JPH0558708A - 酸化物超伝導体 - Google Patents
酸化物超伝導体Info
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- JPH0558708A JPH0558708A JP3222920A JP22292091A JPH0558708A JP H0558708 A JPH0558708 A JP H0558708A JP 3222920 A JP3222920 A JP 3222920A JP 22292091 A JP22292091 A JP 22292091A JP H0558708 A JPH0558708 A JP H0558708A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】超伝導体に関し、特にＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-z
系酸化物超伝導体の提供を目的とする。 【構成】Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体であ
って、ランタノイド系列元素（Ｌｎ）の酸化物を出発原
料に含み、構造式がＳｒ1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ 3-z で
示されることを含み構成する。
系酸化物超伝導体の提供を目的とする。 【構成】Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体であ
って、ランタノイド系列元素（Ｌｎ）の酸化物を出発原
料に含み、構造式がＳｒ1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ 3-z で
示されることを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超伝導体に関す
る。近年、正孔注入型の酸化物超伝導体、例えばＹ（イ
ットリウム）系、Ｂｉ（ビスマス）系などの他に、電子
注入型の酸化物超伝導体が提案されている。正孔注入型
の酸化物超伝導体は、製造工程で酸素雰囲気のアニール
が必要になる。
る。近年、正孔注入型の酸化物超伝導体、例えばＹ（イ
ットリウム）系、Ｂｉ（ビスマス）系などの他に、電子
注入型の酸化物超伝導体が提案されている。正孔注入型
の酸化物超伝導体は、製造工程で酸素雰囲気のアニール
が必要になる。
【０００２】すると、実際に超伝導体が半導体装置など
に応用される意図で製造される場合は、超伝導体のみな
らず、その下方に例えば半導体が設けられていることが
多い。そのため、酸素雰囲気でのアニールをすることに
より、下方の半導体などに悪影響を及ぼしてしまうの
で、電子素子への応用には不適当である。
に応用される意図で製造される場合は、超伝導体のみな
らず、その下方に例えば半導体が設けられていることが
多い。そのため、酸素雰囲気でのアニールをすることに
より、下方の半導体などに悪影響を及ぼしてしまうの
で、電子素子への応用には不適当である。
【０００３】これに対し、電子注入型の超伝導体は水素
などの還元雰囲気のアニールによって形成され、酸素雰
囲気によって生じる前記したような悪影響があらわれな
いので、電子素子への応用に適している。
などの還元雰囲気のアニールによって形成され、酸素雰
囲気によって生じる前記したような悪影響があらわれな
いので、電子素子への応用に適している。
【０００４】そこで、電子素子への応用に適当な超伝導
体として、電子注入型の酸化物超伝導体が望まれてい
る。
体として、電子注入型の酸化物超伝導体が望まれてい
る。
【０００５】
【従来の技術】従来の電子注入型の酸化物超伝導体とし
ては、Ｌｎ2-x Ｃｅx ＣｕＯ4-y 系酸化物超伝導体のみ
が知られていた。
ては、Ｌｎ2-x Ｃｅx ＣｕＯ4-y 系酸化物超伝導体のみ
が知られていた。
【０００６】これに対し、新しい電子注入型の酸化物超
伝導体を製造したいという要求がある。ところで、電子
伝導を示す酸化物としてＳｒＶＯ3 が注目されている。
このＳｒＶＯ3 は、高い導電率（室温での比抵抗：２×
１０-4Ωｃｍ）をもち金属的挙動を示すものの、超伝導
特性は示さない。
伝導体を製造したいという要求がある。ところで、電子
伝導を示す酸化物としてＳｒＶＯ3 が注目されている。
このＳｒＶＯ3 は、高い導電率（室温での比抵抗：２×
１０-4Ωｃｍ）をもち金属的挙動を示すものの、超伝導
特性は示さない。
【０００７】また、既にある超伝導体としてＬａ2-X Ｓ
ｒX ＣｕＯ4 が知られている。そこで、ＳｒＶＯ3 にＬ
ａ（ランタン）を添加し、Ｌａ2-X ＳｒX ＣｕＯ4 の構
造を模することによって、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系の
酸化物超伝導体を製造しようという試みがなされてい
る。
ｒX ＣｕＯ4 が知られている。そこで、ＳｒＶＯ3 にＬ
ａ（ランタン）を添加し、Ｌａ2-X ＳｒX ＣｕＯ4 の構
造を模することによって、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系の
酸化物超伝導体を製造しようという試みがなされてい
る。
【０００８】すなわち、まず出発原料としてＳｒＣ
Ｏ3 ，ＮＨ4ＶＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 を用い、上記した出発
原料の粉末をアセトンやアルコール等の有機溶剤を分散
媒としてボールミルで混合し、粉砕する。その際、最終
生成物であるＳｒ1-X ＬａX ＶＯ 3-Z において、ｘ＝
０．２といった混合比になるように混合する。
Ｏ3 ，ＮＨ4ＶＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 を用い、上記した出発
原料の粉末をアセトンやアルコール等の有機溶剤を分散
媒としてボールミルで混合し、粉砕する。その際、最終
生成物であるＳｒ1-X ＬａX ＶＯ 3-Z において、ｘ＝
０．２といった混合比になるように混合する。
【０００９】次に、粉砕された出発原料の混合粉末を９
５０〜１０５０℃で１０〜２０時間、大気雰囲気で仮焼
する。さらに試料の均一性を増すために仮焼、粉砕を繰
り返し、均質な粉末を得る。
５０〜１０５０℃で１０〜２０時間、大気雰囲気で仮焼
する。さらに試料の均一性を増すために仮焼、粉砕を繰
り返し、均質な粉末を得る。
【００１０】次いで、一軸成形法などにより、上記過程
で均質になった粉末を１ｔ／ｃｍ2 程度の圧力でプレス
成形し、成形された生成物を１０００〜１２００℃で１
０〜３０時間、水素雰囲気で焼成することにより、Ｓｒ
0.8 Ｌａ0.2 ＶＯ3 なる物質を製造することができる。
で均質になった粉末を１ｔ／ｃｍ2 程度の圧力でプレス
成形し、成形された生成物を１０００〜１２００℃で１
０〜３０時間、水素雰囲気で焼成することにより、Ｓｒ
0.8 Ｌａ0.2 ＶＯ3 なる物質を製造することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のよう
に、ＳｒＶＯ3 にＬａのみを添加する試料によると、図
３に示すように、温度の減少とともに形成された試料の
比抵抗は一次関数的に減少するだけでゼロにならず、臨
界温度Ｔｃを持たない。このことは、この試料が超伝導
特性を示していないことを意味する。さらに、この試料
は大気中，室温保存といった条件において10〜20時間で
ボロボロに分解してしまう。すなわち、この試料による
と、超伝導特性を示さず、しかも大気中で分解してしま
うといった問題が生じる。なお、図３は従来例の問題点
を説明するグラフであり、このグラフで横軸は温度、縦
軸はそのときの各試料の比抵抗を示している。
に、ＳｒＶＯ3 にＬａのみを添加する試料によると、図
３に示すように、温度の減少とともに形成された試料の
比抵抗は一次関数的に減少するだけでゼロにならず、臨
界温度Ｔｃを持たない。このことは、この試料が超伝導
特性を示していないことを意味する。さらに、この試料
は大気中，室温保存といった条件において10〜20時間で
ボロボロに分解してしまう。すなわち、この試料による
と、超伝導特性を示さず、しかも大気中で分解してしま
うといった問題が生じる。なお、図３は従来例の問題点
を説明するグラフであり、このグラフで横軸は温度、縦
軸はそのときの各試料の比抵抗を示している。
【００１２】そこで、分解した試料をＸ線回折で分析し
たところ、試料中のＬａがＬａ( ＯＨ )3 （水酸化ラン
タン）に変化していたことが分かった。これは、試料中
のＬａが、焼成の際に用いられた雰囲気中の水分と何ら
かの要因で反応したものによると思われる。
たところ、試料中のＬａがＬａ( ＯＨ )3 （水酸化ラン
タン）に変化していたことが分かった。これは、試料中
のＬａが、焼成の際に用いられた雰囲気中の水分と何ら
かの要因で反応したものによると思われる。
【００１３】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
て創作されたものであり、大気中に保存しても安定な電
子注入型の酸化物超伝導体の提供を目的とする。
て創作されたものであり、大気中に保存しても安定な電
子注入型の酸化物超伝導体の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＳｒ1-x Ｌ
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体は、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ
3-Z 系酸化物超伝導体であって、ランタノイド系列元素
（Ｌｎ）の酸化物を出発原料に含み、構造式がＳｒ
1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3-z で示されることを特徴とす
る酸化物超伝導体によって上記目的を達成する。
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体は、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ
3-Z 系酸化物超伝導体であって、ランタノイド系列元素
（Ｌｎ）の酸化物を出発原料に含み、構造式がＳｒ
1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3-z で示されることを特徴とす
る酸化物超伝導体によって上記目的を達成する。
【００１５】又、前記ランタノイド系列元素（Ｌｎ）
は、少なくとも、Ｃｅ（セリウム），Ｐｒ（プラセオジ
ム），Ｎｄ（ネオジム），Ｓｍ（サマリウム）又はＧｄ
（ガドリニウム）であることを特徴とする酸化物超伝導
体によって上記目的を達成する。
は、少なくとも、Ｃｅ（セリウム），Ｐｒ（プラセオジ
ム），Ｎｄ（ネオジム），Ｓｍ（サマリウム）又はＧｄ
（ガドリニウム）であることを特徴とする酸化物超伝導
体によって上記目的を達成する。
【００１６】更に、前記酸化物超伝導体において、ｘ＋
ｙ≦０．２であることを特徴とする酸化物超伝導体によ
って上記目的を達成する。又、前記酸化物超伝導体にお
いて、ｘ≦ｙであることを特徴とする酸化物超伝導体に
よって上記目的を達成する。
ｙ≦０．２であることを特徴とする酸化物超伝導体によ
って上記目的を達成する。又、前記酸化物超伝導体にお
いて、ｘ≦ｙであることを特徴とする酸化物超伝導体に
よって上記目的を達成する。
【００１７】
【作 用】本発明のＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系酸化物超
伝導体によれば、製造工程でＬａと固溶体を形成するラ
ンタノイド系列元素（Ｌｎ，例えばＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｓｍ，Ｇｄ等）の酸化物が添加されている。
伝導体によれば、製造工程でＬａと固溶体を形成するラ
ンタノイド系列元素（Ｌｎ，例えばＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｓｍ，Ｇｄ等）の酸化物が添加されている。
【００１８】このため、従来のようなＳｒＶＯ3 にＬａ
のみを添加する試料のように、形成された試料が超伝導
特性を示さなかったり、大気中、室温保存といった条件
においてボロボロに分解したりといったことなどが抑止
され、大気中保存においても試料中のＬａがＬａ( ＯＨ
)3 に変化することなく、変質しない試料を得ることが
出来る。即ち、本発明による試料は大気中で安定であ
り、かつ超伝導特性を示す。
のみを添加する試料のように、形成された試料が超伝導
特性を示さなかったり、大気中、室温保存といった条件
においてボロボロに分解したりといったことなどが抑止
され、大気中保存においても試料中のＬａがＬａ( ＯＨ
)3 に変化することなく、変質しない試料を得ることが
出来る。即ち、本発明による試料は大気中で安定であ
り、かつ超伝導特性を示す。
【００１９】これにより、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系で
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。なお、本発明の酸化物超伝導体の構造式であ
るＳｒ1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3- z において、ｘ＋ｙ≦
０．２といった条件を付与することにより、純粋な超伝
導物質以外の不純物の析出が抑止される。
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。なお、本発明の酸化物超伝導体の構造式であ
るＳｒ1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3- z において、ｘ＋ｙ≦
０．２といった条件を付与することにより、純粋な超伝
導物質以外の不純物の析出が抑止される。
【００２０】又、前記のＳｒ1-x-y Ｌａx ＬｎyＶＯ
3-z において、ｘ≦ｙという条件を付与することによ
り、試料が緩やかに分解するということを抑止でき、試
料がさらに安定になる。
3-z において、ｘ≦ｙという条件を付与することによ
り、試料が緩やかに分解するということを抑止でき、試
料がさらに安定になる。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例を図を参照しながら説明
する。図１は本発明の実施例に係るＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ
3-Z 系酸化物超伝導体の製造工程の説明図であり、図２
は本実施例の超伝導体の比抵抗の温度依存性を示したグ
ラフである。
する。図１は本発明の実施例に係るＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ
3-Z 系酸化物超伝導体の製造工程の説明図であり、図２
は本実施例の超伝導体の比抵抗の温度依存性を示したグ
ラフである。
【００２２】以下で本実施例の酸化物超伝導体の製造工
程について説明する。本実施例においては、出発原料と
してＳｒＣＯ3 ，ＮＨ4 ＶＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ
11を用いている。ここでＰｒ6 Ｏ11は、ランタノイド系
列元素であるＰｒの酸化物であり、Ｌａと固溶体を形成
するものである。
程について説明する。本実施例においては、出発原料と
してＳｒＣＯ3 ，ＮＨ4 ＶＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｐｒ6 Ｏ
11を用いている。ここでＰｒ6 Ｏ11は、ランタノイド系
列元素であるＰｒの酸化物であり、Ｌａと固溶体を形成
するものである。
【００２３】このような出発原料の粉末をアセトンやア
ルコール等の有機溶剤を分散媒としてボールミル１で混
合し、粉砕する。その際、本実施例によって形成される
超伝導体Ｓｒ1-x-y Ｌａx Ｐｒy ＶＯ3-Z においてｘ＝
０．０５，ｙ＝０．１０といった混合比になるように混
合する（図１（ａ），（ｂ））。
ルコール等の有機溶剤を分散媒としてボールミル１で混
合し、粉砕する。その際、本実施例によって形成される
超伝導体Ｓｒ1-x-y Ｌａx Ｐｒy ＶＯ3-Z においてｘ＝
０．０５，ｙ＝０．１０といった混合比になるように混
合する（図１（ａ），（ｂ））。
【００２４】次に、粉砕された出発原料の混合粉末を９
５０〜１０５０℃で１０〜２０時間、大気雰囲気で電気
炉２を用いて仮焼する。こうして試料の均一性を増すた
めに仮焼、粉砕を繰り返し、均質な粉末を得る（図１
（ｃ））。
５０〜１０５０℃で１０〜２０時間、大気雰囲気で電気
炉２を用いて仮焼する。こうして試料の均一性を増すた
めに仮焼、粉砕を繰り返し、均質な粉末を得る（図１
（ｃ））。
【００２５】次いで、一軸成形法により、上記過程で均
質になった粉末を１ｔ／ｃｍ2 程度の圧力で、圧縮器３
により円板状にプレス成形し（図１（ｄ））、成形され
た生成物を１０００〜１２００℃で１０〜３０時間、水
素雰囲気で電気炉２によって焼成することにより、Ｓｒ
1-x ＬａxＰｒy ＶＯ3-Z で示される酸化物超伝導体の
１つであるＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 を製造する
ことが可能になる（図１（ｅ））。
質になった粉末を１ｔ／ｃｍ2 程度の圧力で、圧縮器３
により円板状にプレス成形し（図１（ｄ））、成形され
た生成物を１０００〜１２００℃で１０〜３０時間、水
素雰囲気で電気炉２によって焼成することにより、Ｓｒ
1-x ＬａxＰｒy ＶＯ3-Z で示される酸化物超伝導体の
１つであるＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 を製造する
ことが可能になる（図１（ｅ））。
【００２６】次に、前記工程で製造された試料Ｓｒ0.85
Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 の超伝導特性について図２を参
照しながら説明する。図２において、点線部は、従来例
に係る試料Ｓｒ0.85Ｌａ0.05ＶＯ3 であり、Ｌａと固溶
体を形成するＰｒの酸化物であるＰｒ6 Ｏ11を出発原料
に加えていない。一方、図２の実線部は、本実施例によ
って形成されたＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ 0.1 ＶＯ3 のグラ
フであり、Ｌａと固溶体を形成するＰｒの酸化物である
Ｐｒ6 Ｏ11を出発原料に加えている。このグラフで横軸
は温度（Ｋ）を示し、縦軸はそのときの各試料の比抵抗
（Ωｃｍ）を示している。
Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 の超伝導特性について図２を参
照しながら説明する。図２において、点線部は、従来例
に係る試料Ｓｒ0.85Ｌａ0.05ＶＯ3 であり、Ｌａと固溶
体を形成するＰｒの酸化物であるＰｒ6 Ｏ11を出発原料
に加えていない。一方、図２の実線部は、本実施例によ
って形成されたＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ 0.1 ＶＯ3 のグラ
フであり、Ｌａと固溶体を形成するＰｒの酸化物である
Ｐｒ6 Ｏ11を出発原料に加えている。このグラフで横軸
は温度（Ｋ）を示し、縦軸はそのときの各試料の比抵抗
（Ωｃｍ）を示している。
【００２７】図２に示すように、従来例による生成物で
あるＳｒ0.85Ｌａ0.05ＶＯ3 の比抵抗の温度依存性は、
温度が下がるにつれてほぼ一次関数的に減少し、超伝導
の重要な特性である比抵抗がゼロになるという現象がお
こらない。
あるＳｒ0.85Ｌａ0.05ＶＯ3 の比抵抗の温度依存性は、
温度が下がるにつれてほぼ一次関数的に減少し、超伝導
の重要な特性である比抵抗がゼロになるという現象がお
こらない。
【００２８】一方、本実施例によって形成されたＳｒ
0.85Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 の温度依存性をみると、温
度の減少につれて最初はほぼ一次関数的に減少している
が、温度が５０Ｋになると、急激に比抵抗の減少が進
み、ほぼ３０Ｋで比抵抗がゼロになってしまう（臨界温
度Ｔｃ＝３０Ｋ）。更に、このＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ
0.1 ＶＯ3 は大気中に保存しても、従来のように変質す
ることなく、安定な物質である。
0.85Ｌａ0.05Ｐｒ0.1 ＶＯ3 の温度依存性をみると、温
度の減少につれて最初はほぼ一次関数的に減少している
が、温度が５０Ｋになると、急激に比抵抗の減少が進
み、ほぼ３０Ｋで比抵抗がゼロになってしまう（臨界温
度Ｔｃ＝３０Ｋ）。更に、このＳｒ0.85Ｌａ0.05Ｐｒ
0.1 ＶＯ3 は大気中に保存しても、従来のように変質す
ることなく、安定な物質である。
【００２９】なお、実験によると、Ｓｒ1-x Ｌａx Ｌｎ
y ＶＯ3-Z という構造式で示される酸化物超伝導体にお
いて、ｘ＋ｙが０．２以上になると、純粋な超伝導物質
以外の不純物が析出してしまい、純粋な超伝導物質の形
成が困難になる。
y ＶＯ3-Z という構造式で示される酸化物超伝導体にお
いて、ｘ＋ｙが０．２以上になると、純粋な超伝導物質
以外の不純物が析出してしまい、純粋な超伝導物質の形
成が困難になる。
【００３０】更に、やはり実験によれば、Ｓｒ1-x Ｌａ
x Ｌｎy ＶＯ3-Z という構造式で示される酸化物超伝導
体において、ｘがｙより大きくなると、ごく緩やかに試
料の分解が進行する。
x Ｌｎy ＶＯ3-Z という構造式で示される酸化物超伝導
体において、ｘがｙより大きくなると、ごく緩やかに試
料の分解が進行する。
【００３１】したがって、Ｓｒ1-x Ｌａx Ｌｎy ＶＯ
3-Z なる構造式で示され、かつ大気中で安定な酸化物超
伝導体を製造する際には、ｘ＋ｙ≦０．２，ｘ≦ｙとい
う条件が必要になる。
3-Z なる構造式で示され、かつ大気中で安定な酸化物超
伝導体を製造する際には、ｘ＋ｙ≦０．２，ｘ≦ｙとい
う条件が必要になる。
【００３２】すなわち、前記条件を満たせば、Ｌａと固
溶体を形成するＰｒの酸化物であるＰｒ6 Ｏ11を出発原
料に加えることにより、大気中で安定であるようなＳｒ
1-x Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体を製造する
ことができる。ちなみに、本実施例で製造したＳｒ0.85
Ｌａ0.05Ｐｒ0.1ＶＯ3 はこの条件を満たしている（ｘ
＝０．０５，ｙ＝０．１０，ｘ＋ｙ＝０．１５）。
溶体を形成するＰｒの酸化物であるＰｒ6 Ｏ11を出発原
料に加えることにより、大気中で安定であるようなＳｒ
1-x Ｌａx Ｌｎy ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体を製造する
ことができる。ちなみに、本実施例で製造したＳｒ0.85
Ｌａ0.05Ｐｒ0.1ＶＯ3 はこの条件を満たしている（ｘ
＝０．０５，ｙ＝０．１０，ｘ＋ｙ＝０．１５）。
【００３３】以上示したように、本実施例のＳｒ1-x Ｌ
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体によれば、製造工程でＬ
ａと固溶体を形成するランタノイド系列元素の酸化物で
あるＰｒ6 Ｏ11が出発原料に添加されている。
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体によれば、製造工程でＬ
ａと固溶体を形成するランタノイド系列元素の酸化物で
あるＰｒ6 Ｏ11が出発原料に添加されている。
【００３４】このため、従来のようなＳｒＶＯ3 にＬａ
のみを添加する試料のように、形成された試料が超伝導
特性を示さなかったり、大気中、室温保存といった条件
においてボロボロに分解したりといったことなどが極力
抑止され、大気中保存においても試料中のＬａがＬａ(
ＯＨ )3 に変化することなく、変質しない試料を得るこ
とが出来る。即ち、本発明による試料は大気中で安定で
あり、かつ超伝導特性を示す。
のみを添加する試料のように、形成された試料が超伝導
特性を示さなかったり、大気中、室温保存といった条件
においてボロボロに分解したりといったことなどが極力
抑止され、大気中保存においても試料中のＬａがＬａ(
ＯＨ )3 に変化することなく、変質しない試料を得るこ
とが出来る。即ち、本発明による試料は大気中で安定で
あり、かつ超伝導特性を示す。
【００３５】これにより、Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系で
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。なお、本実施例においては、出発原料に添加
するランタノイド系列元素の例としてＰｒのみを用いて
いるが、他のランタノイド系物質、例えばＣｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等においても同様の効果を得ることが
出来る。
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。なお、本実施例においては、出発原料に添加
するランタノイド系列元素の例としてＰｒのみを用いて
いるが、他のランタノイド系物質、例えばＣｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等においても同様の効果を得ることが
出来る。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のＳｒ1-x Ｌ
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体によれば、製造過程でＬ
ａと固溶体を形成するランタノイド系列元素の酸化物が
添加されている。
ａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体によれば、製造過程でＬ
ａと固溶体を形成するランタノイド系列元素の酸化物が
添加されている。
【００３７】このため、大気中に保存しても変質せず安
定な酸化物超伝導体であるＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系で
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。
定な酸化物超伝導体であるＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系で
あって、新しい電子注入型の酸化物超伝導体の製造が可
能になる。
【００３８】これにより、電子素子に応用可能な超伝導
体の提供に寄与するところ大である。
体の提供に寄与するところ大である。
【図１】本発明の実施例に係るＳｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z
系酸化物超伝導体の製造工程の説明図である。
系酸化物超伝導体の製造工程の説明図である。
【図２】本発明の実施例に係る超伝導体の比抵抗の温度
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図３】従来例の問題点を説明するグラフである。
１…ボールミル、 ２…電気炉、 ３…圧縮器。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｓｒ1-x Ｌａx ＶＯ3-Z 系酸化物超伝導体
であって、ランタノイド系列元素（Ｌｎ）の酸化物を出
発原料に含み、構造式がＳｒ1-x-y Ｌａx Ｌｎy ＶＯ
3-z で示されることを特徴とする酸化物超伝導体。 - 【請求項２】請求項１記載のランタノイド系列元素（Ｌ
ｎ）は、少なくとも、Ｃｅ（セリウム），Ｐｒ（プラセ
オジム），Ｎｄ（ネオジム），Ｓｍ（サマリウム）又は
Ｇｄ（ガドリニウム）であることを特徴とする酸化物超
伝導体。 - 【請求項３】請求項１記載の酸化物超伝導体において、
ｘ＋ｙ≦０．２であることを特徴とする酸化物超伝導
体。 - 【請求項４】請求項１記載の酸化物超伝導体において、
ｘ≦ｙであることを特徴とする酸化物超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222920A JPH0558708A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3222920A JPH0558708A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 酸化物超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558708A true JPH0558708A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16789936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3222920A Withdrawn JPH0558708A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0558708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046592A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Ibaraki Univ | バナデート系複合酸化物の製造方法 |
| JP2012144382A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Ibaraki Univ | バナデート系複合酸化物の製造方法 |
| CN104307504A (zh) * | 2014-09-17 | 2015-01-28 | 桂林理工大学 | 可见光响应的光催化剂La5VO10及其制备方法 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3222920A patent/JPH0558708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046592A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Ibaraki Univ | バナデート系複合酸化物の製造方法 |
| JP2012144382A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Ibaraki Univ | バナデート系複合酸化物の製造方法 |
| CN104307504A (zh) * | 2014-09-17 | 2015-01-28 | 桂林理工大学 | 可见光响应的光催化剂La5VO10及其制备方法 |
| CN104307504B (zh) * | 2014-09-17 | 2016-08-24 | 桂林理工大学 | 可见光响应的光催化剂La5VO10及其制备方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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