JPH0563038A - ワイヤボンデイング用電極 - Google Patents

ワイヤボンデイング用電極

Info

Publication number
JPH0563038A
JPH0563038A JP22405791A JP22405791A JPH0563038A JP H0563038 A JPH0563038 A JP H0563038A JP 22405791 A JP22405791 A JP 22405791A JP 22405791 A JP22405791 A JP 22405791A JP H0563038 A JPH0563038 A JP H0563038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
bonding
wire bonding
electrode
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22405791A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3283548B2 (ja
Inventor
Masaru Magai
勝 真貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP22405791A priority Critical patent/JP3283548B2/ja
Publication of JPH0563038A publication Critical patent/JPH0563038A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3283548B2 publication Critical patent/JP3283548B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 超音波ボンディングによって金属製ワイヤと
接合するワイヤボンディング用電極に関し、溶着部の面
積を大きく取ることによってワイヤの塑性変形を小さく
し、ワイヤボンディングピッチの高密度化を図ることを
目的とする。 【構成】 基板上にアルミニウム薄膜からなる電極を形
成し、このアルミニウム薄膜のワイヤとの接合面の表面
粗さを、０.0５〜０.3０μm となるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は超音波ボンディングに
よって金属製ワイヤと接合するワイヤボンディング用電
極に関し、絶縁基板上の金属配線と半導体基板上の金属
配線とをワイヤボンディングする際に好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ワイヤボンディング技術は金属配線どう
しを電気的に接続するために一般的に用いられている技
術である。半導体製造工程におけるアルミニウム電極と
リードとをワイヤで結ぶワイヤボンディング作業では、
超音波エネルギーを利用して振動圧着を行う超音波ボン
ディングが多用されている。
【０００３】超音波ボンディングは一定の加重の下でツ
ールを通してアルミニウム製のワイヤに超音波振動を加
え、ワイヤに高温下の加圧と同様の塑性流動を生じさせ
て溶着するものである。この塑性流動には、マクロ的な
線材の変形と同時に超音波による波動的流動を伴ってい
るため、両金属界面の酸化膜が破壊されて新生面の接触
による原子的結合がなされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した超
音波ボンディングでは、図５に示すように、基板１０上
に形成したアルミニウム電極１１とアルミニウム製のワ
イヤ１２との間の溶着が接合面１３の全面にではなく変
形部の周辺にドーナツ状に生じ、中央部は溶着されない
状態になる。したがって、一定のボンディング強度を得
るには、加重、超音波出力および時間の各接合パラメー
タを大きく取る必要がある。しかし、その結果、ワイヤ
１２の塑性変形が増大し、ワイヤボンディングピッチの
高密度化が困難になるという不都合が生じる。
【０００５】接合面１３の中心部が溶着されず周辺部が
ドーナツ状に溶着される原因は、図６に示すワイヤボン
ディング時の断面図から明らかなように、ワイヤ１２の
中央部がボンディングツール１４で強く押し付けられ、
中央部の接触圧（加重）が高くなりワイヤ１２およびア
ルミニウム電極１１間に超音波振動によるスリップが生
じず、新生面が生成されないため溶着に到らないものと
考えられている。これに対して周辺部は接触圧が低いた
め、スリップが生じて新生面が生成され溶着が起こるも
のと考えられている。図７に、ワイヤ中心からの距離と
接触圧との関係を示す。
【０００６】そこで、この発明では、接合面の中央部に
生じる非溶着部の面積を小さくし、周辺部に生じる溶着
部の面積を大きく取ることによってワイヤの塑性変形を
小さくし、ワイヤボンディングピッチの高密度化を図る
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明によるワイヤボ
ンディング用電極は、基板上にアルミニウム薄膜からな
る電極を形成し、このアルミニウム薄膜のワイヤとの接
合面の表面粗さを、０.0５〜０.3０μm となるように構
成する。
【０００８】
【作用】この発明においては、アルミニウム薄膜の接合
面の表面粗さを、従来の表面粗さ（０.0３μm 以下）に
比べて粗い０.0５〜０.3０μm とすることにより、従来
なら溶着が発生しなかった中央部においても接触圧が低
下する部分が生じ、スリップによる新生面が生起されて
溶着が起こるようになる。このため、中央部に生じる溶
着部の面積が大きくなり、加重、超音波出力および時間
の各接合パラメータの条件を弱めに設定することがで
き、ワイヤの塑性変形を小さくしてワイヤボンディング
ピッチの高密度化することができる。また、塑性変形後
のワイヤ幅はワイヤの直径の２倍が適当と考えられてお
り、表面粗さが０.0５〜０.3０μm のときに塑性変形後
のワイヤ幅が直径の２倍以下となることが確かめられて
いる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明によるワイヤボンディング
用電極の一実施例を示す構成図で、図(a) は平面図、図
(b) はそのＡ−Ａ線上の断面図である。この実施例で
は、基板１上にアルミニウム電極２を形成し、ワイヤと
の接合面３に溝部４および平面部５を形成する。そし
て、接合面３の表面粗さを、０.0５〜０.3０μm となる
ように形成する。この場合、前述したボンディングツー
ルの先端の振幅は接合最大１μm 程度と考えられている
ので、溝部３および平面部４の幅はそれぞれ２μm 以下
とするのが望ましく、溝ピッチは４μm 以下とするのが
望ましい。
【００１０】図２は、この発明の他の実施例を示す構成
図で、アルミニウム電極２の接合面３上に多数の微細孔
６を形成したワイヤボンディング用電極である。この場
合も接合面３の表面粗さは０.0５〜０.3０μm となるよ
うに形成する。また、微細孔６のピッチは４μm 以下と
するのが望ましく、直径はピッチの半分とする。
【００１１】図３は、この発明のさらに他の実施例を示
す構成図で、基板１上に結晶粒０.7μm 以下のアルミニ
ウム膜７を形成したワイヤボンディング用電極である。
アルミニウム膜７は柱状に結晶成長させ、表面粗さは平
均膜厚１μm 、成長時０.0５〜０.3０μm となってい
る。このアルミニウム膜７の形成条件としては、例え
ば、基板温度３００°Ｃ以上、成膜速度４〔オングスト
ローム／sec 〕の高温低速成膜により達成できる。
【００１２】次に、図４に示す特性図を参照して接合面
３の表面粗さを０.0５〜０.3０μmとする理由について
説明する。この特性図は直径２５μm のアルミニウム製
ワイヤを用いて表面粗さが異なるアルミニウム電極面上
に超音波ウェッジボンディングを行ったときの接合を評
価する引張試験のワイヤ破断モードとなるときの表面粗
さと塑性変形後のワイヤ幅との関係を示す特性図であ
る。図中、横軸は接合面の表面粗さ、縦軸は塑性変形後
のワイヤ幅である。
【００１３】一般に塑性変形後のワイヤ幅はワイヤの直
径Ｄの２倍（２Ｄ）が適当と考えられている。直径２５
μm のワイヤでは、２Ｄ＝５０μm となるので、図中の
２Ｄ（＝５０μm ）の箇所にラインＬを引いてある。こ
の特性図から明らかなように、表面粗さが０.0５〜０.3
０μmのときに塑性変形後のワイヤ幅は２Ｄ以下とな
り、塑性変形の小型化によるワイヤボンディングピッチ
の高密度化に有利な範囲であることが分かる。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、アルミニウム薄膜の
ワイヤとの接合面の表面粗さを０.0５〜０.3０μm とし
たので、一般的なアルミニウム薄膜の表面粗さ（０.0３
μm 以下）と比べて表面に凹凸が生じ、従来なら溶着が
発生しなかった中央部においても接触圧が低下する部分
が生じてスリップによる新生面が生起されて溶着が起こ
る。
【００１５】また、平面形状では表面の酸化膜が破壊さ
れてもその酸化膜の逃げ場所がないため、酸化膜が新生
面の溶着を妨げるが、この発明によれば、窪みの部分に
酸化膜の一部が追い込まれるため、新生面の溶着が容易
になる。こうして中央部に溶着が出来ることにより、加
重、超音波出力および時間の各接合パラメータの条件を
弱めに設定することができ、ワイヤの塑性変形を小さく
してワイヤボンディングピッチの高密度化を図ることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す構成図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例を示す構成図であ
る。
【図４】表面粗さと塑性変形後のワイヤ幅との関係を示
す特性図である。
【図５】ワイヤボンディングしたワイヤを接合面から剥
離した図である。
【図６】ワイヤボンディング時の断面配置図である。
【図７】ワイヤ中心からの距離と接触圧との関係を示す
特性図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ アルミニウム電極 ３ 接合面 ４ 溝部 ５ 平面部 ６ 微細孔 ７ アルミニウム電極（柱状粒）

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にアルミニウム薄膜からなる電極
    を形成し、上記アルミニウム薄膜のワイヤとの接合面の
    表面粗さを、０.0５〜０.3０μmとなるように構成する
    ことを特徴とするワイヤボンディング用電極。
  2. 【請求項２】 前記アルミニウム薄膜の接合面に格子状
    の溝を設けることを特徴とする請求項１記載のワイヤボ
    ンディング用電極。
  3. 【請求項３】 前記アルミニウム薄膜の接合面に複数の
    微細孔を設けることを特徴とする請求項１記載のワイヤ
    ボンディング用電極。
  4. 【請求項４】 前記アルミニウム薄膜は結晶粒０.7μm
    以上、膜厚１μm 以上の柱状に結晶成長させたものであ
    ることを特徴とする請求項１記載のワイヤボンディング
    用電極。
JP22405791A 1991-09-04 1991-09-04 超音波ワイヤボンディング用電極 Expired - Fee Related JP3283548B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22405791A JP3283548B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 超音波ワイヤボンディング用電極

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22405791A JP3283548B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 超音波ワイヤボンディング用電極

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0563038A true JPH0563038A (ja) 1993-03-12
JP3283548B2 JP3283548B2 (ja) 2002-05-20

Family

ID=16807905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22405791A Expired - Fee Related JP3283548B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 超音波ワイヤボンディング用電極

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3283548B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183588A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Fujikura Ltd 接合体およびその製造方法
JP2005183451A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Fujikura Ltd 接合体およびその製造方法
US7367108B2 (en) 2005-12-20 2008-05-06 Fujitsu Limited Method of bonding flying leads
US7582553B2 (en) 2005-12-20 2009-09-01 Fujitsu Limited Method of bonding flying leads
JP2019096643A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 株式会社 日立パワーデバイス 半導体チップおよびパワーモジュールならびにその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183451A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Fujikura Ltd 接合体およびその製造方法
JP4526813B2 (ja) * 2003-12-16 2010-08-18 株式会社フジクラ 接合体の製造方法
JP2005183588A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Fujikura Ltd 接合体およびその製造方法
JP4526814B2 (ja) * 2003-12-18 2010-08-18 株式会社フジクラ 接合体の製造方法
US7367108B2 (en) 2005-12-20 2008-05-06 Fujitsu Limited Method of bonding flying leads
US7582553B2 (en) 2005-12-20 2009-09-01 Fujitsu Limited Method of bonding flying leads
JP2019096643A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 株式会社 日立パワーデバイス 半導体チップおよびパワーモジュールならびにその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3283548B2 (ja) 2002-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3765778B2 (ja) ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法
US5544804A (en) Capillary designs and process for fine pitch ball bonding
JP2697411B2 (ja) Ｔａｂインナーリードの接合方法
JP3440190B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2008529303A (ja) リボンボンディングツール及びリボンディング方法
JPH01201934A (ja) ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ
EP1049253B1 (en) Surface acoustic wave device having bump electrodes and method for producing the same
JPH0563038A (ja) ワイヤボンデイング用電極
US5116228A (en) Method for bump formation and its equipment
JPH01273325A (ja) キャピラリ及び該キャピラリを使用する半導体装置の製造方法
JPH07263496A (ja) ボンディング工具
JP6975917B2 (ja) 接合構造体
JP2980447B2 (ja) 半導体装置および半導体装置製造用キャピラリー
JPH0341744A (ja) 超音波ワイヤボンディング法
JPS63120431A (ja) 電力用半導体装置
JPH0748507B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2500725B2 (ja) Ｔａｂインナ―リ―ドの接合方法
JP2012146747A (ja) 半導体装置
JPH10303355A (ja) 半導体装置
JP3404998B2 (ja) ボンディングツール
JPH07183339A (ja) 電子部品実装基板および電子部品実装方法
JP2005101199A (ja) 超音波フリップチップ接合方法
JP2000357705A (ja) 電子部品の接続方法
JPH0428241A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0779118B2 (ja) ワイヤーボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19991214

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110301

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees