JPH0559539A - Ion plating device - Google Patents

Ion plating device

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Publication number
JPH0559539A
JPH0559539A JP24463191A JP24463191A JPH0559539A JP H0559539 A JPH0559539 A JP H0559539A JP 24463191 A JP24463191 A JP 24463191A JP 24463191 A JP24463191 A JP 24463191A JP H0559539 A JPH0559539 A JP H0559539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrons
discharge
magnetic field
crucible
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP24463191A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Shimizu
康司 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0559539A publication Critical patent/JPH0559539A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide the ion plating device which can generate an electric discharge with a low pressure and low voltage and can increase a discharge current. CONSTITUTION:An material 4 to be evaporated is irradiated with an electron beam E and is evaporated. The voltage is impressed to an electrode 13 to generate the discharge between this electrode 13 and a crucible 3 in the state of introducing reactive gases from a gas supplying device 11, by which the evaporated particles and the reactive gases are ionized. Magnetic field B1 in one direction are generated on the inner side of the electrode 13 by permanent magnets 14A to 14D and 15A to 15D which are embedded in the electrode and are arranged to face each other. The overhang magnetic fields are formed between the crucible 3 and the electrode 13 and, therefore, while the electrons from the material 14 to be evaporated are deflected, the electrons arrive at the electrode 13 and the many ions are generated. The discharge can, therefore, be started by the low pressure and low voltage. Most of the magnetic fields B1 of the part where the electrons arrive at the electrode 13 are approximately paralleled with the progressing loci of the electrons and, therefore, the electrons can be efficiently introduced to the electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】 本発明は、蒸発物質をイオン化
し、基板上に衝突させて成膜を行うイオンプレーティン
グ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion plating apparatus that ionizes an evaporated substance and collides it with a substrate to form a film.

【0002】[0002]

【従来の技術】 近時、膜質の向上や反応ガスのイオン
化促進を図るために、イオンプレーティング装置が広く
使用されている。
2. Description of the Related Art Recently, ion plating devices have been widely used in order to improve film quality and promote ionization of reaction gas.

【0003】図7はかかるイオンプレーティング装置の
従来例を示す構成概略図であり、1は容器で、その内部
は真空ポンプ2により真空に保たれる。3は容器の底部
に置かれたルツボで、蒸発材料4が収容されている。5
はこのルツボの側壁に設けられた電子銃、6はこのルツ
ボの上方に相対向するように配置された基板で、ホルダ
7に着脱可能に保持されている。8はこのホルダ(基
板)に負の電圧を印加するための直流電源である。9は
前記ルツボ3と基板6との間に配置された筒状の電極
で、イオン化電源10より正の電圧が印加される。11
はガス供給装置である。
FIG. 7 is a schematic view showing a conventional example of such an ion plating apparatus. Reference numeral 1 denotes a container, the inside of which is kept vacuum by a vacuum pump 2. Reference numeral 3 denotes a crucible placed at the bottom of the container, in which the evaporation material 4 is stored. 5
Is an electron gun provided on the side wall of the crucible, and 6 is a substrate arranged above the crucible so as to face each other, and is detachably held by a holder 7. Reference numeral 8 is a DC power supply for applying a negative voltage to this holder (substrate). Reference numeral 9 denotes a cylindrical electrode arranged between the crucible 3 and the substrate 6, to which a positive voltage is applied from the ionization power source 10. 11
Is a gas supply device.

【0004】かかる構成において、真空ポンプ2により
容器1内を例えば10−5〜10 Torr程度に排気す
る。つぎに、ガス供給装置11からNやO等の反応
ガス(Arガスでも良い)を、容器内が10−4Torr程
度になるまでこの容器内に導入する。そして、図示外の
電子銃電源及び偏向器を作動させることにより電子銃5
からの電子ビームEを偏向させルツボ3内の蒸発材料4
にあててこの蒸発材料を蒸発させる。この状態におい
て、電極9にイオン化電源10より正の電圧を印加する
と、前記電子ビームの蒸発材料への照射により発生する
二次電子や反射電子が電極に向けて加速され、この電極
に到達した電子の数に相当するぶんの電流がルツボ3と
電極9間に流れる。そして、この電極に印加する電圧を
上昇させると、ルツボと電極間に流れる電流が急激に上
昇して放電が発生する。この放電により蒸発粒子や反応
ガスがイオン化され、イオン化された蒸発粒子及び反応
ガスはホルダ7に印加された負の直流電圧により加速さ
れて基板6方向に向い、この基板上に衝突,付着する。
このとき、蒸発粒子と反応ガスが化合して蒸着膜を形成
する。このように放電を発生させることにより蒸発粒子
や反応ガスをイオン化すれば、効率の良い薄膜形成を行
うことができる。
[0004] In this configuration, the inside of the container 1, for example, 10 -5 to 10 by the vacuum pump 2 - evacuating to about 6 Torr. Next, a reaction gas such as N 2 or O 2 (Ar gas may be used) is introduced into the container from the gas supply device 11 until the inside of the container becomes about 10 −4 Torr. Then, by operating an electron gun power supply and a deflector (not shown), the electron gun 5
The evaporation material 4 in the crucible 3 is deflected by deflecting the electron beam E from the
This evaporation material is applied to evaporate. In this state, when a positive voltage is applied to the electrode 9 from the ionization power source 10, secondary electrons and reflected electrons generated by the irradiation of the evaporation material with the electron beam are accelerated toward the electrode, and the electrons that reach this electrode are reached. A current corresponding to the number of flows into the crucible 3 and the electrode 9. Then, when the voltage applied to this electrode is increased, the current flowing between the crucible and the electrode is rapidly increased, and discharge is generated. The vaporized particles and the reaction gas are ionized by this discharge, and the ionized vaporized particles and the reaction gas are accelerated by the negative DC voltage applied to the holder 7 toward the substrate 6 and collide with and adhere to the substrate 6.
At this time, the vaporized particles and the reaction gas combine to form a vapor deposition film. If the vaporized particles and the reaction gas are ionized by generating the discharge in this way, an efficient thin film can be formed.

【0005】ところで、近時、上述した放電をできるだ
け低い圧力雰囲気中で、しかもできるだけ低い放電電圧
で発生させると共に、放電電流の大きな状態で薄膜形成
を行うことが要求されている。このような要求を満足す
るために、一般には図8に示すように電極9近傍に永久
磁石12を組み込むことにより磁界を形成し、この磁界
により蒸発材料からの電子を偏向させて蒸発粒子と衝突
とする回数をできるだけ多くしてイオンを発生させるに
なした装置が提案されている。しかし、かかる装置にお
いては、同図に示すように円筒状電極9の外周近傍に例
えば8個の磁石12A乃至12Hを等間隔にかつ放射状
に配置すると共に、各磁石は互いに隣り合う極性の向き
が逆になるように配置されている。そのため、電極9内
部に形成される磁界は、符号Hで示すようにこの電極内
壁の近傍だけに分布(このような磁界分布を多極磁界と
称す)する。
By the way, in recent years, it has been required to generate the above-mentioned discharge in an atmosphere having a pressure as low as possible and at a discharge voltage as low as possible, and to form a thin film in a state of a large discharge current. In order to satisfy such a requirement, generally, as shown in FIG. 8, a magnetic field is formed by incorporating a permanent magnet 12 in the vicinity of the electrode 9, and the magnetic field deflects electrons from the evaporation material to collide with the evaporation particles. An apparatus has been proposed in which ions are generated by increasing the number of times as much as possible. However, in such a device, as shown in the figure, for example, eight magnets 12A to 12H are radially arranged at equal intervals in the vicinity of the outer periphery of the cylindrical electrode 9, and the magnets are arranged so that the directions of polarities adjacent to each other are different. It is arranged so that it may be reversed. Therefore, the magnetic field formed inside the electrode 9 is distributed only in the vicinity of the inner wall of the electrode as indicated by the symbol H (such a magnetic field distribution is referred to as a multipolar magnetic field).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】 このような磁石配置
によれば、各磁石によって形成される磁界は電極内に形
成され多極磁界Hと各磁石の直下に形成される張り出し
磁界であって、電極の中央部直下に位置するルツボ3の
直上にはほとんどの張り出し磁界は存在しない。そのた
め、蒸発材料からの電子は磁界の影響を受けることが非
常に少なくイオンの発生量が非常に少ない。その結果、
放電の開始にあたって、容器内の圧力を低くしたり、放
電電圧を低くすることに限界ある。そのため、放電電源
として比較的大きな電源を必要とする。
According to such a magnet arrangement, the magnetic field formed by each magnet is a multipolar magnetic field H formed in the electrode and an overhanging magnetic field formed immediately below each magnet, Almost no overhanging magnetic field exists just above the crucible 3 located just below the center of the electrode. Therefore, the electrons from the evaporation material are very little affected by the magnetic field, and the amount of generated ions is very small. as a result,
At the start of discharge, there is a limit to lowering the pressure inside the container or lowering the discharge voltage. Therefore, a relatively large power supply is required as the discharge power supply.

【0007】一方、各磁石によって形成されるほとんど
の磁界は蒸発材料4から電極9に向かう電子に対して直
交ように分布しているため、電子を電極から遠ざける方
向に作用し、磁界が電子の進行方向と略平行となる8つ
の磁石12A乃至12Hが置かれている部分においての
み、電子が電極に到達することになる。その結果、電極
に到達する電子の量が非常に少なくなるため、所望の放
電電流を得ることと安定な放電を維持する必要から電極
9に印加する電圧を増大させなければならず、さらに大
型の電源が必要となりコストアップを避けることができ
ない。
On the other hand, most of the magnetic field formed by each magnet is distributed so as to be orthogonal to the electrons traveling from the evaporation material 4 to the electrode 9, so that the electrons act in the direction of moving them away from the electrode, and the magnetic field causes the electrons to move. The electrons reach the electrodes only in the portion where the eight magnets 12A to 12H that are substantially parallel to the traveling direction are placed. As a result, the amount of electrons that reach the electrode becomes extremely small, so that the voltage applied to the electrode 9 must be increased in order to obtain a desired discharge current and maintain a stable discharge, which is further large. A power source is required and cost increase cannot be avoided.

【0008】そこで、本発明はかかる点に鑑み、低圧力
で、しかも低電圧で放電を発生させることができると共
に、放電電流を大きくすることのできるイオンプレーテ
ィング装置を提供することを目的とするものである。
In view of the above points, the present invention has an object to provide an ion plating apparatus capable of generating a discharge at a low pressure and a low voltage and increasing a discharge current. It is a thing.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
め、本発明のイオンプレーティングはルツボ内に収容さ
れた蒸発物質を加熱蒸発するための手段と、前記ルツボ
に対向するように置かれかつホルダに保持された基板
と、前記ルツボと基板との間に置かれた正の電圧が印加
された環状電極とを備え、前記ルツボと環状電極間で放
電させることにより蒸発物質をイオン化するようになし
た装置において、前記環状電極の内側に一方向の磁場を
形成したことを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the ion plating of the present invention comprises means for heating and evaporating the evaporation material contained in the crucible, and the ion plating is arranged so as to face the crucible. A substrate held by a holder and an annular electrode to which a positive voltage is applied, which is placed between the crucible and the substrate, are provided, and the evaporated substance is ionized by discharging between the crucible and the annular electrode. In the device, a unidirectional magnetic field is formed inside the annular electrode.

【0010】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳
説する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0011】[0011]

【実施例】 図1は本発明に係るイオンプレーティング
装置の一例を示す構成概略図、図2は本発明で使用され
る電極の平面図であり、図7及び図8と同一番号は同一
構成要素を示すものである。
EXAMPLE FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an ion plating apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of an electrode used in the present invention, and the same reference numerals as those in FIGS. It shows an element.

【0012】即ち本実施例においては、リング状の電極
13の内部にその左右、つまり中心Oを通る直線AAを
中心にして夫々5個の永久磁石14A,14B,14
C,14D,14Eと15A,15B,15C,15
D,15Eとが対象に配置する。また、相対向する各磁
石の磁極は右側がN極で、左側の磁極がS極となるよう
になしている。さらに、この電極の内部にはガス通路が
形成されていてパイプ16を介してガス供給装置11に
接続されており、この電極の内側内壁にはガスを噴出さ
せるための多数の穴17が形成してある。18はこの電
極の下部に固定された冷却用パイプで、一端は図示外の
冷却水供給口に、また、他端は排出口に夫々接続されて
いる。
That is, in the present embodiment, five permanent magnets 14A, 14B, 14 are provided inside the ring-shaped electrode 13 with the left and right sides thereof, that is, the straight line AA passing through the center O as the center.
C, 14D, 14E and 15A, 15B, 15C, 15
D and 15E are arranged as targets. Further, the magnetic poles of the magnets facing each other are arranged so that the right side has an N pole and the left side has an S pole. Further, a gas passage is formed inside the electrode and is connected to the gas supply device 11 through a pipe 16, and a large number of holes 17 for ejecting gas are formed on the inner inner wall of the electrode. There is. Reference numeral 18 is a cooling pipe fixed to the lower portion of the electrode, one end of which is connected to a cooling water supply port (not shown) and the other end of which is connected to a discharge port.

【0013】今、図2で示すように電極13内に4個の
磁石14A乃至14Eと15A乃至15Eとを対称に組
み込めば、電極の内側には右から左に向かう一方向の磁
界B1が形成される。また、このような磁場を形成する
ように各磁石を配置すれば、図3に示すようにこの電極
13の直下、つまりこの電極とルツボ3との間に張り出
し磁界B2が形成される。そこで、まず、電極に向かう
電子eが張り出し磁界B2の影響を受けて直進すること
なく偏向されながら電極に到達するため、電子が蒸発粒
子と衝突する回数が増大し、イオンが多数発生する。こ
れにより低い圧力でもって、しかも電極への印加電圧が
低い状態で放電を行わせることができる。図4はガス圧
力に対する放電開始電圧の関係を示した実験結果であ
り、丸印は本発明の一方向の磁界を使用、三角印は従来
の多極磁界を使用、四角印は磁界を使用しない場合を夫
々示したものである。同図から明らかなように本発明の
如く一方向の磁界を形成したものを使用すれば、無磁界
や多極磁界を用いる場合に比べて低いガスの圧力雰囲気
中において低い印加電圧でもって放電を開始することが
できることが明瞭である。
As shown in FIG. 2, if four magnets 14A to 14E and 15A to 15E are symmetrically incorporated in the electrode 13, a unidirectional magnetic field B1 from the right to the left is formed inside the electrode. To be done. Further, when the magnets are arranged so as to form such a magnetic field, an overhanging magnetic field B2 is formed immediately below the electrode 13, that is, between the electrode and the crucible 3, as shown in FIG. Therefore, first, the electrons e toward the electrode reach the electrode while being deflected without being straightened by the influence of the overhanging magnetic field B2, so that the number of times the electrons collide with the vaporized particles increases and a large number of ions are generated. As a result, the discharge can be performed with a low pressure and in a state where the voltage applied to the electrodes is low. FIG. 4 is an experimental result showing the relationship between the discharge pressure and the gas pressure. The circles use the unidirectional magnetic field of the present invention, the triangles use the conventional multipole magnetic field, and the squares do not use the magnetic field. The cases are shown respectively. As is clear from the figure, when the one in which a unidirectional magnetic field is formed as in the present invention is used, the discharge is performed with a low applied voltage in a low gas pressure atmosphere as compared with the case where no magnetic field or a multipolar magnetic field is used. It is clear that we can start.

【0014】つぎに、電極13への電子が到達する部分
における磁界B1は、図3から明らかなようにほとんど
のものが電子の進行軌道と略平行となるため、効率良く
電子を電極に導くことができ、放電電圧を高くすること
なく所望の放電電流を得ることができる。図5は電極1
3に印加する電圧に対する電極に流れる電流の関係を示
した実験結果であり、丸印は本発明の一方向の磁界を使
用、三角印は従来の多極磁界を使用、四角印は磁界を使
用しない場合を夫々示したものである。同図から明らか
なように本発明の如く一方向の磁界を形成したものを使
用すれば、無磁界や多極磁界を用いる場合に比べて低い
放電電圧にて大きな放電電流が得られることが明瞭であ
る。
Next, as is clear from FIG. 3, most of the magnetic field B1 at the portion where the electrons reach the electrode 13 is substantially parallel to the traveling trajectory of the electrons, so that the electrons can be efficiently guided to the electrodes. Therefore, a desired discharge current can be obtained without increasing the discharge voltage. Figure 5 shows electrode 1
3 is an experimental result showing the relationship between the voltage applied to the electrode 3 and the current flowing through the electrode. The circles use the unidirectional magnetic field of the present invention, the triangles use the conventional multipole magnetic field, and the squares use the magnetic field. It shows the cases where they do not. As is clear from the figure, it is clear that a large discharge current can be obtained at a lower discharge voltage as compared with the case of using no magnetic field or multipolar magnetic field by using the one in which a magnetic field in one direction is formed as in the present invention. Is.

【0015】尚、前述の説明は本発明の一例であり、実
施にあたっては幾多の変形が考えられる。例えば上記実
施例では環状の電極内に一方向の磁界を形成するために
永久磁石を使用したが、この各永久磁石に代えて電磁石
を使用しても良い。また、図6に示すように電極13に
直接コイル19A,19Bを巻回しても良い。ここで、
電極内に形成する磁界の方向は、その磁界方向を蒸発材
料を照射する電子ビームの進行方向と逆になるように設
定した場合に、放電開始時におけるガス圧力と印加電圧
を一番低くすることができることを実験にて確認でき
た。
The above description is an example of the present invention, and various modifications are conceivable in implementation. For example, in the above embodiment, the permanent magnets are used to form a magnetic field in one direction in the annular electrode, but electromagnets may be used instead of the permanent magnets. Alternatively, as shown in FIG. 6, the coils 19A and 19B may be directly wound around the electrode 13. here,
When the direction of the magnetic field formed in the electrode is set to be opposite to the traveling direction of the electron beam irradiating the evaporation material, the gas pressure and applied voltage at the start of discharge should be the lowest. It was confirmed by an experiment that this was possible.

【0016】また、上記実施例では電子銃からの電子ビ
ームを約270°偏向させて蒸発材料に照射する場合を
示したが、電子銃と蒸発材料とを略同一平面内において
電子ビームを180°偏向さて蒸発材料に照射したりあ
るいは電子ビームを偏向させることなく直接蒸発材料に
照射するようにしても良く、さらには、電子ビームを使
用しないで加熱コイルやレーザ等の既知の加熱手段を使
用しても良い。
In the above embodiment, the electron beam from the electron gun is deflected by about 270 ° to irradiate the evaporation material, but the electron beam and the evaporation material are 180 ° in substantially the same plane. It may be deflected to irradiate the evaporation material or may be irradiated directly to the evaporation material without deflecting the electron beam. Furthermore, a known heating means such as a heating coil or a laser may be used without using the electron beam. May be.

【0017】さらに、上記実施例では電極に直流電圧を
印加させて放電を発生させたが、高周波電圧を印加して
も良い。
Furthermore, in the above embodiment, the DC voltage was applied to the electrodes to generate the discharge, but a high frequency voltage may be applied.

【0018】さらに、上記実施例では電極の形状とし
て、円形のものを使用したが、楕円や四角形のものを使
用しても良い。
Furthermore, in the above-mentioned embodiment, the shape of the electrode is circular, but it may be elliptical or quadrangular.

【0019】[0019]

【発明の効果】 以上のようになせば、低圧力で、しか
も低電圧で放電を発生させることができると共に、放電
電流を大きくすることのできるイオンプレーティング装
置を提供することができる。
As described above, it is possible to provide an ion plating apparatus that can generate discharge at low pressure and low voltage and can increase discharge current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明本発明に係るイオンプレーティング装
置の一例を示す構成概略図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an ion plating apparatus according to the present invention.

【図2】 本発明で使用される電極の平面図である。FIG. 2 is a plan view of an electrode used in the present invention.

【図3】 本発明の動作を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the present invention.

【図4】 ガス圧力に対する放電開始電圧との関係を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a gas pressure and a discharge starting voltage.

【図5】 電極への印加電圧に対する電極に流れる放電
電圧との関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a voltage applied to an electrode and a discharge voltage flowing through the electrode.

【図6】 本発明の他の例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing another example of the present invention.

【図7】 従来例を説明するための構成概略図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram for explaining a conventional example.

【図8】 従来例を説明するための構成概略図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram for explaining a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:容器 2:真空ポンプ 3:ルツボ 4:蒸発材料
5:電子銃 6:基板7:ホルダ 8:電源 9,1
3:電極 10:イオン電源11:ガス供給装置12A
乃至12H,14A乃至14D,15A乃至15D:永
久磁石 16,18:パイプ 17:穴 19A,19
B:コイル
1: Container 2: Vacuum pump 3: Crucible 4: Evaporating material 5: Electron gun 6: Substrate 7: Holder 8: Power supply 9, 1
3: Electrode 10: Ion power supply 11: Gas supply device 12A
To 12H, 14A to 14D, 15A to 15D: Permanent magnets 16, 18: Pipes 17: Holes 19A, 19
B: Coil

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ルツボ内に収容された蒸発物質を加熱蒸
発するための手段と、前記ルツボに対向するように置か
れかつホルダに保持された基板と、前記ルツボと基板と
の間に置かれた正の電圧が印加された環状電極とを備
え、前記ルツボと環状電極間で放電させることにより蒸
発物質をイオン化するようになした装置において、前記
環状電極の内側に一方向の磁場を形成したことを特徴と
するイオンプレーティング装置。
1. A means for heating and evaporating an evaporative substance contained in a crucible, a substrate placed facing the crucible and held by a holder, and placed between the crucible and the substrate. In a device having an annular electrode to which a positive voltage is applied and ionizing the vaporized substance by discharging between the crucible and the annular electrode, a unidirectional magnetic field is formed inside the annular electrode. An ion plating device characterized in that
JP24463191A 1991-08-29 1991-08-29 Ion plating device Withdrawn JPH0559539A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8300221B2 (en) 2007-11-14 2012-10-30 Korea Research Institute Of Standards And Science Minute measuring instrument for high speed and large area and method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8300221B2 (en) 2007-11-14 2012-10-30 Korea Research Institute Of Standards And Science Minute measuring instrument for high speed and large area and method thereof

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