JPH0568101U - フィルタ装置 - Google Patents

フィルタ装置

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JPH0568101U
JPH0568101U JP1701392U JP1701392U JPH0568101U JP H0568101 U JPH0568101 U JP H0568101U JP 1701392 U JP1701392 U JP 1701392U JP 1701392 U JP1701392 U JP 1701392U JP H0568101 U JPH0568101 U JP H0568101U
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JP
Japan
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electrode
transmission line
filter device
dielectric
inductance element
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Pending
Application number
JP1701392U
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English (en)
Inventor
達也 辻口
康雄 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 小型,軽量でかつ安価なフィルタ装置を提供
することを目的とする。 【構成】 入力端子INと出力端子OUTとの間には、
たとえばπ型回路によって構成された伝送路が配置され
る。この伝送路には、減衰極を得るための複数の共振回
路が並列的に結合される。各共振回路のうち、一部の共
振回路は容量素子C2と誘電体同軸共振器1との直列回
路によって構成される。残りの共振回路は、容量素子C
2とインダクタンス素子L2との直列回路によって構成
される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、フィルタ装置に関し、より特定的には、誘電体同軸共振器を用い た帯域消去フィルタ(Band Elimination Filter:以下 、「BEF」と略称する)に関する。
【0002】
【従来の技術】
BEFは、所定の周波数帯域の信号を減衰させるためのフィルタ装置であり、 高周波信号(たとえばマイクロ波信号)を処理するために多く用いられている。
【0003】 従来、誘電体同軸共振器を用いたBEFとしては、たとえば特開昭61−19 1101号公報に開示されたようなBEFが知られている。図4は、この公開公 報に開示されたBEFの等価回路を示す図である。図において、入力端子INと 出力端子OUTとの間には、容量素子C1とインダクタンス素子L1とによって 構成された複数のπ型回路π1,π2,・・・が縦続接続されて、信号の伝送路 を形成している。BEFでは、複数の減衰極を得る必要があるが、その目的で上 記伝送路には、複数の共振回路が互いに並列的に結合されている。各共振回路は 、容量素子C2と誘電体同軸共振器1とを直列接続して構成されている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上記のごとく、従来のBEFでは、伝送路に並列的に結合される各共振回路と して、誘電体同軸共振器1を用いていた。そのため、伝送路に結合される共振回 路の段数が多くなるほど、フィルタ装置が大重量となり、かつ大型化しコストも 高くなるという問題点があった。
【0005】 それゆえに、この考案の目的は、小型,軽量でかつ安価なフィルタ装置を提供 することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この考案にかかるフィルタ装置は、 高周波信号を伝播させるための伝送路と、 伝送路に対して互いに並列的に結合された複数の共振回路とを備え、 複数の共振回路のうち、一部を容量素子と誘電体同軸共振器との直列回路によ って構成し、残りを容量素子とインダクタンス素子との直列回路によって構成し たことを特徴とする。
【0007】
【作用】
この考案においては、伝送路に対して並列的に結合される複数の共振回路のう ち、一部を誘電体同軸共振器を用いて構成し、残りを容量素子とインダクタンス 素子との直列回路によって構成することにより、フィルタ装置の軽量化,小型化 ,低コスト化を図るようにしている。
【0008】
【実施例】
図1は、この考案の一実施例に係るBEFの等価回路図である。図1において 、入力端子INと出力端子OUTとの間には、図4に示すBEFと同様に、複数 のπ型回路π1,π2,π3,・・・によって構成される高周波信号(たとえば マイクロ波信号)のための伝送路が配置されている。この伝送路に対して複数の 共振回路が並列的に結合されている。この実施例の特徴は、伝送路に並列的に結 合される複数の共振回路の1つを、容量素子C2とインダクタンス素子L2との 直列回路によって構成したことである。他の共振回路は、いずれも容量素子C2 と誘電体共振器1との直列回路によって構成されている。
【0009】 上記のごとく、減衰極を得るために必要な共振回路の1つを容量素子C2とイ ンダクタンス素子L2との直列回路によって構成したことにより、共振回路のす べてを誘電体同軸共振器を用いて構成した従来のBEFに比べて軽量化,小型化 ,低コスト化を図ることができる。この効果をより明らかにするために、図3を 参照して、図1に示す実施例の構造的特徴を以下に説明する。
【0010】 図3において、各誘電体同軸共振器1は、たとえば長さが1/4波長で、中央 に貫通孔3を有する筒状のセラミック誘電体4を含む。この誘電体4の内周面と 外周面には、銅等の電極膜からなる内導体5,外導体6が形成されている。この 誘電体4の一方の端面7には内導体5と外導体6とを短絡する電極膜が形成され 、また他方の端面8は電極が形成されない開放端面となっている。各誘電体同軸 共振器1の内導体5はターミナル9を介して結合基板2上の第1の電極11に接 続されている。また、外導体6は図示しない金属ケースに接続されている。
【0011】 結合基板2は、たとえばセラミック等の誘電体からなり、一方主表面2aには 第1の電極11とアース電極12とが周知の薄膜あるいは厚膜技術により形成さ れている。一方、結合基板2の他方主表面2bには、上記第1の電極11および アース電極12の双方と対向する状態で第2の電極13が同様の手法で形成され ている。第2の電極13が誘電体からなる結合基板2を介して第1の電極11お よびアース電極12と対向するため、第2の電極13と第1の電極11との間お よび第2の電極13とアース電極12との間は、それぞれ個別的に静電容量を有 する。これら静電容量の値は、電極同士の対向面積,結合基板2の厚みおよび誘 電率によって一義的に決定される。
【0012】 上記第1の電極11および第2の電極13は、図示のごとく、各誘電体同軸共 振器1の配列方向に沿って複数個形成されている。そして、各第1の電極は、そ れぞれ対応する誘電体同軸共振器1の内導体5とターミナル9を介して接続され ている。一方、各第2の電極13は、それぞれ隣合うもの同士がインダクタンス 素子L1によって結合されている。インダクタンス素子L1としては、結合基板 2の他方主表面2b上に所定のパターンを薄膜形成することによって構成されて もよいし、あるいは一般的なたとえば円形のコイルを用いて構成してもよい。図 中、L1(A)はパターンによって形成されたインダクタンス素子を示し、L1 (B)は一般的なコイルを用いて構成したインダクタンス素子を示している。な お、アース電極12は図示しない金属ケースに接続されている。この場合、各誘 電体同軸共振器1の外導体6を密着性よく金属ケースに接続するために外導体6 と金属ケースとの間に介在される弾性のあるアース板を延長して、当該アース板 にアース電極12を接続するようにしてもよい。
【0013】 次に、図3に示す実施例の特徴部分の構成を説明する。結合基板2の一方主表 面2a上において隣合う複数組の第1の電極11とアース電極12とのうち、い ずれか1組の第1の電極11とアース電極12との間には、インダクタンス素子 L2が接続されている。図3に示す実施例では、インダクタンス素子L2として 円形のコイルを用いているが、これに代えて結合基板2の一方主表面2aの上で あって第1の電極11とアース電極12との間に薄膜パターンによりインダクタ ンス素子L2を形成するようにしてもよい。
【0014】 図3に示す構成では、第1の電極11と第2の電極13との間の静電容量は図 1の等価回路における容量素子C2に相当し、またアース電極12と第2の電極 13との間の静電容量はπ型回路π1,π2,π3・・・の容量素子C1に相当 する。したがって、第1および第2の電極11および13,アース電極12の大 きさおよび位置と、インダクタンス素子L1およびL2のインダクタンス値を適 当に定めることにより、所望の周波数帯域を減衰域として持つBEFを得ること ができる。
【0015】 図3から明らかなように、インダクタンス素子L2は誘電体同軸共振器1に比 べて極めて小さくかつ安価である。したがって、上記実施例によれば、小型,軽 量でかつ安価なBEFを得ることができる。
【0016】 図1および図3に示す実施例では、伝送路に対して並列的に結合された複数の 共振回路の1つにおける誘電体同軸共振器1をインダクタンス素子L2に置き換 えるようにしたが、図2に示すように複数の誘電体同軸共振器1をインダクタン ス素子L2に置き換えるようにしてもよい。この場合、図1および図3に示す実 施例に比べて、さらに小型,軽量でかつ安価なBEFを得ることができる。
【0017】 なお、以上説明した実施例では、入力端子INと出力端子OUTとの間に配置 される伝送路として結合基板2の上に形成された集中定数回路を用いたが、これ に代えて1/4波長の長さを持つ同軸ケーブル等の分布定数回路を用いてもよい 。
【0018】
【考案の効果】
以上のようにこの考案によれば、伝送路に並列的に結合される複数の共振回路 のうち、1つまたは複数の共振回路を容量素子とインダクタンス素子との直列回 路によって構成するようにしたので、すべての共振回路が誘電体同軸共振器を含 む従来のフィルタ装置に比べて、小型,軽量でかつ安価なフィルタ装置を得るこ とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例に係るフィルタ装置の等価
回路図である。
【図2】この考案の他の実施例に係るフィルタ装置の等
価回路図である。
【図3】図1に示す実施例の構造を示す一部破断斜視図
である。
【符号の説明】
1: 誘電体同軸共振器 C1,C2: 容量素子 L1,L2: インダクタンス素子 2: 結合基板 4: 誘電体 5: 内導体 11: 第1の電極 12: アース電極 13: 第2の電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図4】従来のBPFの一例の等価回路図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波信号を伝播させるための伝送路
    と、 前記伝送路に対して互いに並列的に結合された複数の共
    振回路とを備え、 前記複数の共振回路のうち、一部を容量素子と誘電体同
    軸共振器との直列回路によって構成し、残りを容量素子
    とインダクタンス素子との直列回路によって構成したこ
    とを特徴とする、フィルタ装置。
JP1701392U 1992-02-21 1992-02-21 フィルタ装置 Pending JPH0568101U (ja)

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JP1701392U JPH0568101U (ja) 1992-02-21 1992-02-21 フィルタ装置

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JP1701392U JPH0568101U (ja) 1992-02-21 1992-02-21 フィルタ装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169813A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Murata Mfg Co Ltd 帯域除去フィルタ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63244901A (ja) * 1987-03-30 1988-10-12 Murata Mfg Co Ltd 複合フイルタ装置
JPH03181206A (ja) * 1989-12-11 1991-08-07 Fuji Elelctrochem Co Ltd 誘電体フィルタ

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