JPH0555171A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置Info
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- JPH0555171A JPH0555171A JP3218189A JP21818991A JPH0555171A JP H0555171 A JPH0555171 A JP H0555171A JP 3218189 A JP3218189 A JP 3218189A JP 21818991 A JP21818991 A JP 21818991A JP H0555171 A JPH0555171 A JP H0555171A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置において給電効率を高めて
加工処理速度を向上させ、かつ加工状態がばらつくのを
抑制する。 【構成】 アノード電極２１にその下部電極２３を貫通
する端子収容部２５を設ける。高周波電源１４に接続さ
れたＲＦ給電端子８を、端子収容部２５に挿入して上部
電極２２に接続した。アノード電極２１における上部電
極２２と下部電極２３との合わせ面が給電経路から外れ
る。給電経路中の接触抵抗を最小限にすることができ、
給電効率が向上するから、プラズマ密度が減少したり、
処理能力が低下するのを可及的抑えることができる。
加工処理速度を向上させ、かつ加工状態がばらつくのを
抑制する。 【構成】 アノード電極２１にその下部電極２３を貫通
する端子収容部２５を設ける。高周波電源１４に接続さ
れたＲＦ給電端子８を、端子収容部２５に挿入して上部
電極２２に接続した。アノード電極２１における上部電
極２２と下部電極２３との合わせ面が給電経路から外れ
る。給電経路中の接触抵抗を最小限にすることができ、
給電効率が向上するから、プラズマ密度が減少したり、
処理能力が低下するのを可及的抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板等にエッチ
ングや成膜などの処理をプラズマによって施すプラズマ
処理方法およびプラズマ処理装置に関する。
ングや成膜などの処理をプラズマによって施すプラズマ
処理方法およびプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ処理装置としては、真空
チャンバー内にカソード電極とアノード電極を設けて両
電極に高周波電源を印加するように構成されたものがあ
る。この種のプラズマ処理装置を図２によって説明す
る。
チャンバー内にカソード電極とアノード電極を設けて両
電極に高周波電源を印加するように構成されたものがあ
る。この種のプラズマ処理装置を図２によって説明す
る。
【０００３】図２は従来のプラズマ処理装置を示す断面
図である。同図において、１は真空チャンバーで、この
真空チャンバー１内の上部にはカソード電極２が設けら
れ、下部には半導体基板３が載置されるアノード電極４
が設けられている。なお、この真空チャンバー１は、不
図示の真空ポンプに接続され、内部が所定圧力に維持さ
れるように構成されている。
図である。同図において、１は真空チャンバーで、この
真空チャンバー１内の上部にはカソード電極２が設けら
れ、下部には半導体基板３が載置されるアノード電極４
が設けられている。なお、この真空チャンバー１は、不
図示の真空ポンプに接続され、内部が所定圧力に維持さ
れるように構成されている。
【０００４】前記カソード電極２は、反応ガス（図中矢
印Ａで示す）が供給される中空部を有し、真空チャンバ
ー１に電気的に接続された状態で固定されている。ま
た、このカソード電極２の下部には、真空チャンバー１
内と前記中空部とを連通する反応ガス導入口５が多数穿
設されている。なお、このカソード電極２の中空部に
は、カソード電極２の上部に接続された反応ガス供給管
６から反応ガスＡが供給されるように構成されている。
印Ａで示す）が供給される中空部を有し、真空チャンバ
ー１に電気的に接続された状態で固定されている。ま
た、このカソード電極２の下部には、真空チャンバー１
内と前記中空部とを連通する反応ガス導入口５が多数穿
設されている。なお、このカソード電極２の中空部に
は、カソード電極２の上部に接続された反応ガス供給管
６から反応ガスＡが供給されるように構成されている。
【０００５】前記アノード電極４は半導体基板３を支承
する上部電極７と、ＲＦ給電端子８が接続された下部電
極９とから上下に２分割形成されており、真空チャンバ
ー１の内側底部に絶縁部材１０を介して固定されてい
る。また、上部電極７と下部電極９との間には、温調用
の媒体１１を循環させるための中空部が形成されてい
る。すなわち、アノード電極４は、前記媒体１１が漏洩
しないように、上部電極７と下部電極９とが組み合わさ
れた状態で封止処理されて結合されている。
する上部電極７と、ＲＦ給電端子８が接続された下部電
極９とから上下に２分割形成されており、真空チャンバ
ー１の内側底部に絶縁部材１０を介して固定されてい
る。また、上部電極７と下部電極９との間には、温調用
の媒体１１を循環させるための中空部が形成されてい
る。すなわち、アノード電極４は、前記媒体１１が漏洩
しないように、上部電極７と下部電極９とが組み合わさ
れた状態で封止処理されて結合されている。
【０００６】１２は前記温調用媒体１０をアノード電極
４へ供給するための供給用チューブ、１３は同じく排出
用チューブで、それぞれアノード電極４の下部電極９に
接続されている。
４へ供給するための供給用チューブ、１３は同じく排出
用チューブで、それぞれアノード電極４の下部電極９に
接続されている。
【０００７】１４は前記カソード電極２およびアノード
電極４に高周波電力を供給するためのＲＦ電源で、この
ＲＦ電源１４は整合器１５を介して前記ＲＦ給電端子８
および真空チャンバー１に接続されている。なお、１６
はこれら部材を電気的に接続するための同軸ケーブル、
１７は同軸ケーブル用コネクタで、同軸ケーブル１６の
アース線はアースケーブル１８を介して真空チャンバー
１に接続されている。
電極４に高周波電力を供給するためのＲＦ電源で、この
ＲＦ電源１４は整合器１５を介して前記ＲＦ給電端子８
および真空チャンバー１に接続されている。なお、１６
はこれら部材を電気的に接続するための同軸ケーブル、
１７は同軸ケーブル用コネクタで、同軸ケーブル１６の
アース線はアースケーブル１８を介して真空チャンバー
１に接続されている。
【０００８】次に、このように構成された従来のプラズ
マ処理装置によって半導体基板３をプラズマ処理（エッ
チングあるいは成膜処理）する手順について説明する。
先ず、半導体基板３をアノード電極４上に載置させ、真
空チャンバー１内を所定の圧力に減圧させた後、カソー
ド電極２に反応ガスＡを供給する。
マ処理装置によって半導体基板３をプラズマ処理（エッ
チングあるいは成膜処理）する手順について説明する。
先ず、半導体基板３をアノード電極４上に載置させ、真
空チャンバー１内を所定の圧力に減圧させた後、カソー
ド電極２に反応ガスＡを供給する。
【０００９】カソード電極２に反応ガス供給管６から導
入された反応ガスＡは、カソード電極２の中空部に拡散
した後、多数の反応ガス導入孔５から真空チャンバー１
内に供給される。
入された反応ガスＡは、カソード電極２の中空部に拡散
した後、多数の反応ガス導入孔５から真空チャンバー１
内に供給される。
【００１０】その後、ＲＦ電源１４から整合器１５，同
軸ケーブル１６およびＲＦ給電端子８を介してアノード
電極４に高周波電力を供給する。アノード電極４に給電
されると、アノード電極４とカソード電極２との間でガ
ス放電が生じ、反応ガスＡはプラズマとなって半導体基
板３に導かれる。
軸ケーブル１６およびＲＦ給電端子８を介してアノード
電極４に高周波電力を供給する。アノード電極４に給電
されると、アノード電極４とカソード電極２との間でガ
ス放電が生じ、反応ガスＡはプラズマとなって半導体基
板３に導かれる。
【００１１】このとき、半導体基板３の表面では、反応
ガスの種類に応じてエッチングあるいは成膜処理が施さ
れることになる。このようにして半導体基板３がプラズ
マ処理される。
ガスの種類に応じてエッチングあるいは成膜処理が施さ
れることになる。このようにして半導体基板３がプラズ
マ処理される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のプラ
ズマ処理装置では、ＲＦ給電端子８がアノード電極４の
下部電極９に接続されているので、下部電極９と上部電
極７との合わせ面での抵抗により給電効率が低下してし
まう。給電効率が低下すると、プラズマ密度、ひいては
処理速度が低下してしまう。また、上記合わせ面での抵
抗のばらつきにより、号機間で処理速度がばらつくとい
う問題も生じる。
ズマ処理装置では、ＲＦ給電端子８がアノード電極４の
下部電極９に接続されているので、下部電極９と上部電
極７との合わせ面での抵抗により給電効率が低下してし
まう。給電効率が低下すると、プラズマ密度、ひいては
処理速度が低下してしまう。また、上記合わせ面での抵
抗のばらつきにより、号機間で処理速度がばらつくとい
う問題も生じる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理方法は、高周波電源を、アノード電極における半導体
基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するもので
ある。
理方法は、高周波電源を、アノード電極における半導体
基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するもので
ある。
【００１４】本発明に係るプラズマ処理装置は、アノー
ド電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高
周波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿
入してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続
したものである。
ド電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高
周波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿
入してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続
したものである。
【００１５】
【作用】高周波電源は半導体基板支持用表側部材に直接
印加され、アノード電極における半導体基板支持用表側
部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から外れる。
印加され、アノード電極における半導体基板支持用表側
部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から外れる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示
す断面図である。同図において前記図２で説明したもの
と同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳
細な説明は省略する。図１において、２１は本発明に係
るプラズマ処理装置で、このプラズマ処理装置２１は後
述するアノード電極部分を除いては従来の装置と同等の
構造とされている。
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示
す断面図である。同図において前記図２で説明したもの
と同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳
細な説明は省略する。図１において、２１は本発明に係
るプラズマ処理装置で、このプラズマ処理装置２１は後
述するアノード電極部分を除いては従来の装置と同等の
構造とされている。
【００１７】２１はアノード電極で、このアノード電極
２１は、半導体基板支持用表側部材としての上部電極２
２と、裏側部材としての下部電極２３とから２分割形成
されており、その内部には温調用媒体１１を循環させる
ための中空部２４が形成されている。
２１は、半導体基板支持用表側部材としての上部電極２
２と、裏側部材としての下部電極２３とから２分割形成
されており、その内部には温調用媒体１１を循環させる
ための中空部２４が形成されている。
【００１８】前記中空部２４は全体が略円環状に形成さ
れており、上部電極２１および下部電極２３における前
記円環の中央となる部分には、下部電極２３を貫通する
端子収容部２５が形成されている。
れており、上部電極２１および下部電極２３における前
記円環の中央となる部分には、下部電極２３を貫通する
端子収容部２５が形成されている。
【００１９】そして、ＲＦ給電端子８が前記端子収容部
２５に下側から挿入され、上部電極２１に接続されてい
る。
２５に下側から挿入され、上部電極２１に接続されてい
る。
【００２０】２６は前記ＲＦ給電端子８からの電磁放射
を遮蔽するための金属製の遮蔽カバーで、ＲＦ給電端子
取付け部分を下方から覆うように構成されている。な
お、同軸ケーブル１６や供給用チューブ１２，排出用チ
ューブ１３は、この遮蔽カバー２６を貫通している。
を遮蔽するための金属製の遮蔽カバーで、ＲＦ給電端子
取付け部分を下方から覆うように構成されている。な
お、同軸ケーブル１６や供給用チューブ１２，排出用チ
ューブ１３は、この遮蔽カバー２６を貫通している。
【００２１】このように構成されたプラズマ処理装置で
は、真空チャンバー１内に反応ガスＡが供給された状態
でアノード電極２１の上部電極２２に高周波電力が直接
供給されて半導体基板３にプラズマ処理が施される。
は、真空チャンバー１内に反応ガスＡが供給された状態
でアノード電極２１の上部電極２２に高周波電力が直接
供給されて半導体基板３にプラズマ処理が施される。
【００２２】したがって、アノード電極２１における上
部電極２２下部電極２３との合わせ面が給電経路から外
れることになるから、給電効率が向上する。また、この
構造を採用すると、同一装置を複数台使用したとして
も、各装置のアノード電極２１での通電抵抗が略同一と
なるから、号機間での処理能力がばらつくこともなくな
る。
部電極２２下部電極２３との合わせ面が給電経路から外
れることになるから、給電効率が向上する。また、この
構造を採用すると、同一装置を複数台使用したとして
も、各装置のアノード電極２１での通電抵抗が略同一と
なるから、号機間での処理能力がばらつくこともなくな
る。
【００２３】また、本実施例で示したようにＲＦ給電端
子部分を遮蔽カバー２５で覆う構造とすると、ＲＦ給電
端子８から放射される電磁波が装置外に洩れるのを防ぐ
ことができる。このため、プラズマ処理装置の近傍に位
置する制御装置等がＲＦ給電端子８からの電磁波の放射
により誤動作するという不具合を解消することができ
る。
子部分を遮蔽カバー２５で覆う構造とすると、ＲＦ給電
端子８から放射される電磁波が装置外に洩れるのを防ぐ
ことができる。このため、プラズマ処理装置の近傍に位
置する制御装置等がＲＦ給電端子８からの電磁波の放射
により誤動作するという不具合を解消することができ
る。
【００２４】なお、本実施例ではＲＦ給電端子８をアノ
ード電極２１とは別体に製造し、上部電極２２にボルト
によって締付け固定した例を示したが、本発明はこのよ
うな限定にとらわれることなく、例えば、ＲＦ給電端子
８と上部電極２２とを一体に形成することもできる。こ
のようにすると、部品点数が削減されることに加えて接
続部分での接触抵抗が減少するので、より一層有利とな
る。
ード電極２１とは別体に製造し、上部電極２２にボルト
によって締付け固定した例を示したが、本発明はこのよ
うな限定にとらわれることなく、例えば、ＲＦ給電端子
８と上部電極２２とを一体に形成することもできる。こ
のようにすると、部品点数が削減されることに加えて接
続部分での接触抵抗が減少するので、より一層有利とな
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るプラズ
マ処理方法は、高周波電源を、アノード電極における半
導体基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するも
のであり、本発明に係るプラズマ処理装置は、アノード
電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高周
波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿入
してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続し
たものであるため、高周波電源は半導体基板支持用表側
部材に直接印加され、アノード電極における半導体基板
支持用表側部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から
外れることになる。したがって、給電経路中の接触抵抗
を最小限にすることができ、給電効率が向上するから、
プラズマ密度が減少したり、処理能力が低下するのを可
及的抑えることができる。また、給電経路での接触抵抗
のばらつきを抑制できるので、号機間での加工処理速度
のばらつきを小さくできる。
マ処理方法は、高周波電源を、アノード電極における半
導体基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するも
のであり、本発明に係るプラズマ処理装置は、アノード
電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高周
波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿入
してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続し
たものであるため、高周波電源は半導体基板支持用表側
部材に直接印加され、アノード電極における半導体基板
支持用表側部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から
外れることになる。したがって、給電経路中の接触抵抗
を最小限にすることができ、給電効率が向上するから、
プラズマ密度が減少したり、処理能力が低下するのを可
及的抑えることができる。また、給電経路での接触抵抗
のばらつきを抑制できるので、号機間での加工処理速度
のばらつきを小さくできる。
【００２６】したがって、本発明に係るプラズマ処理装
置を使用して半導体基板をプラズマ処理すると、加工処
理速度が速くなり、しかも、ばらつきの小さい安定した
加工を行なうことができる。
置を使用して半導体基板をプラズマ処理すると、加工処
理速度が速くなり、しかも、ばらつきの小さい安定した
加工を行なうことができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】従来のプラズマ処理装置を示す断面図である。
１ 真空チャンバー ２ カソード電極 ３ 半導体基板 ８ ＲＦ給電端子 １１ 温調用媒体 １４ ＲＦ電源 ２１ アノード電極 ２２ 上部電極 ２３ 下部電極 ２４ 中空部 ２５ 端子収容部 ２６ 遮蔽カバー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ処理装置としては、真空
チャンバー内にカソード電極とアノード電極を設けて両
電極に高周波電力を印加するように構成されたものがあ
る。この種のプラズマ処理装置を図２によって説明す
る。
チャンバー内にカソード電極とアノード電極を設けて両
電極に高周波電力を印加するように構成されたものがあ
る。この種のプラズマ処理装置を図２によって説明す
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】１２は前記温調用媒体１１をアノード電極
４へ供給するための供給用チューブ、１３は同じく排出
用チューブで、それぞれアノード電極４の下部電極９に
接続されている。
４へ供給するための供給用チューブ、１３は同じく排出
用チューブで、それぞれアノード電極４の下部電極９に
接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】１４は前記カソード電極２およびアノード
電極４に高周波電力を供給するためのＲＦ電源で、この
ＲＦ電源１４は整合器１５を介して前記ＲＦ給電端子８
に接続されている。なお、１６はこれら部材を電気的に
接続するための同軸ケーブル、１７は同軸ケーブル用コ
ネクタで、同軸ケーブル１６のアース線はアースケーブ
ル１８を介して真空チャンバー１に接続されている。
電極４に高周波電力を供給するためのＲＦ電源で、この
ＲＦ電源１４は整合器１５を介して前記ＲＦ給電端子８
に接続されている。なお、１６はこれら部材を電気的に
接続するための同軸ケーブル、１７は同軸ケーブル用コ
ネクタで、同軸ケーブル１６のアース線はアースケーブ
ル１８を介して真空チャンバー１に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理方法は、高周波電力を、アノード電極における半導体
基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するもので
ある。
理方法は、高周波電力を、アノード電極における半導体
基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するもので
ある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【作用】高周波電力は半導体基板支持用表側部材に直接
印加され、アノード電極における半導体基板支持用表側
部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から外れる。
印加され、アノード電極における半導体基板支持用表側
部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から外れる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示
す断面図である。同図において前記図２で説明したもの
と同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳
細な説明は省略する。図１において、２７は本発明に係
るプラズマ処理装置で、このプラズマ処理装置２７は後
述するアノード電極部分を除いては従来の装置と同等の
構造とされている。
に説明する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示
す断面図である。同図において前記図２で説明したもの
と同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳
細な説明は省略する。図１において、２７は本発明に係
るプラズマ処理装置で、このプラズマ処理装置２７は後
述するアノード電極部分を除いては従来の装置と同等の
構造とされている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】前記中空部２４は全体が略円環状に形成さ
れており、上部電極２２および下部電極２３における前
記円環の中央となる部分には、下部電極２３を貫通する
端子収容部２５が形成されている。
れており、上部電極２２および下部電極２３における前
記円環の中央となる部分には、下部電極２３を貫通する
端子収容部２５が形成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】そして、ＲＦ給電端子８が前記端子収容部
２５に下側から挿入され、上部電極２２に接続されてい
る。
２５に下側から挿入され、上部電極２２に接続されてい
る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】また、本実施例で示したようにＲＦ給電端
子部分を遮蔽カバー２６で覆う構造とすると、ＲＦ給電
端子８から放射される電磁波が装置外に洩れるのを防ぐ
ことができる。このため、プラズマ処理装置の近傍に位
置する制御装置等がＲＦ給電端子８からの電磁波の放射
により誤動作するという不具合を解消することができ
る。
子部分を遮蔽カバー２６で覆う構造とすると、ＲＦ給電
端子８から放射される電磁波が装置外に洩れるのを防ぐ
ことができる。このため、プラズマ処理装置の近傍に位
置する制御装置等がＲＦ給電端子８からの電磁波の放射
により誤動作するという不具合を解消することができ
る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るプラズ
マ処理方法は、高周波電力を、アノード電極における半
導体基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するも
のであり、本発明に係るプラズマ処理装置は、アノード
電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高周
波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿入
してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続し
たものであるため、高周波電力は半導体基板支持用表側
部材に直接印加され、アノード電極における半導体基板
支持用表側部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から
外れることになる。したがって、給電経路中の接触抵抗
を最小限にすることができ、給電効率が向上するから、
プラズマ密度が減少したり、処理能力が低下するのを可
及的抑えることができる。また、給電経路での接触抵抗
のばらつきを抑制できるので、号機間での加工処理速度
のばらつきを小さくできる。
マ処理方法は、高周波電力を、アノード電極における半
導体基板支持用表側部材とカソード電極とに印加するも
のであり、本発明に係るプラズマ処理装置は、アノード
電極にその裏側部材を貫通する端子収容部を設け、高周
波電源に接続された給電端子を、前記端子収容部に挿入
してアノード電極の半導体基板支持用表側部材に接続し
たものであるため、高周波電力は半導体基板支持用表側
部材に直接印加され、アノード電極における半導体基板
支持用表側部材と裏側部材との合わせ面が給電経路から
外れることになる。したがって、給電経路中の接触抵抗
を最小限にすることができ、給電効率が向上するから、
プラズマ密度が減少したり、処理能力が低下するのを可
及的抑えることができる。また、給電経路での接触抵抗
のばらつきを抑制できるので、号機間での加工処理速度
のばらつきを小さくできる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバー内に反応ガスを供給し、
この真空チャンバー内のカソード電極と、このカソード
電極と対向する半導体基板支持用表側部材および裏側部
材とで２分割形成されかつ内部に温調用媒体が供給され
る中空部が設けられたアノード電極とに高周波電源を印
加することによってプラズマを発生させ、このプラズマ
によってアノード電極上の半導体基板をプラズマ処理す
るプラズマ処理方法において、高周波電源を、アノード
電極における半導体基板支持用表側部材とカソード電極
とに印加することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 反応ガスが供給される真空チャンバー内
に、カソード電極と、このカソード電極と対向する半導
体基板支持用表側部材および裏側部材とで２分割形成さ
れかつ内部に温調用媒体が供給される中空部が設けられ
たアノード電極とを備えたプラズマ処理装置において、
前記アノード電極にその裏側部材を貫通する端子収容部
を設け、高周波電源に接続された給電端子を、前記端子
収容部に挿入してアノード電極の半導体基板支持用表側
部材に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218189A JPH0555171A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218189A JPH0555171A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555171A true JPH0555171A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16716011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218189A Pending JPH0555171A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555171A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517722A (ja) * | 1999-06-29 | 2003-05-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波電力をプラズマ処理チャンバに送給するプラズマ処理システム、装置、及び方法 |
| KR20150039121A (ko) * | 2013-10-01 | 2015-04-09 | 램 리써치 코포레이션 | Rf 전달 경로의 임피던스의 제어 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3218189A patent/JPH0555171A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517722A (ja) * | 1999-06-29 | 2003-05-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波電力をプラズマ処理チャンバに送給するプラズマ処理システム、装置、及び方法 |
| JP4695799B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2011-06-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 高周波電力をプラズマ処理チャンバに送給するプラズマ処理システム、及び方法 |
| KR20150039121A (ko) * | 2013-10-01 | 2015-04-09 | 램 리써치 코포레이션 | Rf 전달 경로의 임피던스의 제어 |
| JP2015097197A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-05-21 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Ｒｆ伝送路のインピーダンスの制御 |
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