JPH0566969U - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ドライエッチング装置の電極の改善を行い、ド
ライエッチング装置の特性を向上させる。 【構成】相対向した電極５，６間に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、ウェーハ１表面のエッチングを
行う様にしたドライエッチング装置に於いて、少なくと
も１つの電極表面をシリコンで覆い、電極表面を被処理
物１と同材質とし、汚染の虞れを防止し、機械的性質を
向上させて電極交換を容易とする。
ライエッチング装置の特性を向上させる。 【構成】相対向した電極５，６間に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、ウェーハ１表面のエッチングを
行う様にしたドライエッチング装置に於いて、少なくと
も１つの電極表面をシリコンで覆い、電極表面を被処理
物１と同材質とし、汚染の虞れを防止し、機械的性質を
向上させて電極交換を容易とする。
Description
【０００１】
本考案は、半導体製造装置の１であるドライエッチング装置に関するものであ る。
【０００２】
半導体製造工程の１つにエッチング工程があり、該エッチング工程はフォトレ ジスト膜の無い部分をエッチングし、ウェーハの表面に回路を成形するものであ る。
【０００３】 斯かるエッチングを行うエッチング装置の１つとして、相対向する電極間に高 周波電力を印加して、ガスをプラズマ化し、イオン、及びラジカル（ｒａｄｉｃ ａｌ、遊離基）によってウェーハ表面に生成した薄膜をエッチングするプラズマ エッチング装置がある。
【０００４】 図２は、シリコンのウェーハ１に酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）２を生成し、この酸化膜 ２に、フォトレジスト膜３を形成し、該フォトレジスト膜３の形成されてない部 分をエッチングで除去したものである。
【０００５】 斯かるドライエッチング装置の電極として要求される特性としては、不純物の 発生が少なくウェーハを汚染しないこと、対シリコン（Ｓi ）選択比（Ｓi Ｏ2 のエッチング速度／Ｓi のエッチング速度）の向上に効果のあること、汚れ、消 耗が少ないこと、エッチング再現性がよいこと、交換が容易なこと、安価なこと 等があげられる。
【０００６】 従来、ドライエッチング装置の電極の材質としては、アルミニウム、アルミナ 、カーボン、石英、炭化硅素（Ｓi Ｃ）等が用いられていた。
【０００７】
ところが、前記した材質の従来の電極は、一長一短があり、例えばアルミニウ ムでは不純物の発生、シリコン選択比はよいが、汚れ、消耗或はエッチング再現 性と言うことでは問題があり、又カーボンでは汚れ、消耗或はエッチング再現性 ということではよいがシリコン選択比、不純物の発生に問題がある等である。
【０００８】 本考案は斯かる実情に鑑み、ドライエッチング装置の電極に要求される特性を 充分に満足するドライエッチング装置を提供しようとするものである。
【０００９】
本考案は、相対向した電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、ウ ェーハ表面のエッチングを行う様にしたドライエッチング装置に於いて、少なく とも１つの電極表面がシリコンで覆われていることを特徴とするものである。
【００１０】
電極表面が被処理物と同材質であるので、汚染の虞れが無く、又反応ガスとの 化合物がガス化するのでパーティクルの発生がない。更に、機械的性質に優れ、 電極交換作業性がよい。
【００１１】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【００１２】 気密な真空室４に、相対向して電極５，６が設けられ、両電極５，６それぞれ には高周波電源７，８が接続され、１方の電極６にはウェーハ１が装填されてい る。ここで前記電極５，６の材質として純粋なシリコン（Ｓi ）板が用いられる 。
【００１３】 前記高周波電源７，８により前記電極５，６に高周波電源が印加され、又前記 真空室４には反応ガス（弗素化炭素ＣＦ4 ）等が導入され、排気ポンプより排気 される。この排気の中には前記弗素化炭素の弗素が分離して硅素と反応して生成 された弗化硅素（Ｓi Ｆ4 ）が含まれる。
【００１４】 上記したドライエッチング装置では、ウェーハ１と対向する電極５も、イオン 、及びラジカル（ｒａｄｉｃａｌ、遊離基）による影響を受けるが、前記した様 に弗化硅素（Ｓi Ｆ4 ）とガス化し、排気されるのでウェーハ１を汚染すること がない。又、磨耗も少ない。更に、電極５の材質が被処理物であるウェーハ１と 同材質であるので、電極５から発生したパーテイクルが前記ウェーハ１に付着し たとしても影響が少ない。
【００１５】 尚、電極５は全部を純粋なシリコンとしても、或はウェーハ１に対峙する面を 純粋なシリコン膜、シリコン層で覆ってもよい。
【００１６】 以上の如く、少なくともウェーハと対峙する電極面をシリコンとすることで、 不純物による汚染が防止され、又対Ｓi 選択比が向上し、汚れ、消耗が低減し、 更にエッチング再現性が向上するのである。更に又、純粋なシリコンは炭化硅素 、カーボン、アルミナ等に比べ機械的強度に優れ、電極交換の作業性も向上する 。
【００１７】
以上述べた如く本考案によれば、不純物による汚染が防止され、又汚れ、消耗 が低減してエッチング再現性が向上し、更に対Ｓi 選択比の向上が図れるので、 製品品質、処理精度が向上する。更に又、機械的強度が向上するので、電極交換 の作業性の改善が図れる等の優れた効果を発揮する。
【図１】本考案の一実施例を示す概念図である。
【図２】ウェーハのエッチングの状態を示す断面説明図
である。
である。
１ ウェーハ ２ 酸化膜 ３ フォトレジスト膜 ４ 真空室 ５ 電極 ６ 電極 ７ 高周波電源 ８ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 相対向した電極間に高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、ウェーハ表面のエッチングを行
う様にしたドライエッチング装置に於いて、少なくとも
１つの電極表面がシリコンで覆われていることを特徴と
するドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243092U JPH0566969U (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243092U JPH0566969U (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566969U true JPH0566969U (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11805076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243092U Pending JPH0566969U (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566969U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245600A (ja) * | 1996-03-29 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP1243092U patent/JPH0566969U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245600A (ja) * | 1996-03-29 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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