＴＡＢ式半導体装置の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23508691A JPH0574849A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Ｔａｂ式半導体装置の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23508691A JPH0574849A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Ｔａｂ式半導体装置の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574849A true JPH0574849A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16980863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23508691A Pending JPH0574849A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Ｔａｂ式半導体装置の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517752A (en) * | 1992-05-13 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Method of connecting a pressure-connector terminal of a device with a terminal electrode of a substrate |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23508691A patent/JPH0574849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517752A (en) * | 1992-05-13 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Method of connecting a pressure-connector terminal of a device with a terminal electrode of a substrate |
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