JPS60178112A - Wafer transferring device - Google Patents
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- JPS60178112A JPS60178112A JP59069595A JP6959584A JPS60178112A JP S60178112 A JPS60178112 A JP S60178112A JP 59069595 A JP59069595 A JP 59069595A JP 6959584 A JP6959584 A JP 6959584A JP S60178112 A JPS60178112 A JP S60178112A
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体デバイス製造装置、 eKX線転写装
置に都合良く使用されるウェハ搬送装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer conveyance device conveniently used in semiconductor device manufacturing equipment and eKX-ray transfer equipment.
回路の集積度合が高まるに従って回路パターンを構成す
る線の幅はミクロンそしてサブミクロンオーダーが要求
される様になってきており。As the degree of integration of circuits increases, the width of lines constituting circuit patterns is required to be on the order of microns and submicrons.
これを達成するだめの回路パターンを転写するだめの照
射エネルギーも紫外、遠紫外そして軟X線と波長が増々
短いものが使用されている。To achieve this, the irradiation energy used to transfer the circuit pattern is ultraviolet, far ultraviolet, and soft X-rays, all of which have increasingly shorter wavelengths.
軟X線を使用したりソグラフイ装置は既に10年以上に
渡って実用化の努力がなされているが。Efforts have already been made to commercialize lithography equipment that uses soft X-rays for more than 10 years.
今日になっても未だ実用的な半導体デバイス生産用のX
線転写装置は完成していない。この原因は実用化の要件
である焼付分解能、アライメント精度、スルーグツト、
装置の信頼性、操作性、装置価格等のバランス又は適正
化が不十分なためであると考えられる。X for the production of semiconductor devices, which is still practical even today.
The line transfer device has not yet been completed. This is due to printing resolution, alignment accuracy, throughput, etc., which are requirements for practical use.
This is thought to be due to insufficient balance or optimization of equipment reliability, operability, equipment price, etc.
しかしながらX″線転写装置を実現するだめ要件をよシ
詳細に検討すると1問題の1つは軟X線の取扱いが可視
光あるいは紫外光に比べて遥かに困難な点にある。周知
の通シ軟X線は真空容器中で発生させなければならない
から、極近接もしくは密着状態に置かれたマスクとウェ
ハ上へ軟X線を照射するために真空容器にベリリュウム
箔の窓を通して軟X線を導出させる。べリリュウムは軟
X線を吸収する比率が極めて小さいため選ばれたもので
はあるが、容器内の高真空とマスク及びウェハの置かれ
た大気圧との気圧差に耐えられる様に50ミクロン程度
の厚さが要求される。ベリリュウ゛ム箔はこの程度の厚
さになると軟Xaの吸収率が50%にもなってしまい不
利である。However, when we examine the requirements for realizing an X-ray transfer device in more detail, one of the problems is that handling soft X-rays is much more difficult than that of visible light or ultraviolet light. Since soft X-rays must be generated in a vacuum container, the soft X-rays are extracted through a beryllium foil window in the vacuum container in order to irradiate the mask and wafer that are placed in close proximity or close contact. Beryllium was selected because it has an extremely low absorption ratio of soft When the thickness of beryllium foil reaches this level, the absorption rate of soft Xa becomes as high as 50%, which is disadvantageous.
更)てこれ忙加えて以下の様な難点が本件の発明者達に
よって注目された。第9図は加速した電子線をターゲッ
トに照射して発生させた軟X線の強度(縦軸)とエネル
ギとの関係を示したものである。なめらかな右下がシの
IIII線は連続線で、途中突出したピークが特性線で
ある。特性線はターゲットの材質に関係する。Furthermore, in addition to this, the following difficulties were noted by the inventors of the present invention. FIG. 9 shows the relationship between the intensity (vertical axis) and energy of soft X-rays generated by irradiating a target with an accelerated electron beam. The smooth line III with the lower right corner is a continuous line, and the peak that stands out in the middle is a characteristic line. The characteristic line is related to the material of the target.
ここで約4KeVよシ/J)さい方の側が感材の照射に
利用されるが、破線よシ左側の領域はべりリュウムで吸
収されてしまうため、実際に照射に利用されるエネルギ
は約4KeVの位置と破線で挾まれた領域に過ぎない。Here, the area on the left side of the dotted line is absorbed by beryum, so the energy actually used for irradiation is approximately 4KeV. It is just the area between the position and the dashed line.
即ち、軟X線を真空部分から取出す際に太きなエネルギ
ー損失を伴うわけである。That is, when extracting soft X-rays from the vacuum part, a large amount of energy loss is involved.
また別の問題の1つは発散性の軟X線でマスクを照射す
ることから生じる。マスクとウェハが極近接状態で維持
され、これに発散性の軟X線が当たる場合、もし仮シに
ウェハが傾いたとすると、マスクとウェハが近づいた部
位と遠ざかった部位ではマスク像の寸法が変化する。従
って、マスクとウェハの平行度を厳密に維持する必要は
あるが1機械的に実現するのは著しく困難である。また
1発散束で照射した場合、中心部と周辺部でマスク像の
寸法が異なる特性があるから、転写の度にマスクとウェ
ハの整合のみならず、マスクの中心とXa源の軸とを正
確に合わせる必要がある。Another problem arises from irradiating the mask with divergent soft x-rays. If the mask and wafer are kept in close proximity and are hit by diverging soft X-rays, and if the wafer were to tilt, the dimensions of the mask image would change between the area where the mask and wafer approached and the area where they moved away. Change. Therefore, although it is necessary to strictly maintain parallelism between the mask and the wafer, it is extremely difficult to achieve this mechanically. In addition, when irradiating with a single divergent beam, the dimensions of the mask image differ between the center and the periphery, so not only must the mask and wafer be aligned each time, but the center of the mask and the axis of the Xa source must be accurately aligned. It is necessary to match.
更に他の問題の1つはパターンの転写を終了したウェハ
にエツチング等の化学処理を施した時にウェハに伸縮が
起きることである。特に、最近ウェハ径の拡大化が著し
く、6インチあるいは8インチの直径のウェハに転写が
行われることが要望されておシ、ウェハの伸縮を無視す
することはできない。このためパターン像に及ばずウェ
ハの伸縮の影響をできる限り少なくする必要かある。Yet another problem is that when a wafer after pattern transfer is subjected to chemical processing such as etching, the wafer expands and contracts. In particular, the diameter of wafers has recently increased significantly, and there is a demand for transfer to 6- or 8-inch diameter wafers, and the expansion and contraction of wafers cannot be ignored. Therefore, it is necessary to minimize the influence of expansion and contraction of the wafer without affecting the pattern image.
史に、従来の半導体製造装置においては、ウェハカセッ
トからウェハを取り出してウェハステージへ供給するだ
めの搬送手段としてゴムベルトが使用されている。しか
しながら、このゴムベルトをXfIM転写装置に適用す
ると以下の問題が生じる。Historically, in conventional semiconductor manufacturing equipment, a rubber belt has been used as a conveying means for taking out wafers from a wafer cassette and supplying them to a wafer stage. However, when this rubber belt is applied to an XfIM transfer device, the following problems occur.
真空の中でウェサーを扱うX線転写装置にゴムベルトの
ようなウェハー搬送手段を用いるとゴムベルト自身から
放出されるガス分子のため、装置内の真空度を維持でき
なくなる。また、X線転写装置では、サブミクロン領域
の転写を実現しようとしている。ゴムベルトとそれヲ支
えるプーリーの間で生成する摩耗粉の如きゴミは転写像
に欠陥を発生し、サブミクロン転写という目的を阻害す
る。If a wafer conveying means such as a rubber belt is used in an X-ray transfer device that handles wafers in a vacuum, the degree of vacuum within the device cannot be maintained due to gas molecules released from the rubber belt itself. Furthermore, with X-ray transfer devices, attempts are being made to realize transfer in the submicron region. Dust such as abrasion powder generated between the rubber belt and the pulley supporting it causes defects in the transferred image, which obstructs the purpose of submicron transfer.
これに加えて、ゴムベルトを用いたウェハーの搬送装置
では、ウェハーカセットの下端がらウェハを順次搬送す
る構造になっておシ、ウェハーカセットの中央部にある
ウェハーを適時搬送することはできない。複数のマスク
を用いるX線転写装置では、その都反、最とも適合する
マスクとウェハーの組合せで転写すべきであシ、ウェハ
ーカセットから適当なウェハーを随時取シ出せることが
望まれる。In addition, a wafer conveyance device using a rubber belt has a structure in which wafers are conveyed sequentially from the bottom end of the wafer cassette, and wafers located in the center of the wafer cassette cannot be conveyed in a timely manner. In an X-ray transfer apparatus that uses a plurality of masks, it is necessary to perform transfer using the most suitable combination of masks and wafers, and it is desirable to be able to take out appropriate wafers from the wafer cassette at any time.
本発明の目的は、半導体製造装置特にX線転写装置に都
合良く使用されるウェハ搬送装置を提供することにある
。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer transport device that can be conveniently used in semiconductor manufacturing equipment, particularly in X-ray transfer equipment.
本発明のウェハー搬送装置は、ゴムベルトのように真空
中にガスを放出する問題を発生する事無く、シかもウェ
ハーカセットの中の任意のウェハーを搬送する事が可能
である。また、ウェハー表面の転写しようとする面に何
も触れる事なくウェハーを搬送できる。また、ウェハー
が段差によって保持される事からウェハーの中心をめや
すく、オリフラ検出VC要する時間を短縮できる。The wafer transport device of the present invention can transport any wafer in a wafer cassette without causing the problem of emitting gas into a vacuum unlike a rubber belt. Furthermore, the wafer can be transported without touching anything on the surface of the wafer to be transferred. Furthermore, since the wafer is held by the steps, it is easy to locate the center of the wafer, and the time required for orientation flat detection VC can be shortened.
次に添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を説
明する。第1図はX線転写装置を全体的に示した図であ
る。このX#転写装置は、メインチャンバ1と、メイン
チャンバ1の両側にそれぞれ配置されたウェハロードカ
セット収納チャンバ2およびウェハアンロードカセット
収納チャンバ3と、同じくメインチャンバlの片側にウ
ェハアンロードカセット収納チャンバ3と並んで配置さ
れたマスクカセット収納チャンバ4と、照射チャンバ5
a、5bと、サブチャンバ6とから構成されている。Preferred embodiments of the invention will now be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an overall view of the X-ray transfer device. This X# transfer device consists of a main chamber 1, a wafer load cassette storage chamber 2 and a wafer unload cassette storage chamber 3 respectively arranged on both sides of the main chamber 1, and a wafer unload cassette storage chamber 3 on one side of the main chamber 1. A mask cassette storage chamber 4 arranged in line with the chamber 3 and an irradiation chamber 5
a, 5b, and a subchamber 6.
メインチャンバ1は、両側にロード用収納チャンバ2お
よびアンロード用収納チャンバ3がそれぞれ連結されて
いる第1のメインチャンバ部分7と、マスク用収納チャ
ンバ4が片側に連結されている第2のメインチャンバ部
分8とから構成されている。第1のメインチャンバ部分
7とロード用収納チャンバ2およびアンロード用収納チ
ャンバ3の各々との連結部、並びに第2のチャンバ部分
8とマスク用収納チャンバ4との連結部はそれぞれが独
立して真空状態を維持できるように構成されている。The main chamber 1 includes a first main chamber part 7 to which a loading storage chamber 2 and an unloading storage chamber 3 are connected on both sides, and a second main chamber part 7 to which a mask storage chamber 4 is connected to one side. It consists of a chamber part 8. The connection portions between the first main chamber portion 7 and each of the loading storage chamber 2 and the unloading storage chamber 3, and the connection portion between the second chamber portion 8 and the mask storage chamber 4 are independent from each other. It is constructed to maintain a vacuum state.
照射チャンバ5a、5bとメインチャンバ1およびサブ
チャンバ6の各々との連結部もそれぞれ真空状態を維持
できるように構成されておシ。The connecting portions between the irradiation chambers 5a and 5b and each of the main chamber 1 and the subchamber 6 are also configured to maintain a vacuum state.
又両者の間には都合に応じて各チャンバをお互いに隔離
するだめの仕切弁9が配置されている。Further, a gate valve 9 is arranged between the two to separate the chambers from each other according to convenience.
例えば照射チャンバ5a、5b内のX線管球を取シ替え
又は修理等の必要が生じた場合には、仕切弁9を閉じて
から作業をおこなうことKよシ他のチャンバ1,6内の
真空状態を維持することができる。これKよシ作業後X
線転写装置の作動を再び開始する前に照射チャンバ5a
、 5bだけを排気すれば良く、必要な排気時間を極
めて短縮することができる。なお各チャンバ1゜2 、
3 、4 、5a 、 5b t 6の好適面には排気
用真空ポンプと各チャンバを接続するための管10が取
シ付けられている。For example, if it is necessary to replace or repair the X-ray tubes in the irradiation chambers 5a and 5b, close the gate valve 9 before starting the work. A vacuum state can be maintained. This is K, after work
irradiation chamber 5a before starting operation of the line transfer device again.
, 5b only need to be evacuated, and the required evacuation time can be extremely shortened. Furthermore, each chamber is 1゜2,
A pipe 10 for connecting an exhaust vacuum pump and each chamber is attached to a preferred surface of each chamber.
ここで前述したチャンバ内に収容されている装置並びに
チャンバ内で行なわれる作業を主要なものについて第2
図、第3図および第4図を参照して概略的に説明する。Here, we will explain the main parts of the equipment housed in the chamber and the operations carried out in the chamber described above.
This will be schematically explained with reference to FIGS. 3 and 4.
第4図に示されているようにウェハロードカセット収納
チャンバ2には、 XIIJ転写装置によって回路パタ
ーンを転写するために予め面上にフォトレジストを塗布
された複数枚のウェハ12を収納したカセット13を載
置させる走めの装置が設けられている。この装置はカセ
ット13を上下方向へ昇降させることができ、複数枚の
ウェハを第1のメインチャンバ部分7内へ順次搬入する
のに寄与する。As shown in FIG. 4, the wafer load cassette storage chamber 2 includes a cassette 13 containing a plurality of wafers 12 whose surfaces have been coated with photoresist in advance for transferring circuit patterns using an XIIJ transfer device. A running device is provided for placing the. This device is capable of raising and lowering the cassette 13 in the vertical direction and contributes to loading a plurality of wafers into the first main chamber part 7 one after another.
第1のメインチャンバ部分7内には、チャンバ2内のカ
セット13からウェハを一枚ずつチャンバ7内へ搬入す
るための本発明のウェハ搬。Inside the first main chamber part 7 is a wafer transport according to the invention for transporting wafers one by one from the cassette 13 in the chamber 2 into the chamber 7 .
入装置がチャンバ2に近接して配置されている。An input device is located adjacent to the chamber 2.
更にメインチャンバ部分7の長さ方向中央付近にはウェ
ハの平行平面出し装置が配置されておシ、ここで照射台
上に支持されたウェハホルダの基準面に対してウェハの
表面が平行になるようにウェハの位置を詞整し固定する
。又ウェハアンロードカセット収納チャンバ3に近接し
た第1のメインチャンバ部分7内の位ffKは、ウェハ
の全面に回路パターンを転写する工程を終了したウェハ
を、チャンバ3内へ搬出するだめの搬出装置が設けられ
ている。Furthermore, a wafer parallel plane aligning device is disposed near the center in the length direction of the main chamber portion 7, and is used to align the wafer surface parallel to the reference plane of the wafer holder supported on the irradiation table. Adjust and fix the wafer position. Also, a position ffK in the first main chamber portion 7 adjacent to the wafer unload cassette storage chamber 3 is an unloading device for unloading the wafer into the chamber 3 after the process of transferring the circuit pattern onto the entire surface of the wafer. is provided.
ここでチャンバ3にLチャンバ2と同じく。Here, chamber 3 is the same as L chamber 2.
ウェハを収納するカセッ)14を載置させる°ための装
置が配置されている。この装置はカセット14を上下方
向へ昇降させることができ、照射作業を終えたウェハを
一枚ずつカセットに収容するのに寄与する。A device is provided for placing a cassette 14 for storing wafers. This device can move the cassette 14 up and down, and contributes to storing wafers that have been irradiated one by one into the cassette.
次に第3図を参照してマスク収納チャンバ4および第2
のメインチャンバ部分8に関連した主要な装置、作業に
ついて説明する。マスク収納チャンバ4はその内部にマ
スフカセラ)15を有し、一方このマスフカセラ)15
内には複数のマスク16が保持されている。更に転写工
程に従って複数のマスクのうちの任意のマスク16をマ
スク取シ出し位置へ割シ出すためにマスクカセット15
を回転させる装置も設けられている。Next, referring to FIG. 3, the mask storage chamber 4 and the second
The main equipment and operations related to the main chamber section 8 will be explained. The mask storage chamber 4 has a mask cellar) 15 therein, while this mask cellar) 15
A plurality of masks 16 are held inside. Furthermore, a mask cassette 15 is used to index any mask 16 out of the plurality of masks to a mask removal position according to the transfer process.
A device for rotating the is also provided.
第2のメインチャンバ部分8内にはマスクチャンバ4に
近接した位置に、マスクをカセットから取シ出ずあるい
はマスクをカセットへ戻すとき姉使用されるマスク移動
装置が配置されている。そして第2のチャンバ部分8の
内部上方にはマスクホルダーを保持するだめの上下動可
■ピなマスクハンドラがある。第2のチャンバ部分8の
長さ方向中央付近上部にはマスクとウェハの粗い位置合
わせを行なうだめのプリアライメント用光学顕微鏡17
が取り付けられている。In the second main chamber part 8, in close proximity to the mask chamber 4, a mask moving device is located which is used when removing the mask from the cassette or returning the mask to the cassette. Inside and above the second chamber portion 8 is a vertically movable mask handler for holding a mask holder. At the upper part near the center in the length direction of the second chamber part 8 is an optical microscope 17 for pre-alignment for rough alignment of the mask and the wafer.
is installed.
一方、第2のチャンバ部分8の上部にはプリアライメン
ト用光学顕微鏡17と近接した位置に。On the other hand, the upper part of the second chamber portion 8 is located close to the optical microscope 17 for pre-alignment.
マスクとウェハの裾密な位置合わせを行なうだめのファ
インアライメント用電子顕微鏡18が取シ伺けられてい
る。更に第2のチャンバ部分8の内側にはチャンバ部分
8の長さ方向に亘って移動できる粗微動装置が配置され
、プリアライメントおよびファインアライメントの際に
はこの粗微動装置を使用してマスクおよびウェハの位置
を移動させる。A fine alignment electron microscope 18, which is used to closely align the mask and wafer, is shown. Furthermore, a coarse and fine movement device that can move along the length of the chamber portion 8 is arranged inside the second chamber portion 8, and is used to move the mask and wafer during pre-alignment and fine alignment. Move the position of.
サブチャンバ6に関連した主要な装置および作業につい
ては、マスクをカセットから取り出すあるいはマスクを
カセットへ戻すときに使用されるマスク移動装置を有し
ていない点を除き。The main equipment and operations associated with the subchamber 6, except that it does not have a mask transfer device used to remove the mask from the cassette or return the mask to the cassette.
第2のメインチャンバ部分8に関連して上述した説明と
同様である。The description is similar to that given above in connection with the second main chamber part 8.
第2図に示されているとおシ照射チャンバ5a。The irradiation chamber 5a shown in FIG.
5bは内部にX線管球を有しており、マスクおよびウェ
ハは台にのせられてこのチャンバを通過するとき移動し
ながら照射される。このときマスクのパターンはウェハ
に転写される。5b has an X-ray tube inside, and the mask and wafer are placed on a stage and irradiated while moving as they pass through this chamber. At this time, the mask pattern is transferred to the wafer.
ここでウェハを4つの照射区域に分割した場合を例にと
って、X線転写装置の全体的な作動を概略的に説明する
。Here, the overall operation of the X-ray transfer apparatus will be schematically explained, taking as an example a case in which a wafer is divided into four irradiation areas.
第5図にはマスク16の平面図が示されているが、この
マスク16はX線透過性の基板に回路パターン20およ
び一組のアライメントマーク21をxffM非透過性物
質によって形成したものである。第6図に示されたウェ
ハは直交する破&I22,23によって照射区域を4つ
に分割されている。照射は4つに分割されたウェハの照
射区域のうちの一つとマスク16とを重ね合わせた状態
で行なわれ、従ってウェハの全面を照射するために照射
工程を4回実施しなければならない。なおウェハ側にも
アライメントマークを予め形成しておいても良く、アラ
イメントマーク24,25.26は各照射区域に一組ず
つ形成されている。FIG. 5 shows a plan view of the mask 16, which has a circuit pattern 20 and a set of alignment marks 21 formed on an X-ray transparent substrate using an xffM non-transparent material. . The irradiation area of the wafer shown in FIG. 6 is divided into four by orthogonal holes 22 and 23. The irradiation is performed with the mask 16 superimposed on one of the four wafer irradiation areas, so the irradiation process must be performed four times to irradiate the entire surface of the wafer. Note that alignment marks may be formed in advance on the wafer side, and one set of alignment marks 24, 25, and 26 are formed in each irradiation area.
このようにアライメントマーク24 、25.26を形
成されたウェハ12はウェハロードカセット13に複数
枚重ねて収容されている。ウェハ12は搬入装置によっ
てチャンバ7内へ一枚ずつ引き取られた後、ウェハのオ
リフラ部27が所定の方向を向くように位置調整される
。次にウェハを照射台上に支持されたウェハホルダ内へ
移し替え、平行平面出し装置によってウェハホルダの基
準面に対してウェハの表面が平行で′所′定の高さにな
るようにウエノ・12の位置を調整する。その結果ウェ
ハホルダに載せられるマスクホルダによって保持された
マスク16とウェハ12とは対向する面が平行で所定の
間隔になる。A plurality of wafers 12 having alignment marks 24, 25, 26 formed thereon are stored in the wafer load cassette 13 in a stacked manner. After the wafers 12 are taken into the chamber 7 one by one by the loading device, the positions of the wafers are adjusted so that the orientation flat portion 27 of the wafers faces in a predetermined direction. Next, the wafer is transferred into a wafer holder supported on the irradiation table, and the wafer 12 is placed so that the surface of the wafer is parallel to the reference plane of the wafer holder and at a 'predetermined' height using a parallel plane aligning device. Adjust the position. As a result, the opposing surfaces of the mask 16 held by the mask holder placed on the wafer holder and the wafer 12 are parallel and spaced apart from each other by a predetermined distance.
ここでウェハを載せた照射台を第2のチャンバ部分8の
中央部プリアライメント位置へ移動させる。Here, the irradiation table on which the wafer is placed is moved to the central pre-alignment position of the second chamber portion 8.
一方、マスクカセット15から取シ出され。Meanwhile, the mask is taken out from the mask cassette 15.
マスクハンドラによって挾持されたマスクホルダーに固
着されたマスク16は、粗微動装置によってマスクハン
ドラからマスクホルダとともに受け取られる。粗微動装
置はマスクホルダをプリアライメント位置に待期してい
る照射台上のウェハホルダ上へ持っていき両者を重ね合
わせる。こζでマスク16とウェハ]2の第1の照射域
との粗い位置合わせを行ない、続いて一層精密な位置合
わせを行なうために隣接したファインアライメント位置
へ照射台を移動させる。The mask 16 fixed to the mask holder held by the mask handler is received together with the mask holder from the mask handler by the coarse and fine movement device. The coarse and fine movement device brings the mask holder onto the wafer holder on the irradiation table, which is waiting at the pre-alignment position, and overlaps the two. At this point, the mask 16 and the first irradiation area of the wafer 2 are roughly aligned, and then the irradiation table is moved to an adjacent fine alignment position for more precise alignment.
このようKして精密に位置合わせされたマスク16とウ
ェハ12は照射台忙乗せられて照射チャンバ5a内へ移
送され、X線によって走査照射される。なおこのときウ
ェハ12は第1の照射域以外が照射されることのないよ
うに、第2.第3および第4の照射域は遮へいされてい
る。The mask 16 and the wafer 12, which have been precisely aligned in this manner, are placed on the irradiation table and transferred into the irradiation chamber 5a, where they are scanned and irradiated with X-rays. At this time, the wafer 12 is placed in the second irradiation area so that areas other than the first irradiation area are not irradiated. The third and fourth radiation areas are shielded.
照射台が照射チャンバ5aを通過してサブチャンバ6へ
移送されたところで、ウェハの照射域を切シ換える。照
射域の切シ換え操作によってマスクとウェハの第2の照
射域とを重ね合わせたら、照射台をプ、リアライメント
位置およびファインアライメント位置へ順次移動させる
。When the irradiation table passes through the irradiation chamber 5a and is transferred to the subchamber 6, the wafer irradiation area is switched. After the mask and the second irradiation area of the wafer are overlapped by the irradiation area switching operation, the irradiation table is sequentially moved to the real alignment position and the fine alignment position.
これによってマスクとウェハの第2照射域との粗い位置
合わせおよび精密な位置合わせがおこなわれる。This provides coarse and fine alignment between the mask and the second irradiation area of the wafer.
次に前述したのと同様にマスクとウエノ・は照射台にの
せられて照射チャンバ5b内へ移送され、X線によって
走査照射される。このとき第1、第3および第4の照射
域は遮へいされておシ、第2の照射域以外が照射される
ことはない。Next, in the same manner as described above, the mask and the wax are placed on an irradiation table and transferred into the irradiation chamber 5b, where they are scanned and irradiated with X-rays. At this time, the first, third and fourth irradiation areas are shielded, and areas other than the second irradiation area are not irradiated.
照射台が照射チャンバ5bを通過して第2のメインチャ
ンバ部分8へ移送されたところで。Once the irradiation platform has passed through the irradiation chamber 5b and has been transferred to the second main chamber part 8.
ウェハの照射域を再び切シ換える。このようにして前述
の操作を繰り返し、ウェハの第3および第4の照射域も
照射し終わり、ウェハ全面の照射が完了したら、第2の
メインチャ77部分8から第1のチャンバ部分7へ照射
台を移動させる。そしてウェハの全面に回路パターンを
転写されたウェハ12は、搬出装置によってチャンバ3
内のウェハアンロードカセット14に一枚ずつ収容され
る。なおマスク16の又換の必要があればマスク移動装
置によってマスクをカセット15へ戻し、別のマスクを
カセットから取シ出すことができる。Switch the irradiation area of the wafer again. In this way, the above-mentioned operation is repeated, and when the third and fourth irradiation areas of the wafer are also irradiated and the entire wafer is irradiated, the irradiation stage is transferred from the second main chamber 77 section 8 to the first chamber section 7. move. The wafer 12 with the circuit pattern transferred onto the entire surface of the wafer is transferred to the chamber 3 by an unloading device.
The wafers are stored one by one in the wafer unload cassette 14 inside. If it is necessary to replace the mask 16, the mask moving device can be used to return the mask to the cassette 15 and take out another mask from the cassette.
以上一枚のウェハの照射処理について説明したが1本発
明のX線転写装置においては、複数の照射台を使用して
複数枚のウェハ12を並行して照射処理することができ
る。Although the irradiation process for one wafer has been described above, in the X-ray transfer apparatus of the present invention, a plurality of wafers 12 can be irradiated in parallel using a plurality of irradiation stands.
第4図に示されているように、第1のメインチャンバ部
分7の両側部に、ウェハロードカセット収納チャンバ2
およびウェハアンロードカセット収納チャンバ3かそれ
ぞれ連結されている。ロード用チャンバ2の内部には、
予めX線に反応するレジストを塗布した複数枚のウェハ
12を収容したウェハカセット13を載置するための台
30が設けられておシ、この台30は昇降装置31によ
って支持されている。台30上に支持されたカセット1
3は、ウェハを第1のメインチャンバ部分7内へ一枚搬
入したらその都度順次垂直方向下方へ昇降装置31によ
って降下される。As shown in FIG. 4, wafer load cassette storage chambers 2 are provided on both sides of the first main chamber portion
and a wafer unload cassette storage chamber 3 are connected to each other. Inside the loading chamber 2,
A table 30 is provided on which a wafer cassette 13 containing a plurality of wafers 12 coated with a resist that reacts with X-rays is placed, and this table 30 is supported by a lifting device 31. Cassette 1 supported on stand 30
3 is lowered vertically downward by the lifting device 31 each time one wafer is carried into the first main chamber portion 7.
カセット13から第1のメインチャンバ部分7内へのウ
ェハの搬入は第7図に示された本発明のウェハ搬入装置
32によって行なわれる。The loading of the wafer from the cassette 13 into the first main chamber section 7 is performed by a wafer loading device 32 of the invention shown in FIG.
搬入装置32は、カセット13内釦収答されたウェハ1
2を上面に載せてカセット13から引き出す台33およ
びこの台33をガイド34に沿って水平方向へ摺動させ
るための摺動部35および摺動部35を駆動させるだめ
の駆動装置40を有している。台33上に載置さtした
ウェハ12は、駆動装置40を作動させ摺動部35をガ
イド34に沿って移動させることによってウェハ押上げ
装置36の上方まで移される・ここで台33は第8図に
示されているよりにウェハ12の周囲の一部分に尚接す
る段部41を形成されている。カセット13内に収容さ
れたウェハ12は段部41によって引掛けられるような
方式でカセット13から取シ出される。The carry-in device 32 receives the wafers 1 collected by the button inside the cassette 13.
2 is placed on the upper surface and pulled out from the cassette 13, a sliding part 35 for sliding this stage 33 in the horizontal direction along a guide 34, and a drive device 40 for driving the sliding part 35. ing. The wafer 12 placed on the table 33 is moved to above the wafer pushing device 36 by operating the drive device 40 and moving the sliding part 35 along the guide 34. As shown in FIG. 8, a stepped portion 41 is formed that still contacts a portion of the periphery of the wafer 12. The wafer 12 housed in the cassette 13 is taken out from the cassette 13 in such a way that it is hooked by the stepped portion 41 .
ここで駆動装置40について説明する。駆動モータ例え
ば直流モータ42の軸端にはキャプスタン43が取付け
られている。キャプスタン43とプーリ44の間には環
状にスチールワイヤー45が張られている。ワイヤー4
5はテンショナー46によって所要の張力がかけられて
いる。テンショナー46はワイヤー45の伸縮を吸収す
るように機能するワイヤー45と摺動部35はワイヤー
グリップ47を介して必要なM振力を持った状態で連結
されている。Here, the drive device 40 will be explained. A capstan 43 is attached to the shaft end of a drive motor, for example a DC motor 42. A steel wire 45 is stretched in an annular manner between the capstan 43 and the pulley 44. wire 4
5 is applied with the required tension by a tensioner 46. The tensioner 46 functions to absorb the expansion and contraction of the wire 45. The wire 45 and the sliding portion 35 are connected via a wire grip 47 with a necessary M vibration force.
駆動モータ42を作動させてキャプスタン43を回転さ
せ、キャプスタン43に巻合けであるスチールワイヤー
45を塊状に回転させる。このスチールワイヤー45の
動きはワイヤーグリップ47を介して摺動部35に伝達
され、駆動モータ42の回転方向によって定まる方向に
移動する。摺動部35の位置はセンサー48 、49に
よって検出させ、摺動部35が必要なストロークだけ移
動すると位置センサー48.49から得られる信号によ
って停止する。位置センサー48.49の設定される位
置は取ル扱うウェハーのサイズによって定める。The drive motor 42 is operated to rotate the capstan 43, and the steel wire 45 wound around the capstan 43 is rotated in a block. This movement of the steel wire 45 is transmitted to the sliding portion 35 via the wire grip 47, and moves in a direction determined by the rotational direction of the drive motor 42. The position of the sliding part 35 is detected by sensors 48 and 49, and when the sliding part 35 moves by a required stroke, it is stopped by a signal obtained from the position sensors 48 and 49. The positions of the position sensors 48 and 49 are determined by the size of the wafer to be handled.
駆動モータ42の設置位置は真空チャンバー内でも良い
し、あるいは適当な真空シールを用いて真空チャンバー
の外に設置しても良い。The drive motor 42 may be installed inside the vacuum chamber, or it may be installed outside the vacuum chamber using a suitable vacuum seal.
摺動部35の移動すべきストロークは位置センサー48
.49によって定めているが、位置センサーを任意の位
置に設置し、その位置を摺動部35の基準点とし、所望
のストローク分だけキャプスタン43を回転させても同
様の効果が得られる。この場合はキャプスタン軸または
それに連結するモータ軸に角度信号を発信できるエンコ
ーダを用いてやれば良い。また、モータにステッピング
モータを用いれば、エンコーダ無しで同様の効果が得ら
れる。また、カムを使用してキャプスタン軸を作動させ
ても所要のストロークを得られる。The stroke that the sliding part 35 should move is determined by the position sensor 48.
.. However, the same effect can be obtained by installing a position sensor at an arbitrary position, using that position as a reference point for the sliding portion 35, and rotating the capstan 43 by a desired stroke. In this case, an encoder capable of transmitting an angle signal to the capstan shaft or the motor shaft connected thereto may be used. Furthermore, if a stepping motor is used as the motor, the same effect can be obtained without an encoder. The required stroke can also be obtained by operating the capstan shaft using a cam.
台33の段差部分41の形状は、取シ扱うウェハーのう
ち最も大きなウェハーに当接する円弧状が好ましく1円
弧の両端間の長さは取シ扱つウエハーの最大のもののオ
リエンテーションフラット部の長さよシ大きいものとす
る。また台33の厚さはウェハーカセットに保持された
ウェハーの間隙に入る事が可能な寸法とする。The shape of the stepped portion 41 of the table 33 is preferably an arc shape that contacts the largest wafer among the wafers to be handled, and the length between both ends of one arc is equal to the length of the orientation flat part of the largest wafer to be handled. Let's make it bigger. Further, the thickness of the stand 33 is set so that it can fit into the gap between the wafers held in the wafer cassette.
押上げ装置36は、回転可能なウェハ支承面37および
この面から一段下がった位置に取り付けられたオリ7う
検出器38を有している。The lifting device 36 has a rotatable wafer bearing surface 37 and an orifice detector 38 mounted one step below this surface.
ここで押上げ装置36を駆動させてウェハ支承面37を
上昇させ、この支承面37’によって台33からウェハ
12を受けとる。このときウェハ12の位置は、オリフ
ラ検出器38を使用しオリフラ27を所疋の方向に向け
るように支承面37を回転させて位置決めされる。Here, the lifting device 36 is driven to raise the wafer support surface 37, and the wafer 12 is received from the table 33 by this support surface 37'. At this time, the position of the wafer 12 is determined by rotating the support surface 37 using the orientation flat detector 38 so as to direct the orientation flat 27 in a desired direction.
第1図はX線転写装置の平面図、
第2図は第1図の1−1線に沿った図。
第3図は第1図の■−■線に沿った図、第4図は第1図
のi−4線に宿った図、第5図はマスクの平面図、
第6図はマスクとウェハを重ねた状態を示した図、
第7図は本発明のウェハ搬入装置の概略図、第8図は第
7図のIV−IV線に宿った図、第9図はX線の強度と
エネルギとの関係を示した図である。
12・・・ウェハ 33・・・台 34・・・ガイド4
1・・・段部 42・・・モータ
43・・・キャプスタン 44・・プーリー45・・・
ワイヤ 46・・・テンショナー出願人 キャノン株式
会社
第5図
躬4図
第′7廻FIG. 1 is a plan view of the X-ray transfer device, and FIG. 2 is a view taken along line 1-1 in FIG. Figure 3 is a view along line ■-■ in Figure 1, Figure 4 is a view along line i-4 in Figure 1, Figure 5 is a plan view of the mask, and Figure 6 is the mask and wafer. 7 is a schematic diagram of the wafer loading device of the present invention, FIG. 8 is a diagram showing the IV-IV line of FIG. 7, and FIG. 9 is a diagram showing the intensity and energy of X-rays. FIG. 12... Wafer 33... Stand 34... Guide 4
1...Stepped portion 42...Motor 43...Capstan 44...Pulley 45...
Wire 46...Tensioner Applicant: Canon Co., Ltd., Figure 5, Figure 4, Turn '7'
Claims (2)
と。 前記台に、連結された摺動部と。 前記摺動部を案内するためのガイド部材と、前記摺動部
をガイド部材に沿って移動させるだめの駆動手段と。 を有することを特徴とするウエノ・搬送装置。(1) A table configured to place a wafer on a surface. a sliding part connected to the base; A guide member for guiding the sliding part, and a driving means for moving the sliding part along the guide member. A ueno conveyance device characterized by having the following.
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のウエノ・搬送装置。(2) The wafer conveying device according to claim 1, wherein the stand is formed with a stepped portion that comes into contact with the periphery of the wafer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59069595A JPS60178112A (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Wafer transferring device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59069595A JPS60178112A (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Wafer transferring device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59033611A Division JPS60178627A (en) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | X-ray transfer device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60178112A true JPS60178112A (en) | 1985-09-12 |
Family
ID=13407339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59069595A Pending JPS60178112A (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Wafer transferring device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60178112A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0269955A (en) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Canon Inc | Mask cassette loading mechanism |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59069595A patent/JPS60178112A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0269955A (en) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Canon Inc | Mask cassette loading mechanism |
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