JPH0570927B2 - - Google Patents

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JPH0570927B2
JPH0570927B2 JP59033611A JP3361184A JPH0570927B2 JP H0570927 B2 JPH0570927 B2 JP H0570927B2 JP 59033611 A JP59033611 A JP 59033611A JP 3361184 A JP3361184 A JP 3361184A JP H0570927 B2 JPH0570927 B2 JP H0570927B2
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JP
Japan
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mask
wafer
irradiation
holder
chamber
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JP59033611A
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Japanese (ja)
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JPS60178627A (en
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Takuo Karya
Yasuo Kawai
Masahiko Okunuki
Susumu Goto
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Priority to GB08418145A priority patent/GB2155201B/en
Priority to DE19843429084 priority patent/DE3429084A1/en
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Priority to US07/714,353 priority patent/US5164974A/en
Priority to JP5078167A priority patent/JPH07123110B2/en
Publication of JPH0570927B2 publication Critical patent/JPH0570927B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回路が高度に集積された半導体デバ
イスを製造するためのリングラフイ工程、特に転
写工程において使用されるX線転写装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an X-ray transfer apparatus used in a phosphorography process, particularly in a transfer process, for manufacturing semiconductor devices with highly integrated circuits.

回路の集積度合が高まるに従つて回路パターン
を構成する線の幅はミクロンそしてサブミクロン
のオーダーが要求される様になつて来ており、こ
れを達成するため回路パターンを転写するための
照射エネルギーも紫外線、遠紫外そして軟X線と
波長が増々短いものが使用されている。
As the degree of integration of circuits increases, the width of the lines constituting the circuit pattern is required to be on the order of microns or submicrons, and to achieve this, the irradiation energy required to transfer the circuit pattern is required. Also, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, and soft X-rays with increasingly shorter wavelengths are being used.

軟X線を使用したリソグラフイ装置は既に10年
以上に渡つて実用化の努力がなされているが、今
日になつても未だ実用的な半導体デバイス生産用
のX線転写装置は完成していない。この原因は実
用化の要件である焼付分解能、アライメント精
度、スループツト、装置の信頼性、操作性、装置
価格等のバランス又は適正化が不十分なためであ
ると考えられる。
Efforts have been made to commercialize lithography equipment that uses soft X-rays for more than 10 years, but to this day, a practical X-ray transfer equipment for semiconductor device production has not yet been completed. . This is thought to be due to insufficient balance or optimization of printing resolution, alignment accuracy, throughput, device reliability, operability, device price, etc., which are requirements for practical use.

しかしながらX線転写装置を実現するため要件
をより詳細に検討すると、問題の1つは軟X線の
取扱いが可視光あるいは紫外光に比べて遥かに困
難な点にある。周知の通り軟X線は真空容器中で
発生させなければならないから、極近接もしくは
密着状態に置かれたマスクとウエハ上へ軟X線を
照射するために真空容器にベリリユウム箔の窓を
通して軟X線を導出させる。ベリリユウムは軟X
線を吸収する比率が極めて小さいため選ばれたも
のではあるが、容器内の高真空とマスク及びウエ
ハの置かれた大気圧との気圧差に耐えられる様に
50ミクロン程度の厚さが要求される。ベリリウム
箔はこの程度の厚さになると軟X線の吸収率が50
%にもなつてしまい不利である。
However, when considering the requirements for realizing an X-ray transfer device in more detail, one of the problems is that soft X-rays are much more difficult to handle than visible light or ultraviolet light. As is well known, soft X-rays must be generated in a vacuum container, so the soft Derive the line. Berylium is soft
It was chosen because it has an extremely low absorption ratio of radiation, but it was chosen so that it could withstand the pressure difference between the high vacuum inside the container and the atmospheric pressure where the mask and wafer were placed.
A thickness of approximately 50 microns is required. Beryllium foil has a soft X-ray absorption rate of 50 when it reaches this thickness.
%, which is disadvantageous.

更にこれに加えて以下の様な難点が本件の発明
者達によつて注目された。第24図は加速した電
子線をターゲツトに照射して発生させた軟X線の
強度(縦軸)とエネルギとの関係を示したもので
ある。なめらかな右下がりの曲線は連続線で、途
中突出したピークが特性線である。特性線はター
ゲツトの材質に関係する。
Furthermore, in addition to this, the following difficulties were noted by the inventors of the present invention. FIG. 24 shows the relationship between the intensity (vertical axis) and energy of soft X-rays generated by irradiating a target with an accelerated electron beam. The smooth downward-sloping curve is a continuous line, and the peak that stands out in the middle is a characteristic line. The characteristic line is related to the material of the target.

ここで約4KeVより小さい方の側が感材の照射
に利用されるが、破線より左側の領域はベリリユ
ウムで吸収されてしまうため、実際に照射に利用
されるエネルギは約4KeVの位置と破線で挾まれ
た領域に過ぎない。
Here, the side smaller than about 4 KeV is used for irradiating the photosensitive material, but since the area to the left of the broken line is absorbed by beryllium, the energy actually used for irradiation is sandwiched between the position of about 4 KeV and the broken line. It is just a limited area.

即ち、軟X線を真空部分から取出す際に大きな
エネルギー損失を伴うわけである。
That is, a large energy loss is involved when extracting soft X-rays from the vacuum section.

また別の問題の1つは発散性の軟X線でマスク
を照射することから生じる。マスクとウエハが極
近接状態で維持され、これに発散性の軟X線が当
たる場合、もし仮りにウエハが傾いたとすると、
マスクとウエハが近づいた部位と遠ざかつた部位
ではマスク像の寸法が変化する。従つて、マスク
とウエハの平行度を厳密に維持する必要はある
が、機械的に実現するのは著しく困難である。ま
た、発散束で照射した場合、中心部と周辺部でマ
スク像の寸法が異なる特性があるから、転写の度
にマスクとウエハの整合のみならず、マスクの中
心とX線源の軸とを性格に合わせる必要がある。
Another problem arises from irradiating the mask with divergent soft x-rays. If the mask and wafer are kept in close proximity and are exposed to divergent soft X-rays, and the wafer is tilted,
The dimensions of the mask image change in areas where the mask and wafer have approached and areas where they have moved away from each other. Therefore, although it is necessary to strictly maintain the parallelism between the mask and the wafer, it is extremely difficult to achieve this mechanically. In addition, when irradiating with a divergent beam, the dimensions of the mask image differ between the center and the periphery, so each transfer requires not only alignment of the mask and wafer, but also alignment between the center of the mask and the axis of the X-ray source. It needs to fit your personality.

更に他の問題の1つはパターンの転写を終了し
たウエハにエツチング等の化学処理を施した時に
ウエハに伸縮が起きることである。特に、最近ウ
エハ径の拡大化が著しく、6インチあるいは8イ
ンチの直径のウエハに転写が行われることが要望
されており、ウエハの伸縮を無視することはでき
ない。このためパターン像に及ぼすウエハの伸縮
の影響をできる限り少なくする必要がある。
Yet another problem is that when a wafer after pattern transfer is subjected to chemical processing such as etching, the wafer expands and contracts. In particular, the diameter of wafers has recently increased significantly, and there is a demand for transfer to 6-inch or 8-inch diameter wafers, and the expansion and contraction of wafers cannot be ignored. Therefore, it is necessary to minimize the influence of expansion and contraction of the wafer on the pattern image.

それ故本発明の主要な目的は、X線源からのエ
ネルギをマスクの照射に効果的に利用することが
できるX線転写装置を提供することにある。
Therefore, it is a primary object of the present invention to provide an X-ray transfer device in which energy from an X-ray source can be effectively utilized for irradiating a mask.

一方、真空中に物質を放置した場合、その物質
の表面層に吸蔵されていたガスが放出されるため
真空度を著しく損ない、あるいはX線発生源のタ
ーゲツト部で発生したガスが他の部所に悪影響を
与える恐れがあるが、本発明はこの種の難点を除
去することをも更なる目的としている。
On the other hand, if a substance is left in a vacuum, the gas occluded in the surface layer of the substance will be released, significantly impairing the degree of vacuum, or the gas generated at the target part of the X-ray source may be transferred to other parts. However, it is a further object of the present invention to eliminate this type of disadvantage.

次に添付の図面を参照して本発明の好ましい実
施例を説明する。第1図は本発明に従つて構成さ
れたX線転写装置を全体的に示した図である。こ
のX線転写装置は、メインチヤンバ1と、メイン
チヤンバ1の両側にそれぞれ配置されたウエハロ
ードカセツト収容チヤンバ2およびウエハアンロ
ードカセツト収納チヤンバ3と、同じくメインチ
ヤンバ1の片側にウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3と並んで配置されたマスクカセツト収
納チヤンバ4と、照射チヤンバ5a,5bと、サ
ブチヤンバ6とから構成されている。
Preferred embodiments of the invention will now be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a general view of an X-ray transfer apparatus constructed in accordance with the present invention. This X-ray transfer apparatus has a main chamber 1, a wafer load cassette storage chamber 2 and a wafer unload cassette storage chamber 3 arranged on both sides of the main chamber 1, and a wafer unload cassette storage chamber 3 also located on one side of the main chamber 1. It is composed of a mask cassette storage chamber 4, irradiation chambers 5a and 5b, and a subchamber 6 arranged side by side.

メインチヤンバ1は、両側にロード用収納チヤ
ンバ2およびアンロード用収納チヤンバ3がそれ
ぞれ連結されている第1のメインチヤンバ部分7
と、マスク用収納チヤンバ4が片側に連結されて
いる第2のメインチヤンバ部分8とから構成され
ている。第1のメインチヤンバ部分7とロード用
収納チヤンバ2およびアンロード用収納チヤンバ
3の各々との連結部、並びに第2のチヤンバ部分
8とマスク用収納チヤンバ4との連結部はそれぞ
れが独立して真空状態を維持できるように構成さ
れている。
The main chamber 1 is a first main chamber portion 7 to which a loading storage chamber 2 and an unloading storage chamber 3 are respectively connected on both sides.
and a second main chamber part 8 to which a mask storage chamber 4 is connected on one side. The connection portions between the first main chamber portion 7 and each of the loading storage chamber 2 and the unloading storage chamber 3, and the connection portion between the second chamber portion 8 and the mask storage chamber 4 are independently vacuum-vacuumed. It is configured so that the state can be maintained.

照射チヤンバ5a,5bとメインチヤンバ1お
よびサブチヤンバ6の各々との連結部もそれぞれ
真空状態を維持できるように構成されており、又
両者の間には都合に応じて各チヤンバをお互いに
隔離するための仕切弁9が配置されている。例え
ば照射チヤンバ5a,5b内のX線管球を取り替
え又は修理等の必要が生じた場合には、仕切弁9
を閉じてから作業をおこなうことにより他のチヤ
ンバ1,6内の真空状態を維持することができ
る。これにより作業後X線転写装置の作動を再び
開始する前に照射チヤンバ5a,5bだけを排気
すれば良く、必要な排気時間を極めて短縮するこ
とができる。なお各チヤンバ1,2,3,4,5
a,5b,6の好適面には排気用真空ポンプ(図
示せず)と各チヤンバを接続するための管10が
取り付けられている。
The connection parts between the irradiation chambers 5a and 5b and each of the main chamber 1 and the subchamber 6 are also configured to maintain a vacuum state, and there are also holes between them for isolating each chamber from each other as needed. A gate valve 9 is arranged. For example, when it becomes necessary to replace or repair the X-ray tubes in the irradiation chambers 5a and 5b, the gate valve 9
By performing the work after closing the chambers 1 and 6, the vacuum state in the other chambers 1 and 6 can be maintained. This allows only the irradiation chambers 5a, 5b to be evacuated before restarting the operation of the X-ray transfer device after the work, and the required evacuation time can be extremely shortened. In addition, each chamber 1, 2, 3, 4, 5
A pipe 10 for connecting an evacuation vacuum pump (not shown) and each chamber is attached to the preferred surfaces of a, 5b, and 6.

ここで前述したチヤンバ内に収容されている装
置並びにチヤンバ内で行なわれる作業を主要なも
のについて第2図、第3図および第4図を参照し
て概略的に説明する。第4図に示されているよう
にウエハロードカセツト収納チヤンバ2には、X
線転写装置によつて回路パターンを転写するため
に予め面上にフオトレジストを塗布された複数枚
のウエハ12を収納したカセツト13を載置させ
るための装置が設けられている。この装置はカセ
ツト13を上下方向へ昇降させることができ、複
数枚のウエハを第1のメインチヤンバ部分7内へ
順次搬入するのに寄与する。
Here, the main devices housed in the chamber and the operations performed in the chamber will be schematically explained with reference to FIGS. 2, 3, and 4. As shown in FIG. 4, the wafer load cassette storage chamber 2 has an
A device is provided for placing a cassette 13 containing a plurality of wafers 12 whose surfaces have been coated with photoresist in advance for transferring a circuit pattern using a line transfer device. This device is capable of raising and lowering the cassette 13 in the vertical direction and contributes to loading a plurality of wafers into the first main chamber portion 7 one after another.

第1のメインチヤンバ部分7内には、チヤンバ
2内のカセツト13からウエハを一枚ずつチヤン
バ7内へ搬入するための搬入装置がチヤンバ2に
近接して配置されている。更にメインチヤンバ部
分7の長さ方向中央付近にはウエハの平行平面出
し装置が配置されており、ここで照射台上に支持
されたウエハホルダの基準面に対してウエハの表
面が平行になるようにウエハの位置を調整し固定
する。又ウエハアンロードカセツト収納チヤンバ
3に近接した第1のメインチヤンバ部分7内の位
置には、ウエハの全面に回路パターンを転写する
工程を終了したウエハを、チヤンバ3内へ搬出す
るための搬出装置が設けられている。
A loading device for loading wafers one by one from a cassette 13 in the chamber 2 into the chamber 7 is disposed in the first main chamber portion 7 in close proximity to the chamber 2 . Further, a wafer parallel plane aligning device is arranged near the center in the length direction of the main chamber portion 7, and the wafer is aligned so that the surface of the wafer is parallel to the reference plane of the wafer holder supported on the irradiation table. Adjust and fix the position. In addition, at a position in the first main chamber portion 7 adjacent to the wafer unload cassette storage chamber 3, there is an unloading device for unloading the wafer, which has undergone the process of transferring a circuit pattern onto the entire surface of the wafer, into the chamber 3. It is provided.

ここでチヤンバ3にはチヤンバ2と同じく、ウ
エハを収納するカセツト14を載置させるための
装置が配置されている。この装置はカセツト14
を上下方向へ昇降させることができ、照射作業を
終えたウエハを一枚ずつカセツトに収容するのに
寄与する。
Here, in the chamber 3, like the chamber 2, a device for placing a cassette 14 for storing wafers is arranged. This device has cassette 14
The wafers can be raised and lowered in the vertical direction, contributing to storing wafers that have been irradiated one by one into a cassette.

次に第3図を参照してマスク収納チヤンバ2お
よび第2のメインチヤンバ部分8に関連した主要
な装置、作業について説明する。マスク収納チヤ
ンバ4はその内部にマスクカセツト15を有し、
一方このマスクカセツト15内には複数のマスク
16が保持されている。更に転写工程に従つて複
数のマスクのうちの任意のマスク16をマスク取
り出し位置へ割り出すためにマスクカセツト15
を回転させる装置も設けられている。
Next, the main devices and operations related to the mask storage chamber 2 and the second main chamber portion 8 will be explained with reference to FIG. The mask storage chamber 4 has a mask cassette 15 therein,
On the other hand, a plurality of masks 16 are held within this mask cassette 15. Further, according to the transfer process, a mask cassette 15 is used to index any mask 16 out of the plurality of masks to a mask take-out position.
A device for rotating the is also provided.

第2のメインチヤンバ部分8内にはマスクチヤ
ンバ4に近接した位置に、マスクをカセツトから
取り出すあるいはマスクをカセツトへ戻すときに
使用されるマスク移動装置が配置されている。そ
して第2のチヤンバ部分8の内部上方にはマスク
ホルダーを保持するための上下動可能なマスクハ
ンドラがある。第2のチヤンバ部分8の長さ方向
中央付近上部にはマスクとウエハの粗い位置合わ
せを行なうためのプリアライメント用光学顕微鏡
17が取り付けられている。一方第2のチヤンバ
部分8の上部にはプリアライメント用光学顕微鏡
17と近接した位置に、マスクとウエハの精密な
位置合わせを行なうためのフアインアライメント
用電子顕微鏡18が取り付けられている。更に第
2のチヤンバ部分8の内側にはチヤンバ部分8の
長さ方向に亘つて移動できる粗微動装置が配置さ
れ、プリアライメントおよびフアインアライメン
トの際にはこの粗微動装置を使用してマスクおよ
びウエハの位置を移動させる。
In the second main chamber part 8, adjacent to the mask chamber 4, a mask moving device is located which is used to remove the mask from the cassette or to return the mask to the cassette. A vertically movable mask handler for holding a mask holder is provided inside and above the second chamber portion 8. An optical microscope 17 for pre-alignment is attached to the upper part near the center in the length direction of the second chamber portion 8 for roughly aligning the mask and the wafer. On the other hand, a fine alignment electron microscope 18 is attached to the upper part of the second chamber portion 8 in close proximity to the prealignment optical microscope 17 for precisely aligning the mask and the wafer. Furthermore, a coarse and fine movement device that can move in the length direction of the chamber portion 8 is arranged inside the second chamber portion 8, and this coarse and fine movement device is used during pre-alignment and fine alignment to move the mask and Move the wafer position.

サブチヤンバ6に関連した主要な装置および作
業については、マスクをカセツトから取り出すあ
るいはマスクをカセツトへ戻すときに使用される
マスク移動装置を有していない点を除き、第2の
メインチヤンバ部分8に関連して上述した説明と
同様である。
The main equipment and operations associated with the subchamber 6 are similar to those associated with the second main chamber section 8, except that it does not have a mask moving device used to remove the mask from the cassette or return the mask to the cassette. This is the same as the explanation given above.

第2図に示されているとおり照射チヤンバ5
a,5bは内部にX線管球を有しており、マスク
およびウエハは台にのせられてこのチヤンバを通
過するとき移動しながら照射される。このときマ
スクのパターンはウエハに転写される。
Irradiation chamber 5 as shown in FIG.
A and 5b have X-ray tubes inside, and the mask and wafer are placed on a stand and are irradiated while moving as they pass through this chamber. At this time, the mask pattern is transferred to the wafer.

ここでウエハを4つの照射区域に分割した場合
を例にとつて、X線転写装置の全体的な作動を概
略的に説明する。
Here, the overall operation of the X-ray transfer apparatus will be schematically explained using an example in which a wafer is divided into four irradiation areas.

第5図にはマスク16の平面図が示されている
が、このマスク16はX線透過性の基板に回路パ
ターン20および一組のアライメントマーク21
をX線非透過性物質によつて形成したものであ
る。第6図に示されたウエハは直交する破線2
2,23によつて照射区域を4つに分割されてい
る。照射は4つに分割されたウエハの照射区域の
うちの一つとマスク16とを重ね合わせた状態で
行なわれ、従つてウエハの全面を照射するために
照射工程を4回実施しなければならない。なおウ
エハ側にもアライメントマークを予め形成してお
いても良く、アライメントマーク24,25,2
6は各照射区域に一組ずつ形成されている。
FIG. 5 shows a plan view of the mask 16, which has a circuit pattern 20 and a set of alignment marks 21 on an X-ray transparent substrate.
is made of an X-ray non-transparent material. The wafer shown in FIG.
The irradiation area is divided into four by 2 and 23. The irradiation is performed with the mask 16 superimposed on one of the four wafer irradiation areas, so the irradiation process must be performed four times to irradiate the entire surface of the wafer. Note that alignment marks may be formed in advance on the wafer side, and the alignment marks 24, 25, 2
6 are formed in each irradiation area.

このようなアライメントマーク24,25,2
6を形成されたウエハ12はウエハロードカセツ
ト13に複数枚重ねて収容されている。ウエハ1
2は搬入装置によつてチヤンバ7内へ一枚ずつ引
き取られた後、ウエハのオリフラ部27が所定の
方向を向くように位置調整される。次にウエハを
照射台上に支持されたウエハホルダ内へ移し替
え、平行平面出し装置によつてウエハホルダの基
準面に対してウエハの表面が平行で所定の高さに
なるようにウエハ12の位置を調整する。その結
果ウエハホルダに載せられるマスクホルダによつ
て保持されたマスク16とウエハ12とは対向す
る面が平行で所定の間隔になる。
Such alignment marks 24, 25, 2
A plurality of wafers 12 on which wafers 6 have been formed are stored in a wafer load cassette 13 in a stacked manner. Wafer 1
After the wafers 2 are taken into the chamber 7 one by one by a loading device, the position of the wafers is adjusted so that the orientation flat portion 27 of the wafers faces in a predetermined direction. Next, the wafer is transferred into a wafer holder supported on an irradiation table, and the wafer 12 is positioned using a parallel plane aligning device so that the surface of the wafer is parallel to the reference plane of the wafer holder and at a predetermined height. adjust. As a result, the opposing surfaces of the mask 16 held by the mask holder placed on the wafer holder and the wafer 12 are parallel and at a predetermined distance.

ここでウエハを載せた照射台を第2のチヤンバ
部分8の中央部プリアライメント位置へ移動させ
る。
Here, the irradiation table on which the wafer is placed is moved to the central pre-alignment position of the second chamber portion 8.

一方、マスクカセツト15から取り出され、マ
スクハンドラによつて挾持されたマスクホルダー
に固着されたマスク16は、粗微動装置によつて
マスクハンドラからマスクホルダとともに受け取
られる。粗微動装置はマスクホルダをプリアライ
メント位置に待期している照射台上のウエハホル
ダ上へ持つていき両者を重ね合わせる。ここでマ
スク16とウエハ12の第1の照射域との粗い位
置合わせを行ない、続いて一層精密な位置合わせ
を行なうために隣接したフアインアライメント位
置へ照射台を移動させる。
On the other hand, the mask 16 taken out from the mask cassette 15 and fixed to the mask holder held by the mask handler is received together with the mask holder from the mask handler by the coarse and fine movement device. The coarse and fine movement device brings the mask holder onto the wafer holder on the irradiation table, which is waiting at the pre-alignment position, and overlaps the two. Here, the mask 16 and the first irradiation area of the wafer 12 are roughly aligned, and then the irradiation table is moved to an adjacent fine alignment position for more precise alignment.

このようにして精密に位置合わせされたマスク
16とウエハ12は照射台に乗せられて照射チヤ
ンバ5a内へ移送され、X線によつて走査照射さ
れる。なおこのときウエハ12は第1の照射域以
外が照射されることのないように、第2、第3お
よび第4の照射域は遮へいされている。
The mask 16 and wafer 12, which have been precisely aligned in this manner, are placed on an irradiation table, transferred into the irradiation chamber 5a, and scanned and irradiated with X-rays. At this time, the second, third, and fourth irradiation areas of the wafer 12 are shielded so that areas other than the first irradiation area are not irradiated.

照射台が照射チヤンバ5aを通過してサブチヤ
ンバ6へ移送されたところで、ウエハの照射域を
切り換える。照射域の切り換え操作によつてマス
クとウエハの第2の照射域とを重ね合わせたら、
照射台をプリアライメント位置およびフアインア
ライメント位置へ順次移動させる。これによつて
マスクとウエアの第2照射域との粗い位置合わせ
および精密な位置合わせがおこなわれる。
When the irradiation table passes through the irradiation chamber 5a and is transferred to the subchamber 6, the wafer irradiation area is switched. When the mask and the second irradiation area of the wafer are overlapped by the irradiation area switching operation,
Move the irradiation table sequentially to the pre-alignment position and fine alignment position. This allows coarse and precise alignment between the mask and the second irradiation area of the wear.

次に前述したのと同様にマスクとウエハは照射
台にのせられて照射チヤンバ5b内へ移送され、
X線によつて走査照射される。このとき第1、第
3および第4の照射域は遮へいされており、第2
の照射域以外が照射されることはない。
Next, in the same way as described above, the mask and wafer are placed on the irradiation table and transferred into the irradiation chamber 5b.
It is scanned and irradiated with X-rays. At this time, the first, third and fourth irradiation areas are shielded, and the second
Areas other than the irradiated area will not be irradiated.

照射台が照射チヤンバ5bを通過して第2のメ
インチヤンバ部分8へ移送されたところで、ウエ
ハの照射域を再び切り換える。このようにして前
述の操作を繰り返し、ウエハの第3および第4の
照射域も照射し終わり、ウエハ全面の照射が完了
したら、第2のメインチヤンバ部分8から第1の
チヤンバ部分7へ照射台を移動させる。そしてウ
エハの全面に回路パターンを転写されたウエハ1
2は、搬出装置によつてチヤンバ3内のウエハア
ンロードカセツト14に一枚ずつ収容される。な
おマスク16の交換の必要があればマスク移動装
置によつてマスクをカセツト15へ戻し、別のマ
スクをカセツトから取り出すことができる。
When the irradiation table passes through the irradiation chamber 5b and is transferred to the second main chamber portion 8, the wafer irradiation area is switched again. In this way, the above-mentioned operation is repeated, and when the third and fourth irradiation areas of the wafer have been irradiated and the entire wafer has been irradiated, the irradiation table is moved from the second main chamber part 8 to the first chamber part 7. move it. Wafer 1 has the circuit pattern transferred to the entire surface of the wafer.
The wafers 2 are loaded into the wafer unload cassette 14 in the chamber 3 one by one by the unloading device. If the mask 16 needs to be replaced, the mask can be returned to the cassette 15 by the mask moving device, and another mask can be taken out from the cassette.

以上一枚のウエハの照射処理について説明した
が、本発明のX線転写装置においては、複数の照
射台を使用して複数枚のウエハ12を平行して照
射処理することができる。
Although the irradiation process for one wafer has been described above, in the X-ray transfer apparatus of the present invention, a plurality of wafers 12 can be irradiated in parallel using a plurality of irradiation tables.

続いて前述したX線転写装置の全体的な作動を
一層明確に理解するため、重要な項目について以
下に詳細に説明する。
Next, in order to more clearly understand the overall operation of the above-mentioned X-ray transfer apparatus, important items will be explained in detail below.

(1) ウエハのロード、平行平面出しおよびアンロ
ード 第4図に示されているように第1のメインチ
ヤンバ部分7の両側部に、ウエハローダカセツ
ト収納チヤンバ2およびウエハアンロードカセ
ツト収納チヤンバ3がそれぞれ連結されてい
る。ロード用チヤンバ2の内部には、予めX線
に反応するレジストを塗布した複数枚のウエハ
12を収容したウエハカセツト13を載置する
ための台30が設けられており、この台30は
昇降装置31によつて支持されている。台上は
支持されたカセツト13は、ウエハを第1のメ
インチヤンバ部分7内へ一枚搬入したらその都
度順次垂直方向下方へ昇降装置31によつて降
下される。
(1) Loading, parallel plane alignment and unloading of wafers As shown in FIG. connected. Inside the loading chamber 2, a stand 30 is provided on which a wafer cassette 13 containing a plurality of wafers 12 coated with a resist that reacts with X-rays is placed. Supported by 31. The cassette 13 supported on the table is lowered vertically downward by the lifting device 31 each time one wafer is transferred into the first main chamber portion 7.

カセツト13から第1のメインチヤンバ部分
7内へのウエハの搬入は第7図に示されたウエ
ア搬入装置32によつて行なわれる。搬入装置
32は、ウエハ12を上面に載せてカセツト1
3から引き出す台33およびこの台33をガイ
ド34に沿つて水平方向へ摺動させるための摺
動部35を有している。台33上に載置された
ウエハ12は、摺動部35を移動させることに
よつてウエハ押上げ装置36の上方まで移され
る。押上げ装置36は、回転可能なウエハ支承
面37およびこの面から一段下がつた位置に取
り付けられたオリフラ検出器38を有してい
る。ここで押上げ装置36を駆動させてウエハ
支承面37を上昇させ、この支承面37によつ
て台33からウエハ12を受けとる。このとき
ウエハ12の位置は、オリフラ検出器38を使
用しオリフラ27を所定の方向に向けるように
支承面37を回転させて位置決めされる。
The wafers are transferred from the cassette 13 into the first main chamber portion 7 by a ware transfer device 32 shown in FIG. The loading device 32 loads the wafer 12 onto the top surface of the cassette 1.
3 and a sliding portion 35 for sliding the table 33 in the horizontal direction along a guide 34. The wafer 12 placed on the table 33 is moved above the wafer push-up device 36 by moving the sliding portion 35 . The push-up device 36 has a rotatable wafer support surface 37 and an orientation flat detector 38 mounted one step below this surface. Here, the lifting device 36 is driven to raise the wafer support surface 37, and the wafer 12 is received from the table 33 by this support surface 37. At this time, the position of the wafer 12 is determined by rotating the support surface 37 using the orientation flat detector 38 so as to direct the orientation flat 27 in a predetermined direction.

押し上げ装置36を駆動させて、上昇した位
置に面37によつて支承されたウエハ12は、
第8図に示されたウエハハンド40によつて周
囲を挾持される。このハンド40は、ガイド4
1に沿つて摺動する摺動部42に連結されてお
り、又同じく上下動可能な上下シリンダー43
にも連結されている。
By driving the lifting device 36, the wafer 12 supported by the surface 37 is moved to the raised position.
The periphery of the wafer is held by a wafer hand 40 shown in FIG. This hand 40 has a guide 4
1, and a vertical cylinder 43 that is also movable up and down.
is also connected to.

ハンド40はウエハ支承面37上方の位置ま
で摺動部42をガイド41に沿つて摺動させる
ことにより移動し、この位置で上下シリンダー
43を作動させることにより降下させられる。
そしてハンド40はウエハ12を支承面37か
ら受けとつた後再びシリンダー43を作動させ
て上昇し、同じく摺動部42をガイド41に沿
つて移動させることにより、ウエハの平行平面
出し位置44(第4図)まで動かされる。
The hand 40 is moved by sliding the sliding portion 42 along the guide 41 to a position above the wafer support surface 37, and is lowered by operating the vertical cylinder 43 at this position.
After receiving the wafer 12 from the support surface 37, the hand 40 operates the cylinder 43 again to ascend, and similarly moves the sliding portion 42 along the guide 41, thereby moving the wafer to a parallel plane position 44 (first position). Figure 4).

この平行平面出し位置44には、レール4
5,45に沿つて移動する照射台46が待期し
ている。第9図に示されている様にこの照射台
46にはその上面にウエハホルダー47が取り
付けられており、一方ホルダー47の内部には
その底面から上方に向かい順次、照射域移動台
48、球面座49、ウエハチヤツク50が配置
されている。
At this parallel plane position 44, the rail 4
An irradiation table 46 moving along lines 5 and 45 is waiting. As shown in FIG. 9, a wafer holder 47 is attached to the upper surface of this irradiation table 46, and inside the holder 47, an irradiation area moving table 48, a spherical surface A seat 49 and a wafer chuck 50 are arranged.

照射台46およびホルダー47の底部にはピ
エゾ素子51を挿通させるための開口52,5
3がそれぞれ形成されている。この開口52,
53は好ましくは3個形成される。ピエゾ素子
51は上下動可能な素子支持台54の上面に好
ましくは3本前述の開口に対向して垂直に取り
つけられている。
Openings 52 and 5 are provided at the bottom of the irradiation table 46 and the holder 47 for inserting the piezo element 51.
3 are formed respectively. This opening 52,
Preferably three 53 are formed. Preferably, three piezo elements 51 are vertically mounted on the upper surface of a vertically movable element support 54 facing the aforementioned opening.

一方チヤツク50の底部には棒状突起55が
保持されており、開口52,53を通してホル
ダー47内へ挿通された素子51の上端と当接
するようになつている。又球面座49はチヤツ
ク50に固定されており、その周囲には球面座
49の位置を固定するためのピエゾ素子56が
当接している。
On the other hand, a rod-like projection 55 is held at the bottom of the chuck 50 and is adapted to come into contact with the upper end of the element 51 inserted into the holder 47 through the openings 52 and 53. Further, the spherical seat 49 is fixed to the chuck 50, and a piezo element 56 for fixing the position of the spherical seat 49 abuts around the chuck 50.

平行平面出し位置44にはメインチヤンバー
部分7の上面に設置された昇降装置57によつ
て上下動するキヤリブレーター58が配置され
ている。このキヤリブレーター58は底板59
を有し、底板59にはギヤツプセンサー60挿
通用開口61およびチヤツク賦勢段62挿通用
開口63が形成されている。
A calibrator 58 is disposed at the parallel plane position 44 and is moved up and down by a lifting device 57 installed on the upper surface of the main chamber portion 7 . This calibrator 58 has a bottom plate 59
The bottom plate 59 has an opening 61 for inserting the gap sensor 60 and an opening 63 for inserting the chuck activation stage 62.

ここで前述したように平行平面出し位置44
までハンド40によつて運ばれたウエハ12
は、同じく位置44に待期しているウエハホル
ダー47とキヤリブレーター58との間に位置
することになる。次に上下シリンダー43を作
動させてウエハハンド40をチヤツク50へ向
けて降下させ、ウエハがチヤツク50の上面付
近に達したらハンド40を作動させてウエハを
解放し、チヤツク50の面上に載せる。ウエハ
12は静電方式によつてチヤツク50に固着さ
れる。
Here, as mentioned above, the parallel plane position 44
The wafer 12 carried by the hand 40 until
will be located between the wafer holder 47 and the calibrator 58, which are also waiting at the position 44. Next, the upper and lower cylinders 43 are operated to lower the wafer hand 40 toward the chuck 50, and when the wafer reaches near the top of the chuck 50, the hand 40 is operated to release the wafer and place it on the surface of the chuck 50. Wafer 12 is fixed to chuck 50 by electrostatic means.

ハンド40はウエハ12をチヤツク50へ受
け渡した後上下シリンダー43の作動により上
昇し、摺動部42をガイド41に沿つて移動さ
せることによりチヤンバ2の方向へ移される。
After the hand 40 transfers the wafer 12 to the chuck 50, it is raised by the operation of the vertical cylinder 43, and is moved toward the chamber 2 by moving the sliding portion 42 along the guide 41.

このようにしてチヤツク50の上に固着され
たウエハ12の平行平面出しの機構について説
明する。まず昇降装置57を作動させてキヤリ
ブレーター58をその底板59の下面がホルダ
ー47の上端基準面65と当接するまで降下さ
せる。
A mechanism for aligning the wafer 12 fixed on the chuck 50 in a parallel plane will be explained. First, the lifting device 57 is operated to lower the calibrator 58 until the lower surface of its bottom plate 59 comes into contact with the upper end reference surface 65 of the holder 47.

次に素子支持台54を駆動してピエゾ素子5
1を開口52,53を通して上昇させ、棒状突
起55の下端面を突きあげる。このときギヤツ
プセンサー60を用いて、ウエハ12の上面と
ホルダー47の上端基準面65との間隔を測定
する。測定の結果に応じて素子51の上下微調
整をおこない、ウエハの平行平面出し作業が終
わつたら、素子56を作動させて球面座49の
周囲に突き当て球面座49、従つてチヤツク5
0の位置を固定する。
Next, the element support base 54 is driven so that the piezo element 5
1 is raised through the openings 52 and 53, and the lower end surface of the rod-shaped projection 55 is pushed up. At this time, the gap sensor 60 is used to measure the distance between the upper surface of the wafer 12 and the upper end reference surface 65 of the holder 47. Fine adjustment is made up and down of the element 51 according to the measurement results, and when the wafer is aligned to a parallel plane, the element 56 is activated and brought into contact with the periphery of the spherical seat 49, and thus the chuck 5.
Fix the 0 position.

続いて昇降装置57を作動させてキヤリブレ
ーター58を上昇位置に、また素子支持台54
を作動させてピエゾ素子を降下位置まで移動さ
せる。しかる後ホルダー47をのせた照射台4
6は、駆動装置(図示せず)を作動させること
によりレール45,45に沿つて平行平面出し
位置44からプリアライメント位置へ移動す
る。
Next, the lifting device 57 is operated to move the calibrator 58 to the raised position, and the element support stand 54 is moved to the raised position.
Activate to move the piezo element to the lowered position. After that, the irradiation table 4 with the holder 47 placed on it
6 is moved from the parallel plane position 44 to the pre-alignment position along the rails 45, 45 by actuating a drive device (not shown).

次に照射を終了したウエハのアンロードにつ
いて説明する。ウエハアンロードカセツト収納
チヤンバ3にはウエハロードカセツト収納チヤ
ンバ2と同じくウエハを収納するカセツト14
を載置するための台30が設けられており、こ
の台30は昇降装置31によつて支持されてい
る。台30上に支持されたカセツト14は、第
1のメインチヤンバ部分7からウエハを収納し
た後垂直上方へ昇降装置31によつて順次上昇
される。
Next, unloading of the wafer after irradiation will be explained. The wafer unload cassette storage chamber 3 has a cassette 14 for storing wafers, similar to the wafer load cassette storage chamber 2.
A table 30 is provided on which to place the table, and this table 30 is supported by a lifting device 31. The cassettes 14 supported on the table 30 receive the wafers from the first main chamber portion 7 and are sequentially raised vertically upward by the lifting device 31.

第1のメインチヤンバ部分7からカセツト1
4へのウエハの収容は、第8図に示されたのと
同じ構成を有するウエハハンドおよび第10図
に示されたウエハ搬出装置66を使用すること
によつておこなわれる。装置66は、台67お
よび摺動部68を有している。
From the first main chamber part 7 to the cassette 1
The wafers are placed in the wafer 4 by using a wafer hand having the same configuration as shown in FIG. 8 and a wafer unloading device 66 shown in FIG. The device 66 has a base 67 and a sliding part 68.

第11図に示されているように照射を終了し
た照射台46上からマスクホルダー70をホル
ダーハンド71によつて取り除いた後、照射台
46はレール45,45に沿つてウエハハンド
に向かつて進み停止する。ここでハンドによつ
てウエハチヤツク50上に載置されたウエハ1
2の周囲を挾持し、ウエハ搬出装置66の台6
7上へ移し代える。台67上にウエハをのせた
状態で摺動部68はガイド69に沿つてチヤン
バ3内のカセツト14に向かつて進む。以上の
手順を繰り返すことにより照射を終えたウエハ
は順次アンロードカセツト収納チヤンバ3内の
カセツト14に収容される。
As shown in FIG. 11, after the mask holder 70 is removed from the irradiation table 46 after irradiation by the holder hand 71, the irradiation table 46 advances toward the wafer hand along the rails 45, 45. Stop. Here, a wafer 1 is placed on a wafer chuck 50 by a hand.
The stand 6 of the wafer unloading device 66
7 Move to the top. With the wafer placed on the table 67, the sliding portion 68 advances toward the cassette 14 in the chamber 3 along the guide 69. By repeating the above procedure, the wafers that have been irradiated are sequentially stored in the cassettes 14 in the unload cassette storage chamber 3.

(2) マスクのロードおよびアンロード 次にマスクのロード、アンロードを第3図お
よび第11図を参照して説明する。
(2) Loading and unloading of masks Next, loading and unloading of masks will be explained with reference to FIGS. 3 and 11.

マスクカセツト収納チヤンバ4内へ収納され
たマスクカセツト15a,15bを、カセツト
ふたあけ装置72を作動させてカセツト15の
下ぶた15bを降下させる。
The lower lid 15b of the cassette 15 is lowered by operating the cassette lid opening device 72 for the mask cassettes 15a and 15b stored in the mask cassette storage chamber 4.

カセツト15は上ぶた15aと下ぶた15b
を組み合わせた構成を有し、その内部に複数の
マスク16を上ぶた15a側に磁力で保持して
いる。
The cassette 15 has an upper lid 15a and a lower lid 15b.
It has a structure in which a plurality of masks 16 are held inside thereof on the upper lid 15a side by magnetic force.

マスクの上ぶた15aは回転装置74を駆動
することにより回転可能であり、前述した複数
のマスク16のうち所望のものを取り出し位
置、収納位置へ割り出すことができる。
The upper lid 15a of the mask can be rotated by driving the rotation device 74, and a desired one of the plurality of masks 16 described above can be indexed to the take-out position and storage position.

チヤンバ4の排気は、チヤンバ4ふた75を
あけてカセツト15をチヤンバ4内へ収納しふ
た75を閉じた後排気装置(図示せず)を作動
させることによつて行なわれる。チヤンバ4内
の真空度が所定の値に達したら、閉じていたス
ライド弁76をあけてマスク移動部材を第2の
メインチヤンバー部分8側よりチヤンバ4内へ
挿通させる。マスク移動部材の先端には、カセ
ツトの上ぶた15a側に磁力で保持されたマス
ク16を引き出すつめが形成されている。前記
つめを選択された任意のマスク16に当接させ
たら上ぶた15aを上ぶた昇降機74bを作動
させて上昇させマスク16を上ぶた15aから
取り外し、第2のメインチヤンバ部分8内に向
かつてマスク移動部材を引込め、マスク16を
チヤンバ4内からメインチヤンバ部分8内のマ
スクステージ77へ移動させる。
The chamber 4 is evacuated by opening the chamber 4 lid 75, storing the cassette 15 into the chamber 4, closing the lid 75, and then operating an exhaust device (not shown). When the degree of vacuum within the chamber 4 reaches a predetermined value, the previously closed slide valve 76 is opened and the mask moving member is inserted into the chamber 4 from the second main chamber portion 8 side. A claw is formed at the tip of the mask moving member to pull out the mask 16 which is magnetically held on the side of the upper lid 15a of the cassette. When the claw is brought into contact with the selected arbitrary mask 16, the upper lid 15a is raised by operating the upper lid elevator 74b, the mask 16 is removed from the upper lid 15a, and the mask is moved toward the inside of the second main chamber portion 8. The member is retracted and the mask 16 is moved from within the chamber 4 to the mask stage 77 within the main chamber portion 8.

マスクステージ77には、マスク16を保持
するためのマスクハンドラ78およびマスクの
位置を検知するためのマスク位置センサ79、
更にはマスクハンドラ78によつて保持された
マスクをその状態で垂直上方へ押し上げるため
のマスク押し上げ装置80が設けられている。
The mask stage 77 includes a mask handler 78 for holding the mask 16 and a mask position sensor 79 for detecting the position of the mask.
Furthermore, a mask pushing device 80 is provided for pushing up the mask held by the mask handler 78 vertically upward.

マスクハンドラ78は移動部材上に載せられ
てステージ77に位置したマスクを保持し、又
一方センサ79によりマスクの位置を検知した
結果に応じてマスクの位置ぎめをおこなうべく
回転することができる。
The mask handler 78 is mounted on a moving member to hold the mask positioned on the stage 77, and can rotate to position the mask in response to the detection of the mask position by the sensor 79.

このようにしてマスクの正確な位置決めが終
了したらマスクハンドラ78によつてマスク1
6を保持し、押し上げ装置80を作動させて、
マスクハンドラ78を垂直上方へ移動させる。
After accurate positioning of the mask is completed in this way, the mask handler 78 moves the mask 1
6 and operate the push-up device 80,
Move the mask handler 78 vertically upward.

ここでセンサ79は水平方向に移動でき、マ
スクの位置を検知する際にはハンドラ78によ
つて保持されたマスクの上方に位置し、マスク
の正確な位置ぎめが終了した後には再びもとの
位置へ引込み、マスクハンドラ78の垂直方向
への移動にあたつて障害とはならない。
Here, the sensor 79 is movable in the horizontal direction and is positioned above the mask held by the handler 78 when detecting the position of the mask, and returns to its original position after the correct positioning of the mask is completed. When the mask handler 78 is moved in the vertical direction, it does not become an obstacle.

マスクステージ77の垂直上方にはマスクホ
ルダーハンド71が配置されている。このマス
クホルダーハンド71は、マスクホルダ70を
両側からはさみつけるための当接部材81,8
1と、マスクホルダ70を当接部材81,81
の間にはさみつけた状態で上下に移動させるた
めの軸部材82,82とから構成されている。
この軸部材82,82はメインチヤンバー部分
8の上部に設置された昇降装置83によつて上
下動させられる。又当接部材81,81は軸部
材82,82に対して回動自在に連結されてお
り、照射を終了して送られてくるマスクホルダ
ー70を受けとる際に回動して、いつたんホル
ダー70を一方の当接部材81に対して当接す
る位置まで通過させる。しかる後、前述のとお
り回動してマスクホルダ70の移動径路から離
れていた当接部材81を、再び回動させてホル
ダ70を2つの当接部材81,81によつて挾
持する。
A mask holder hand 71 is arranged vertically above the mask stage 77. This mask holder hand 71 has contact members 81 and 8 for sandwiching the mask holder 70 from both sides.
1 and the mask holder 70 with contact members 81, 81
It is composed of shaft members 82, 82 for moving up and down while being sandwiched between them.
The shaft members 82, 82 are moved up and down by a lifting device 83 installed at the upper part of the main chamber portion 8. Further, the contact members 81, 81 are rotatably connected to the shaft members 82, 82, and rotate when receiving the mask holder 70 sent after irradiation. is passed to a position where it abuts against one of the abutting members 81. Thereafter, the abutment member 81, which had been rotated and moved away from the movement path of the mask holder 70 as described above, is rotated again, and the holder 70 is held between the two abutment members 81, 81.

このようにしてハンド71によつて挾持され
るマスクホルダ70には、マスクハンドラ78
によつて保持された状態で垂直上方へ移動して
くるマスクを部分的に収容するための開口部8
4と、マスクを磁力で保持するために底部に埋
設された磁性体とを有している。従つてハンド
ラ78によつて保持された状態でマスク押し上
げ装置80によつて垂直上方へ移動してきたマ
スクは、マスクホルダ70によつて保持され、
一方ハンドラ78はマスクを解放して後マスク
押し上げ装置80の作動により垂直下方へ降下
する。
The mask holder 70 held by the hands 71 in this manner has a mask handler 78
opening 8 for partially accommodating the mask moving vertically upward while being held by the
4, and a magnetic body buried in the bottom to hold the mask with magnetic force. Therefore, the mask held by the handler 78 and moved vertically upward by the mask push-up device 80 is held by the mask holder 70.
On the other hand, the handler 78 releases the mask and descends vertically downward by the operation of the rear mask lifting device 80.

次に前述したのとは反対にマスクホルダ70
によつて保持されているマスク16をマスクカ
セツト15内へ収納する手順について説明す
る。
Next, contrary to the above, the mask holder 70
The procedure for storing the mask 16 held by the mask cassette 15 into the mask cassette 15 will be explained.

まず押上げ装置80を作動させてマスクハン
ドラ78をマスクホルダ70の下側に保持され
ているマスク16の近傍まで移動させる。そし
てハンドラ78を作動させマスクの周囲を挾持
させる。ここでホルダ70の底部に設けられた
磁性体を消磁する。このようにしてホルダ70
からマスクを引きはなしてから押上げ装置80
を駆動させて、ハンドラ78によつて挾持した
状態でマスクを垂直下方に移動させる。
First, the push-up device 80 is activated to move the mask handler 78 to the vicinity of the mask 16 held below the mask holder 70. Then, the handler 78 is activated to clamp the periphery of the mask. Here, the magnetic material provided at the bottom of the holder 70 is demagnetized. In this way, the holder 70
After pulling the mask off, push up device 80
is driven to move the mask vertically downward while being held by the handler 78.

次にマスク移動部材の先端に形成されたつめ
によつて、ハンドラ78により挾持されマスク
ステージ77に位置しているマスクを受けと
る。このときつめがマスクを受けとつたらハン
ドラ78を作動させてマスクからはなれるよう
にする。この後マスク移動部材をチヤンバ4内
へ挿通するように移動し、カセツト15の上ぶ
た15aと下ぶた15bの間に先端を位置させ
る。ここでカセツトの上ぶた15aに設けられ
た磁性体を使つてマスク移動部材の先端に位置
したマスク16を上ぶた15aの下面に吸着、
保持する。
Next, the mask held by the handler 78 and positioned on the mask stage 77 is received by a claw formed at the tip of the mask moving member. At this time, when the claw receives the mask, it activates the handler 78 so that it can be removed from the mask. Thereafter, the mask moving member is moved so as to be inserted into the chamber 4, and the tip thereof is positioned between the upper lid 15a and the lower lid 15b of the cassette 15. Here, using the magnetic material provided on the upper lid 15a of the cassette, the mask 16 located at the tip of the mask moving member is attracted to the lower surface of the upper lid 15a.
Hold.

(3) 照射台および移動台 第12図を使つて移動台および照射台を説明
する。図中、85は移動台で、縦移動レール8
6,86上を不図示の駆動装置により自由に移
動する。縦移動レール86,86は移動台85
がフアインアライメント位置Aとマスク着脱位
置Cを移動できる長さになつている。移動台8
5上には横移動レール45,45が固設され、
横移動レール45,45上を照射台46が自由
に移動する。横移動レール45,45の一端
は、照射台46がフアインアライメント位置A
に在る時、中継レール87,87に接続され、
他端は、照射台46が横移動レール上を移動し
た時、ウエハロード位置Dおよびウエハアンロ
ード位置Eを占める様に決められている。即
ち、移動台85がプリアライメント位置Bに在
り、その位置から照射台46が横移動レール4
5,45上を移動するとウエハロード位置Dに
達することができる。又移動台85がマスク着
脱位置Cにあり、その位置から照射台46がレ
ール45,45を移動するとウエハアンロード
位置Eに達する。照射台46上にマグネツトチ
ヤツクで保持される部材47はウエルホルダ
で、正方形の窪みが設けられており、照射域移
動台48が窪み中を移動し得る。ウエハホルダ
47と照射域移動台48の相対移動ついては後
述する。台48上にはウエハチヤツク50が設
けられていて、ウエハをチヤツキングする。
(3) Irradiation table and moving table The moving table and irradiation table will be explained using Figure 12. In the figure, 85 is a moving platform, and the vertical moving rail 8
6 and 86 by a drive device (not shown). The vertical movement rails 86, 86 are the movement platform 85
has a length that allows movement between the fine alignment position A and the mask attachment/detachment position C. Mobile platform 8
Lateral movement rails 45, 45 are fixedly installed on 5,
The irradiation table 46 freely moves on the lateral movement rails 45, 45. One end of the lateral movement rails 45, 45 is located at the fine alignment position A of the irradiation table 46.
is connected to the relay rails 87, 87,
The other end is determined to occupy a wafer load position D and a wafer unload position E when the irradiation table 46 moves on the lateral movement rail. That is, the movable table 85 is at the pre-alignment position B, and the irradiation table 46 is moved from that position to the lateral movement rail 4.
5, 45, the wafer load position D can be reached. Further, the moving table 85 is at the mask attaching/removing position C, and when the irradiation table 46 moves on the rails 45, 45 from that position, it reaches the wafer unloading position E. A member 47 held by a magnetic chuck on the irradiation table 46 is a well holder, and is provided with a square recess, in which the irradiation area moving table 48 can be moved. The relative movement between the wafer holder 47 and the irradiation area moving table 48 will be described later. A wafer chuck 50 is provided on the table 48 to chuck wafers.

第6図A移動台85と照射台46の上方には
第13図に示す横方向に移動可能な粗微動装置
88が配置される。この粗微動装置88はマス
クとウエハをアライメントするために使用する
もので、横移動レール86,86と平行に設け
られた別の横移動レール89,89に案内され
て移動する。
FIG. 6A A coarse and fine movement device 88 movable in the lateral direction shown in FIG. 13 is arranged above the moving table 85 and the irradiation table 46. This coarse/fine movement device 88 is used to align the mask and the wafer, and is guided by other lateral movement rails 89, 89 provided parallel to the lateral movement rails 86, 86.

第14図は粗微動装置88の詳細を描いてい
る。90は粗微動枠で、横移動レール89,8
9が貫通する梁から4ケ所で釣り下げられ、両
者の間には衝突エネルギー吸収用圧縮バネが挿
入されていて枠を下方で固定している。そして
枠の内部にマスクホルダ70とウエハホルダ4
7が不図示の移動台押上げ機構(詳細は後述)
で押上げられて進入する。粗微動枠90の外側
には積層されたピエゾ素子で支えられた粗動機
構91a,91b等が設けられており、粗動機
構91a…のプツシユロツド92aは枠90の
内部へ突出している。粗動機構91aは第15
図に示されているように粗動モータ93aの回
転力が例えばラツク・ピニオンの組合せにより
プツシユロツド92aの直線移動に変換される
構造となつている。プツシユロツド92aの軸
承は、V字カツトのなされたブロツク94aと
プツシユロツド92aを上側から押圧する片持
ち状の板バネ95aから形成されている。板バ
ネ95aは更にピエゾ素子棒96aで加圧され
る構成となつており、ピエゾ素子棒96aに通
電されると、プツシユロツド92aは板バネ9
5aを介して押圧され、ブロツク94aにクラ
ンプされる。97,97は積層されたピエゾ素
子で、粗動機構91aを微小量前後させる機能
を持ち、一端は粗動機構91aに固定され、他
端は粗微動枠90の外部に固定される。又以上
と同様の粗動機構91b…が積層されたピエゾ
素子で粗微動枠90の外部に固定される。
FIG. 14 depicts details of the coarse and fine movement device 88. 90 is a coarse and fine movement frame, and lateral movement rails 89, 8
9 is hung from the penetrating beam at four locations, and compression springs for absorbing collision energy are inserted between the two to fix the frame below. A mask holder 70 and a wafer holder 4 are placed inside the frame.
7 is a moving platform push-up mechanism (not shown) (details will be described later)
It is pushed up and enters. Coarse movement mechanisms 91a, 91b, etc. supported by laminated piezo elements are provided outside the coarse and fine movement frame 90, and push rods 92a of the coarse movement mechanisms 91a, . . . project into the inside of the frame 90. The coarse movement mechanism 91a is the fifteenth
As shown in the figure, the rotational force of the coarse motor 93a is converted into linear movement of the push rod 92a by a combination of a rack and pinion, for example. The bearing of the push rod 92a is formed by a V-shaped block 94a and a cantilevered leaf spring 95a that presses the push rod 92a from above. The leaf spring 95a is further pressurized by a piezo element rod 96a, and when the piezo element rod 96a is energized, the push rod 92a is pressed against the leaf spring 9.
5a and clamped to block 94a. 97, 97 are stacked piezo elements having the function of moving the coarse movement mechanism 91a back and forth by a minute amount, one end of which is fixed to the coarse movement mechanism 91a, and the other end fixed to the outside of the coarse and fine movement frame 90. Further, coarse movement mechanisms 91b similar to those described above are fixed to the outside of the coarse and fine movement frame 90 using stacked piezo elements.

次に第16図を使つて粗微動調整について説
明する。図中、92a〜92eは粗微動枠90
の上段から突出したプツシユロツドでマスクホ
ルダ70に当接し、92f〜92jは下段から
突出したプツシユロツドでウエハホルダ47に
当接する。即ちプツシユロツド92aと92b
はマスクホルダ70の一辺に当接し、その対辺
にはプツシユロツド92dが当接してマスクホ
ルダ70を挾持し、左右の辺には各々92cと
92eが当接して挾持する。ウエハホルダ47
も同様にプツシユロツド92fとプツシユロツ
ド92hと92iが対向し、又プツシユロツド
92gとプツシユロツド92jが対向して挾持
する。例えばマスクホルダ70のX、Y、θの
調整をする場合、X方向の調整ではプツシユロ
ツド92cと92eを若干緩めてプツシユロツ
ド92aと92bの組及びプツシユロツド92
dを相互に押出し、引き込むことで実現する。
その際、初期状態では粗動モータ93aを駆動
してプツシユロツド92aを前後させて粗い調
整を行つた後、ピエゾ素子棒96aを駆動して
プツシユロツド92aをクランプする。次いで
積層されたピエゾ素子97へ通電すると粗動機
構91a全体が微細に前後してマスクホルダ7
0の位置を精密に位置決めすることができる。
またY方向の調整ではプツシユロツド92eと
プツシユロツド92cを相互に押し引きして位
置決めすることができる。
Next, coarse and fine adjustment will be explained using FIG. 16. In the figure, 92a to 92e are coarse and fine movement frames 90.
The push rods 92f to 92j abut the mask holder 70 with the push rods protruding from the upper stage, and the wafer holder 47 with the push rods 92f to 92j protruding from the lower stage. That is, push rods 92a and 92b
is in contact with one side of the mask holder 70, the push rod 92d is in contact with the opposite side to clamp the mask holder 70, and the left and right sides are respectively in contact with and clamp the push rod 92c and 92e. Wafer holder 47
Similarly, push rods 92f and 92h and 92i face each other, and push rods 92g and 92j face each other to hold them. For example, when adjusting the X, Y, and θ of the mask holder 70, the push rods 92c and 92e are slightly loosened for adjustment in the
This is achieved by pushing out and drawing d into each other.
At this time, in the initial state, the coarse adjustment motor 93a is driven to move the push rod 92a back and forth for rough adjustment, and then the piezo element rod 96a is driven to clamp the push rod 92a. Next, when the stacked piezo elements 97 are energized, the entire coarse movement mechanism 91a moves back and forth minutely to move the mask holder 7
The position of 0 can be precisely positioned.
Further, for adjustment in the Y direction, the push rods 92e and 92c can be pushed and pulled against each other for positioning.

一方、θ方向の調整の際はプツシユロツド9
2cと92eを若干緩め、プツシユロツド92
aとプツシユロツド92bの突出量を変えれば
プツシユロツド92dの先端を中心にマスクホ
ルダ70は回転することになる。ウエハホルダ
47についても上述と同様の操作で位置調整が
可能である。
On the other hand, when adjusting the θ direction, use the push rod 9.
Slightly loosen 2c and 92e, push rod 92
By changing the protrusion amount of the push rod 92b and the push rod 92b, the mask holder 70 will rotate around the tip of the push rod 92d. The position of the wafer holder 47 can also be adjusted in the same manner as described above.

(4) プリアライメントおよびフアインアライメン
ト 第12図へ戻つてプリアライメント及びフア
インアライメントの説明を行う。まず、マスク
着脱位置Cで、マスクを装着されたマスクホル
ダ70を粗微動装置88に取付ける工程が行わ
れる。そのためマスクホルダーハンド71を一
旦下降させた後、粗微動装置88をマスク着脱
位置Cまで移動させて、粗微動装置88をマス
クホルダ70の上方に整合させる。次いでマス
クホルダーハンド71を上昇させてマスクホル
ダ70を粗微動装置88の粗微動枠90にはめ
込み、各プツシユロツド92a〜92eを突出
させてマスクホルダ70を挾持する。
(4) Pre-alignment and fine alignment Returning to FIG. 12, pre-alignment and fine alignment will be explained. First, at the mask attachment/detachment position C, a step of attaching the mask holder 70 with the mask attached to the coarse/fine movement device 88 is performed. Therefore, after once lowering the mask holder hand 71, the coarse and fine movement device 88 is moved to the mask attaching/detaching position C, and the coarse and fine movement device 88 is aligned above the mask holder 70. Next, the mask holder hand 71 is raised to fit the mask holder 70 into the coarse and fine movement frame 90 of the coarse and fine movement device 88, and the push rods 92a to 92e are made to protrude and hold the mask holder 70.

一方、ウエハロード位置Dでウエハチヤツク
50にウエハが装着され、また前述の平行平面
出し工程が終了すると、照射台46は横移動レ
ール45,45上を移動してプリアライメント
位置Bに位置する。この時、粗微動装置88は
縦移動レール89,89(第13図)に沿つて
移動し、プリアライメント位置Bで停止し、ウ
エハホルダ47と整合される。
On the other hand, when a wafer is mounted on the wafer chuck 50 at the wafer load position D and the above-described parallel plane alignment process is completed, the irradiation table 46 moves on the lateral movement rails 45 and is located at the pre-alignment position B. At this time, the coarse and fine movement device 88 moves along the vertical movement rails 89, 89 (FIG. 13), stops at the pre-alignment position B, and is aligned with the wafer holder 47.

第3図に示された照射台押上げ機構98で、
移動台85の中央に開けられた図示されない開
口を通して3本の爪をもつ押上げ棒で照射台4
6を押上げ、照射台46の基準面46a,46
bを粗微動装置の枠90の基準下面に押付けて
高さを定めるとともにイコライジングを行う。
With the irradiation table push-up mechanism 98 shown in FIG.
The irradiation table 4 is moved using a push-up rod with three claws through an opening (not shown) made in the center of the movable table 85.
6 and raise the reference planes 46a and 46 of the irradiation table 46.
b is pressed against the reference lower surface of the frame 90 of the coarse and fine movement device to determine the height and perform equalization.

第17図はマスクホルダ70とウエハホルダ
47を図示されない静電チヤツクで結合した様
子を描いており、前述した通りウエハ表面の平
行平面出し及びウエハホルダ47の上端面65
(基準面)からの間隔決定が成されているから、
マスクホルダ70の下端面(基準面)と正確に
当接させればマスク16の下面とウエハ12の
表面は数ミクロン程度の間隔を置いて極近接設
定される。ここで照射台46とウエハホルダ4
7間のマグネツトチヤツク99は解除され、第
16図を使つて前述した操作に従つてマスクと
ウエハのアライメントが行われる。
FIG. 17 depicts a state in which the mask holder 70 and the wafer holder 47 are connected by an electrostatic chuck (not shown).
Since the distance from the (reference plane) has been determined,
If the mask holder 70 is brought into accurate contact with the lower end surface (reference surface), the lower surface of the mask 16 and the surface of the wafer 12 will be set extremely close to each other with an interval of about several microns. Here, the irradiation table 46 and the wafer holder 4
The magnetic chuck 99 between 7 and 7 is released, and the mask and wafer are aligned in accordance with the operations described above using FIG.

ウエハ上のアライメントマークは、ウエハを
有効に利用するためにスクライブ線上に配置さ
れるが、一方、マスクとウエハの最終アライメ
ントは0.1ミクロンあるいはそれ以上の精度が
要求されるため、本例では走査型電子顕微鏡を
使用して実現される。従つて、アライメントを
行う際に電子線でウエハ上のアライメントマー
クを走査することになるが、もし電子線がスク
ライブ線幅より大きく振れると実素子の形成さ
れる領域を照射する不都合がある。従つて、ア
ライメントマークを占有の区域に配置する場
合、あるいは機械的初期設定精度に比べて実素
子間隔が大きく取れる場合を除けば、マスクと
ウエハのアライメント度合を10ミクロンオーダ
ーの誤差に追い込んでおくのが望ましい。
The alignment mark on the wafer is placed on the scribe line in order to make effective use of the wafer, but on the other hand, the final alignment between the mask and the wafer requires an accuracy of 0.1 micron or more, so in this example, a scanning type is used. Realized using an electron microscope. Therefore, when alignment is performed, the alignment mark on the wafer is scanned with an electron beam, but if the electron beam swings more than the scribe line width, there is a problem that the area where the actual device is to be formed will be irradiated. Therefore, unless the alignment mark is placed in an occupied area or the actual element spacing is larger than the mechanical initial setting accuracy, the degree of alignment between the mask and wafer should be kept to an error on the order of 10 microns. is desirable.

第18図および第19図はプリアライメント
用の光学顕微鏡17の構成を概略的に示した図
である。この光学顕微鏡17は、マスク16の
アライメントマーク21,21を検知する2本
の顕微鏡と、ウエハ12上のアライメントマー
ク26,26を検知する2本の顕微鏡とから構
成されている(第18図では各々1つのみ図
示)。4本の顕微鏡はそれぞれ対物レンズ系1
00、結像レンズ系102、TV撮像装置10
3を有している。前述したようにマスクホルダ
70とウエハホルダ47は粗微動装置88によ
つてそれぞれ独立に位置調整がおこなわれ、マ
スク16のアライメントマーク21,21とウ
エハ12のアライメントマークは目盛板101
の基準マークに合わされる。マスクとウエハの
プリアライメントが終了するとマスクホルダ7
0とウエハホルダ47は静電チヤツクによつて
一且結合され、粗微動装置88のプツシユロー
ド92a〜92jはマスクホルダ70とウエハ
ホルダ47から離れてこれらを解放する。続い
て照射台押上げ機構98の押上げ棒は下降し、
照射台46を移動台85上に接地させる。
FIGS. 18 and 19 are diagrams schematically showing the configuration of an optical microscope 17 for pre-alignment. This optical microscope 17 is composed of two microscopes that detect alignment marks 21, 21 on the mask 16 and two microscopes that detect alignment marks 26, 26 on the wafer 12 (see FIG. 18). (Only one of each is shown). Each of the four microscopes has an objective lens system of 1.
00, imaging lens system 102, TV imaging device 10
It has 3. As described above, the positions of the mask holder 70 and the wafer holder 47 are adjusted independently by the coarse and fine movement device 88, and the alignment marks 21, 21 of the mask 16 and the alignment mark of the wafer 12 are adjusted by the scale plate 101.
is aligned with the reference mark. When the pre-alignment of the mask and wafer is completed, the mask holder 7
0 and wafer holder 47 are coupled together by an electrostatic chuck, and push loads 92a to 92j of coarse and fine movement device 88 separate from mask holder 70 and wafer holder 47 to release them. Subsequently, the push-up rod of the irradiation table push-up mechanism 98 descends,
The irradiation table 46 is grounded on the movable table 85.

ここで移動台85が照射台46をチヤツクす
ると、移動台85はフアインアライメント位置
Aまで移動する。その際、粗微動装置88もフ
アインアライメント位置Aに移動しており、フ
アインアライメント位置Aの照射台押上げ機構
104が作動して照射台46を押上げる。押上
げ機構104は例えばカムにより上下する構造
を採用するのが好ましく、そうすれば最も上昇
した位置で加速度が零になるからマスクホルダ
70とウエハホルダ47が急激に衝突すること
は避けられる。
Here, when the moving table 85 checks the irradiation table 46, the moving table 85 moves to the fine alignment position A. At this time, the coarse and fine movement device 88 has also moved to the fine alignment position A, and the irradiation table push-up mechanism 104 at the fine alignment position A operates to push up the irradiation table 46. It is preferable that the push-up mechanism 104 be moved up and down by a cam, for example, so that the acceleration becomes zero at the highest raised position, thereby avoiding a sudden collision between the mask holder 70 and the wafer holder 47.

粗微動装置88のプツシユロツド92a〜9
2jが再びマスクホルダ70とウエハホルダ4
7を把持し、マスクホルダ70とウエハホルダ
47間及びウエハホルダ47と照射台46間の
固着用磁力が消去されると、フアインアライメ
ント用電子顕微鏡18によるアライメントマー
クの検知が行われる。
Push rods 92a to 9 of coarse and fine movement device 88
2j is the mask holder 70 and wafer holder 4 again.
7 and the fixing magnetic force between the mask holder 70 and the wafer holder 47 and between the wafer holder 47 and the irradiation table 46 is eliminated, and then the fine alignment electron microscope 18 detects the alignment mark.

第20図にフアインアライメント用電子顕微
鏡18の概略図を示す。フアインアライメント
用電子顕微鏡18は独立に作動する4本の走査
型電子顕微鏡を有し、このうち2本はマスク1
6のアライメントマーク21,21を検知し、
他の2本はマスクホルダ70の窓105を通し
てウエハ12のアライメントマーク26,26
を検知する(第20図には各々1本のみ図示)。
なおこの窓105は照射チヤンバ5a,5bで
ウエハを照射するときには閉じられるようにな
つている。
FIG. 20 shows a schematic diagram of the fine alignment electron microscope 18. The fine alignment electron microscope 18 has four scanning electron microscopes that operate independently, two of which are connected to the mask 1.
6 alignment marks 21, 21 are detected,
The other two pass through the window 105 of the mask holder 70 and align the alignment marks 26, 26 on the wafer 12.
(Only one of each is shown in FIG. 20).
Note that this window 105 is designed to be closed when the wafer is irradiated with the irradiation chambers 5a and 5b.

106は電子銃で電子ビームを発生する。1
07はコンデンサーレンズ、108は対物レン
ズ、109は2次元方向に電子ビームを振る静
電偏向機である。二次元走査電子ビームは基準
プレート110のスリツトを通してマスク16
およびウエハ12上のアライメントマークへ向
けられる。マスク、ウエハからの反射電子は反
射電子検出器111によつて検出され、この検
出信号に基いてマスク、ウエハのアライメント
マークが基準プレート110のスリツト中央に
位置するように移動される。
An electron gun 106 generates an electron beam. 1
07 is a condenser lens, 108 is an objective lens, and 109 is an electrostatic deflector that swings an electron beam in two-dimensional directions. A two-dimensional scanning electron beam passes through a slit in a reference plate 110 into a mask 16.
and to alignment marks on wafer 12. Backscattered electrons from the mask and wafer are detected by a backscattered electron detector 111, and based on this detection signal, the alignment marks of the mask and wafer are moved to the center of the slit of the reference plate 110.

この際も、粗微動装置88のプツシユロツド
92a〜92jがマスクホルダ70及びウエハ
ホルダ47の位置を規制し、各アライメントマ
ークが夫々対応する電子顕微鏡の軸に一致させ
られ、フアインアライメントが終了する。
At this time as well, the push rods 92a to 92j of the coarse and fine movement device 88 regulate the positions of the mask holder 70 and wafer holder 47, and each alignment mark is made to coincide with the axis of the corresponding electron microscope, thereby completing the fine alignment.

マスクとウエハのフアインアライメントが終
了するとマスクホルダ70とウエハホルダ47
はマグネツトチヤツクによつて結合される。粗
微動装置88のプツシユロツド92a〜92j
はマスクホルダ70とウエハホルダ47から離
れてこれらを解放する。ウエハホルダ47と照
射台46のチヤツキングもおわつたら照射台押
上げ機構104の押上げ棒は下降し、照射台4
6を移動台85上に接地させ両者をチヤツクす
る。
When the fine alignment of the mask and wafer is completed, the mask holder 70 and the wafer holder 47
are connected by a magnetic chuck. Push rods 92a to 92j of coarse and fine movement device 88
moves away from the mask holder 70 and wafer holder 47 to release them. After the wafer holder 47 and the irradiation table 46 have been chucked, the push-up rod of the irradiation table push-up mechanism 104 descends, and the irradiation table 4
6 is grounded on the moving table 85 and both are checked.

(5) 照射 次に第1図と第2図を使つて照射部を説明す
る。照射部は他から独立した真空チヤンバ中に
設置されており、メインチヤンバ1、サブチヤ
ンバ6とは気密仕切弁9,9とベローズ様の自
在継手112,112を介して結合されてい
る。仕切弁9は通常開放されているが、例えば
照射部内を修理する必要がある場合、メインチ
ヤンバ1等の他のチヤンバの真空を維持するた
めに閉鎖される。
(5) Irradiation Next, the irradiation section will be explained using Figures 1 and 2. The irradiation section is installed in a vacuum chamber independent from the others, and is connected to the main chamber 1 and subchamber 6 via airtight gate valves 9 and bellows-like universal joints 112 and 112. The gate valve 9 is normally open, but if, for example, it is necessary to repair the inside of the irradiation section, it is closed to maintain the vacuum in other chambers such as the main chamber 1.

X線照射系はX線管113とソーラースリツ
ト114a,114bから成り、X線管113
は第2図の画面に垂直に延びたターゲツト11
5とその両側斜め上方に配された長い電子銃1
16,116そして偏向板117から成る。偏
向板117は電子銃116,116で発生した
電子線を偏向させてターゲツト115の底部へ
誘導する機能を持つ。尚、電子銃とターゲツト
の長さは照射されるマスクの幅より若干長くな
る様に決定されている。
The X-ray irradiation system consists of an X-ray tube 113 and solar slits 114a and 114b.
is the target 11 extending perpendicularly to the screen in Figure 2.
5 and a long electron gun 1 placed diagonally above it on both sides.
16, 116 and a deflection plate 117. The deflection plate 117 has the function of deflecting the electron beams generated by the electron guns 116, 116 and guiding them to the bottom of the target 115. Note that the lengths of the electron gun and the target are determined to be slightly longer than the width of the mask to be irradiated.

114aと114bはそれぞれソーラースリ
ツトで、ターゲツト115から発生した放射状
軟X線の内、平行な成分を取り出すコリメータ
の作用を持つ。このソーラースリツトは、例え
ばミリメーター・オーダーの厚さを持ち、10ミ
クロンオーダーの微細穴を無数に具えたガラス
あるいは金属板で、発生した軟X線束の内、微
細穴を通過する平行成分以外の成分を遮断す
る。ソーラースリツトは平行の度合に応じて複
数個配置され、高解像力が要求されるマスク程
平行性の良い軟X線で照射する様にし、あまり
高い解像力が要求されないマスクを使用する場
合は多少平行度を落しても照射量の増加を計
り、照射時間の短縮を計ることができる。11
8はソーラースリツトの切替機構で、ハウジン
グの外から、高い平行度の軟X線が得られるソ
ーラースリツト114aと通常の平行度の得ら
れるソーラースリツト114bを真空を低下さ
せることなく切替えられる様にしている。
Reference numerals 114a and 114b each represent a solar slit, which acts as a collimator to extract parallel components of the radial soft X-rays generated from the target 115. This solar slit is, for example, a glass or metal plate with a thickness on the order of a millimeter and equipped with countless microscopic holes on the order of 10 microns. blocks the components of Multiple solar slits are arranged depending on the degree of parallelism, and the masks that require high resolving power are irradiated with soft X-rays with good parallelism, and when using a mask that does not require very high resolving power, they are slightly parallel. Even if the intensity is lowered, the irradiation amount can be increased and the irradiation time can be shortened. 11
Reference numeral 8 denotes a switching mechanism for the Solar slit, which allows switching from outside the housing between the Solar slit 114a, which provides soft X-rays with high parallelism, and the Solar slit 114b, which provides normal parallelism, without lowering the vacuum. I'm doing it like that.

次に87は第12図に描いた中継レールで、
仕切弁9と9の内側で延びており、照射台46
がウエハホルダとマスクホルダを乗せたまま定
速で移動するのに役立つ、つまりマスクとウエ
ハは極近接状態に保持されたまま、図面に垂直
な方向へ延びた軟X線の平行束を横切つて走査
されることになり、マスクは全面照射される。
Next, 87 is the relay rail drawn in Figure 12,
It extends inside the gate valves 9 and 9 and is connected to the irradiation table 46.
helps to move the wafer holder and mask holder at a constant speed, i.e., the mask and wafer are held in close proximity while crossing a parallel beam of soft X-rays extending in a direction perpendicular to the drawing. The mask will be scanned and the entire surface of the mask will be irradiated.

(6) 照射域移動 照射が完了すると照射台46は照射域移動位
置Fへ向う。第12図に示す様にもう一つの移
動台85が配置されており、縦移動レール11
9,119上を移動し得る様になつている。移
動台85の上には横移動レール120,120
が設けられており、移動台85が移動すればそ
れと共に移動する。これら部材は気密性のサブ
チヤンバ6内に収納されている。このサブチヤ
ンバ6には他にプリアライメント装置およびフ
アインアライメント装置等が設けられており、
マスクやウエハの着脱部を除けばメインチヤン
バ1と類似の構造になつている。
(6) Irradiation area movement When irradiation is completed, the irradiation table 46 moves to the irradiation area movement position F. As shown in FIG. 12, another moving platform 85 is arranged, and the vertical moving rail 11
It is designed to be able to move on 9,119. Above the moving table 85 are horizontal moving rails 120, 120.
is provided, and when the moving table 85 moves, it moves together with it. These members are housed in an airtight subchamber 6. This subchamber 6 is also provided with a pre-alignment device, a fine alignment device, etc.
It has a similar structure to the main chamber 1 except for the parts for attaching and removing masks and wafers.

第12図の第2の移動台85は、照射台46
が中継レール87,87の端末に来た時、これ
らレールの延長上に横移動レール120,12
0が整列する位置に静止している。71は第2
のマスクホルダーハンドで、前述したマスクホ
ルダーハンドと同様にマスクホルダ70を把持
し、ウエハホルダ47から持ち上げる機能を持
つ。
The second movable table 85 in FIG.
comes to the terminals of the relay rails 87, 87, the lateral movement rails 120, 12 are placed on the extension of these rails.
It is stationary at the position where 0 is aligned. 71 is the second
The mask holder hand has the function of grasping the mask holder 70 and lifting it from the wafer holder 47 similarly to the mask holder hand described above.

照射域移動位置Fには第2のマスクホルダー
ハンド71の他に照射域移動リフトが配置され
ている。第21図において照射台46、横移動
レール120,120、移動台85、縦移動レ
ール119,119は前述の通りである。これ
に対し第2の移動台85には中央に開口があ
り、その部分に凹状の取付具121が設けられ
ている。そしてこの取付具121には積層され
たピエゾ素子122aと122bが取付けられ
ており、その上部には更にソレノイド123a
と123bが夫々設けられている。
At the irradiation area movement position F, in addition to the second mask holder hand 71, an irradiation area movement lift is arranged. In FIG. 21, the irradiation table 46, the horizontal movement rails 120, 120, the movement table 85, and the vertical movement rails 119, 119 are as described above. On the other hand, the second moving table 85 has an opening in the center, and a recessed fixture 121 is provided in the opening. Laminated piezo elements 122a and 122b are attached to this fixture 121, and a solenoid 123a is further attached to the top of the piezo elements 122a and 122b.
and 123b are provided, respectively.

一方、照射域移動台48の底には下面が磁性
を有する材料で作られた吸着板124が支柱を
介して固定されており、支柱はウエハホルダ4
7と照射台46の底部にあけられた開口を貫通
し、また吸着板124は開口中を移動し得る。
照射域移動台48とウエハホルダ47間の着磁
力を消去した後、ピエゾ素子122aに通電す
るとピエゾ素子は伸長し、ソレノイド123a
の頭部は吸着板124を押し上げるので、照射
域移動台48はウエハホルダ47から100分の
2、3ミリメートル程度離間する。この段階
で、ソレノイド123aを作動させて照射域移
動台48を移動台85に固定し、照射台46を
横移動レール120,120に沿つて規定量送
れば、ウエハホルダ47も照射台46と伴に移
動するから、照射域移動台48はウエハホルダ
47に対して移動したことになる。即ち照射域
が変更されたわけである。
On the other hand, a suction plate 124 whose lower surface is made of a magnetic material is fixed to the bottom of the irradiation area moving table 48 via a support, and the support is connected to the wafer holder 4.
7 and the opening made at the bottom of the irradiation table 46, and the suction plate 124 can move within the opening.
After eliminating the magnetizing force between the irradiation area moving table 48 and the wafer holder 47, when the piezo element 122a is energized, the piezo element expands and the solenoid 123a
The head of the wafer holder pushes up the suction plate 124, so that the irradiation area moving table 48 is separated from the wafer holder 47 by about two to three hundredths of a millimeter. At this stage, if the solenoid 123a is actuated to fix the irradiation area moving table 48 to the moving table 85 and the irradiation table 46 is sent a specified distance along the lateral movement rails 120, 120, the wafer holder 47 will also move along with the irradiation table 46. Since it moves, the irradiation area moving table 48 has moved relative to the wafer holder 47. In other words, the irradiation area has been changed.

その後、ソレノイド123aへの通電を停止
し、次いでピエゾ素子122aへの給電をやめ
れば、ピエゾ素子122aは収縮し、照射域移
動台48はウエハホルダ47上に接地する。再
び照射域移動台48とウエハホルダ47を吸着
させれば、第2のプリアライメント位置Gへの
移動準備が終了する。尚、もう一組のピエゾ素
子122bとソレノイド123bは照射台が2
回目に回つて来た時の照射域移動に使用され
る。以後前述したのと同じ作業が繰り返され
る。即ち、マスクホルダ70を不図示の第2の
粗微動装置が把持してプリアライメント位置G
に移動し、その位置で移動台85に乗せられた
ウエハホルダ47と合体されてプリアライメン
トされ、フアインアライメントの後、照射が行
われる。
Thereafter, when the power supply to the solenoid 123a is stopped and then the power supply to the piezo element 122a is stopped, the piezo element 122a contracts and the irradiation area moving table 48 is grounded on the wafer holder 47. When the irradiation area moving table 48 and the wafer holder 47 are attracted to each other again, the preparation for movement to the second pre-alignment position G is completed. In addition, the other set of piezo element 122b and solenoid 123b has two irradiation stands.
It is used to move the irradiation area when it comes to the second visit. Thereafter, the same operations as described above are repeated. That is, the mask holder 70 is held by the second coarse/fine movement device (not shown) and moved to the pre-alignment position G.
At that position, the wafer holder 47 is combined with the wafer holder 47 placed on the moving table 85 for pre-alignment, and after fine alignment, irradiation is performed.

照射域の移動はウエハアンロード位置Eにお
いても行なわれる。第4図に示された125は
照射域移動リフトで、操作は前述したリフトと
同様である。第22図Aにおいてチヤンバ7の
下面に取付けられた軸126上には積層された
ピエゾ素子127とソレノイド128が積み重
ねて取付けられている。ピエゾ素子127の伸
長でソレノイド128は吸着板124を押上げ
る。しかる後第22図Bに示す様に照射台46
とウエハホルダ47そして移動台85を縦移動
レール86に沿つて移動させる。その結果、照
射域移動台48の位置をウエハホルダ47に対
して変位させることができる。次にソレノイド
128、ピエゾ素子127への給電を断ち、照
射域移動台48とウエハホルダ47との結合を
行なう。
The movement of the irradiation area is also performed at the wafer unload position E. Reference numeral 125 shown in FIG. 4 is an irradiation area moving lift, and its operation is the same as that of the lift described above. In FIG. 22A, a stacked piezo element 127 and a solenoid 128 are mounted on a shaft 126 mounted on the lower surface of the chamber 7. As the piezo element 127 expands, the solenoid 128 pushes up the suction plate 124. After that, as shown in FIG. 22B, the irradiation table 46
The wafer holder 47 and the moving stage 85 are moved along the vertical moving rail 86. As a result, the position of the irradiation area moving table 48 can be displaced with respect to the wafer holder 47. Next, the power supply to the solenoid 128 and the piezo element 127 is cut off, and the irradiation area moving table 48 and the wafer holder 47 are connected.

前述の実施例では循環路に沿つて配置された
照射チヤンバ5aと5bはそれぞれ固有のX線
管を具備していたが、1つのX線管から複数の
方向を照射し得る構成を備えた照射チヤンバに
替えることもできる。
In the embodiment described above, the irradiation chambers 5a and 5b arranged along the circulation path were each equipped with its own X-ray tube. It can also be replaced with a chamber.

第23図A,Bに於いて、115′はターゲ
ツト、116′,116′は電子銃である。電子
銃116′,116′を発した電子線はターゲツ
ト115′に当り、軟X線を発散する。11
4′と114″はX線発散角内に配置されたソー
ラースリツトで、その作用は前述と同様であ
る。但し、ソーラースリツト114′,11
4″の軸は傾斜しているから、照射台46を内
向きに傾斜させた状態で走査する必要がある。
本例では中継レール87,87の内、内側のレ
ールを中心に全体を傾斜させられる傾斜台13
0を設け、照射台46が横移動レール45から
中継レール87に乗り移つた処でこれらを傾け
る。走査が終了すると再び水平状態に戻して照
射台46が次の横移動レール120に乗移るの
を可能にする。尚、残りのソーラースリツト1
14″の下を通る搬送路も同様の構成となつて
おり、これらを収容した照射チヤンバをメイン
チヤンバ1とサブチヤンバ6の間に連結すれば
転写装置を構成することができる。
In FIGS. 23A and 23B, 115' is a target, and 116' and 116' are electron guns. The electron beams emitted from the electron guns 116', 116' hit the target 115' and emit soft X-rays. 11
4' and 114'' are solar slits placed within the X-ray divergence angle, and their action is the same as described above.However, solar slits 114', 114''
4'' is tilted, it is necessary to scan with the irradiation table 46 tilted inward.
In this example, a tilting table 13 that can be tilted as a whole centering on the inner rail of the relay rails 87, 87.
0, and when the irradiation table 46 transfers from the lateral movement rail 45 to the relay rail 87, these are tilted. When the scanning is completed, the irradiation table 46 is returned to the horizontal state to enable it to be transferred to the next lateral movement rail 120. In addition, the remaining solar slit 1
The conveyance path passing under 14'' has a similar configuration, and if an irradiation chamber containing these is connected between the main chamber 1 and the subchamber 6, a transfer device can be constructed.

又、第1図に示す実施例では、メインチヤン
バ1とサブチヤンバ6の間に1個づつ照射チヤ
ンバを配したが、各々2個あるいはそれ以上並
べて配置しても良い。この様にすれば走査速度
を速めることが可能であり、あるいは仮にX線
管の1本が故障しても、残りを使つて照射工程
を続けることができる。
Further, in the embodiment shown in FIG. 1, one irradiation chamber is arranged between the main chamber 1 and the subchamber 6, but two or more irradiation chambers may be arranged in each case. In this way, it is possible to increase the scanning speed, or even if one of the X-ray tubes fails, the remaining tubes can be used to continue the irradiation process.

更にウエハロードカセツト収納チヤンバ2は
外界に対してメインチヤンバ1内の高真空を破
らない為のみならず、外界から搬入されるウエ
ハ表面に吸蔵されていたガスを十分に放出させ
るに十分な時間だけ待機させている。しかしな
がら、ウエハが前工程のレジフト塗布装置か
ら、内部を真空に維持された大型管内を搬送さ
れて来るのであれば、チヤンバ2は搬送管とメ
インチヤンバ内の真空度の相違を調定するため
に使用されるか、あるいは省略され得る。
Furthermore, the wafer load cassette storage chamber 2 is kept on standby not only to prevent the high vacuum inside the main chamber 1 from being violated by the outside world, but also for a sufficient period of time to sufficiently release the gas occluded on the surface of the wafers brought in from the outside world. I'm letting you do it. However, if the wafer is transported from the resist coating equipment in the previous process into a large tube whose interior is maintained in vacuum, chamber 2 is used to adjust the difference in the degree of vacuum between the transport tube and the main chamber. or may be omitted.

以上説明したとおり本発明のX線転写装置にお
いては、エネルギ発生源とマスクとの間にエネル
ギを導出させる窓の様な部材が無いからマスクは
極めて有効に照射され、X線発生源の給電量を減
少させあるいは照射時間を短縮して高スループツ
トを達成することができる。
As explained above, in the X-ray transfer apparatus of the present invention, since there is no member such as a window for deriving energy between the energy generation source and the mask, the mask is irradiated extremely effectively, and the amount of power supplied to the X-ray generation source is High throughput can be achieved by reducing the irradiation time or by shortening the irradiation time.

尚、上述の実施例ではメインチヤンバに搬入さ
れる前に、マスクおよびウエハはカセツト収納チ
ヤンバの真空中に一旦放置されるから、マスクお
よびウエハの吸蔵ガスはこのチヤンバ内で放出さ
れ、従つてメインチヤンバの真空度が乱されるこ
とはない。また、マスクと照射系のターゲツトと
の間にはソーラースリツトを有する隔壁が配さ
れ、ソーラースリツトの開口は極めて微細である
から、ターゲツト附近で生じたガスがマスク側に
悪影響を与えることはない。
In the above-described embodiment, the mask and wafer are left in the vacuum of the cassette storage chamber before being carried into the main chamber, so the occluded gas in the mask and wafer is released within this chamber, and therefore the gas in the main chamber is The degree of vacuum is not disturbed. In addition, a partition wall with a solar slit is placed between the mask and the target of the irradiation system, and the opening of the solar slit is extremely small, so that gas generated near the target will not have an adverse effect on the mask side. do not have.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明に従つて構成されたX線転写
装置の平面図、第2図は、第1図の−線に沿
つた図、第3図は、第1図の−線に沿つた
図、第4図は第1図の−線に沿つた図、第5
図はマスクの平面図、第6図はマスクとウエハを
重ねた状態を示した図、第7図はウエハ搬入装置
の概略図、第8図はウエハハンドの概略図、第9
図はウエハの平行平面出し機構を説明するための
図、第10図はウエハ搬出装置の概略図、第11
図はウエハのアンロードを説明するための図、第
12図は移動台および照射台を照射するための
図、第13図は粗微動装置の斜視図、第14図は
粗微動装置の詳細図、第15図は粗動機構の詳細
図、第16図は粗微動調整を説明するための図、
第17図はマスクホルダとウエハホルダを重ね合
せた状態を示した図、第18図はプリアライメン
ト用の光学顕微鏡の光学系の概略図、第19図は
プリアライメント用の光学顕微鏡でマスクとウエ
ハのアライメントをしている状態を示した図、第
20図はフアインアライメント用電子顕微鏡の概
略図、第21図は照射域移動位置Fにおける照射
域移動を説明するための図、第22図AおよびB
はそれぞれ、照射域移動リフトによるウエハの照
射域移動を説明するための図、第23図Aおよび
Bはそれぞれ、1つのX線源によつて複数のマス
クを照射するための構成を示した図、第24図は
X線の強度とエネルギとの関係を示した図であ
る。 1……メインチヤンバ、2……ウエハロードカ
セツト収納チヤンバ、3……ウエハアンロードカ
セツト収納チヤンバ、4……マスクカセツト収納
チヤンバ、5a,5b……照射チヤンバ、6……
サブチヤンバ、12……ウエハ、16……マス
ク。
1 is a plan view of an X-ray transfer device constructed according to the present invention, FIG. 2 is a view taken along the line - in FIG. 1, and FIG. 3 is a view taken along the line - in FIG. Figure 4 is a diagram along the - line of Figure 1, Figure 5 is a diagram along the - line of Figure 1,
Figure 6 is a plan view of the mask, Figure 6 is a diagram showing the state in which the mask and wafer are stacked, Figure 7 is a schematic diagram of the wafer loading device, Figure 8 is a schematic diagram of the wafer hand, and Figure 9
The figures are for explaining the wafer parallel plane alignment mechanism, Figure 10 is a schematic diagram of the wafer unloading device, and Figure 11 is a schematic diagram of the wafer unloading device.
The figure is a diagram for explaining wafer unloading, Figure 12 is a diagram for irradiating the moving table and irradiation table, Figure 13 is a perspective view of the coarse and fine movement device, and Figure 14 is a detailed view of the coarse and fine movement device. , FIG. 15 is a detailed diagram of the coarse movement mechanism, and FIG. 16 is a diagram for explaining coarse and fine adjustment.
Figure 17 is a diagram showing the state in which the mask holder and wafer holder are stacked, Figure 18 is a schematic diagram of the optical system of an optical microscope for pre-alignment, and Figure 19 is an optical microscope for pre-alignment, showing the state in which the mask and wafer are overlapped. FIG. 20 is a schematic diagram of an electron microscope for fine alignment, FIG. 21 is a diagram for explaining the irradiation area movement at the irradiation area movement position F, and FIGS. 22A and 22 are diagrams showing the alignment state. B
23A and 23B are diagrams each showing a configuration for irradiating a plurality of masks with one X-ray source. , FIG. 24 is a diagram showing the relationship between X-ray intensity and energy. 1... Main chamber, 2... Wafer load cassette storage chamber, 3... Wafer unload cassette storage chamber, 4... Mask cassette storage chamber, 5a, 5b... Irradiation chamber, 6...
Subchamber, 12...wafer, 16...mask.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マスクおよびウエハにX線を照射することに
よつて、マスクに形成されたパターンをウエハに
露光転写するX線転写装置であつて、 マスクおよびウエハを内部に収容し、内部を減
圧した状態で、X線源から生成されたX線を収容
するマスクおよびウエハに照射するための照射チ
ヤンバと、 複数のウエハを収納する収納部を内部に有し、
前記照射チヤンバとは独立して内部を減圧し得る
収納チヤンバと、 前記照射チヤンバと前記収納チヤンバとの間で
ウエハを移送する搬送機構と を有することを特徴とするX線転写装置。 2 マスクおよびウエハにX線を照射することに
よつて、マスクに形成されたパターンをウエハに
露光転写するX線転写装置であつて、 マスクおよびウエハを内部に収容し、内部を減
圧した状態で、X線源から生成されたX線を収容
するマスクおよびウエハに照射するための照射チ
ヤンバと、 複数のマスクを収納する収納部を内部に有し、
前記照射チヤンバとは独立して内部を減圧し得る
収納チヤンバと、 前記照射チヤンバと前記収容チヤンバとの間で
マスクを移送する搬送機構と を有することを特徴とするX線転写装置。
[Scope of Claims] 1. An X-ray transfer device that exposes and transfers a pattern formed on a mask onto a wafer by irradiating the mask and the wafer with X-rays, the apparatus comprising: the mask and the wafer housed therein; It has an irradiation chamber for irradiating a mask and wafers with X-rays generated from an X-ray source, and a storage section for storing a plurality of wafers in a reduced pressure state;
An X-ray transfer apparatus comprising: a storage chamber whose interior can be depressurized independently of the irradiation chamber; and a transport mechanism that transports a wafer between the irradiation chamber and the storage chamber. 2. An X-ray transfer device that exposes and transfers a pattern formed on a mask onto a wafer by irradiating the mask and wafer with X-rays, with the mask and wafer housed inside and with the inside under reduced pressure. , has an irradiation chamber for irradiating a mask and wafer with X-rays generated from an X-ray source, and a storage section for storing a plurality of masks;
An X-ray transfer apparatus comprising: a storage chamber whose interior can be depressurized independently of the irradiation chamber; and a transport mechanism that transports a mask between the irradiation chamber and the storage chamber.
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