JPH0567593A - アツシング方法およびアツシング装置 - Google Patents
アツシング方法およびアツシング装置Info
- Publication number
- JPH0567593A JPH0567593A JP22583791A JP22583791A JPH0567593A JP H0567593 A JPH0567593 A JP H0567593A JP 22583791 A JP22583791 A JP 22583791A JP 22583791 A JP22583791 A JP 22583791A JP H0567593 A JPH0567593 A JP H0567593A
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- Japan
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- electrode
- semiconductor substrate
- ashing
- resist
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高ドーズのイオン注入後のレジストを除去す
るのに好適なアッシング方法およびアッシング装置を提
供する。 【構成】 半導体基板９を保持する第１の電極３に高周
波を印加し、半導体基板９と離れた位置の第２の電極４
及び第３の電極５をアースに接続してプラズマを生起し
てレジストの一部を除去した後、半導体基板９を保持す
る第１の電極３と第２の電極４をアースに接続して、第
３の電極５に高周波を印加してプラズマを生起してレジ
ストを除去する。これによって、１×１０14cm-2以上の
ドーズ量でイオン注入したレジストでも除去可能とな
る。
るのに好適なアッシング方法およびアッシング装置を提
供する。 【構成】 半導体基板９を保持する第１の電極３に高周
波を印加し、半導体基板９と離れた位置の第２の電極４
及び第３の電極５をアースに接続してプラズマを生起し
てレジストの一部を除去した後、半導体基板９を保持す
る第１の電極３と第２の電極４をアースに接続して、第
３の電極５に高周波を印加してプラズマを生起してレジ
ストを除去する。これによって、１×１０14cm-2以上の
ドーズ量でイオン注入したレジストでも除去可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に高ドーズのイオン
を注入したレジストの除去に適した枚様式のアッシング
方法およびアッシング装置に関する。
を注入したレジストの除去に適した枚様式のアッシング
方法およびアッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体基板の口径の拡大化ととも
に、アッシング装置も制御性の良い枚様式の装置が多く
用いられるようになってきた。
に、アッシング装置も制御性の良い枚様式の装置が多く
用いられるようになってきた。
【０００３】従来のアッシング装置としては、図２に示
すような構成が一般的であった。以下、その構成につい
て図２を参照しながら説明する。
すような構成が一般的であった。以下、その構成につい
て図２を参照しながら説明する。
【０００４】図に示すように、石英製の処理室１はアル
ミニウム製の支持板２と第１の電極３とで真空系を形成
している。第２の電極４は電気的にアースされており、
一方第３の電極５は高周波電源６及びマッチングネット
ワーク７により高周波が印加され、これらの第２の電極
４と第３の電極５でガス流入口８から流入した酸素をプ
ラズマにして半導体基板９上のレジストを除去してい
た。通常のアッシング条件は酸素の流量＝１００cc／ｍ
ｉｎ、高周波の電力＝４００Ｗ、圧力＝４００ｍＴｏｒ
ｒであり、さらにアッシング速度を高めるため下部電極
３はヒータにより１５０℃に保持していた。
ミニウム製の支持板２と第１の電極３とで真空系を形成
している。第２の電極４は電気的にアースされており、
一方第３の電極５は高周波電源６及びマッチングネット
ワーク７により高周波が印加され、これらの第２の電極
４と第３の電極５でガス流入口８から流入した酸素をプ
ラズマにして半導体基板９上のレジストを除去してい
た。通常のアッシング条件は酸素の流量＝１００cc／ｍ
ｉｎ、高周波の電力＝４００Ｗ、圧力＝４００ｍＴｏｒ
ｒであり、さらにアッシング速度を高めるため下部電極
３はヒータにより１５０℃に保持していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の装置
は、ブラズマ発生領域が半導体基板９と離れた位置にあ
り、チャージアップによるダメージを受けにくいため、
信頼性の高い半導体を製造できる。しかしながら、高ド
ース（１×１０14cm-2以上）のイオン注入後の半導体基
板においてはレジストの表面に約５００から２０００Å
の厚さでアッシング速度の遅い硬化層が形成されている
ために、プラズマに曝すと硬化層にひび割れが発生し、
反応室内に飛散して付着したり、あるいは半導体基板９
上に付着して、レジストが十分には除去できない。
は、ブラズマ発生領域が半導体基板９と離れた位置にあ
り、チャージアップによるダメージを受けにくいため、
信頼性の高い半導体を製造できる。しかしながら、高ド
ース（１×１０14cm-2以上）のイオン注入後の半導体基
板においてはレジストの表面に約５００から２０００Å
の厚さでアッシング速度の遅い硬化層が形成されている
ために、プラズマに曝すと硬化層にひび割れが発生し、
反応室内に飛散して付着したり、あるいは半導体基板９
上に付着して、レジストが十分には除去できない。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、上記
のようなプラズマによって除去しにくいレジストに対し
ても、除去できるアッシング方法およびアッシング装置
を提供することを目的とする。
のようなプラズマによって除去しにくいレジストに対し
ても、除去できるアッシング方法およびアッシング装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体基板を保持する電極を高周波を印加
してプラズマを発生させることによって、レジストの表
面の硬化層を除去した後に、半導体基板と離れた位置で
プラズマを発生させてアッシングを行う構成による。
するために、半導体基板を保持する電極を高周波を印加
してプラズマを発生させることによって、レジストの表
面の硬化層を除去した後に、半導体基板と離れた位置で
プラズマを発生させてアッシングを行う構成による。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成により、イオン注入後の
レジストの表面の硬化層をイオンのスパッタ作用を利用
して除去した後、半導体基板と離れた位置で発生したプ
ラズマで残りのレジストを除去する。この結果、レジス
ト表面の硬化層は十分に除去でき、反応室にレジストが
付着することもない。さらに、レジストが残っている状
態でプラズマの発生領域を半導体基板から離しているの
で、チャージアップ等によって、半導体デバイスがダメ
ージを受けることもないので、安定して信頼性の高いデ
バイスを製造できる。
レジストの表面の硬化層をイオンのスパッタ作用を利用
して除去した後、半導体基板と離れた位置で発生したプ
ラズマで残りのレジストを除去する。この結果、レジス
ト表面の硬化層は十分に除去でき、反応室にレジストが
付着することもない。さらに、レジストが残っている状
態でプラズマの発生領域を半導体基板から離しているの
で、チャージアップ等によって、半導体デバイスがダメ
ージを受けることもないので、安定して信頼性の高いデ
バイスを製造できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例を図１を用いて説明す
る。図１において、従来例の図２と同一部分には同一番
号を付し、説明を省略する。すなわち本発明の特徴は第
１の電極３とアースとの間にスイッチ１０を設け、高周
波電源６，マッチングネットワーク７をスイッチ１１に
より第１の電極３と第３の電極５に切り換えられるよう
にしていること第３の電極５とアース間にスイッチ１２
を設けていることである。このような装置を用いて、ガ
ス流入口８から酸素ガスを１００cc／ｍｉｎの流量で処
理室に流し、圧力は５００ｍＴｏｒｒに制御して、まず
第２の電極４および第３の電極５をアースに接続して、
第１の電極３に１３．５６ＭHzの高周波を５００Ｗの電
力で印加してプラズマを生起し、半導体基板９上のレジ
ストの表面の硬化層のアッシングを行う。このときは下
部の第１の電極３の温度は１００℃である。この状態で
は、半導体基板９上にはレジストが残っているので、半
導体基板９が受けるダメージは通常問題にならないレベ
ルであった。
る。図１において、従来例の図２と同一部分には同一番
号を付し、説明を省略する。すなわち本発明の特徴は第
１の電極３とアースとの間にスイッチ１０を設け、高周
波電源６，マッチングネットワーク７をスイッチ１１に
より第１の電極３と第３の電極５に切り換えられるよう
にしていること第３の電極５とアース間にスイッチ１２
を設けていることである。このような装置を用いて、ガ
ス流入口８から酸素ガスを１００cc／ｍｉｎの流量で処
理室に流し、圧力は５００ｍＴｏｒｒに制御して、まず
第２の電極４および第３の電極５をアースに接続して、
第１の電極３に１３．５６ＭHzの高周波を５００Ｗの電
力で印加してプラズマを生起し、半導体基板９上のレジ
ストの表面の硬化層のアッシングを行う。このときは下
部の第１の電極３の温度は１００℃である。この状態で
は、半導体基板９上にはレジストが残っているので、半
導体基板９が受けるダメージは通常問題にならないレベ
ルであった。
【００１０】次に、第１の電極３への高周波の印加を中
止し、アース電位に接続した後、第３の電極５に１３．
５６ＭHzの高周波を５００Ｗの電力で印加する。この時
は、第１の電極３はアッシング速度を高めるために１５
０℃〜２００℃に保持した。これによって、プラズマは
第２の電極４と第３の電極５により発生することになる
ので、半導体基板９は直接プラズマに曝されることがな
く、フラズマによるダメージを受けにくい。このような
方法では、１×１０14cm-2以上の高ドーズのイオン注入
後にレジストでも十分に除去できた。
止し、アース電位に接続した後、第３の電極５に１３．
５６ＭHzの高周波を５００Ｗの電力で印加する。この時
は、第１の電極３はアッシング速度を高めるために１５
０℃〜２００℃に保持した。これによって、プラズマは
第２の電極４と第３の電極５により発生することになる
ので、半導体基板９は直接プラズマに曝されることがな
く、フラズマによるダメージを受けにくい。このような
方法では、１×１０14cm-2以上の高ドーズのイオン注入
後にレジストでも十分に除去できた。
【００１１】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
によれば、半導体基板を保持する電極に高周波を印加し
てプラズマを発生させることによって、レジストの表面
の硬化層を除去した後に、半導体基板と離れた位置でプ
ラズマを発生させてアッシングを行う構成によるので、
より完全にイオン注入後のレジストを除去でき、特に１
×１０14cm-2以上の高ドーズのレジストの除去に有効
で、歩留まりを向上できるアッシング方法およびアッシ
ング装置を提供できる。
によれば、半導体基板を保持する電極に高周波を印加し
てプラズマを発生させることによって、レジストの表面
の硬化層を除去した後に、半導体基板と離れた位置でプ
ラズマを発生させてアッシングを行う構成によるので、
より完全にイオン注入後のレジストを除去でき、特に１
×１０14cm-2以上の高ドーズのレジストの除去に有効
で、歩留まりを向上できるアッシング方法およびアッシ
ング装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例のアッシング方法を実施する
ための装置の概略断面正面図
ための装置の概略断面正面図
【図２】従来のアッシング方法を実施するための装置の
概略断面正面図
概略断面正面図
１ 処理室 ２ 支持板 ３ 第１の電極 ４ 第２の電極 ５ 第３の電極 ６ 高周波電源 ７ マッチングネットワーク ８ ガス流入口 ９ 半導体基板 １０ スイッチ １１ スイッチ １２ スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を保持した第１の電極に高周
波電力を印加し、前記半導体基板と離れた位置にある第
２の電極および第３の電極をアースに接続してプラズマ
を生起し、前記半導体基板上のフォトレジストの一部を
除去した後、前記第１の電極と第２の電極をアースに接
続し、前記第３の電極に高周波電力を印加してプラズマ
を生起し、前記半導体基板上のフォトレジストを引き続
き除去することを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】 半導体基板を保持する第１の電極と、前
記半導体基板とそれぞれ離れた位置に設置された第２の
電極および第３の電極と、高周波電源等を少なくとも有
するアッシング装置において、前記高周波電源の接続が
前記第１の電極または第３の電極に切り換えられるスイ
ッチを設け、かつ前記第１の電極および第３の電極とア
ースとの間にもそれぞれスイッチを設けたことを特徴と
するアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583791A JP3324124B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22583791A JP3324124B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | アッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567593A true JPH0567593A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3324124B2 JP3324124B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=16835600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22583791A Expired - Fee Related JP3324124B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3324124B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP22583791A patent/JP3324124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3324124B2 (ja) | 2002-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
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