JPH0570300A - 結晶成長装置 - Google Patents
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- JPH0570300A JPH0570300A JP3227766A JP22776691A JPH0570300A JP H0570300 A JPH0570300 A JP H0570300A JP 3227766 A JP3227766 A JP 3227766A JP 22776691 A JP22776691 A JP 22776691A JP H0570300 A JPH0570300 A JP H0570300A
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- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶成長時に結晶の高純度化を行うために使
用されるもので、原子状水素を用いると反応性は高く残
留不純物の低減には効果的であるものの、原子状水素の
発生が難しくまた原子状水素の寿命が短いため基板に到
達する原子状水素の数が少ないという課題を解決し、簡
単な構成で原子状水素を発生ししかも発生した原子状水
素を有効に基板表面に供給可能とした結晶成長装置を提
供することを目的とする。 【構成】 水素導入口１１から導入された水素１３は、
基板１６前面にある触媒１５と接触し、触媒１５の触媒
作用によって原子状水素となって基板１６へ到達する。
ここで原子状水素は極めて反応性が高く、結晶成長中に
基板１６に供給することで残留不純物と反応させて反応
生成物を真空ポンプ１２によって排気することで、結晶
中の残留不純物の低減を図り、高純度の結晶成長ができ
る。
用されるもので、原子状水素を用いると反応性は高く残
留不純物の低減には効果的であるものの、原子状水素の
発生が難しくまた原子状水素の寿命が短いため基板に到
達する原子状水素の数が少ないという課題を解決し、簡
単な構成で原子状水素を発生ししかも発生した原子状水
素を有効に基板表面に供給可能とした結晶成長装置を提
供することを目的とする。 【構成】 水素導入口１１から導入された水素１３は、
基板１６前面にある触媒１５と接触し、触媒１５の触媒
作用によって原子状水素となって基板１６へ到達する。
ここで原子状水素は極めて反応性が高く、結晶成長中に
基板１６に供給することで残留不純物と反応させて反応
生成物を真空ポンプ１２によって排気することで、結晶
中の残留不純物の低減を図り、高純度の結晶成長ができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶成長装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の結晶成長装置では、装置内部に残
留した炭素などの残留不純物による結晶の汚染のため、
結晶品質の低下や電気的性質の劣化などの問題が発生し
た。とりわけ有機金属分子線結晶成長法のような結晶成
長用原料に有機金属を用いた結晶成長法では、有機金属
が熱分解したときに発生する炭素が残留不純物となるた
めこの問題は特に顕著であった。
留した炭素などの残留不純物による結晶の汚染のため、
結晶品質の低下や電気的性質の劣化などの問題が発生し
た。とりわけ有機金属分子線結晶成長法のような結晶成
長用原料に有機金属を用いた結晶成長法では、有機金属
が熱分解したときに発生する炭素が残留不純物となるた
めこの問題は特に顕著であった。
【０００３】このような残留不純物による結晶の汚染を
低減するために、水素の持つ還元作用に着目し結晶成長
中に水素を導入す方法が試みられている。また最近では
極めて反応性が高い原子状水素に着目し、触媒を用いて
原子状水素を発生して基板に供給する方法が、インステ
ィチュート・オブ・フィジックス・コンファレンス・シ
リーズ・ナンバー１０６（１９８９）第５７頁から第６
２頁（Inst.Phys.Conf.Ser.No 106 pp57-62）に発表さ
れている。
低減するために、水素の持つ還元作用に着目し結晶成長
中に水素を導入す方法が試みられている。また最近では
極めて反応性が高い原子状水素に着目し、触媒を用いて
原子状水素を発生して基板に供給する方法が、インステ
ィチュート・オブ・フィジックス・コンファレンス・シ
リーズ・ナンバー１０６（１９８９）第５７頁から第６
２頁（Inst.Phys.Conf.Ser.No 106 pp57-62）に発表さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら原子状水
素を用いた場合、原子状水素の反応性が高く、残留不純
物の低減には効果的であるものの、原子状水素の寿命が
短いため、原子状水素を基板に効果的にしかも結晶成長
面内において均一に供給することができないという問題
があった。このことはインスティチュート・オブ・フィ
ジックス・コンファレンス・シリーズ・ナンバー１０６
（１９８９）第５７頁から第６２頁（Inst.Phys.Conf.S
er.No 106 pp57-62）に掲載された方法においても同様
であり、この場合基板の結晶成長面を水素の気体流に対
して平行方向に設置しているため、気体流方向に原子状
水素の濃度分布を発生するという問題があった。そのた
め原子状水素を結晶成長に利用するためには、実用上解
決しなくてはならない課題があった。
素を用いた場合、原子状水素の反応性が高く、残留不純
物の低減には効果的であるものの、原子状水素の寿命が
短いため、原子状水素を基板に効果的にしかも結晶成長
面内において均一に供給することができないという問題
があった。このことはインスティチュート・オブ・フィ
ジックス・コンファレンス・シリーズ・ナンバー１０６
（１９８９）第５７頁から第６２頁（Inst.Phys.Conf.S
er.No 106 pp57-62）に掲載された方法においても同様
であり、この場合基板の結晶成長面を水素の気体流に対
して平行方向に設置しているため、気体流方向に原子状
水素の濃度分布を発生するという問題があった。そのた
め原子状水素を結晶成長に利用するためには、実用上解
決しなくてはならない課題があった。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、簡単な構成で原子状水素を発生ししかも発生した原
子状水素を有効に基板表面に供給可能とするものであ
る。
で、簡単な構成で原子状水素を発生ししかも発生した原
子状水素を有効に基板表面に供給可能とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、少なくとも水素を含む気体を導入できるよ
うな水素導入口を持ち、前記水素から原子状水素を発生
可能な触媒作用を持つ触媒を基板前面に設置し、前記基
板の結晶成長面が前記水素導入口から導入される気体流
に対して非平行方向になるように結晶基板を設置してな
る結晶成長装置である。
に本発明は、少なくとも水素を含む気体を導入できるよ
うな水素導入口を持ち、前記水素から原子状水素を発生
可能な触媒作用を持つ触媒を基板前面に設置し、前記基
板の結晶成長面が前記水素導入口から導入される気体流
に対して非平行方向になるように結晶基板を設置してな
る結晶成長装置である。
【０００７】
【作用】本発明は上記構成によって、触媒の触媒作用を
利用して水素から原子状水素を発生し基板に供給するも
のである。このとき水素は水素導入口から基板に対して
出射しているため、触媒で発生した原子状水素は直接基
板表面に供給することができる。
利用して水素から原子状水素を発生し基板に供給するも
のである。このとき水素は水素導入口から基板に対して
出射しているため、触媒で発生した原子状水素は直接基
板表面に供給することができる。
【０００８】基板に到達した原子状水素は、結晶成長時
において炭素などの残留不純物を除去し、高純度な結晶
成長を行うことができる。このような作用は、とくに有
機金属気相成長法や有機金属分子線結晶成長法などのよ
うに、結晶成長用原料に有機金属を用る結晶成長法にお
いて、有機金属の熱分解時に発生する炭素からの結晶の
汚染の低減に対して有効である。
において炭素などの残留不純物を除去し、高純度な結晶
成長を行うことができる。このような作用は、とくに有
機金属気相成長法や有機金属分子線結晶成長法などのよ
うに、結晶成長用原料に有機金属を用る結晶成長法にお
いて、有機金属の熱分解時に発生する炭素からの結晶の
汚染の低減に対して有効である。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１０】図１において、１１０は分子線結晶成長装
置、１１１は水素導入口、１１２はマスフローコントロ
ーラー、１１３は水素、１１４は水素ボンベ、１１５は
触媒、１１６は基板、１１７は基板回転台、１１８ａ，
１１８ｂは分子線セル、１１９ａ，１１９ｂは原料、１
２０真空ポンプである。
置、１１１は水素導入口、１１２はマスフローコントロ
ーラー、１１３は水素、１１４は水素ボンベ、１１５は
触媒、１１６は基板、１１７は基板回転台、１１８ａ，
１１８ｂは分子線セル、１１９ａ，１１９ｂは原料、１
２０真空ポンプである。
【００１１】以上のように構成された結晶成長装置にお
いて、以下その動作を説明する。本実施例は、本発明を
分子線結晶成長装置に適用したものである。触媒１１５
は、分子線セル１１８ａ，１１８ｂから供給された原料
１１９ａ，１１９ｂが基板１１６への到達を妨げること
が少なくなるように、網状の形状で構成されている。さ
らに触媒１１５によって原料１１９ａ，１１９ｂの基板
１６への到達が妨げられても、基板１１６上に原料１１
９のむらができないように、基板１１６を基板の結晶成
長面と垂直方向を回転軸とする基板回転台１１６によっ
て回転させて原料１１９ａ，１１９ｂの基板１１６内で
の均一化を図っている。本実施例では触媒１１５として
は白金を用いているが、パラジウム、あるいは白金とパ
ラジウムとの合金でもよい。
いて、以下その動作を説明する。本実施例は、本発明を
分子線結晶成長装置に適用したものである。触媒１１５
は、分子線セル１１８ａ，１１８ｂから供給された原料
１１９ａ，１１９ｂが基板１１６への到達を妨げること
が少なくなるように、網状の形状で構成されている。さ
らに触媒１１５によって原料１１９ａ，１１９ｂの基板
１６への到達が妨げられても、基板１１６上に原料１１
９のむらができないように、基板１１６を基板の結晶成
長面と垂直方向を回転軸とする基板回転台１１６によっ
て回転させて原料１１９ａ，１１９ｂの基板１１６内で
の均一化を図っている。本実施例では触媒１１５として
は白金を用いているが、パラジウム、あるいは白金とパ
ラジウムとの合金でもよい。
【００１２】水素導入口１１１から導入された水素１１
３は、基板１１６前面にある触媒１１５と接触し、触媒
１１５の触媒作用によって原子状水素となって基板１１
６へ到達する。また真空ポンプ１２０は油拡散ポンプを
使用している。
３は、基板１１６前面にある触媒１１５と接触し、触媒
１１５の触媒作用によって原子状水素となって基板１１
６へ到達する。また真空ポンプ１２０は油拡散ポンプを
使用している。
【００１３】本実施例では、触媒１１５によって発生し
た原子状水素は高真空中（約１０-5トル以下）において
発生しているため、原子状水素の寿命も低真空中に比べ
長くなっており、発生した原子状水素は有効に基板１１
６へ到達することができる。さらに触媒１１５を結晶成
長に影響を及ぼさない程度に基板１１６前面近く（例え
ば１ｃｍ以下で略平行）に配置することによって、発生
した原子状水素を効率よく基板１１６へ供給することが
できる。なお、基板１１６は、基板の結晶成長面が水素
導入口１１１からの水素ガス流に対して非平行に配列さ
れているが、垂直方向であっても好ましい。
た原子状水素は高真空中（約１０-5トル以下）において
発生しているため、原子状水素の寿命も低真空中に比べ
長くなっており、発生した原子状水素は有効に基板１１
６へ到達することができる。さらに触媒１１５を結晶成
長に影響を及ぼさない程度に基板１１６前面近く（例え
ば１ｃｍ以下で略平行）に配置することによって、発生
した原子状水素を効率よく基板１１６へ供給することが
できる。なお、基板１１６は、基板の結晶成長面が水素
導入口１１１からの水素ガス流に対して非平行に配列さ
れているが、垂直方向であっても好ましい。
【００１４】このような構成をとることによって、結晶
成長中に原子状水素を基板１１６に供給可能で、原子状
水素を不純物と反応させてその反応生成物を真空ポンプ
１１２によって排気することで、結晶中の残留不純物の
低減を図ることができる。
成長中に原子状水素を基板１１６に供給可能で、原子状
水素を不純物と反応させてその反応生成物を真空ポンプ
１１２によって排気することで、結晶中の残留不純物の
低減を図ることができる。
【００１５】なお触媒１１５を加熱して触媒作用を高め
るために、触媒１１５の近傍に触媒加熱用のヒーターを
設置したり、あるいは触媒１１５に直接通電加熱する構
成をとってもよい。
るために、触媒１１５の近傍に触媒加熱用のヒーターを
設置したり、あるいは触媒１１５に直接通電加熱する構
成をとってもよい。
【００１６】本実施例では装置が、２つの分子線セル１
１８ａ，１１８ｂからなる構成を示しているが、さらに
多数個の分子線セルから構成された場合においても同様
である。
１８ａ，１１８ｂからなる構成を示しているが、さらに
多数個の分子線セルから構成された場合においても同様
である。
【００１７】なお、本実施例において、触媒としては、
粒状の形状の触媒の集積体を用いる場合、網状の形状の
触媒を用いる場合、または触媒本体に貫通穴を有する形
状の触媒を用いることが可能である。
粒状の形状の触媒の集積体を用いる場合、網状の形状の
触媒を用いる場合、または触媒本体に貫通穴を有する形
状の触媒を用いることが可能である。
【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００１９】図２において、２１０はガスソース分子線
結晶成長装置、２１１は熱分解セル、２１２はマスフロ
ーコントローラー、２１３はＶ族原料ガス、２１４は原
料ガスボンベ、２１５は触媒、２１６は基板、２１７は
基板回転台、２１８は分子線セル、２１９は原料、２２
０は真空ポンプである。なお本実施例では、原料２１９
はIII族の固体原料であり、Ｖ族原料としてその水素化
物であるＶ族原料ガス２１３を用いている。
結晶成長装置、２１１は熱分解セル、２１２はマスフロ
ーコントローラー、２１３はＶ族原料ガス、２１４は原
料ガスボンベ、２１５は触媒、２１６は基板、２１７は
基板回転台、２１８は分子線セル、２１９は原料、２２
０は真空ポンプである。なお本実施例では、原料２１９
はIII族の固体原料であり、Ｖ族原料としてその水素化
物であるＶ族原料ガス２１３を用いている。
【００２０】以上のように構成された結晶成長装置にお
いて、以下その動作を説明する。本実施例は、本発明を
ガスソース分子線結晶成長装置に適用したものであり、
実施例１のように原子状水素の発生源となる水素をガス
ソース分子線結晶成長装置２１０外部から導入するので
はなく、Ｖ族原料ガス２１３を熱分解セル２１１で熱分
解する際に発生する水素を原子状水素の発生源として用
いているものである。
いて、以下その動作を説明する。本実施例は、本発明を
ガスソース分子線結晶成長装置に適用したものであり、
実施例１のように原子状水素の発生源となる水素をガス
ソース分子線結晶成長装置２１０外部から導入するので
はなく、Ｖ族原料ガス２１３を熱分解セル２１１で熱分
解する際に発生する水素を原子状水素の発生源として用
いているものである。
【００２１】Ｖ族原料ガス２１３は、原料ガスボンベ２
１４からマスフローコントローラー２１２によって流量
制御され、熱分解セル２１１を通じてガスソース分子線
結晶成長装置２１０内部に導入される。Ｖ族原料ガス２
１３は、所定の温度に保持された熱分解セル２１１によ
ってＶ族原料と水素とに熱分解され、基板２１６に対し
て供給される。この際熱分解された水素は、基板２１６
前面にある触媒２１５と接触し、触媒２１５の触媒作用
によって原子状水素となって基板２１６へ到達する。
１４からマスフローコントローラー２１２によって流量
制御され、熱分解セル２１１を通じてガスソース分子線
結晶成長装置２１０内部に導入される。Ｖ族原料ガス２
１３は、所定の温度に保持された熱分解セル２１１によ
ってＶ族原料と水素とに熱分解され、基板２１６に対し
て供給される。この際熱分解された水素は、基板２１６
前面にある触媒２１５と接触し、触媒２１５の触媒作用
によって原子状水素となって基板２１６へ到達する。
【００２２】本実施例では結晶成長を１０-4トル程度の
高真空中において成長を行っているため、発生した原子
状水素が有効に基板２１６へ供給することができる。さ
らに触媒２１５を結晶成長に影響を及ぼさない程度に基
板２１６前面近く（例えば１ｃｍ以下で略平行）に配置
することによって、発生した原子状水素を一層効率よく
基板２１６へ供給することができる。なお、基板２１６
は、基板の結晶成長面が熱分解セル２１１からの水素ガ
ス流に対して非平行に配列されているが、垂直方向であ
っても好ましい。
高真空中において成長を行っているため、発生した原子
状水素が有効に基板２１６へ供給することができる。さ
らに触媒２１５を結晶成長に影響を及ぼさない程度に基
板２１６前面近く（例えば１ｃｍ以下で略平行）に配置
することによって、発生した原子状水素を一層効率よく
基板２１６へ供給することができる。なお、基板２１６
は、基板の結晶成長面が熱分解セル２１１からの水素ガ
ス流に対して非平行に配列されているが、垂直方向であ
っても好ましい。
【００２３】基板２１６に到達した原子状水素は極めて
反応性が高く、結晶成長中に基板２１６に供給すること
で残留不純物と反応し、その反応生成物を真空ポンプ２
２０によって排気することで、結晶中の残留不純物の低
減を図ることができる。
反応性が高く、結晶成長中に基板２１６に供給すること
で残留不純物と反応し、その反応生成物を真空ポンプ２
２０によって排気することで、結晶中の残留不純物の低
減を図ることができる。
【００２４】なお、基板２１６は、本実施例においても
基板の結晶成長面と垂直方向を回転軸とする基板回転台
２１６によって回転される。そして、触媒２１５として
は白金の他、パラジウム、あるいは白金とパラジウムと
の合金でもよく、その形態は、粒状の形状の触媒の集積
体を用いる場合、網状の形状の触媒を用いる場合、また
は触媒本体に貫通穴を有する形状の触媒を用いることが
可能である。
基板の結晶成長面と垂直方向を回転軸とする基板回転台
２１６によって回転される。そして、触媒２１５として
は白金の他、パラジウム、あるいは白金とパラジウムと
の合金でもよく、その形態は、粒状の形状の触媒の集積
体を用いる場合、網状の形状の触媒を用いる場合、また
は触媒本体に貫通穴を有する形状の触媒を用いることが
可能である。
【００２５】また、ここではガスソース分子線結晶成長
法についての実施例について示したが、原料に有機金属
を用いた有機金属分子線結晶成長法においても、基本的
に本実施例と同一の構成をとることによって、原子状水
素を発生し基板２１６へ供給することができる。このと
き原子状水素は残留不純物の除去に効果的であるため、
有機金属分子線結晶成長法において現在実用化の問題と
なっている有機金属の熱分解時に発生する残留炭素の除
去を効果的に行うことができる。
法についての実施例について示したが、原料に有機金属
を用いた有機金属分子線結晶成長法においても、基本的
に本実施例と同一の構成をとることによって、原子状水
素を発生し基板２１６へ供給することができる。このと
き原子状水素は残留不純物の除去に効果的であるため、
有機金属分子線結晶成長法において現在実用化の問題と
なっている有機金属の熱分解時に発生する残留炭素の除
去を効果的に行うことができる。
【００２６】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００２７】図３において、３１０は有機金属気相成長
装置、３１１は水素導入口、３１２は水素用マスフロー
コントローラー、３１３は水素、３１４は水素ボンベ、
３１５は触媒、３１６は基板、３１７は基板回転台、３
１８ａ，ｂはそれぞれ原料供給口、３１９ａ，ｂはそれ
ぞれ原料用マスフローコントローラー、３２０ａ，ｂは
それぞれ原料、３２１ａ，ｂは原料ボンベである。
装置、３１１は水素導入口、３１２は水素用マスフロー
コントローラー、３１３は水素、３１４は水素ボンベ、
３１５は触媒、３１６は基板、３１７は基板回転台、３
１８ａ，ｂはそれぞれ原料供給口、３１９ａ，ｂはそれ
ぞれ原料用マスフローコントローラー、３２０ａ，ｂは
それぞれ原料、３２１ａ，ｂは原料ボンベである。
【００２８】上記のように構成された結晶成長装置につ
いて、以下その動作を説明する。なお本実施例では、２
種類の原料を用いた場合について示しているが、さらに
多種類の原料を用いた場合においても動作原理は同様で
ある。本実施例は、本発明を有機金属気相結晶成長装置
に適用したものである。この場合においても基本的な原
子状水素の発生方法は実施例１の場合と同様である。
いて、以下その動作を説明する。なお本実施例では、２
種類の原料を用いた場合について示しているが、さらに
多種類の原料を用いた場合においても動作原理は同様で
ある。本実施例は、本発明を有機金属気相結晶成長装置
に適用したものである。この場合においても基本的な原
子状水素の発生方法は実施例１の場合と同様である。
【００２９】原料３１９ａ，ｂは、おのおの原料用マス
フローコントローラー３１９ａ，ｂによって流量制御さ
れた後、有機金属結晶成長装置３１０内部に導入され、
結晶成長用原料として基板３１６に供給されている。触
媒３１５は、実施例１と同様、白金を用いている。この
とき触媒３１５を網状の形状とし、基板３１６を結晶成
長面と垂直な方向を回転軸とする基板回転台３１７によ
って回転させ、原料３１９ａ，ｂの基板３１５への到達
むらを低減している。
フローコントローラー３１９ａ，ｂによって流量制御さ
れた後、有機金属結晶成長装置３１０内部に導入され、
結晶成長用原料として基板３１６に供給されている。触
媒３１５は、実施例１と同様、白金を用いている。この
とき触媒３１５を網状の形状とし、基板３１６を結晶成
長面と垂直な方向を回転軸とする基板回転台３１７によ
って回転させ、原料３１９ａ，ｂの基板３１５への到達
むらを低減している。
【００３０】なお、触媒３１５としては白金の他、パラ
ジウム、あるいは白金とパラジウムとの合金でもよく、
その形態は、粒状の形状の触媒の集積体を用いる場合、
または触媒本体に貫通穴を有する形状の触媒を用いるこ
とも可能である。
ジウム、あるいは白金とパラジウムとの合金でもよく、
その形態は、粒状の形状の触媒の集積体を用いる場合、
または触媒本体に貫通穴を有する形状の触媒を用いるこ
とも可能である。
【００３１】水素３１３は水素導入口３１１から実施例
１，２と同様に配置された触媒３１５へ供給され、触媒
３１５の触媒作用によって原子状水素となる。発生した
原子状水素は基板３１６へ到達し、原料３１９ａ，ｂが
分解した際に発生する炭素および炭素の化合物と反応
し、結晶中への炭素の取り込まれを低減することができ
る。
１，２と同様に配置された触媒３１５へ供給され、触媒
３１５の触媒作用によって原子状水素となる。発生した
原子状水素は基板３１６へ到達し、原料３１９ａ，ｂが
分解した際に発生する炭素および炭素の化合物と反応
し、結晶中への炭素の取り込まれを低減することができ
る。
【００３２】なお、ここでは水素導入口３１１を原料供
給口３１８ａ，ｂと別に設けたが、このような構成を取
らずに原料供給口３１８ａ，ｂから原料３１９ａ，ｂと
ともに水素３１３を同時に供給する構成としてもよい。
給口３１８ａ，ｂと別に設けたが、このような構成を取
らずに原料供給口３１８ａ，ｂから原料３１９ａ，ｂと
ともに水素３１３を同時に供給する構成としてもよい。
【００３３】さらに、基板３１６は、基板の結晶成長面
が水素導入口３１１からの水素ガス流に対して非平行に
配列されているが、垂直方向であってもよい。
が水素導入口３１１からの水素ガス流に対して非平行に
配列されているが、垂直方向であってもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明の結晶成長装置は、
結晶成長装置に水素導入口および触媒を設置したもので
あり、基板前面に設置した触媒の触媒作用によって水素
導入口から導入した水素から原子状水素を発生して基板
に供給するもので、原子状水素の高い反応性を利用し
て、残留不純物とりわけ炭素の除去を有効に行うことが
できる優れた結晶成長装置を提供するものである。
結晶成長装置に水素導入口および触媒を設置したもので
あり、基板前面に設置した触媒の触媒作用によって水素
導入口から導入した水素から原子状水素を発生して基板
に供給するもので、原子状水素の高い反応性を利用し
て、残留不純物とりわけ炭素の除去を有効に行うことが
できる優れた結晶成長装置を提供するものである。
【図１】本発明の第１の実施例における装置の概略図
【図２】本発明の第２の実施例における装置の概略図
【図３】本発明の第３の実施例における装置の概略図
１１１ 水素導入口 １１３ 水素 １１５ 触媒 １１６ 基板 ２１１ 熱分解セル ２１３ Ｖ族原料ガス ２１５ 触媒 ２１６ 基板 ３１１ 水素導入口 ３１３ 水素 ３１５ 触媒 ３１６ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/14 9040−4Ｇ 27/00 9151−4Ｇ (72)発明者 鈴木 友子 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 菊地 理恵 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 中島 眞人 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】少なくとも水素を含む気体を導入できるよ
うな水素導入口を持ち、前記水素から原子状水素を発生
可能な触媒作用を持つ触媒を基板前面に設置し、前記基
板の結晶成長面が前記水素導入口から導入される気体流
に対して非平行方向になるように結晶基板を設置してな
る結晶成長装置。 - 【請求項２】原子状水素の発生源となる水素として、結
晶成長用に導入した原料物質が熱分解する際に発生する
水素を用いる請求項１記載の結晶成長装置。 - 【請求項３】基板を結晶成長面と垂直方向を回転軸とし
て回転させることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の結晶成長装置。 - 【請求項４】成長方法として、分子線結晶成長法を用い
た請求項１または請求項３記載の結晶成長装置。 - 【請求項５】成長方法として、有機金属気相成長法を用
いた請求項１または請求項３記載の結晶成長装置。 - 【請求項６】触媒の配置が、結晶基板の結晶成長面に対
して平行となるように配置した請求項４または請求項５
記載の結晶成長装置。 - 【請求項７】触媒として、粒状の形状の触媒の集積体を
用いることを特徴とする請求項６記載の結晶成長装置。 - 【請求項８】触媒として、網状の形状の触媒を用いるこ
とを特徴とする請求項６記載の結晶成長装置。 - 【請求項９】触媒として、触媒本体に貫通穴を有する形
状の触媒を用いることを特徴とする請求項６記載の結晶
成長装置。 - 【請求項１０】触媒として、パラジウムを用いることを
特徴とする請求項７乃至請求項９記載の結晶成長装置。 - 【請求項１１】触媒として、白金を用いることを特徴と
する請求項７乃至請求項９記載の結晶成長装置。 - 【請求項１２】触媒として、パラジウムと白金からなる
合金を用いることを特徴とする請求項７乃至請求項９記
載の結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227766A JPH0570300A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227766A JPH0570300A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570300A true JPH0570300A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16866047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227766A Pending JPH0570300A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570300A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261296A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶薄膜の分子線エピタキシヤル成長法および該方法において使用する原子状水素発生装置 |
| JPH02153892A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 分子線エピタキシャル成長方法 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3227766A patent/JPH0570300A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261296A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶薄膜の分子線エピタキシヤル成長法および該方法において使用する原子状水素発生装置 |
| JPH02153892A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 分子線エピタキシャル成長方法 |
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