JPH0562950A - Application of protective tape to semiconductor wafer and method of exfolitating - Google Patents
Application of protective tape to semiconductor wafer and method of exfolitatingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの裏面を
研磨あるいはエッチングする際に、ウエハ表面を保護す
るためにウエハ表面に保護テープを貼り付ける方法、お
よび貼り付けられた保護テープをウエハ表面から剥離す
る方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of attaching a protective tape to a front surface of a wafer to protect the front surface of the semiconductor wafer when polishing or etching the rear surface of the semiconductor wafer, and the protective tape attached to the front surface of the wafer. The method of peeling from.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に半導体製造工程では、半導体ウエ
ハ上に素子を形成した後、ウエハ裏面を研磨（バックグ
ラインド）したり、エッチング処理を施している。この
とき、ウエハ表面に粘着テープを貼り付けた状態で上記
の処理を行うことにより、ウエハ表面が汚染されたり損
傷されないようにしている。このようなウエハ表面の保
護のために貼り付けられる保護テープとしては、剥離時
に粘着剤がウエハ表面に残ったり、ウエハ表面に強い剥
離応力が作用したりしないようにするために、弱粘着性
のものが用いられる。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, after a device is formed on a semiconductor wafer, the back surface of the wafer is polished (back-ground) or etched. At this time, the above process is performed with the adhesive tape attached to the wafer surface so that the wafer surface is not contaminated or damaged. Such a protective tape attached to protect the wafer surface has a weak adhesive property so that the adhesive does not remain on the wafer surface at the time of peeling and a strong peeling stress does not act on the wafer surface. Things are used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような手法によれば、次のような問題点がある。すな
わち、従来手法の保護テープは弱粘着性であるので、ウ
エハ裏面を研磨あるいはエッチングしている際に、ウエ
ハ周辺部と保護テープとの界面から、研磨液やエッチン
グ液が内部に浸透しやすく、そのためウエハ内の素子形
成領域の一部が汚染されたり損傷されることがあった。However, the above-mentioned method has the following problems. That is, since the protective tape of the conventional method has weak adhesiveness, when polishing or etching the back surface of the wafer, the polishing liquid or the etching liquid easily penetrates into the inside from the interface between the peripheral portion of the wafer and the protective tape. Therefore, a part of the element formation region in the wafer may be contaminated or damaged.
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、ウエハ表面と保護テープの界面からの
研磨液やエッチング液の浸透を抑え、しかも剥離時には
ウエハ表面に粘着剤が残ったり、ウエハ表面に強い剥離
応力が作用することのない半導体ウエハへの保護テープ
貼り付け方法および剥離を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and suppresses permeation of the polishing liquid or the etching liquid from the interface between the wafer surface and the protective tape, and the adhesive remains on the wafer surface at the time of peeling. It is an object of the present invention to provide a method for attaching a protective tape to a semiconductor wafer and peeling which does not cause strong peeling stress on the wafer surface.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の半導体ウエハへの保護テープ貼り
付け方法は、適宜処理により粘着力の制御可能な保護テ
ープを用い、半導体ウエハの周辺部に対してのみ保護テ
ープを強粘着状態に貼り付けるものである。The present invention has the following constitution in order to achieve such an object. That is, the method of attaching a protective tape to a semiconductor wafer according to claim 1 uses a protective tape whose adhesive force can be controlled by appropriate processing, and attaches the protective tape to the peripheral portion of the semiconductor wafer in a strongly adhesive state. To attach.
【０００６】具体的には、請求項２に記載のように、初
期状態で粘着力の強い保護テープを用い、前記保護テー
プについて半導体ウエハの素子形成領域に当接する部分
に粘着力低下処理を施す手法と、請求項３に記載のよう
に、初期状態で粘着力の弱い保護テープを用い、前記保
護テープについて半導体ウエハの周辺部に当接する部分
に粘着力強化処理を施す手法とがある。Specifically, as described in claim 2, a protective tape having a strong adhesive force in an initial state is used, and a portion of the protective tape which is in contact with an element forming region of a semiconductor wafer is subjected to an adhesive force lowering treatment. There is a method and a method as described in claim 3, in which a protective tape having a weak adhesive force in an initial state is used and a portion of the protective tape that abuts a peripheral portion of a semiconductor wafer is subjected to an adhesive force strengthening process.
【０００７】また、請求項３に記載の方法は、請求項１
に記載の手法によって貼り付けられた保護テープを半導
体ウエハから剥離する際に、半導体ウエハの周辺部に粘
着する保護テープ部分に粘着力低下処理を施した後、保
護テープを剥離するものである。The method according to claim 3 is the method according to claim 1.
When the protective tape attached by the method described in (1) is peeled off from the semiconductor wafer, the protective tape portion that adheres to the peripheral portion of the semiconductor wafer is subjected to an adhesive strength lowering treatment, and then the protective tape is peeled off.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項１な
いし３に記載の保護テープ貼り付け方法によれば、保護
テープが半導体ウエハの周辺部に対してのみ強粘着状態
で貼り付けられるので、半導体ウエハと保護テープの界
面から研磨液やエッチング液が内部に浸透することが回
避される。しかも、半導体ウエハの素子形成領域に対し
ては、保護テープは極めて弱い粘着状態、あるいは非粘
着状態であるので、保護テープを剥離する際に、粘着剤
がウエハ上に残ったり、ウエハ表面に強い剥離応力が作
用することもない。The operation of the present invention is as follows. According to the method of attaching a protective tape according to any one of claims 1 to 3, since the protective tape is attached only to the peripheral portion of the semiconductor wafer in a strongly adhesive state, a polishing liquid or etching is applied from the interface between the semiconductor wafer and the protective tape. Liquid penetration is avoided. Moreover, since the protective tape is in an extremely weak adhesive state or a non-adhesive state with respect to the element formation region of the semiconductor wafer, when the protective tape is peeled off, the adhesive remains on the wafer or is strong on the wafer surface. No peeling stress acts.
【０００９】さらに、請求項４に記載の保護テープ剥離
方法によれば、保護テープ剥離時に、ウエハ周辺部の保
護テープ部分を弱粘着状態にしているので、保護テープ
の剥離が一層容易である。Further, according to the protective tape peeling method of the fourth aspect, since the protective tape portion around the wafer is weakly adhered when the protective tape is peeled off, the protective tape can be peeled off more easily.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明に係る保護テープ貼り付け方法
の一実施例を示した斜視図である。図中、符号Ｗは半導
体ウエハ（以下、単に『ウエハ』という）、１は紫外線
を遮蔽する遮蔽板、Ｔは紫外線硬化型の粘着テープであ
る保護テープ、２はウエハＷの素子形成領域に対応した
紫外線を通過させるマスク板である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a protective tape attaching method according to the present invention. In the figure, reference numeral W is a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”), 1 is a shielding plate that shields ultraviolet rays, T is a protective tape that is an ultraviolet curing adhesive tape, and 2 is an element formation region of the wafer W It is a mask plate that allows the passing ultraviolet rays to pass through.
【００１１】以下、本実施例に係る保護テープ貼り付け
方法の手順を説明する。予め位置決めされたウエハＷが
図示しないテーブル上に載置される。このとき、遮蔽板
１は退避位置にある。帯状の保護テープＴがウエハＷ上
に繰り出されると、マスク板２の開口部がウエハＷの素
子形成領域に対向するように、マスク板２とウエハＷと
の相対的な位置関係を調整する。このような位置調整
は、作業者が目視確認で行ってもよいし、テレビカメラ
等を使って自動的に行ってもよい。The procedure of the protective tape attaching method according to this embodiment will be described below. The prepositioned wafer W is placed on a table (not shown). At this time, the shield plate 1 is in the retracted position. When the strip-shaped protective tape T is fed onto the wafer W, the relative positional relationship between the mask plate 2 and the wafer W is adjusted so that the opening of the mask plate 2 faces the element formation region of the wafer W. Such position adjustment may be performed visually by an operator, or may be automatically performed using a television camera or the like.
【００１２】マスク板２とウエハＷとの位置調整が終わ
ると、ウエハＷ上に遮蔽板１を移動させた後、マスク板
２を介して紫外線を保護テープＴへ向けて照射する。こ
れにより、ウエハＷの素子形成領域に当接する保護テー
プ領域の粘着剤が硬化され、粘着力が他の部分に比較し
て低下する。どの程度まで粘着力を低下させるかは、保
護テープＴへの紫外線照射量によって任意に設定でき
る。紫外線の照射量を多くすれば、それだけ粘着剤の硬
化が進んで、殆ど非粘着状態になる。ただし、粘着剤が
あまり硬化すると、ウエハ表面に対してダメージを与え
るおそれがある場合は、少し弾性が残る程度で、紫外線
の照射を停止する方がよい。いずれにしても、本発明に
いう、粘着力低下処理は、弱粘着化処理、および粘着力
が全くない非粘着化処理の両方を含む。以下、このよう
な粘着力低下処理を弱粘着化処理と総称する。When the position adjustment between the mask plate 2 and the wafer W is completed, the shielding plate 1 is moved onto the wafer W, and then ultraviolet rays are irradiated toward the protective tape T via the mask plate 2. As a result, the adhesive in the protective tape area that abuts the element forming area of the wafer W is hardened, and the adhesive force is reduced as compared with other areas. The extent to which the adhesive strength is reduced can be arbitrarily set according to the amount of ultraviolet irradiation on the protective tape T. When the irradiation amount of ultraviolet rays is increased, the adhesive is hardened so much that it becomes almost non-adhesive. However, if the adhesive is hardened too much and may damage the surface of the wafer, it is better to stop the irradiation of the ultraviolet rays with a little elasticity. In any case, the adhesion reduction treatment referred to in the present invention includes both a weak adhesion treatment and a non-adhesion treatment having no adhesion. Hereinafter, such an adhesion reduction treatment is generically referred to as a weakening treatment.
【００１３】紫外線照射が終わると、遮蔽板１を元の退
避位置にまで移動させた後、ウエハＷが保護テープＴに
近接する位置にまで、ウエハＷが載置されたテーブルを
上昇させる。そして、図示しないローラによって保護テ
ープＴを下方に押圧しながら、前記ローラを水平移動さ
せることによって、保護テープＴをウエハＷの表面に貼
り付ける。After the irradiation of ultraviolet rays is completed, the shielding plate 1 is moved to the original retracted position, and then the table on which the wafer W is mounted is raised to a position where the wafer W is close to the protective tape T. Then, the protective tape T is attached to the surface of the wafer W by horizontally moving the roller while pressing the protective tape T downward by a roller (not shown).
【００１４】なお、本実施例において、紫外線照射時に
遮蔽板１を用いて、ウエハＷに紫外線が照射されないよ
うにしたのは、ウエハＷの素子構造によっては紫外線照
射によって素子が破壊されるおそれがあるからである。
したがって、このような素子破壊のおそれのないウエハ
Ｗに対しては、遮蔽板１を設ける必要はない。In this embodiment, the reason why the shielding plate 1 is used to prevent the wafer W from being irradiated with the ultraviolet rays during the irradiation of the ultraviolet rays is that the elements may be destroyed by the ultraviolet rays depending on the element structure of the wafer W. Because there is.
Therefore, it is not necessary to provide the shield plate 1 for the wafer W that is not likely to have such element destruction.
【００１５】図２は帯状の保護テープＴがウエハＷに貼
り付けられた状態を示した平面図である。図中に、符号
ＴA で示した斜線領域は紫外線照射によって弱粘着化処
理された保護テープＴの弱粘着領域で、ウエハＷの素子
形成領域に当接している。符号ＴB で示した領域は紫外
線が照射されなかった領域で、保護テープＴの初期粘着
力を持った強粘着領域で、領域ＴB はウエハＷの周辺部
に粘着している。FIG. 2 is a plan view showing a state in which the strip-shaped protective tape T is attached to the wafer W. In the figure, the shaded area indicated by reference symbol T A is the weak adhesion area of the protective tape T that has been weakly adhered by ultraviolet irradiation, and is in contact with the element formation area of the wafer W. An area indicated by reference numeral T B is an area not irradiated with ultraviolet rays, is a strong adhesive area having an initial adhesive force of the protective tape T, and the area T B is attached to the peripheral portion of the wafer W.
【００１６】以上のようにして帯状の保護テープＴをウ
エハＷに貼り付けた後、ウエハＷの周縁に沿って保護テ
ープＴが切断される。保護テープＴが貼り付け・切断さ
れたウエハＷは、上述したようにバックグラインド処理
工程あるいはエッチング処理工程に送られ、各々の処理
が施される。このとき、ウエハ周辺部は保護テープＴに
対して強粘着状態にあるので、ウエハＷと保護テープＴ
との界面から、研磨液やエッチング液が浸透することが
ない。After the strip-shaped protective tape T is attached to the wafer W as described above, the protective tape T is cut along the peripheral edge of the wafer W. The wafer W to which the protective tape T has been attached and cut is sent to the back-grinding process or the etching process as described above, and each process is performed. At this time, since the peripheral portion of the wafer is strongly adhered to the protective tape T, the wafer W and the protective tape T are
The polishing liquid and the etching liquid do not permeate from the interface with.
【００１７】図３は、本発明に係る保護テープ貼り付け
方法の別実施例を示した斜視図である。本実施例の特徴
は、紫外線が照射される保護テープＴの領域ＴC を、予
め着色したことにある。紫外線照射位置において、前記
着色領域ＴC とマスク板２の開口が対向するように両者
の位置調整を行った後に、紫外線を照射して着色領域Ｔ
C を弱粘着化処理する。本実施例では、弱粘着化処理さ
れた着色領域ＴC が目視あるいは光学的に確認できるの
で、帯状の保護テープＴをピッチ送りした後、弱粘着化
処理された着色領域ＴC とウエハＷの素子形成領域とを
位置合わせすることによって、保護テープＴを容易にウ
エハＷに貼り付けることができる。本実施例では、紫外
線照射領域とウエハ貼り付け位置とが異なるので、図１
で示したような紫外線を遮蔽するための遮蔽板１は不要
である。FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the protective tape attaching method according to the present invention. The feature of this embodiment is that the area T C of the protective tape T, which is irradiated with ultraviolet rays, is colored in advance. After adjusting the positions of the colored area T C and the opening of the mask plate 2 so as to face each other at the ultraviolet irradiation position, ultraviolet rays are applied to the colored area T C.
Weakly treat C. In this embodiment, since the weakly adhesively treated colored region T C can be visually or optically confirmed, after the belt-shaped protective tape T is pitch-fed, the weakly adhesively treated colored region T C and the wafer W are separated. By aligning with the element formation region, the protective tape T can be easily attached to the wafer W. In this embodiment, since the ultraviolet irradiation area and the wafer attachment position are different,
The shield plate 1 for shielding the ultraviolet rays as shown in 1 is unnecessary.
【００１８】次に、図４および図５を参照して、ウエハ
Ｗをバックグラインド処理あるいはエッチング処理した
後の保護テープＴの剥離方法について説明する。上述し
たようにウエハＷの周辺部は、保護テープＴに対して強
粘着状態にあるので、この保護テープＴをいきなりウエ
ハＷから剥離すると、ウエハＷの周辺に強い剥離応力が
加わり好ましくない。そこで、図４に示すよう、ウエハ
Ｗの周辺部に相当する保護テープＴの強粘着領域ＴB に
紫外線を照射し、この領域の粘着力を低下させる。ここ
で、マスク板３を用いてウエハＷの素子形成領域をマス
キングしたのは、図１で説明したのと同様の理由からで
ある。Next, with reference to FIGS. 4 and 5, a method of peeling the protective tape T after the wafer W is back-ground or etched will be described. As described above, the peripheral portion of the wafer W is strongly adhered to the protective tape T. Therefore, if the protective tape T is suddenly peeled from the wafer W, strong peeling stress is applied to the periphery of the wafer W, which is not preferable. Therefore, as shown in FIG. 4, ultraviolet rays are irradiated to the strong adhesive region T B of the protective tape T which corresponds to the peripheral portion of the wafer W, lowers the adhesive force in this area. Here, the element forming region of the wafer W is masked by using the mask plate 3 for the same reason as described with reference to FIG.
【００１９】上述のように保護テープＴの強粘着領域Ｔ
B の粘着力を低下させた後、図５に示すように、強粘着
性の剥離テープＳを保護テープＴ上に貼り付ける。そし
て、剥離テープＳをウエハＷに対して鋭角的にめくり上
げることにより、保護テープＴをウエハＷから剥離す
る。保護テープＴは、その全面にわたって弱粘着化処理
されているので、ウエハＷから容易に剥離される。As described above, the strong adhesive area T of the protective tape T is
After reducing the adhesive strength of B , a strong adhesive peeling tape S is attached onto the protective tape T as shown in FIG. Then, the protective tape T is peeled from the wafer W by turning up the peeling tape S with respect to the wafer W at an acute angle. Since the protective tape T is subjected to weak adhesion treatment over the entire surface, it is easily peeled off from the wafer W.
【００２０】なお、上述の実施例では、紫外線を照射す
ることによって粘着力が低下するタイプの保護テープを
用いたが、本発明はこれに限らず、例えば、熱を加える
ことによって粘着力が低下するタイプの保護テープや、
電子線を照射することによって粘着力が低下するタイプ
の保護テープなどを用いることも可能である。さらに、
本発明にいう粘着力低下処理は、上述した各処理に限定
されず、半導体ウエハの素子形成領域に当接する保護テ
ープの部分に、素子形成領域と略同形で数μｍ程度の薄
いフィルム等で粘着面をマスクするような処理も含む。In the above-mentioned embodiment, the protective tape of the type in which the adhesive strength is reduced by irradiating the ultraviolet rays is used, but the present invention is not limited to this, and the adhesive strength is reduced by applying heat, for example. Type of protective tape,
It is also possible to use a protective tape of a type whose adhesive strength is reduced by irradiating it with an electron beam. further,
The adhesiveness lowering treatment referred to in the present invention is not limited to each of the above-mentioned treatments, and it is adhered to a portion of the protective tape which is in contact with the element forming region of the semiconductor wafer with a thin film or the like having substantially the same shape as the element forming region and having a size of about several μm. It also includes a process of masking the surface.
【００２１】また、半導体ウエハの素子形成領域に当接
する保護テープの領域の粘着力を低下させるための手順
は、上述した実施例のものに限定されるものではなく、
種々変更実施することが可能である。Further, the procedure for reducing the adhesive force in the area of the protective tape which is in contact with the element forming area of the semiconductor wafer is not limited to that in the above-mentioned embodiment,
Various changes can be implemented.
【００２２】さらに、上述の実施例では、初期状態で粘
着力が強い保護テープを用い、この保護テープについて
半導体ウエハの素子形成領域に当接する部分に粘着力低
下処理を施したが、本発明はこれに限定されず、逆に、
初期状態で粘着力が弱い保護テープを用い、この保護テ
ープについて半導体ウエハの周辺部に当接する部分に粘
着力強化処理を施すようにしてもよい。この手法を適用
できる保護テープとしては、いわゆるホット・メルトタ
イプの粘着剤を用いたテープがある。すなわち、ホット
・メルトタイプの保護テープについて、半導体ウエハの
周辺部に当接する部分を加熱して半導体ウエハに貼り付
けた後、常温に戻すと、半導体ウエハの周辺部のみを強
粘着状態にすることができる。半導体ウエハから保護テ
ープを剥離する場合には、保護テープ周辺部を再度加熱
する。加熱状態で保護テープ周辺部は弱粘着状態を戻る
ので、保護テープを半導体ウエハから容易に剥離するこ
とができる。Further, in the above-described embodiment, the protective tape having a strong adhesive force in the initial state is used, and the adhesive tape-reducing treatment is applied to the portion of the protective tape which is in contact with the element forming region of the semiconductor wafer. Not limited to this, on the contrary,
A protective tape having a weak adhesive force in the initial state may be used, and the protective tape may be subjected to an adhesive strength-enhancing treatment on a portion abutting the peripheral portion of the semiconductor wafer. As a protective tape to which this method can be applied, there is a tape using a so-called hot-melt type adhesive. That is, in the hot-melt type protective tape, when the part of the protective tape that contacts the peripheral part of the semiconductor wafer is heated and attached to the semiconductor wafer, and then returned to room temperature, only the peripheral part of the semiconductor wafer is put into a strong adhesive state. You can When peeling the protective tape from the semiconductor wafer, the peripheral portion of the protective tape is heated again. Since the peripheral portion of the protective tape returns to the weak adhesive state in the heated state, the protective tape can be easily peeled from the semiconductor wafer.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１ないし３に記載の発明によれば、半導体ウエハの周辺
部に対しては、強粘着状態に保護テープが貼り付けられ
ているので、半導体ウエハのバックグラインド処理やエ
ッチング処理の際に、研磨液やエッチング液が保護テー
プの界面から内部に浸透することがなく、ウエハ表面の
汚染や損傷を防止することができる。また、半導体ウエ
ハの素子形成領域に対しては、弱粘着状態に保護テープ
が貼り付けられているので、保護テープの剥離時に粘着
剤が半導体ウエハの素子形成領域に残ったり、素子形成
領域に強い剥離応力が加わるという不都合もない。As is clear from the above description, according to the invention described in claims 1 to 3, the protective tape is adhered to the peripheral portion of the semiconductor wafer in a strongly adhesive state. During the back grinding process or the etching process of the semiconductor wafer, the polishing liquid or the etching liquid does not penetrate into the inside from the interface of the protective tape, and the contamination or damage of the wafer surface can be prevented. In addition, since the protective tape is attached to the element forming area of the semiconductor wafer in a weakly adhesive state, the adhesive remains on the element forming area of the semiconductor wafer when the protective tape is peeled off or is strong in the element forming area. There is no inconvenience that peeling stress is applied.
【００２４】また、請求項４に記載の発明によれば、保
護テープの剥離時に、半導体ウエハの周辺部に粘着する
保護テープ部分に粘着力低下処理を施した後、保護テー
プを剥離しているので、半導体ウエハに強い剥離応力を
与えることがなく、薄い半導体ウエハであっても、ウエ
ハを破損することなく、容易に保護テープを剥離するこ
とができる。According to the fourth aspect of the present invention, when the protective tape is peeled off, the protective tape portion that adheres to the peripheral portion of the semiconductor wafer is subjected to an adhesive strength lowering treatment, and then the protective tape is peeled off. Therefore, a strong peeling stress is not applied to the semiconductor wafer, and even a thin semiconductor wafer can easily peel off the protective tape without damaging the wafer.
【図１】本発明に係る半導体ウエハへの保護テープ貼り
付け方法の一実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of a method for attaching a protective tape to a semiconductor wafer according to the present invention.
【図２】半導体ウエハに保護テープが貼り付けられた状
態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a protective tape is attached to a semiconductor wafer.
【図３】本発明の別実施例に係る保護テープの貼り付け
方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a method of attaching a protective tape according to another embodiment of the present invention.
【図４】保護テープ剥離時の紫外線照射処理の説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram of an ultraviolet irradiation process when the protective tape is peeled off.
【図５】保護テープ剥離動作の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a protective tape peeling operation.
１…遮蔽板 ２，３…マスク板 Ｗ…半導体ウエハ Ｔ…保護テープ ＴA …弱粘着領域 ＴB …強粘着領域 Ｓ…剥離テープ1 ... shielding plates 2 ... mask plate W ... semiconductor wafer T ... protective tape T A ... low adhesive region T B ... strong adhesive region S ... peeling tape
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 繁寿 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shigetoshi Kuroda 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation
Claims (4)
テープを用い、半導体ウエハの周辺部に対してのみ保護
テープを強粘着状態に貼り付けることを特徴とする半導
体ウエハへの保護テープ貼り付け方法。1. Adhesion of a protective tape to a semiconductor wafer, characterized in that a protective tape whose adhesive force can be controlled by an appropriate treatment is used and the protective tape is adhered to the peripheral portion of the semiconductor wafer in a strongly adhesive state. Method.
態で粘着力の強い保護テープを用い、前記保護テープに
ついて半導体ウエハの素子形成領域に当接する部分に粘
着力低下処理を施す半導体ウエハへの保護テープ貼り付
け方法。2. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein a protective tape having a strong adhesive force in an initial state is used, and a portion of the protective tape that abuts an element formation region of the semiconductor wafer is subjected to an adhesive force lowering treatment. How to attach protective tape.
態で粘着力の弱い保護テープを用い、前記保護テープに
ついて半導体ウエハの周辺部に当接する部分に粘着力強
化処理を施す半導体ウエハへの保護テープ貼り付け方
法。3. The method according to claim 1, wherein a protective tape having a weak adhesive force in an initial state is used, and a portion of the protective tape that comes into contact with a peripheral portion of the semiconductor wafer is subjected to an adhesive force strengthening treatment. How to attach protective tape.
エハに貼り付けられた保護テープを剥離する時に、半導
体ウエハの周辺部に粘着する保護テープ部分に粘着力低
下処理を施した後、保護テープを剥離することを特徴と
する半導体ウエハからの保護テープ剥離方法。4. The protective tape after the protective tape portion adhered to the peripheral portion of the semiconductor wafer is subjected to adhesion reduction treatment when the protective tape attached to the semiconductor wafer by the method according to claim 1 is peeled off. A method for peeling a protective tape from a semiconductor wafer, which comprises:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24488391A JPH0562950A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Application of protective tape to semiconductor wafer and method of exfolitating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24488391A JPH0562950A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Application of protective tape to semiconductor wafer and method of exfolitating |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562950A true JPH0562950A (en) | 1993-03-12 |
Family
ID=17125408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24488391A Pending JPH0562950A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Application of protective tape to semiconductor wafer and method of exfolitating |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562950A (en) |
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