JP3094488B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特にパシベーション膜にパッド窓開けを終えた後半
導体装置機能テスト、裏面研削及びダイシングを行う半
導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor device in which after a pad window is opened in a passivation film, a function test of the semiconductor device, backside grinding and dicing are performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウェハ、例えば半導体ウェハのパシベー
ション膜にパッド窓開けを終えた後に行う所謂半導体ウ
ェハ後工程は、従来、下記のように行われた。先ず、表
面保護用のレジスト膜を半導体ウェハ表面に塗布し、該
レジスト膜の表面に硬質テープを貼り、その状態で裏面
研削をして半導体ウェハの厚さを所定の値にし、次いで
該裏面研削により半導体ウェハ裏面に生じた研削歪を除
去すると共にウェハの反りを小さくするために半導体ウ
ェハの裏面エッチングを行い、次いで硬質テープ剥離及
びレジスト剥離洗浄を行い、次いで、半導体ウェハのペ
レットの電極にプローブを当てての半導体装置機能テス
ト［２ＰＣ（第２回目のペレットチェック）］を行い、
不良ペレットにはインクでドットマーキングをし、更に
このインクを焼きつけ、その後、半導体ウェハの裏面を
ダイシングテープに張り合せてダイシングすることによ
りペレタイズする。2. Description of the Related Art A so-called post-semiconductor-wafer process performed after opening a pad window in a passivation film of a wafer, for example, a semiconductor wafer, has conventionally been performed as follows. First, a resist film for surface protection is applied to the surface of the semiconductor wafer, a hard tape is applied to the surface of the resist film, and the back surface is ground in this state to a predetermined thickness of the semiconductor wafer. In order to remove the grinding distortion generated on the back surface of the semiconductor wafer and to reduce the warpage of the semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is etched, and then the hard tape is peeled off and the resist is peeled off. Semiconductor device functional test [2PC (2nd pellet check)]
The defective pellets are dot-marked with ink, baked with the ink, and then pelletized by laminating the back surface of the semiconductor wafer to a dicing tape and dicing.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体ウェハ後工程ではパッケージの薄型化の要求
に対応しきれなくなりつつある。というのは、パッケー
ジの厚さを例えば１ｍｍ程度あるいはそれ以下にすると
いう要求が為されているが、それに応えるには半導体ペ
レットの厚さを２５０〜２００μｍあるいはそれ以下に
しなければならず、そのように薄く裏面研削した後に半
導体装置機能テストを行うと、半導体ウェハに割れ、欠
けが発生し易くなり、歩留り、品質が悪くなるからであ
る。Incidentally, the above-mentioned conventional semiconductor wafer post-process is failing to meet the demand for a thinner package. This is because there is a demand that the thickness of the package be, for example, about 1 mm or less, but in order to meet this requirement, the thickness of the semiconductor pellet must be 250 to 200 μm or less. This is because if a semiconductor device function test is performed after the back surface is thinly ground, cracks and chips are likely to occur in the semiconductor wafer, and the yield and quality are deteriorated.
【０００４】即ち、半導体装置機能テストは、プローブ
を半導体ウェハの電極パッドにあてて電気的に回路の機
能チェックを行うものであるが、正確なチェックを行う
には当然にプローブの半導体ウェハに対する圧力、即ち
針圧がある程度以上必要となる。従って、半導体ウェハ
が薄いとその針圧によって割れ、欠けが生じ易くなるの
である。更に、裏面研削した後レジスト剥離洗浄や半導
体装置機能チェック作業でのハンドリングによるウェハ
の欠け、割れも生じ易くなる。 That is, in the semiconductor device function test, a probe is placed on an electrode pad of a semiconductor wafer to electrically check the function of the circuit. That is, a certain amount of needle pressure is required. Therefore, if the semiconductor wafer is thin, it is easily broken or chipped by the needle pressure. In addition, after grinding the back surface, resist stripping cleaning and semi-conductor
Wafer handling during body device function check
Chips and cracks are also likely to occur.
【０００５】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハ、例えば半導体ウェハの割
れ、欠けが発生するのを防止することを目的とし、更に
は半導体装置機能テスト時につけたドットマーキングイ
ンクによるウェハ表面の汚染を少なくすることを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to prevent a wafer, for example, a semiconductor wafer from being cracked or chipped. An object of the present invention is to reduce contamination of the wafer surface by the dot marking ink applied to the wafer.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、半導体装置機能テストを行ってから裏面研
削及び研削歪除去エッチングを行い、その後ダイシグを
行うことを特徴とする。請求項２の半導体装置の製造方
法は、請求項１の半導体装置の製造方法において、裏面
研削をウェハ表面に直接表面保護テープを貼着した状態
で行い、裏面研削後該表面保護テープを剥離することを
特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising performing a semiconductor device function test, performing back surface grinding and etching for removing grinding distortion, and then performing die sig. According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first aspect, the back surface grinding is performed in a state where the surface protection tape is directly adhered to the wafer surface, and the back surface grinding tape is peeled off after the back surface grinding. It is characterized by the following.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｉ）は
本発明半導体装置の製造方法の一つの実施例を工程順に
示す断面図である。 （Ａ）パシベーション膜に対するパッド窓開けを終えた
半導体ウェハ１に対して、図１の（Ａ）に示すように電
極パッドにプローブ２をあてての半導体装置機能テスト
を行う。そして、不良のペレットに対してはインクでド
ットマーキングする。そして、マーキングした後、ドッ
トマーキングしたインクを焼き付ける。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1A to 1I are sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention in the order of steps. (A) A semiconductor device functional test in which a probe 2 is applied to an electrode pad as shown in FIG. Then, dot marking is performed on defective pellets with ink. Then, after marking, burn stomach down clauses dot marking.
【０００８】（Ｂ）次に、図１の（Ｂ）に示すように、
半導体ウェハ１の表面１ａの表面にＵＶ照射硬化型テー
プ３を貼付ける。これは、裏面研削の際に半導体ウェハ
１の表面１ａを保護するためのもので、例えばＳＰ−５
２５、ＳＰ−４２９、ＳＰ−４５ＵＭ（いずれも商品
名）が用いられる。ＵＶ照射硬化型テープ３は半導体ウ
ェハ１の表面１ａに対して強い接着力を有しており、裏
面研削時における半導体ウェハ１表面１ａ保護能力が強
いのみならず耐酸性が強く半導体ウェハ１裏面１ｂのエ
ッチング時にエッチング液（ＨＦとＨＮＯ3 の混合溶
液）により侵されにくい。従って裏面エッチング厚さを
必要に応じて例えば３０〜５０μｍと相当に厚くするこ
とができ、延いては研磨歪を完璧に除去することを可能
にするという効果をもたらす。また、ＵＶ照射硬化型テ
ープ３は紫外線照射を受けると粘着力が低下するという
性質を有している。そして、ＵＶ照射硬化型テープ３の
この性質は本半導体装置の製造方法にとってきわめて有
益である。というのは、テープ３の剥離を容易にするか
らである。具体的には、ＵＶ照射前には１０００［ｇ／
２５ｍｍ］ある強い粘着力がＵＶ照射により１０〜２０
［ｇ／２５ｍｍ］程度に低下し、きわめて容易に剥離で
きるのである。(B) Next, as shown in FIG.
The UV irradiation curing type tape 3 is attached to the surface 1a of the semiconductor wafer 1. This is for protecting the front surface 1a of the semiconductor wafer 1 at the time of back grinding.
25, SP - 429 and SP-45UM (all are trade names). The UV irradiation curing type tape 3 has a strong adhesive force to the front surface 1a of the semiconductor wafer 1 and has not only a strong ability to protect the front surface 1a of the semiconductor wafer 1 at the time of back grinding but also a strong acid resistance and a strong back surface 1b of the semiconductor wafer 1. Hardly attacked by an etching solution (a mixed solution of HF and HNO 3 ) during etching. Therefore, the thickness of the back surface can be considerably increased, for example, from 30 to 50 μm as required, and the polishing strain can be completely removed. Further, the UV irradiation curing type tape 3 has a property that the adhesive strength is reduced when irradiated with ultraviolet light. This property of the UV-curable tape 3 is extremely useful for the method of manufacturing the semiconductor device. This is because the tape 3 is easily peeled off. Specifically, 1000 [g /
25mm] A certain strong adhesive force is 10-20 by UV irradiation
[G / 25 mm], and can be peeled off very easily.
【０００９】（Ｃ）次に、図１の（Ｃ）に示すように、
半導体ウェハ１の裏面１ｂを研削（ＢＧＲ）する。これ
は、例えばワンパス（one pass) 方式で＃４０００に仕
上げ、インフィード（infeed）方式で＃１５００に仕上
げることにより行う。そして、半導体ウェハ１の厚さは
例えば２５０μｍ程度に仕上げる。(C) Next, as shown in FIG.
The back surface 1 b of the semiconductor wafer 1 is ground (BGR). This is performed, for example, by finishing to # 4000 by a one-pass method and finishing to # 1500 by an infeed method. The thickness of the semiconductor wafer 1 is finished to 2 50 [mu] m approximately, for example.
【００１０】（Ｄ）次に、図１の（Ｄ）に示すように、
半導体ウェハ１の裏面１ｂをエッチングする。このエッ
チングは半導体ウェハ１の裏面研削により生じた半導体
ウェハ１裏面１ｂの歪を除去するためのもので、例えば
フッ酸ＨＦと硝酸ＨＮＯ3 の混合溶液（ＨＦ：ＨＮＯ3
＝１：１０）をエッチング液として用い、研削歪を除去
するに必要な厚さエッチングする。例えば、７〜１０μ
ｍで研削歪を充分に除去できる場合にはエッチング時間
は８０秒程度である。しかし、厚さ３０〜５０μｍ程度
エッチングしなければ研削歪を除去できない場合には、
３００〜４２０秒程度エッチングする。尚、このように
長くエッチングしても前述のとおりＵＶ照射硬化型テー
プ３には耐酸性があるので半導体ウェハ１の表面１ａが
侵蝕される虞れはない。(D) Next, as shown in FIG.
The back surface 1b of the semiconductor wafer 1 is etched. This etching is for removing the strain on the back surface 1b of the semiconductor wafer 1 caused by the grinding of the back surface of the semiconductor wafer 1. For example, a mixed solution of hydrofluoric acid HF and nitric acid HNO 3 (HF: HNO 3
= 1:10) as an etching solution, and etching is performed to a thickness necessary to remove grinding distortion. For example, 7-10μ
If the grinding distortion can be sufficiently removed with m, the etching time is about 80 seconds. However, when grinding distortion cannot be removed unless the thickness is about 30 to 50 μm,
Etching is performed for about 300 to 420 seconds. Even if the etching is performed for such a long time, the UV irradiation curing type tape 3 has acid resistance as described above, and therefore there is no possibility that the surface 1a of the semiconductor wafer 1 is eroded.
【００１１】（Ｅ）次に、図１の（Ｅ）に示すように、
ＵＶ照射硬化型テープ３に対して粘着力低減のためにＵ
Ｖ照射を行う。このＵＶ照射は高圧水銀灯により窒素雰
囲気で３６５ｎｍの波長の紫外線を強さ５０〜１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2 で約１０秒／ｓ程度照射する。これにより、
前述のとおり粘着力を１０００（ｇ／２５ｍｍ）から１
０〜２０（ｇ／２５ｍｍ）程度に弱めることができる。(E) Next, as shown in FIG.
U to reduce adhesive strength to UV irradiation curing type tape 3
V irradiation is performed. In this UV irradiation, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm was irradiated with a high-pressure mercury lamp in a nitrogen atmosphere at an intensity of 50 to 100 m.
Irradiate at about W / cm 2 for about 10 seconds / s. This allows
As described above, the adhesive force is reduced from 1000 (g / 25 mm) to 1
It can be reduced to about 0 to 20 (g / 25 mm).
【００１２】（Ｆ）次に、図１の（Ｆ）に示すように、
ＵＶ照射硬化型テープ３付きの半導体ウェハ１をダイシ
ング用テープ４に貼着する。 （Ｇ）次に、図１の（Ｇ）に示すようにＵＶ照射硬化型
テープ３を剥離する。 （Ｈ）その後、図１の（Ｈ）に示すように半導体ウェハ
１をダイシングによりペレタイズする。 尚、ＵＶ照射硬
化型テープ３付き半導体ウェハ１をダイシング用テープ
に貼着した後でＵＶ照射してＵＶ照射型テープ３を剥離
するようにしても良い。 いずれにしても、ダイシング用
テープ４の接着力はＵＶ照射後のＵＶ照射硬化型テープ
の粘着力よりも大きいことが必要である。 (F) Next, as shown in FIG.
Dicing semiconductor wafer 1 with UV irradiation curing type tape 3
Affixing it to the tape 4. (G) Next, as shown in FIG.
The tape 3 is peeled off. (H) Then, as shown in FIG.
Pelletize 1 by dicing. In addition, UV irradiation hard
Tape for dicing semiconductor wafer 1 with sizing tape 3
UV irradiation after peeling off the tape 3
You may do it. In any case, for dicing
The adhesive strength of the tape 4 is a UV irradiation-curable tape after UV irradiation
It is necessary that the adhesive strength is larger than the adhesive strength.
【００１３】本半導体装置の製造方法によれば、半導体
装置機能テストを裏面研削前の半導体ウェハ１が厚くし
かも反りが少ない状態のときに行うので、半導体装置機
能テスト（ペレットチェック）時にプローブ２、２、…
による針圧によって半導体ウェハ１に欠け、割れが生じ
にくくなる。また、裏面研削時における半導体ウェハ１
表面１ａ保護のためにＵＶ照射硬化型テープ３を用いた
ので、ＵＶ照射硬化型テープ３剥離の時に半導体ウェハ
１表面１ａ、特にＡｌボンディングパッド部表面に付着
したマーキングインクの汚れがＵＶ照射硬化型テープ３
と共に剥離されてしまうので、マーキングインクドット
によって半導体ウェハ１の表面が汚れる虞れがなくな
る。ちなみに、従来においては裏面研削後に半導体装置
機能テストを行うので表面保護用のレジスト膜を剥離し
てもそれによってマーキングインク汚れを除去できると
いうことは有り得なかった。According to the method of manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device function test is performed when the semiconductor wafer 1 before the back surface grinding is thick and the warpage is small, so that the probe 2 and the probe 2 can be used during the semiconductor device function test (pellet check). 2, ...
Chipping and cracking of the semiconductor wafer 1 due to the stylus pressure caused by the pressure. In addition, the semiconductor wafer 1 at the time of back surface grinding
Since the UV irradiation curing tape 3 was used to protect the surface 1a, the semiconductor wafer was removed when the UV irradiation curing tape 3 was peeled off.
Adhered to one surface 1a, especially the surface of Al bonding pad
UV curable tape 3 with marking ink stain
At the same time, the surface of the semiconductor wafer 1 is not likely to be stained by the marking ink dots. Incidentally, conventionally, since a semiconductor device function test is performed after grinding the back surface, even if the resist film for protecting the surface is peeled off, it is impossible that the marking ink stain can be removed thereby.
【００１４】従って、従来においてはＡｌ電極パッドが
インクで汚染され、そのためワイヤボンディング不良が
生じることが少なくなかったのである。その点でも本半
導体装置の製造方法は優れているといえる。尚、本半導
体装置の製造方法において裏面研削時における半導体ウ
ェハ表面保護手段としてＵＶ照射硬化型テープに代えて
水溶性接着テープ、例えばイクロステープ（三井東圧化
学製商品名）を用いてもテープ剥離の際にマーキングイ
ンク汚れドットをテープと共に剥離できるという利点が
ある。しかし、表面保護手段としてレジスト膜を用いた
場合にはそれは期待できない。ちなみに、水溶性接着テ
ープを表面保護手段として用いた場合には、その除去
は、単に純水洗浄を行うことによって簡単に行うことが
できる。このとき、水溶性接着テープの粘着力はダイシ
ング用テープの粘着力よりも小さいことが必要である。 Therefore, in the prior art, the Al electrode pad is often contaminated with the ink, which often results in poor wire bonding. In this respect, it can be said that the method of manufacturing the semiconductor device is excellent. In the method of manufacturing the semiconductor device, a water-soluble adhesive tape, for example, an ICROS tape (trade name, manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals) may be used instead of the UV-irradiation-curable tape as a means for protecting the semiconductor wafer surface during back grinding. There is an advantage that the marking ink stained dots can be peeled off together with the tape at the time of peeling. However, this cannot be expected when a resist film is used as the surface protection means. By the way, when the water-soluble adhesive tape is used as the surface protection means, its removal can be easily performed simply by performing pure water washing. At this time, the adhesive strength of the water-soluble adhesive tape is
It is necessary that the adhesive strength is smaller than that of the adhesive tape.
【００１５】そして、本半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体ウェハ保護手段としてレジスト膜を使用しな
いので間接材料（レジスト、レジスト剥離液）費がなく
て済むうえに、洗浄不足によるＡｌ電極部汚染がもたら
すワイヤーボンディング不良やＡｌ電極部表面の変質に
よる耐湿性不良の虞れもない。従って、歩留り、品質が
向上し、作業性も良くなる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, since a resist film is not used as a means for protecting a semiconductor wafer, indirect materials (resist and resist stripping solution) are not required, and Al electrode portion contamination due to insufficient cleaning is eliminated. Brings
Wire bonding failure and deterioration of Al electrode surface
There is no danger of poor moisture resistance. Therefore, yield and quality are improved, and workability is also improved.
【００１６】[0016]
【発明の効果】請求項１の半導体装置の製造方法は、ウ
ェハ、例えば半導体ウェハ表面にプローブをあてての半
導体装置機能テストを行い、次いで、ウェハの裏面研削
を行い、しかる後、ウェハをその裏面にダイシング用テ
ープを貼着した状態でダイシングしてペレタイズするこ
とを特徴とするものである。従って、請求項１の半導体
装置の製造方法によれば、半導体装置機能テストをウェ
ハの厚さを薄くする裏面研削前に行うので半導体装置機
能テスト時にプローブによる針圧によりあるいは半導体
装置機能テストためのハンドリングによりウェハが欠け
たり、割れたりする虞れが少なくなり、不良率を低下さ
せ、歩留りを向上させることができる。請求項２の半導
体装置の製造方法は、裏面研削をウェハの表面に直接表
面保護テープを貼着した状態で行い、裏面研削終了後ダ
イシング用テープに貼り合わせした後で上記表面保護テ
ープを剥離することを特徴とするものである。従って、
請求項２の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置
機能テスト時に付けられた不良を示すインクマーキング
ドットの汚れや焼付けるときの蒸気汚れを表面保護テー
プを剥離するときに表面保護テープと共に除去すること
ができる。従って、インクマーキングドットにより半導
体装置表面の電極パッドや配線及びオーバーコート膜が
汚染されるのを防止することができる。そして、ウェハ
表面保護手段としてレジストを使用しないのでそのレジ
スト自身及びその剥離液等高価なレジスト工程用間接材
料がなくて済み、更に、レジスト塗布、洗浄等の面倒な
作業も不要となる。従って、作業工数も少なくて済む。
依って、材料費、作業工数が削除され半導体装置のコス
トの低減を図ることができる。A method according to claim 1 according to the present invention is a wafer, for example, performs a semiconductor device functional testing of applying a probe to the semiconductor wafer surface and then performs back grinding of the wafer, the Thereafter, the wafer Dicing te
This is characterized in that dicing is performed while the loop is adhered and pelletizing is performed. Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor device function test is performed before the back surface grinding for reducing the thickness of the wafer. The risk of chipping or cracking of the wafer due to handling is reduced, the defect rate is reduced, and the yield can be improved. In the method for manufacturing a semiconductor device according to the second aspect, the backside grinding is performed in a state where the surface protection tape is directly adhered to the surface of the wafer, and after the backside grinding is completed, the surface protection tape is peeled off. It is characterized by the following. Therefore,
According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the second aspect, the dirt of the ink marking dots indicating the defect attached during the function test of the semiconductor device and the vapor dirt at the time of baking are removed together with the surface protection tape when the surface protection tape is peeled off. can do. Therefore, it is possible to prevent the electrode pads, wiring, and overcoat film on the surface of the semiconductor device from being contaminated by the ink marking dots. Since no resist is used as the wafer surface protection means, there is no need for expensive resist indirect materials for the resist process such as the resist itself and its stripping solution, and furthermore, troublesome operations such as resist coating and cleaning are not required. Therefore, the number of work steps can be reduced.
Accordingly, material costs and man-hours are eliminated, and the cost of the semiconductor device can be reduced.
【図１】（Ａ）乃至（Ｉ）は本発明半導体装置の製造方
法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。FIGS. 1A to 1I are sectional views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention in the order of steps.
１ 半導体ウェハ １ｃ ペレット ２ プローブ ３ 表面保護テープ４ ダイシング用テープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 1c Pellet 2 Probe 3 Surface protection tape 4 Dicing tape
Claims (2)
装置機能テストを行い、 次いで、ウェハの裏面研削及び研削歪除去エッチングを
行い、 しかる後、ウェハをその裏面にダイシング用テープを貼
着した状態でダイシングしてペレタイズすることを特徴
とする半導体装置の製造方法1. A semiconductor device function test in which a probe is applied to the front surface of a wafer, followed by grinding the back surface of the wafer and etching for removing grinding distortion, and thereafter, affixing a dicing tape to the back surface of the wafer.
A method of manufacturing a semiconductor device , comprising: dicing and pelletizing in a worn state.
テープを貼着した状態で行い、 裏面研削及び研削歪除去エッチング終了後ダイシング用
テープに張り合わせした後で上記表面保護テープを剥離
することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。2. Grinding the back surface with the surface protection tape directly attached to the surface of the wafer, peeling the surface protection tape after laminating to the dicing tape after completion of the back surface grinding and grinding strain removal etching. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
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| JP6889291A JP3094488B2 (en) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | Method for manufacturing semiconductor device |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04280446A JPH04280446A (en) | 1992-10-06 |
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| JP (1) | JP3094488B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682486U (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-25 | 彰夫 片岡 | Air supply / exhaust device |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0878487A (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor substrate and fabrication of semiconductor |
| JPH0917752A (en) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | Method and apparatus for cutting of flat object |
| JPH11323576A (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-26 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | Wet etching method |
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- 1991-03-07 JP JP6889291A patent/JP3094488B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682486U (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-25 | 彰夫 片岡 | Air supply / exhaust device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04280446A (en) | 1992-10-06 |
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