JPH0568764B2 - - Google Patents
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- JPH0568764B2 JPH0568764B2 JP17215087A JP17215087A JPH0568764B2 JP H0568764 B2 JPH0568764 B2 JP H0568764B2 JP 17215087 A JP17215087 A JP 17215087A JP 17215087 A JP17215087 A JP 17215087A JP H0568764 B2 JPH0568764 B2 JP H0568764B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気デイスク用磁界印加薄膜電磁石
に関する。
に関する。
従来の光磁気記録において記録情報を消去する
場合には、外部磁界を記録時とは逆極性に印加
し、レーザー光ビームを記録時と同等の強度で記
録媒体に一様に照射する、いわゆる一括消去が行
なわれている。即ち外部磁界印加により記録媒体
の磁化状態を記録前の初期状態に戻している。
場合には、外部磁界を記録時とは逆極性に印加
し、レーザー光ビームを記録時と同等の強度で記
録媒体に一様に照射する、いわゆる一括消去が行
なわれている。即ち外部磁界印加により記録媒体
の磁化状態を記録前の初期状態に戻している。
ここで、公知の外部印磁界加手段は、例えば空
心コイルを用いる方法、電磁石を用いる方法、あ
るいは永久磁石を用いる方法がある。
心コイルを用いる方法、電磁石を用いる方法、あ
るいは永久磁石を用いる方法がある。
前述の磁界印加手段において、記録時と消去時
では通常数100エルステツド以上の印加磁界が必
要であるために、空心コイルを用いる場合には、
コイルが大型化し、これに伴つて、磁界切換速度
が大きいインダクタンスの為に遅くなるととも
に、記録媒体とコイルとの距離を充分に接近させ
ないと所要の印加磁界が得られないという欠点が
ある。また電磁石を用いる場合にも、磁界印加手
段は大型化し、磁界切換速度が大きいインダクタ
ンスの為に遅いという欠点を生じている。さら
に、永久磁石を用いる場合には、機械的な駆動手
段を用いて磁界を切り変える為に複雑な機構が必
要であり、この場合も磁界切換速度は遅いものと
なつている。以上の述べたように、従来のいずれ
の外部磁界印加手段によつても磁界切換速度は遅
いために、消去には上述の一括消去方式が用いら
れ、また記録する時には、一定磁界印加中にレー
ザーパワーを高速変調する方法が用いられてい
る。即ち、従来の装置では既に記録された情報に
新しい情報を高速で重ね書きするいわゆるオーバ
ーライト機能を持たせることが困難であるという
問題点がある。
では通常数100エルステツド以上の印加磁界が必
要であるために、空心コイルを用いる場合には、
コイルが大型化し、これに伴つて、磁界切換速度
が大きいインダクタンスの為に遅くなるととも
に、記録媒体とコイルとの距離を充分に接近させ
ないと所要の印加磁界が得られないという欠点が
ある。また電磁石を用いる場合にも、磁界印加手
段は大型化し、磁界切換速度が大きいインダクタ
ンスの為に遅いという欠点を生じている。さら
に、永久磁石を用いる場合には、機械的な駆動手
段を用いて磁界を切り変える為に複雑な機構が必
要であり、この場合も磁界切換速度は遅いものと
なつている。以上の述べたように、従来のいずれ
の外部磁界印加手段によつても磁界切換速度は遅
いために、消去には上述の一括消去方式が用いら
れ、また記録する時には、一定磁界印加中にレー
ザーパワーを高速変調する方法が用いられてい
る。即ち、従来の装置では既に記録された情報に
新しい情報を高速で重ね書きするいわゆるオーバ
ーライト機能を持たせることが困難であるという
問題点がある。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解
決する為に、大きい磁界の高速スイツチングを可
能にする新規な外部磁界印加手段を提供すること
にある。
決する為に、大きい磁界の高速スイツチングを可
能にする新規な外部磁界印加手段を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光磁気デイスク用磁界印加薄膜電磁石
は、光磁気デイスクの両面を挟んで対向し、同一
電流を流す巻線が施され、一方の巻線のコアに中
空部を有する２つの高透磁率磁性体と、この２つ
の高透磁率性体を磁気的に接続する高透磁率磁性
体の磁路とを有する光磁気デイスク用磁界印加電
磁石において、前記３つの高透磁率磁性体がそれ
ぞれ磁束方向と直交したストライプ状の多数の溝
を有する３つの非磁性基板上に形成された薄膜高
透磁率磁性体であり、前記２つの巻線がそれぞれ
薄膜高透磁率磁性体に絶縁層を介してスパイラル
状にパターンエツチングにより形成された薄膜コ
イルであることにより構成される。
は、光磁気デイスクの両面を挟んで対向し、同一
電流を流す巻線が施され、一方の巻線のコアに中
空部を有する２つの高透磁率磁性体と、この２つ
の高透磁率性体を磁気的に接続する高透磁率磁性
体の磁路とを有する光磁気デイスク用磁界印加電
磁石において、前記３つの高透磁率磁性体がそれ
ぞれ磁束方向と直交したストライプ状の多数の溝
を有する３つの非磁性基板上に形成された薄膜高
透磁率磁性体であり、前記２つの巻線がそれぞれ
薄膜高透磁率磁性体に絶縁層を介してスパイラル
状にパターンエツチングにより形成された薄膜コ
イルであることにより構成される。
ここで、薄膜高透磁率磁性体にはスパツタ法に
より形成されたパーマロイ薄膜、センダスト薄
膜、アモルフアス薄膜（CoZr，CoZrNb，
CoTa，CoHfなど）などが考えられ、非磁性基
板にはアルミニウム、チタン、銅、亜鉛などが考
えられる。また、同心円状の中空部を有する薄膜
高透磁率磁性体はレーザ集光用レンズと光磁気媒
体の間に設定し、その中空の内径はレーザビーム
が通過でき、かつトラツキングによりトラツク方
向にレンズが動かせる程度の大きさに設定され
る。この中空の周りにスパイラル状にパターンエ
ツチングにより形成するコイルには銅又はアルミ
ニユームが考えられる。さらにまた、薄膜高透磁
率磁性体は非磁性基板上の溝面に倣つて形成され
るので磁束方向と直交した形状磁気異方性を保持
するが、この非磁性基板上の溝は基板上にSiO2，
Al2O3などの絶縁層をストライプ状に形成したも
のであつてもよい。
より形成されたパーマロイ薄膜、センダスト薄
膜、アモルフアス薄膜（CoZr，CoZrNb，
CoTa，CoHfなど）などが考えられ、非磁性基
板にはアルミニウム、チタン、銅、亜鉛などが考
えられる。また、同心円状の中空部を有する薄膜
高透磁率磁性体はレーザ集光用レンズと光磁気媒
体の間に設定し、その中空の内径はレーザビーム
が通過でき、かつトラツキングによりトラツク方
向にレンズが動かせる程度の大きさに設定され
る。この中空の周りにスパイラル状にパターンエ
ツチングにより形成するコイルには銅又はアルミ
ニユームが考えられる。さらにまた、薄膜高透磁
率磁性体は非磁性基板上の溝面に倣つて形成され
るので磁束方向と直交した形状磁気異方性を保持
するが、この非磁性基板上の溝は基板上にSiO2，
Al2O3などの絶縁層をストライプ状に形成したも
のであつてもよい。
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａは本発明の一実施例の構成図、第１図
ｂおよびｃはそれぞれ第１図ａの中空部を有する
コイル部分の断面図および第１図ａの中空部を有
しないコイル部分の断面図である。本発明の光磁
気デイスク用磁界印加薄膜電磁石は、薄膜コイル
７が巻かれた円筒状の薄膜高透磁率磁性体９を一
端に有する第２の薄膜高透磁率磁性体２と、この
薄膜コイル７と光磁気デイスクを挟んで対向して
設置され、円柱状の中空部２１の周りにパターン
エツチングされたスパイラル状の薄膜コイル８を
一端に有する第１の薄膜高透磁率磁性体１と、前
記第１と第２との薄膜高透磁率磁性体１と２とを
磁気的に結合する第３の薄膜高透磁率磁性体３
と、コイル７と８とに同一の電流を流す磁界発生
電流変調回路１０とから構成される。ここで第
１、第２および第３の薄膜高透磁率磁性体１，２
および３は磁束方向に直交したストライプ状の溝
を有する非磁性基板４，５および６上に形成され
る。なお磁界発生電流変調回路により、薄膜コイ
ル７，８へ電流を流すことによつて、記録媒体の
垂直方向への印加磁界が与えられる。また第１、
第２および第３の薄膜高透磁率磁性体１，２およ
び３は膜厚2μm、長さ数mm〜数10mmのパーマロイ
薄膜が用いられ、またコイル７および８として
は、線幅3μm、高さ3μmの銅膜を微細加工により
スパイラル上に積層した。巻数数10ターンの銅薄
膜コイルが用いられている。また電流値としては
数10〜数100mAが適当である。このようにして
構成した磁界印加手段では、コイルのインダクタ
ンスを10μH以下にすること、および非磁性基板
４，５および６に設けられたストライプによつて
磁気異方性が磁束方向に困難軸となり、磁束方向
の透磁率を大きくすることが容易なため、薄膜高
透磁率磁性体の端面から数mm離れた位置において
数100エルステツドの磁界を、数ＭHzの高速で切
替えることができる。
ｂおよびｃはそれぞれ第１図ａの中空部を有する
コイル部分の断面図および第１図ａの中空部を有
しないコイル部分の断面図である。本発明の光磁
気デイスク用磁界印加薄膜電磁石は、薄膜コイル
７が巻かれた円筒状の薄膜高透磁率磁性体９を一
端に有する第２の薄膜高透磁率磁性体２と、この
薄膜コイル７と光磁気デイスクを挟んで対向して
設置され、円柱状の中空部２１の周りにパターン
エツチングされたスパイラル状の薄膜コイル８を
一端に有する第１の薄膜高透磁率磁性体１と、前
記第１と第２との薄膜高透磁率磁性体１と２とを
磁気的に結合する第３の薄膜高透磁率磁性体３
と、コイル７と８とに同一の電流を流す磁界発生
電流変調回路１０とから構成される。ここで第
１、第２および第３の薄膜高透磁率磁性体１，２
および３は磁束方向に直交したストライプ状の溝
を有する非磁性基板４，５および６上に形成され
る。なお磁界発生電流変調回路により、薄膜コイ
ル７，８へ電流を流すことによつて、記録媒体の
垂直方向への印加磁界が与えられる。また第１、
第２および第３の薄膜高透磁率磁性体１，２およ
び３は膜厚2μm、長さ数mm〜数10mmのパーマロイ
薄膜が用いられ、またコイル７および８として
は、線幅3μm、高さ3μmの銅膜を微細加工により
スパイラル上に積層した。巻数数10ターンの銅薄
膜コイルが用いられている。また電流値としては
数10〜数100mAが適当である。このようにして
構成した磁界印加手段では、コイルのインダクタ
ンスを10μH以下にすること、および非磁性基板
４，５および６に設けられたストライプによつて
磁気異方性が磁束方向に困難軸となり、磁束方向
の透磁率を大きくすることが容易なため、薄膜高
透磁率磁性体の端面から数mm離れた位置において
数100エルステツドの磁界を、数ＭHzの高速で切
替えることができる。
第２図は第１図の実施例に周辺系を付加した光
磁気記録再生装置の構成図で、この装置により、
光磁気デイスク１１への記録・再生・消去を行な
つた。第２図において磁界発生電流変調回路１０
の出力電流が薄膜コイル７および８に流れ、光磁
気デイスク１１の磁性薄膜１２で構成された記録
媒体に上向き及び下向きの磁界が交互に印加され
る。光磁気記録用ヘツド３１は従来と同等のもの
であり、次のような構成を有する。３２は直線偏
光のレーザ光源であり、例えば半導体レーザが使
用される。３３，３４，３５はビームスプリツタ
である。レーザ光ビーム集光用レンズ３６はアク
チユエータ３７により支持されている。フオーカ
スエラーおよびトラツクングエラー信号はそれぞ
れフオーカスエラー信号検出用受光素子３８，３
９によつてサーボ制御回路４０，４１に入力さ
れ、サーボ信号となり、前記アクチユエータ３７
にフイードバツクされる。再生信号は偏光フイル
タ４２を通過後、再生信号検出用受光素子４３に
よつて検出され、再生信号増幅回路４４によつて
増幅される。偏光フイルタ４２としてはグラムト
ムソンプリズムを用い、再生信号検出用受光素子
４３としてはPINフオトダイオードを用いた。レ
ーザ光源３２の変調にはレーザ光源変調回路４５
が使用され、記録時、消去時、再生時に合わせて
レーザ光のパワーが変調される。光磁気デイスク
として120mm径のプラスチツク基板上にスパツタ
法により形成されたSiN上に、さらにスパツタ法
によりTbFeCo膜を800オングストローム厚に、
形成し、このTbFeCo膜上に再びSiNを形成した
デイスクを使用した。基板としては予めトラツク
ピツチ1.6μm、深さ700オングストロームの溝が
形成されていわゆるプリグルーブ基板を用いた。
磁気記録再生装置の構成図で、この装置により、
光磁気デイスク１１への記録・再生・消去を行な
つた。第２図において磁界発生電流変調回路１０
の出力電流が薄膜コイル７および８に流れ、光磁
気デイスク１１の磁性薄膜１２で構成された記録
媒体に上向き及び下向きの磁界が交互に印加され
る。光磁気記録用ヘツド３１は従来と同等のもの
であり、次のような構成を有する。３２は直線偏
光のレーザ光源であり、例えば半導体レーザが使
用される。３３，３４，３５はビームスプリツタ
である。レーザ光ビーム集光用レンズ３６はアク
チユエータ３７により支持されている。フオーカ
スエラーおよびトラツクングエラー信号はそれぞ
れフオーカスエラー信号検出用受光素子３８，３
９によつてサーボ制御回路４０，４１に入力さ
れ、サーボ信号となり、前記アクチユエータ３７
にフイードバツクされる。再生信号は偏光フイル
タ４２を通過後、再生信号検出用受光素子４３に
よつて検出され、再生信号増幅回路４４によつて
増幅される。偏光フイルタ４２としてはグラムト
ムソンプリズムを用い、再生信号検出用受光素子
４３としてはPINフオトダイオードを用いた。レ
ーザ光源３２の変調にはレーザ光源変調回路４５
が使用され、記録時、消去時、再生時に合わせて
レーザ光のパワーが変調される。光磁気デイスク
として120mm径のプラスチツク基板上にスパツタ
法により形成されたSiN上に、さらにスパツタ法
によりTbFeCo膜を800オングストローム厚に、
形成し、このTbFeCo膜上に再びSiNを形成した
デイスクを使用した。基板としては予めトラツク
ピツチ1.6μm、深さ700オングストロームの溝が
形成されていわゆるプリグルーブ基板を用いた。
第３図ａ〜ｃは記録の動作モード図である。記
録媒体をキユリー温度以上に上昇できる一定強度
のレーザビームを照射しながら、外部磁界印加の
ための薄膜コイル７，８に第３図に示すような変
調電流を流すことによつて、記録パターンに対向
した外部磁界が印加され、記録媒体の走行に伴な
う冷却過程で印加磁界方向に対応して、第３図ｃ
に示すような記録磁化状態が実現される。まず線
速9m／secにてデイスク面上4mWの一定強度の
レーザ光を照射しながら、外部磁界印加手段の薄
膜コイル７，８に1MHzで、200mAの変調電流を
流したところ、良好な記録ができた。この記録ト
ラツク上に新たに同一条件で記録磁界を0.5MHz
で印加したところ、この記録磁界に対応した記録
ができ、前に記録した信号の消え残りはみられな
かつた。
録媒体をキユリー温度以上に上昇できる一定強度
のレーザビームを照射しながら、外部磁界印加の
ための薄膜コイル７，８に第３図に示すような変
調電流を流すことによつて、記録パターンに対向
した外部磁界が印加され、記録媒体の走行に伴な
う冷却過程で印加磁界方向に対応して、第３図ｃ
に示すような記録磁化状態が実現される。まず線
速9m／secにてデイスク面上4mWの一定強度の
レーザ光を照射しながら、外部磁界印加手段の薄
膜コイル７，８に1MHzで、200mAの変調電流を
流したところ、良好な記録ができた。この記録ト
ラツク上に新たに同一条件で記録磁界を0.5MHz
で印加したところ、この記録磁界に対応した記録
ができ、前に記録した信号の消え残りはみられな
かつた。
以上述べたように本発明によれば、大きい磁界
の高速スイツチングが可能な光磁気デイスク用外
部磁界印加薄膜電磁石を提供出来る。従つて光磁
気記録再生消去方式では従来の一括消去を必要と
せずに直接所望の記録が可能なオーバライト性能
が実現できるという効果がある。さらに別の効果
として、光ビームが入射する側の薄膜高透磁率磁
性体の一端の中空の周りのコイルはパターンエツ
チングにより作られるために、光磁気デイスクと
のスペーシングをコイル分を無視して設計でき
る。
の高速スイツチングが可能な光磁気デイスク用外
部磁界印加薄膜電磁石を提供出来る。従つて光磁
気記録再生消去方式では従来の一括消去を必要と
せずに直接所望の記録が可能なオーバライト性能
が実現できるという効果がある。さらに別の効果
として、光ビームが入射する側の薄膜高透磁率磁
性体の一端の中空の周りのコイルはパターンエツ
チングにより作られるために、光磁気デイスクと
のスペーシングをコイル分を無視して設計でき
る。
第１図ａは本発明の一実施例の構成図、第１図
ｂおよびｃは第１図の２つの薄膜コイル部のそれ
ぞれの断面図、第２図は第１図の実施例を光磁気
デイスク装置に適用した場合の構成図、第３図は
第２図の記録の動作モード図である。 １，２，３，９……薄膜高透磁率磁性体、４，
５，６……非磁性基板、７，８……薄膜コイル、
１０……磁界発生電流変調回路、２１……中空
部、３１……光磁気記録用ヘツド。
ｂおよびｃは第１図の２つの薄膜コイル部のそれ
ぞれの断面図、第２図は第１図の実施例を光磁気
デイスク装置に適用した場合の構成図、第３図は
第２図の記録の動作モード図である。 １，２，３，９……薄膜高透磁率磁性体、４，
５，６……非磁性基板、７，８……薄膜コイル、
１０……磁界発生電流変調回路、２１……中空
部、３１……光磁気記録用ヘツド。
Claims (1)
- １ 光磁気デイスクの両面を挟んで対向し、同一
電流を流す巻線が施され、一方の巻線のコアに中
空部を有する２つの高透磁率磁性体と、この２つ
の高透磁率磁性体を磁気的に接続する高透磁率磁
性体の磁路とを有する光磁気デイスク用磁界印加
電磁石において、前記３つの高透磁率磁性体がそ
れぞれ磁束方向と直交したストライプ状の多数の
溝を有する３つの非磁性基板上に形成された薄膜
高透磁率磁性体であり、前記２つの巻線がそれぞ
れ薄膜高透磁率磁性体に絶縁層を介してスパイラ
ル状にパターンエツチングにより形成された薄膜
コイルであることを特徴とする光磁気デイスク用
磁界印加薄膜電磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17215087A JPS6417202A (en) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | Thin film electromagnet for impressing magnetic field for magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17215087A JPS6417202A (en) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | Thin film electromagnet for impressing magnetic field for magneto-optical disk |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6417202A JPS6417202A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0568764B2 true JPH0568764B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=15936491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17215087A Granted JPS6417202A (en) | 1987-07-09 | 1987-07-09 | Thin film electromagnet for impressing magnetic field for magneto-optical disk |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6417202A (ja) |
-
1987
- 1987-07-09 JP JP17215087A patent/JPS6417202A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6417202A (en) | 1989-01-20 |
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