JPH0562957A - プラズマ洗浄法 - Google Patents
プラズマ洗浄法Info
- Publication number
- JPH0562957A JPH0562957A JP22416791A JP22416791A JPH0562957A JP H0562957 A JPH0562957 A JP H0562957A JP 22416791 A JP22416791 A JP 22416791A JP 22416791 A JP22416791 A JP 22416791A JP H0562957 A JPH0562957 A JP H0562957A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- cleaning method
- semiconductor substrate
- plasma cleaning
- Prior art date
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安全で、長時間の洗浄処理でも再汚染もな
く、かつ重金属汚染も充分に洗浄しきれる新しいプラズ
マ洗浄法を提供する。 【構成】 プラズマ洗浄法に関し、（１） アルゴン
ガスまたはヘリュウムガスと水素ガスとの混合ガスをプ
ラズマ化し、該プラズマガスに半導体基板を曝すこと、
および（２）ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスと
酸素ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガス
に半導体基板を曝すこと。
く、かつ重金属汚染も充分に洗浄しきれる新しいプラズ
マ洗浄法を提供する。 【構成】 プラズマ洗浄法に関し、（１） アルゴン
ガスまたはヘリュウムガスと水素ガスとの混合ガスをプ
ラズマ化し、該プラズマガスに半導体基板を曝すこと、
および（２）ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスと
酸素ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガス
に半導体基板を曝すこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板のドライ洗浄
法に係り、プラズマ洗浄法に関する。
法に係り、プラズマ洗浄法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板のプラズマ洗浄法とし
ては、(1) J.Ruzyllo, D.C.Frystakand R. A. Bowlin
g," Dry Cleaning Procedure for Silicon IC Fabricat
ion,"IEDM Technical Digest, p.p. 409-412. (2) J.P.
Simko, G.S.Oehrlein andT.M.Mayer," Removal of Fluo
rocarbon Residues on CF4/H2Reactive-Ion-Etched Sil
icon Surface Using a Hydrogen Plasma," J.Elecroche
m.Soc.,138,277(1991).等に示されている如く、100%水
素ガスプラズマや3フッカ窒素ガスと水素ガスおよびア
ルゴンガスとの混合ガスプラズマによる方法はあった。
ては、(1) J.Ruzyllo, D.C.Frystakand R. A. Bowlin
g," Dry Cleaning Procedure for Silicon IC Fabricat
ion,"IEDM Technical Digest, p.p. 409-412. (2) J.P.
Simko, G.S.Oehrlein andT.M.Mayer," Removal of Fluo
rocarbon Residues on CF4/H2Reactive-Ion-Etched Sil
icon Surface Using a Hydrogen Plasma," J.Elecroche
m.Soc.,138,277(1991).等に示されている如く、100%水
素ガスプラズマや3フッカ窒素ガスと水素ガスおよびア
ルゴンガスとの混合ガスプラズマによる方法はあった。
【０００３】
【発明が解決するための課題】しかし、上記従来技術に
よると、危険が伴ったり、長時間の洗浄処理では再汚染
があったり、重金属汚染は充分に洗浄しきれないという
課題があった。
よると、危険が伴ったり、長時間の洗浄処理では再汚染
があったり、重金属汚染は充分に洗浄しきれないという
課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、安全で、長時間の洗浄処理でも再汚染もなく、かつ
重金属汚染も充分に洗浄しきれる新しいプラズマ洗浄法
を提供する事を目的とする。
し、安全で、長時間の洗浄処理でも再汚染もなく、かつ
重金属汚染も充分に洗浄しきれる新しいプラズマ洗浄法
を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、本発明はプラズマ洗浄法に関
し、（１） アルゴンガスまたはヘリュウムガスと水
素ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガスに
半導体基板を曝す手段を取ること、および（２） ハ
ロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスと酸素ガスとの混
合ガスをプラズマ化し、該プラズマガスに半導体基板を
曝す手段を取ること、等の手段を取る。
目的を達成するために、本発明はプラズマ洗浄法に関
し、（１） アルゴンガスまたはヘリュウムガスと水
素ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガスに
半導体基板を曝す手段を取ること、および（２） ハ
ロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスと酸素ガスとの混
合ガスをプラズマ化し、該プラズマガスに半導体基板を
曝す手段を取ること、等の手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】いま、1〜4%の水素ガスを混合したアルゴ
ンガスからなる混合ガスを石英容器内でマイクロ波によ
りプラズマ化し、該プラズマガスを後接の石英容器内に
導入し、該石英容器内にはシリコンウエーハが設置され
ており、かつヒータにより加熱できるようになっている
と共に真空ポンプにより排ガスできるようになってお
り、シリコンウエーハを低圧でプラズマ洗浄すると、シ
リコンウエーハ表面に付着している炭素、弗素、炭化水
素化物、弗素化合物を水素爆発もなく安全に、かつ洗浄
時間の過剰によっても再汚染もなく、洗浄できると共
に、シリコンおよびシリコン酸化膜表面の僅かのエッチ
ング除去による活性か作用と活性表面への水素ターミネ
イションによる酸化防止作用も持たせることができる等
の効果もある。
ンガスからなる混合ガスを石英容器内でマイクロ波によ
りプラズマ化し、該プラズマガスを後接の石英容器内に
導入し、該石英容器内にはシリコンウエーハが設置され
ており、かつヒータにより加熱できるようになっている
と共に真空ポンプにより排ガスできるようになってお
り、シリコンウエーハを低圧でプラズマ洗浄すると、シ
リコンウエーハ表面に付着している炭素、弗素、炭化水
素化物、弗素化合物を水素爆発もなく安全に、かつ洗浄
時間の過剰によっても再汚染もなく、洗浄できると共
に、シリコンおよびシリコン酸化膜表面の僅かのエッチ
ング除去による活性か作用と活性表面への水素ターミネ
イションによる酸化防止作用も持たせることができる等
の効果もある。
【０００８】なお、洗浄処理温度は常温から２００℃程
度であり、アルゴンガスに代えてヘリュウムガスを用い
ても良い。
度であり、アルゴンガスに代えてヘリュウムガスを用い
ても良い。
【０００９】つぎに、塩素ガス、弗素ガス、塩酸ガス、
弗酸ガス、フレオンガス、あるいは３弗化窒素ガス等の
ハロゲンガスに10%〜90%の酸素ガスを添加した混合ガス
プラズマに低圧でシリコンウエーハを曝すと、シリコン
ウエーハ表面に付着した重金属汚染物を効率良く除去す
ることができる。たとえば、ハロゲンガスプラズマ単独
では除去が不可能な白金、金、銀あるいは銅等の重金属
中の貴金属類までも除去することができる。なお、酸素
ガスプラスマは酸化窒素ガスのプラズマであっても良
く、洗浄処理温度は常温から２００℃程度であるがプラ
ズマ洗浄処理後アルゴンガス等の不活性ガス中で７５０
℃程度に昇温し重金属のハロゲン化物を蒸発させて除去
することもある。
弗酸ガス、フレオンガス、あるいは３弗化窒素ガス等の
ハロゲンガスに10%〜90%の酸素ガスを添加した混合ガス
プラズマに低圧でシリコンウエーハを曝すと、シリコン
ウエーハ表面に付着した重金属汚染物を効率良く除去す
ることができる。たとえば、ハロゲンガスプラズマ単独
では除去が不可能な白金、金、銀あるいは銅等の重金属
中の貴金属類までも除去することができる。なお、酸素
ガスプラスマは酸化窒素ガスのプラズマであっても良
く、洗浄処理温度は常温から２００℃程度であるがプラ
ズマ洗浄処理後アルゴンガス等の不活性ガス中で７５０
℃程度に昇温し重金属のハロゲン化物を蒸発させて除去
することもある。
【００１０】なお、実際のプラスマ洗浄処理は上記２つ
の請求項等のシーケンシャルな組合せにより行われ、た
とえば、水素プラズマ処理ーハロゲンプラズマ処理ー水
素プラズマ処理のシーケンスや、水素プラズマ処理ーハ
ロゲンプラズマ処理ー水素プラズマ処理ー酸素プラズマ
処理の如く清浄な酸化膜による保護膜形成を最後に付加
するなどの方法ももちいられる。
の請求項等のシーケンシャルな組合せにより行われ、た
とえば、水素プラズマ処理ーハロゲンプラズマ処理ー水
素プラズマ処理のシーケンスや、水素プラズマ処理ーハ
ロゲンプラズマ処理ー水素プラズマ処理ー酸素プラズマ
処理の如く清浄な酸化膜による保護膜形成を最後に付加
するなどの方法ももちいられる。
【００１１】さらに、半導体基板はシリコンとその加工
物に限らず、ガリュウムひ素等の化合物半導体基板とそ
の加工物であってもよく、その場合にはプラズマ洗浄時
に構成元素の蒸発を防止するために構成元素の化合物ガ
ス、たとへばアルシンガス、ホスフィンガス、ハロゲン
化ガス等を同時に添加すると表面モフォロジーも平滑な
清浄表面が得られる。
物に限らず、ガリュウムひ素等の化合物半導体基板とそ
の加工物であってもよく、その場合にはプラズマ洗浄時
に構成元素の蒸発を防止するために構成元素の化合物ガ
ス、たとへばアルシンガス、ホスフィンガス、ハロゲン
化ガス等を同時に添加すると表面モフォロジーも平滑な
清浄表面が得られる。
【００１２】
【発明の効果】本発明により、安全で、長時間の洗浄処
理でも再汚染もなく、かつ重金属汚染も充分に洗浄しき
れる新しいプラズマ洗浄法を提供する事ができる効果が
ある。
理でも再汚染もなく、かつ重金属汚染も充分に洗浄しき
れる新しいプラズマ洗浄法を提供する事ができる効果が
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】アルゴンガスまたはヘリュウムガスと水素
ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガスに半
導体基板を曝す事を特徴とするプラズマ洗浄法。 - 【請求項２】ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスと
酸素ガスとの混合ガスをプラズマ化し、該プラズマガス
に半導体基板を曝す事を特徴とするプラズマ洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22416791A JPH0562957A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | プラズマ洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22416791A JPH0562957A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | プラズマ洗浄法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562957A true JPH0562957A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16809584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22416791A Pending JPH0562957A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | プラズマ洗浄法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562957A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310828A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100670618B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2007-01-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 비아 및 컨택트의 순차적인 스퍼터 및 반응적 예비세정 |
| JPWO2014196606A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-02-23 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 抗体または抗原を固定化した膜型表面応力センサとその製造方法並びにこれを用いた免疫測定方法 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP22416791A patent/JPH0562957A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100670618B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2007-01-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 비아 및 컨택트의 순차적인 스퍼터 및 반응적 예비세정 |
| JP2005310828A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2014196606A1 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-02-23 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 抗体または抗原を固定化した膜型表面応力センサとその製造方法並びにこれを用いた免疫測定方法 |
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