JPH0561007A - 導波路付き電子光学装置 - Google Patents
導波路付き電子光学装置Info
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- JPH0561007A JPH0561007A JP4017035A JP1703592A JPH0561007A JP H0561007 A JPH0561007 A JP H0561007A JP 4017035 A JP4017035 A JP 4017035A JP 1703592 A JP1703592 A JP 1703592A JP H0561007 A JPH0561007 A JP H0561007A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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-
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ｐｉｎ半導体接合素子中に埋めた光導波路内を
伝搬する光波の強度、偏光状態、位相などを制御する変
調装置の損失や波形ひずみを抑制する。 【構成】ｐ＋型層８、ｉ型層６、ｎ型層４にベース電極
１２、局地化電極１４、およびｉ型層中に埋設した光導
波路１０から成り、局地化電極１４とベース電極１２間
に電源１８から印加する逆バイアス電圧により導波路１
０内外の屈折率を変化させて導波路内を伝搬する光波を
制御する。 【効果】従来のこの種装置では局地化電極の代りに金属
電極が導波路１０の真上まで覆い、ｐ＋型層に代りｐ型
層を使っていたので伝搬損失や波形ひずみが大きかっ
た。この素子は金属電極を導波路から遠ざけ、ｐ型層の
代りに導電率の大きなｐ＋型層を用いたので伝搬損失や
波形ひずみを抑制できる。
伝搬する光波の強度、偏光状態、位相などを制御する変
調装置の損失や波形ひずみを抑制する。 【構成】ｐ＋型層８、ｉ型層６、ｎ型層４にベース電極
１２、局地化電極１４、およびｉ型層中に埋設した光導
波路１０から成り、局地化電極１４とベース電極１２間
に電源１８から印加する逆バイアス電圧により導波路１
０内外の屈折率を変化させて導波路内を伝搬する光波を
制御する。 【効果】従来のこの種装置では局地化電極の代りに金属
電極が導波路１０の真上まで覆い、ｐ＋型層に代りｐ型
層を使っていたので伝搬損失や波形ひずみが大きかっ
た。この素子は金属電極を導波路から遠ざけ、ｐ型層の
代りに導電率の大きなｐ＋型層を用いたので伝搬損失や
波形ひずみを抑制できる。
Description
【０００１】
【従来の技術】電子光学装置は、一般に電場を作った
り、光導波路を通して電流を注入するために金属電極を
有している。
り、光導波路を通して電流を注入するために金属電極を
有している。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】それらの電極の１本は
この導波路のすぐそばに位置しており、そこに導かれる
光モードの伝播に悪影響を及ぼすことがある。このこと
は、これらのモードの変形且つ／又は減衰として現れ、
そのためにこの装置の機能を害することもある。
この導波路のすぐそばに位置しており、そこに導かれる
光モードの伝播に悪影響を及ぼすことがある。このこと
は、これらのモードの変形且つ／又は減衰として現れ、
そのためにこの装置の機能を害することもある。
【０００３】偏光変調器の場合を考えれば、一般性を狭
めることなく、この問題のより良い理解が得られよう。
このような変調器の機能は、導波路の基本モードＴＥ及
びＴＭ間の電子光学効果によってエネルギー伝達を起こ
させることである。そのために使用される電場は「ＰＩ
Ｎ」タイプの接合で、金属層で構成される電極から作り
出される。この導波路の付近にこのような金属層がある
ことにより、その時、光モードＴＥ及びＴＭ及び印加さ
れた電場の間に理論的に予想される相互作用に重大な擾
乱を与えることがあり得るが、これは、この層が場合に
よっては違った形で、２つの光モードを変形させ、且つ
／又は減衰させるからである。
めることなく、この問題のより良い理解が得られよう。
このような変調器の機能は、導波路の基本モードＴＥ及
びＴＭ間の電子光学効果によってエネルギー伝達を起こ
させることである。そのために使用される電場は「ＰＩ
Ｎ」タイプの接合で、金属層で構成される電極から作り
出される。この導波路の付近にこのような金属層がある
ことにより、その時、光モードＴＥ及びＴＭ及び印加さ
れた電場の間に理論的に予想される相互作用に重大な擾
乱を与えることがあり得るが、これは、この層が場合に
よっては違った形で、２つの光モードを変形させ、且つ
／又は減衰させるからである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、効果を保ちつ
つ、幾つかの有害な相互作用を、少なくとも一部は避け
られる導波路付き電子光学装置を単純なやり方で製作す
ることを特に目指すものである。これら有害な相互作用
が発生しうる場所は、一方では、チップ内に形成された
導波路を通る波があり、他方では、電場や電流などの有
益な電気現象を導波路内で局地化する為にこのチップの
上に形成される局地化電極の導体材料があるというその
両方の間である。
つ、幾つかの有害な相互作用を、少なくとも一部は避け
られる導波路付き電子光学装置を単純なやり方で製作す
ることを特に目指すものである。これら有害な相互作用
が発生しうる場所は、一方では、チップ内に形成された
導波路を通る波があり、他方では、電場や電流などの有
益な電気現象を導波路内で局地化する為にこのチップの
上に形成される局地化電極の導体材料があるというその
両方の間である。
【０００５】本発明によれば、局地化電極は２つの並置
された領域を有し、それら領域は、 ・この導波路に比較的近く、電気抵抗係数の比較的大き
い局地化領域、及び ・この導波路から比較的遠く、電気抵抗係数の比較的小
さい接続領域である。
された領域を有し、それら領域は、 ・この導波路に比較的近く、電気抵抗係数の比較的大き
い局地化領域、及び ・この導波路から比較的遠く、電気抵抗係数の比較的小
さい接続領域である。
【０００６】上記電気抵抗率係数は、厚い層に含まれる
材料の電気抵抗率であり得る。それはまた、薄い層の表
面電気抵抗率（方形内の抵抗）でもあり得る。
材料の電気抵抗率であり得る。それはまた、薄い層の表
面電気抵抗率（方形内の抵抗）でもあり得る。
【０００７】
【実施例】添付概略図を参照しつつ、以下、どのように
して本発明が使用されうるかを述べてゆく。ただし、記
載及び表示されている部材及び配置は非限定的例示に過
ぎないことは勿論である。
して本発明が使用されうるかを述べてゆく。ただし、記
載及び表示されている部材及び配置は非限定的例示に過
ぎないことは勿論である。
【０００８】同一の部材が幾つもの図に表示される時、
同一の符号で指示される。
同一の符号で指示される。
【０００９】まず、一般的に、図４及び図５を参照しつ
つ、図１のような既知の装置と本発明の装置とに共通の
レイアウトを述べていく。これらの共通レイアウトによ
れば、装置は以下のものから成る。
つ、図１のような既知の装置と本発明の装置とに共通の
レイアウトを述べていく。これらの共通レイアウトによ
れば、装置は以下のものから成る。
【００１０】・主要面３を有する半導体チップ２と、 ・一緒に有益な電子光学状態相互作用を実現するはずの
光波を導くための、この主要面近くの導波路10と、 ・この主要面に沿って延展し、この導波路の正面に局地
化表面９を有して、少なくとも部分的にこの導波路内の
電気現象を局地化するようになっている局地化電極14、
８とである。この現象は、この電極とベース電極12とが
適宜の電源18に接続される時に現れ、そしてその時、こ
の導波路と一緒に前記有益な相互作用を行う。この局地
化電極は、この局地化表面とこの電源との間の接続の電
気抵抗を制限するために伝導性の良い層14を有してい
る。
光波を導くための、この主要面近くの導波路10と、 ・この主要面に沿って延展し、この導波路の正面に局地
化表面９を有して、少なくとも部分的にこの導波路内の
電気現象を局地化するようになっている局地化電極14、
８とである。この現象は、この電極とベース電極12とが
適宜の電源18に接続される時に現れ、そしてその時、こ
の導波路と一緒に前記有益な相互作用を行う。この局地
化電極は、この局地化表面とこの電源との間の接続の電
気抵抗を制限するために伝導性の良い層14を有してい
る。
【００１１】また一般的に、本発明によれば以下のレイ
アウトが好都合である。
アウトが好都合である。
【００１２】局地化電極は、チップ２の主要面３内に並
置された２つの領域を有し、これら２つの領域のうちの
１つは、前記伝導性の良い層14を有している接続領域20
である。この領域と導波路10との間にはこの主要面上に
分離の間隔22が残されている。この間隔は、この良導体
層と前記光波との間の有害な相互作用を、少なくとも部
分的に避けられるだけの幅を有している。
置された２つの領域を有し、これら２つの領域のうちの
１つは、前記伝導性の良い層14を有している接続領域20
である。この領域と導波路10との間にはこの主要面上に
分離の間隔22が残されている。この間隔は、この良導体
層と前記光波との間の有害な相互作用を、少なくとも部
分的に避けられるだけの幅を有している。
【００１３】もう一つの領域は、分離の間隔22に入り込
み、局地化表面９を有する局地化領域24である。この領
域は前記良導体層よりも電気的に伝導性の低い局地化層
８で構成されているが、それは、この局地化層の電気抵
抗係数がこの局地化層と前記光波との間の有害な相互作
用を、少なくとも部分的に避けられるだけの大きさをも
つよう選択されているからである。
み、局地化表面９を有する局地化領域24である。この領
域は前記良導体層よりも電気的に伝導性の低い局地化層
８で構成されているが、それは、この局地化層の電気抵
抗係数がこの局地化層と前記光波との間の有害な相互作
用を、少なくとも部分的に避けられるだけの大きさをも
つよう選択されているからである。
【００１４】チップ２は典型的には半導体材料で構成さ
れ、導波路はこのチップに組み込まれている。局地化層
８もこのチップに組み込まれており、このチップにして
は比較的強いドーピングをもつ半導体材料で構成されて
いる。伝導性の良い層14は主要面３の上に配置されてい
て、金属材料で構成されている。
れ、導波路はこのチップに組み込まれている。局地化層
８もこのチップに組み込まれており、このチップにして
は比較的強いドーピングをもつ半導体材料で構成されて
いる。伝導性の良い層14は主要面３の上に配置されてい
て、金属材料で構成されている。
【００１５】図示された装置を、今からより詳細に述べ
てゆく。
てゆく。
【００１６】図１の既知の偏光変調器は、ELECTRO-OPTI
C POLARISATION CONVERTER ON (110) InP ((110)InP 上
での電気光学的偏光コンバータ）(ELECTRONICS LETTERS
13th September 1990 Vol. 26 No.19, pp.1560-1561)
という論文に記載されている。この変調器の有する半導
体チップ102 は以下のものからなる。
C POLARISATION CONVERTER ON (110) InP ((110)InP 上
での電気光学的偏光コンバータ）(ELECTRONICS LETTERS
13th September 1990 Vol. 26 No.19, pp.1560-1561)
という論文に記載されている。この変調器の有する半導
体チップ102 は以下のものからなる。
【００１７】・「ｎ」タイプのベース層104 と、 ・「ｉ」タイプの中間層106 と、 ・強くドープされ広がりの制限された「ｐ」タイプの接
触層108 とである。
触層108 とである。
【００１８】層106 の中には導波路110 が形成されてい
る。
る。
【００１９】ベース電極112 と局地化電極との間でこの
導波路に垂直電場が印加されるが、この局地化電極の一
部を構成しているのが金属層114 であり、この金属層は
層108 の上に接点を有し、更に、チップからは絶縁層11
6 で分離されている。層114の電場の局地化作用は接触
層108 によって補完される。
導波路に垂直電場が印加されるが、この局地化電極の一
部を構成しているのが金属層114 であり、この金属層は
層108 の上に接点を有し、更に、チップからは絶縁層11
6 で分離されている。層114の電場の局地化作用は接触
層108 によって補完される。
【００２０】この導波路を通る波については、金属層11
4 が擾乱層を構成する。
4 が擾乱層を構成する。
【００２１】図２はモードＴＥ及びＴＭで、層108 の厚
み（ミクロメーター）に応じて変化する光波の吸収（ｄ
Ｂ／cm）を表す。この厚みは擾乱層から導波路までの距
離の変化する部分を構成する。
み（ミクロメーター）に応じて変化する光波の吸収（ｄ
Ｂ／cm）を表す。この厚みは擾乱層から導波路までの距
離の変化する部分を構成する。
【００２２】グラフの左部分において、導かれたモード
の減衰の大きな変化が観察される。これらの変化は層11
4 の効果によるものである。これらは特にモードＴＥ
（線202)及びＴＭ（線204)で著しく違っている。層114
はないが図２の場合と同じ構造を表す図３において、逆
に観察されるのは、層108 の厚みに応じてモードＴＥ
（線302)及びＴＭ（線304)の吸収が似通った変化をする
ことである。これらの吸収は更に、層108 が薄いところ
で図２に示されるものをずっと下回るのである。
の減衰の大きな変化が観察される。これらの変化は層11
4 の効果によるものである。これらは特にモードＴＥ
（線202)及びＴＭ（線204)で著しく違っている。層114
はないが図２の場合と同じ構造を表す図３において、逆
に観察されるのは、層108 の厚みに応じてモードＴＥ
（線302)及びＴＭ（線304)の吸収が似通った変化をする
ことである。これらの吸収は更に、層108 が薄いところ
で図２に示されるものをずっと下回るのである。
【００２３】図４及び図５の装置は前記のものと類似し
ており、対応する部材の参照番号は100 を引いたもので
ある。それを構成するのは、下から上に、ベース電極1
2、「ｎ」タイプのベース層4 、導波路10を含む「ｉ」
タイプの中間層６、強くドープされた「ｐ」タイプの接
触層８、前記伝導性の良い層を構成する金属層14及び絶
縁層16である。
ており、対応する部材の参照番号は100 を引いたもので
ある。それを構成するのは、下から上に、ベース電極1
2、「ｎ」タイプのベース層4 、導波路10を含む「ｉ」
タイプの中間層６、強くドープされた「ｐ」タイプの接
触層８、前記伝導性の良い層を構成する金属層14及び絶
縁層16である。
【００２４】本発明には、金属層を光導波路の側面より
遠ざけ、その代わりに半導体層８で置き換えることによ
り、金属層に誘発された擾乱を取り除く効果がある。こ
の半導体層を強くドープすることにより、光導波路10の
区域内に電場を印加するに充分な電気伝導性を保証する
ことができる。この層８の厚さ及びドープは、光の吸収
と電気抵抗との間の妥協を実現するように選択される。
この新しい構造の電極は偏心吸収性金属被覆タイプ(Met
allisationAbsorlante Deportee) と呼ぶことができ、
そのフランス語の頭文字をとって以後Ｍ．Ａ．Ｄ．と呼
ぶことにする。
遠ざけ、その代わりに半導体層８で置き換えることによ
り、金属層に誘発された擾乱を取り除く効果がある。こ
の半導体層を強くドープすることにより、光導波路10の
区域内に電場を印加するに充分な電気伝導性を保証する
ことができる。この層８の厚さ及びドープは、光の吸収
と電気抵抗との間の妥協を実現するように選択される。
この新しい構造の電極は偏心吸収性金属被覆タイプ(Met
allisationAbsorlante Deportee) と呼ぶことができ、
そのフランス語の頭文字をとって以後Ｍ．Ａ．Ｄ．と呼
ぶことにする。
【００２５】図５及び図６はこのタイプの２つの長手方
向の構造を示す。２つの部材がこれら２つの図面で対応
する時、図６の部材の参照番号は600 を足す。図５にお
いて金属層14が、光導波路10にそって伸びるが、これ
は、ｐでドープされた層８の材料が、電位の厄介な低下
なしに電位を長手方向に分配することを保証できるだけ
の充分な伝導性をもっていない場合である。図６におい
て金属層614 は制限されているが、これは、一定の電位
を長手方向に分配することを保証できるだけの充分なド
ープが層608 の材料に行われている場合である。この後
者のレイアウトには装置の電気容量を減少させるという
利益がある。
向の構造を示す。２つの部材がこれら２つの図面で対応
する時、図６の部材の参照番号は600 を足す。図５にお
いて金属層14が、光導波路10にそって伸びるが、これ
は、ｐでドープされた層８の材料が、電位の厄介な低下
なしに電位を長手方向に分配することを保証できるだけ
の充分な伝導性をもっていない場合である。図６におい
て金属層614 は制限されているが、これは、一定の電位
を長手方向に分配することを保証できるだけの充分なド
ープが層608 の材料に行われている場合である。この後
者のレイアウトには装置の電気容量を減少させるという
利益がある。
【００２６】偏光変調器の例で描かれた本発明は、例え
ば「ｐｉｎ」タイプの構造の中に垂直に電場を印加する
他の装置にも適用できる。本発明はまた側面電極によっ
て水平に電場を印加する装置の中で使用することもでき
る。図７及び図８はこのような２つの装置を表している
が、それらの装置は互いに類似しており、対応する２つ
の部材は百の位の数字が図７では７、図８では８となっ
ている他は同じ参照番号で示されている。
ば「ｐｉｎ」タイプの構造の中に垂直に電場を印加する
他の装置にも適用できる。本発明はまた側面電極によっ
て水平に電場を印加する装置の中で使用することもでき
る。図７及び図８はこのような２つの装置を表している
が、それらの装置は互いに類似しており、対応する２つ
の部材は百の位の数字が図７では７、図８では８となっ
ている他は同じ参照番号で示されている。
【００２７】半導体チップ702 または802 は、強くドー
プされた半導体局地化層で構成される２つの半導体側方
帯730 及び732 または830 及び832 の間に、導波路710
または810 を有している。
プされた半導体局地化層で構成される２つの半導体側方
帯730 及び732 または830 及び832 の間に、導波路710
または810 を有している。
【００２８】これらの側方帯の上に良伝導性金属層で構
成される良伝導性の帯734 及び736または834 及び836
が載せられていて、導波路710 または810 をそれぞれ局
地化する電極を構成する730 、734 または830 、834 の
ような２本の側方電極を形成するようになっている。本
発明の図８によれば、良伝導性の帯834 及び836 は導波
路810 から著しく遠ざけられており、半導体の帯のドー
ピングは電気抵抗の合計が830 、834 のような側方電極
のそれぞれに充分小さくなるように選択された。
成される良伝導性の帯734 及び736または834 及び836
が載せられていて、導波路710 または810 をそれぞれ局
地化する電極を構成する730 、734 または830 、834 の
ような２本の側方電極を形成するようになっている。本
発明の図８によれば、良伝導性の帯834 及び836 は導波
路810 から著しく遠ざけられており、半導体の帯のドー
ピングは電気抵抗の合計が830 、834 のような側方電極
のそれぞれに充分小さくなるように選択された。
【００２９】図９及び図10のレーザにおいて実現される
電気現象は垂直電流の注入である。
電気現象は垂直電流の注入である。
【００３０】これら２つのレーザは互いに類似してい
る。それらの対応する部材は百の位の数字が図９では
９、図10では10となっている他は同じ参照番号で示され
ている。
る。それらの対応する部材は百の位の数字が図９では
９、図10では10となっている他は同じ参照番号で示され
ている。
【００３１】導波路910 または1010は、940 または1040
のような２本の電気的封じ込め帯の間の半導体チップ90
2 または1002の中に形成されている。導波路は金属層91
4 または1014から垂直電流を受け取る。
のような２本の電気的封じ込め帯の間の半導体チップ90
2 または1002の中に形成されている。導波路は金属層91
4 または1014から垂直電流を受け取る。
【００３２】本発明及び図10によれば、金属層1014は導
波路1010に対して側方にずれている。また一部がこの金
属層によって構成されている局地化電極は、強くドープ
された半導体局地化層1040によって補完されている。
波路1010に対して側方にずれている。また一部がこの金
属層によって構成されている局地化電極は、強くドープ
された半導体局地化層1040によって補完されている。
【００３３】以上のことから、Ｍ．Ａ．Ｄ．電極構造が
応用できるのは、電場の設置を必要とする半導体材料の
構造全て（位相変調器、偏光変調器、またはカプラーな
どの所謂「逆」装置) 又は電流注入（レーザ、光増幅器
等の所謂「順」装置）に対してであると思われる。
応用できるのは、電場の設置を必要とする半導体材料の
構造全て（位相変調器、偏光変調器、またはカプラーな
どの所謂「逆」装置) 又は電流注入（レーザ、光増幅器
等の所謂「順」装置）に対してであると思われる。
【００３４】「ｐｉｎ」構造及び「ｎｉｐ」構造にも同
様に応用される。
様に応用される。
【図１】既知の偏光変調器の横断面図を示す。
【図２】光波を通過させ図１の変調器の中に含まれる導
波路の上にかぶさる半導体層の厚みに応じて変化する光
波の吸収のグラフを、この半導体層の上にかぶさる金属
層の有る無しに応じて、それぞれ描き分けている。
波路の上にかぶさる半導体層の厚みに応じて変化する光
波の吸収のグラフを、この半導体層の上にかぶさる金属
層の有る無しに応じて、それぞれ描き分けている。
【図３】光波を通過させ図１の変調器の中に含まれる導
波路の上にかぶさる半導体層の厚みに応じて変化する光
波の吸収のグラフを、この半導体層の上にかぶさる金属
層の有る無しに応じて、それぞれ描き分けている。
波路の上にかぶさる半導体層の厚みに応じて変化する光
波の吸収のグラフを、この半導体層の上にかぶさる金属
層の有る無しに応じて、それぞれ描き分けている。
【図４】本発明の装置を構成する偏光変調器を示すもの
で、その横断面図である。
で、その横断面図である。
【図５】本発明の装置を構成する偏光変調器を示すもの
で、その上から見た図である。
で、その上から見た図である。
【図６】図４及び図５の変調器の変形例を上から見た図
であり、図４は図６のIV−IV線にそった横断面図を構成
している。
であり、図４は図６のIV−IV線にそった横断面図を構成
している。
【図７】既知の側方電極付き電子光学装置の横断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の側方電極付き電子光学装置の横断面図
である。
である。
【図９】既知の半導体レーザの横断面図である。
【図１０】本発明の電子光学装置を構成する半導体レー
ザの横断面図である。
ザの横断面図である。
２ 半導体チップ ３ 主要面 ４ ｎ形ベース層 ６ ｉ形中間層 ８ ｐ形局地化電極 ９ 局地化表面 10 導波路 12 ベース電極 14 局地化電極 16 絶縁層 18 電源 20 接触領域 24 局地化領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (7)
- 【請求項１】半導体チップ内に形成された導波路内の電
気的現象を局地化するために当該半導体チップ上に形成
された局地化電極を有した、導波路付き電子光学装置で
あって、この電極が２つの並置された領域を有してお
り、それら並置された領域が、この導波路に比較的近
く、その電気抵抗を下げるためのドーピングが行われて
いる領域、及びこの導波路から比較的遠い金属接続領域
であることを特徴とする導波路付き電子光学装置。 - 【請求項２】主要面を有する半導体チップと、一緒に有
益な電子光学状態相互作用を実現するはずの光波を導く
ために、このチップ内の主要面近くに形成された導波路
と、この主要面に沿って延展し且つこの導波路の正面に
局地化表面を有して、少なくとも部分的に、この導波路
内の電気現象を局地化するようになっている局地化電極
とを有している装置であり、この電気現象が、この電極
とベース電極とが適当な電源に接続される時に現れるも
ので、そしてその時、この導波路と一緒に前記有益な相
互作用を行い、この局地化電極が、この局地化表面とこ
の電源との間の接続の電気抵抗を制限するために金属層
を有しており、前記局地化電極が、チップの前記主要面
内に並置された２つの領域を有し、これら２つの領域の
うちの１つは、前記金属層を有する接続領域であり、こ
の領域と前記導波路との間にはこの主要面上に分離の間
隔が残されており、この間隔は、この金属層と前記光波
との間の有害な相互作用を、少なくとも部分的に避けら
れるだけの幅を有しており、もう１つの領域は、前記分
離の間隔に入り込んでいて且つ前記局地化表面を有する
局地化領域であって、この領域は電気抵抗がドーピング
で下げられている半導体局地化層から構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】前記電気現象が電場である請求項２に記載
の装置。 - 【請求項４】前記電気現象が電流である請求項２に記載
の装置。 - 【請求項５】該装置が偏光変調器である請求項２に記載
の装置。 - 【請求項６】該装置が光結合器である請求項２に記載の
装置。 - 【請求項７】該装置が側方電極装置である請求項２に記
載の装置。
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| FR9101155 | 1991-02-01 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0561007A true JPH0561007A (ja) | 1993-03-12 |
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|---|---|---|---|
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| US6654534B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-11-25 | Bookham Technology, Plc | Electrode, termination for reduced local heating in an optical device |
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| US6714768B2 (en) * | 2001-08-06 | 2004-03-30 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and polarization modulator devices utilizing the formation of a compliant substrate |
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|---|---|---|---|---|
| DE2421285A1 (de) * | 1974-05-02 | 1975-11-13 | Siemens Ag | Integrierter optischer modulator |
| JPS608821A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hitachi Ltd | 光導波路 |
| JP2594895B2 (ja) * | 1983-07-08 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 光集積回路素子の製造方法 |
| JPS62285234A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Brother Ind Ltd | 反射型光学デイスクの読取り装置 |
| JPS6396626A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Nec Corp | 導波型光制御素子 |
| JPH01128036A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光スイッチ・変調器 |
| FR2623915B1 (fr) * | 1987-11-26 | 1990-04-13 | Corning Glass Works | Procede de production d'un composant optique integre en verre comprenant des tranchees de positionnement et de fixation de fibres optiques en alignement avec des guides d'ondes et composants ainsi produits |
-
1991
- 1991-02-01 FR FR9101155A patent/FR2672398B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-24 DE DE69210848T patent/DE69210848T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-24 ES ES92400185T patent/ES2087470T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-24 EP EP92400185A patent/EP0497666B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-30 US US07/828,018 patent/US5214723A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-31 JP JP01703592A patent/JP3244186B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011232567A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Nec Corp | 半導体光配線装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0497666B1 (fr) | 1996-05-22 |
| DE69210848D1 (de) | 1996-06-27 |
| FR2672398A1 (fr) | 1992-08-07 |
| EP0497666A1 (fr) | 1992-08-05 |
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| JP3244186B2 (ja) | 2002-01-07 |
| DE69210848T2 (de) | 1996-10-24 |
| FR2672398B1 (fr) | 1993-11-19 |
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