JPH0552763U - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

Info

Publication number
JPH0552763U
JPH0552763U JP11119791U JP11119791U JPH0552763U JP H0552763 U JPH0552763 U JP H0552763U JP 11119791 U JP11119791 U JP 11119791U JP 11119791 U JP11119791 U JP 11119791U JP H0552763 U JPH0552763 U JP H0552763U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass portion
electrode
stationary electrode
acceleration sensor
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11119791U
Other languages
English (en)
Inventor
圭輔 宇野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Priority to JP11119791U priority Critical patent/JPH0552763U/ja
Publication of JPH0552763U publication Critical patent/JPH0552763U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 静電容量型加速度センサにおいて、マス部が
静止電極に接触して短絡したり、マス部が静電吸着され
たりすることを防止する。 【構成】 枠型をしたフレーム1の中央にマス部2が配
設されており、マス部2は4本の弾性を有するビーム3
によって両持ち状にフレーム1に支持されている。マス
部2の下面には可動電極5が設けられている。フレーム
1の下面に接着された基板4の内面にはマス部2の可動
電極5に対向して静止電極6が設けられており、静止電
極6は所定膜厚の誘電体層7により被覆されている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は加速度センサに関する。具体的には、加速度によって生じるマス部の 変位を静電容量変化として検出する加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は従来の加速度センサ50を示す断面図である。この加速度センサ50に あっては、角枠状をしたフレーム51の中央にマス部52が配設されており、マ ス部52は4本のビーム53によって両持ち状にフレーム51に支持されている 。マス部52は、ビーム53の弾性変形によってマス部52の厚さ方向(図6の X方向)に自由に微小変位できるようになっている。また、マス部52はフレー ム51よりも薄くなっており、その底面には可動電極55が形成されている。
【0003】 フレーム51の下面には基板54が重ねられ、基板54の周辺部は接着剤等に よりフレーム51に接着されている。基板54の内面には、マス部52の可動電 極55と微小なギャップを隔てて静止電極56が設けられており、マス部52の 可動電極55と静止電極56とによりコンデンサが形成されている。
【0004】 しかして、ビーム53に支持されたマス部52がX方向に加速度を受けて変位 した場合、マス部52の変位量に応じてマス部52の可動電極55と静止電極5 6の間のギャップ量が変化して静電容量が変わる。従って、この静電容量の値の 変化を電気信号として出力することによって加速度を検知することができる。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
このような静電型の加速度センサ50にあっては、マス部52の可動電極55 と静止電極56の間に直流電圧を印加しておき、両電極55,56のギャップ量 の変化すなわち静電容量の変化を検出しているので、この直流電圧により両電極 55,56間に静電引力が発生している。このため、マス部52が加速度により 変位して両電極55,56同士が近づき過ぎ、マス部52に作用する静電引力が マス部52を初期位置に戻そうとするビーム53の弾性力よりも大きくなると、 マス部52が静止電極56に静電吸着される。
【0006】 こうしてマス部52と静止電極56が静電吸着した場合には、一旦、加速度セ ンサ50の電源を切るなどして直流電圧を低下させてマス部52を静止電極56 から切り離さないと、加速度を検出できなかった。また、静電吸着によりマス部 52の可動電極55と静止電極56とが接触すると、両電極55,56同士が短 絡され、過電流が流れて電源や回路等が破損する恐れがあった。
【0007】 なお、可動電極と静止電極の間のギャップ量を大きくすればマス部と静止電極 との衝突を防止できるが、あまり両電極間のギャップ量が大きくなると、加速度 センサの感度が低下し、微弱な加速度を検出できなくなる。
【0008】 本考案は、叙上の従来例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とする ところは、静電容量型加速度センサにおけるマス部の静止電極側への静電吸着を 防止することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本考案による第1の加速度センサは、弾性を有するビームにより支持体にマス 部を揺動自在に支持させ、当該マス部の電極面に対向させて静止電極を配置し、 当該マス部の電極面の表面と当該静止電極の表面とのうち少なくともいずれか一 方に誘電体層を設けたことを特徴としている。
【0010】 地震検出用の用途においては、上記誘電体層の厚みをマス部の電極面と静止電 極の間のギャップ量に略等しくするとよい。
【0011】 また、本考案による第2の加速度センサは、弾性を有するビームによりマス部 を支持した支持体と静止電極を設けた基板とを貼り合わせ、当該静止電極とマス 部の電極面を対向させた加速度センサにおいて、前記基板のマス部との対向面に 絶縁体層を形成し、前記マス部に対向させてマス部よりも小さな開口部を絶縁体 層に開口したことを特徴としている。
【0012】
【作用】
第1の加速度センサにあっては、マス部の電極面と静止電極のうち少なくとも いずれか一方に誘電体層を設けてあるので、マス部が静止電極に静電吸着された り、マス部が大きく変位して静止電極に接近し過ぎたりしても、誘電体層に隔て られてマス部の電極面と静止電極が直接に接触する恐れがない。従って、マス部 の電極面と静止電極が接触により短絡し、回路に過電流が流れるのを防止するこ とができる。
【0013】 さらに、マス部の電極面と静止電極の間に誘電体層が介在するので、マス部と 静止電極からなるコンデンサの静電容量が大きくなり、加速度センサの感度が向 上する。
【0014】 また、誘電体層の厚みを適当に選択すれば、マス部の電極面と静止電極とが一 定距離以上接近できないので、マス部と静止電極の静電吸着を防止することがで きる。
【0015】 特に、地震検出用に用いる場合には、誘電体層の厚みをマス部の電極面と静止 電極の間のギャップ量に略等しくすれば、マス部は静止電極側へ移動しなくなる ので、マス部の静電吸着を確実に防止できる。加えて、大きな振動や衝撃を受け る地震検出用に用いても、マス部が静止電極と反対側へのみ変位できて静止電極 側へは変位できないから、ビームが繰り返し弾性変形しても弾性疲労により破壊 しにくくなる。
【0016】 また、第2の加速度センサにあっても、基板に絶縁体層を形成し、前記マス部 に対向させてマス部よりも小さな開口部を絶縁体層に開口しているから、マス部 が静止電極に静電吸着されたり、マス部が大きく変位して静止電極に接近し過ぎ たりしても、絶縁体層に妨げられてマス部の電極面が静止電極に直接接触する恐 れがない。従って、マス部の電極面と静止電極が接触により短絡し、回路に過電 流が流れるのを防止することができる。また、絶縁体層の厚みを適当に選択すれ ば、マス部の電極面と静止電極とが一定距離以上接近できないので、マス部と静 止電極の静電吸着を防止できる。
【0017】 さらに、マス部が静止電極側へ接近する時には、マス部と絶縁体層の開口部内 の間で空気が圧縮されるので、マス部の変位スピードをダンピングさせることが でき、マス部が静止電極へ大きなスピードで衝突してビームが破壊することを防 止できる。
【0018】
【実施例】
図1及び図2は本考案の一実施例による地震検出用の加速度センサ10を示す 断面図及び分解斜視図である。角枠状をしたフレーム1の中央にマス部2が配設 されており、マス部2は4本の薄いビーム3によって両持ち状にフレーム1に支 持されている。ここで、マス部2は、ビーム3の弾性変形によってマス部2の厚 さ方向(図中のX方向)に自由に微小変位できるようになっている。また、マス 部2の下面はフレーム1の下面よりも上方へ引っ込んでおり、この下面には可動 電極5が設けられている。なお、このフレーム1、マス部2及びビーム3は、シ リコンウエハに半導体製造プロセスを用いることによって一体加工されたもので ある。
【0019】 フレーム1の下面にはパイレックスガラス製の基板4が重ねられ、基板4の周 辺部は接着剤等によりフレーム1の下面に接着されている。図2に示すように、 基板4の上面には、マス部2の可動電極5と対向するようにして静止電極6が設 けられており、静止電極6の上には厚みの大きな誘電体層7が設けられている。 したがって、マス部2の可動電極5と静止電極6と誘電体層7によりコンデンサ が形成されている。なお、誘電体層7は、スクリーン印刷等の厚膜技術によって 形成することができる。
【0020】 しかして、加速度センサ10が加速度を感じると、慣性力とビーム3の弾性復 帰力のためにマス部2が加速度に比例した変位量だけ変位し、可動電極5と静止 電極6の間の距離が変化し、当該コンデンサの静電容量が変化する。よって、静 電容量検出回路(図示せず)により可動電極5と静止電極6との間に電圧を印加 しておき、可動電極5と静止電極6の間の静電容量の変化を電圧変化に変換して 出力することにより、加速度を検出する。
【0021】 ここで、前記誘電体層7の厚みは、加速度が0の時の可動電極5と静止電極6 との距離に等しくしてある。すなわち、加速度センサ10に加速度や振動が働い ておらず、マス部2が静電容量検出回路から印加されている電圧による静止電極 6との間の静電引力とビーム3の弾性復帰力だけで釣り合っている状態における 可動電極5と静止電極6との間のギャップ量に、誘電体層7の厚みを等しくして ある。
【0022】 従って、マス部2は、静止電極6側へ変位させるような加速度が加わった場合 には、誘電体層7に接触したまま静止しており、マス部2を静止電極6から遠ざ ける方向に加速度が加わった場合には、誘電体層7から離れて変位する。よって 、この加速度センサ10によって、図3に示すような地震波形(実線及び破線を 合わせた全体の波形)を検出した場合、当該加速度センサ10はその片側、すな わち図3で実線で表わされている部分しか検知することができない。しかしなが ら、地震センサに要求される機能は、地震による振動と人為的な振動を判別する ことにあるので、振幅の片側しか検出できない加速度センサであっても地震検出 用には十分である。
【0023】 また、マス部2は静止電極6に接近する方向へは移動しないので、マス部2が 静止電極6に静電吸着したり、接触して短絡する恐れもない。さらに、マス部2 は片側にしか変位せず、ビーム3の撓み方向も一方のみとなるので、当該加速度 センサ10に強い振動が連続的に加えられても、ビーム3が繰り返し曲げによる 弾性疲労により破壊されることがない。従って、地震検出用の加速度センサとし て好都合であり、例えばガスメータに設置して地震時にガスの元電磁弁を自動的 に閉成させるために使用することができる。
【0024】 なお、上記誘電体層7は基板4側に設けられているが、マス部2の可動電極5 の上に設けてもよい。いずれの側に設けるかによって誘電体層7の重量分だけマ ス部2の重量が変わり、ひいては加速度センサ10の感度が変わるので、加速度 センサ10の用途等に応じて決めることができる。
【0025】 図4及び図5は本考案の別な実施例による加速度センサ20を示す断面図及び 分解斜視図である。この加速度センサ20においては、マス部2の下面にマス部 2の下面よりも若干小さな可動電極5を設けてあり、基板4の内面に可動電極5 とほぼ等しい面積の静止電極6を設けてある。また、基板4の内面の静止電極6 の周囲にはSiO2やSi34等からなる絶縁体層9を設けてあり、絶縁体層9 には静止電極6に対応して開口部8が開口されている。このため、この開口部8 の開口面積はマス部2の下面の面積よりも若干小さくなっており、マス部2が絶 縁体層9の位置に達しても、マス部2が開口部8内にはまり込むことがなく、マ ス部2の下面の外周部が開口部8の外周部に当たって停止する。
【0026】 従って、この加速度センサ20にあっても、可動電極5と静止電極6とはほぼ 絶縁体層9の厚み以上には接近できず、接触することもないので、可動電極5と 静止電極6との短絡を防止できる。
【0027】 さらに、この加速度センサ20では、マス部2と対向させて絶縁体層9に開口 部8が設けられているので、激しい振動等が加わってマス部2が静止電極6側へ 大きな変位速度で接近した場合、マス部2によって開口部8内の空気が圧縮され 、圧縮空気の反発力によってマス部2の変位スピードがダンピングされる。この 結果、マス部2が静止電極6等に衝突するのを避けることができ、あるいは、衝 突の衝撃を緩衝させることができ、マス部2やビーム3が破損するのを防止でき る。
【0028】 さらに、この実施例においても、この絶縁体層9の厚みを、静電容量検出回路 からの電圧によって発生している静電引力によりマス部2が静止電極6に静電吸 着されるときの可動電極5と静止電極6との距離よりも大きくしておけば、マス 部2が静止電極6に静電吸着されて加速度センサ20が動作不能になるのを妨げ ることができる。特に、この実施例においても、図1の実施例と同様、加速度セ ンサ20に加速度や振動が加わっておらず、可動電極5と静止電極6の間の静電 引力とビーム3による弾性復帰力とが釣り合っている状態におけるマス部2の下 面と基板4の内面との距離に、絶縁体層9の厚みを等しくしておくのが好ましい 。これによって、ビーム3の弾性疲労による破壊を防止でき、振動の半分の波形 のみを検出する地震検出用の加速度センサとすることができる。
【0029】
【考案の効果】
本考案によれば、マス部が静止電極に静電吸着されたり、マス部が大きく変位 して静止電極に接近し過ぎたりしても、マス部の電極面が静止電極に接触して短 絡する恐れがなく、回路を過電流から保護できる。
【0030】 また、誘電体層や絶縁体層の厚みを適当に選択すれば、マス部と静止電極の静 電吸着を防止できる。
【0031】 特に、地震検出用に用いる場合には、誘電体層の厚みをマス部の電極面と静止 電極の間のギャップ量に略等しくすれば、マス部は静止電極側へ移動しなくなる ので、マス部の静電吸着を確実に防止できる。加えて、大きな振動や衝撃を受け る地震検出用に用いても、マス部が静止電極と反対側へのみ変位できて静止電極 側へは変位できないから、ビームが繰り返し弾性変形しても弾性疲労により破壊 しにくくなるという利点がある。
【0032】 また、マス部の電極面と静止電極の間に誘電体層を設けた加速度センサでは、 電極間の静電容量が大きくなり、加速度センサの感度が向上する。
【0033】 また、マス部に対向する絶縁体層に開口部をあけた加速度センサでは、マス部 のダンピング効果によりビーム破壊を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による加速度センサを示す断
面図である。
【図2】同上の実施例を示す分解斜視図である。
【図3】同上の加速度センサにより検出した地震の振動
波形図である。
【図4】本考案の別な実施例による加速度センサを示す
断面図である。
【図5】同上の実施例を示す分解斜視図である。
【図6】従来例の加速度センサを示す断面図である。
【符号の説明】
1 フレーム 2 マス部 3 ビーム 4 基板 5 可動電極 6 静止電極 7 誘電体層 8 絶縁体層の開口部 9 絶縁体層

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 弾性を有するビームにより支持体にマス
    部を揺動自在に支持させ、当該マス部の電極面に対向さ
    せて静止電極を配置し、当該マス部の電極面の表面と当
    該静止電極の表面とのうち少なくともいずれか一方に誘
    電体層を設けたことを特徴とする加速度センサ。
  2. 【請求項2】 地震検出用の加速度センサにおいて、前
    記誘電体層の厚みを前記マス部の電極面と前記静止電極
    の間のギャップ量に略等しくしたことを特徴とする請求
    項1に記載の加速度センサ。
  3. 【請求項3】 弾性を有するビームによりマス部を支持
    した支持体と静止電極を設けた基板とを貼り合わせ、当
    該静止電極とマス部の電極面を対向させた加速度センサ
    において、前記基板のマス部との対向面に絶縁体層を形
    成し、前記マス部に対向させてマス部よりも小さな開口
    部を絶縁体層に開口したことを特徴とする加速度セン
    サ。
JP11119791U 1991-12-18 1991-12-18 加速度センサ Pending JPH0552763U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11119791U JPH0552763U (ja) 1991-12-18 1991-12-18 加速度センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11119791U JPH0552763U (ja) 1991-12-18 1991-12-18 加速度センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0552763U true JPH0552763U (ja) 1993-07-13

Family

ID=14554964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11119791U Pending JPH0552763U (ja) 1991-12-18 1991-12-18 加速度センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0552763U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4230706B2 (ja) 非線形的復原力のバネを有するmems素子
US5777226A (en) Sensor structure with L-shaped spring legs
JP5356689B2 (ja) 少なくとも2つの間隙寸法と、活性コンデンサ空間の外側に配置された行程ストッパを備えているz軸加速度計
EP0753156B1 (en) Sensor structure with l-shaped spring legs
US7210352B2 (en) MEMS teeter-totter apparatus with curved beam and method of manufacture
US20090262958A1 (en) Comb sense microphone
US20090031809A1 (en) Symmetrical differential capacitive sensor and method of making same
JP2012225920A (ja) マイクロ−電子機械システム(mems)デバイス
JP2001099855A (ja) マイクロマシニング型の回転角加速度センサ
JPWO2014122910A1 (ja) Memsデバイス
JP2015031692A (ja) 強いショックおよび加速のときのロバスト動作のためのmems装置増強
JPH09127151A (ja) 加速度センサ
TWI700237B (zh) 微機電系統裝置及多層結構
US5604313A (en) Varying apparent mass accelerometer
US7004028B2 (en) Capacitance z-axis accelerometer
US7000473B2 (en) MEM structure having reduced spring stiction
JPH0552763U (ja) 加速度センサ
JP3371250B2 (ja) 静電トルカ型加速度計
US6080944A (en) Acceleration actuated microswitch
JPH0627137A (ja) 加速度センサ
JP2002048813A (ja) 容量式加速度センサ
US10544037B2 (en) Integrated semiconductor device and manufacturing method
JPH0552762U (ja) 加速度センサ
JP3677944B2 (ja) 振動検知装置
JPH087227B2 (ja) 加速度センサ