JPH0551193B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0551193B2 JPH0551193B2 JP29469986A JP29469986A JPH0551193B2 JP H0551193 B2 JPH0551193 B2 JP H0551193B2 JP 29469986 A JP29469986 A JP 29469986A JP 29469986 A JP29469986 A JP 29469986A JP H0551193 B2 JPH0551193 B2 JP H0551193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- optical device
- optical
- well structure
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 100
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 33
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デバイス、特に半導体量子井戸を利
用した光デバイスおよびその光デバイスを用いた
光制御方法に関するものであり、更に具体的に
は、定常電圧の印加により光の入出力特性が制御
可能で、またパルス電圧の重畳により光スイツチ
動作を行わせることが可能な光デバイスとその動
作方法に関する。
用した光デバイスおよびその光デバイスを用いた
光制御方法に関するものであり、更に具体的に
は、定常電圧の印加により光の入出力特性が制御
可能で、またパルス電圧の重畳により光スイツチ
動作を行わせることが可能な光デバイスとその動
作方法に関する。
近年、半導体量子井戸の物性を利用した高性能
の光デバイスの研究、開発が活発化している。特
に、低消費電力および低光入力で動作する光双安
定機能を有する光デバイスは、光コンピユータの
要素デバイスであるというだけでなく、光スイツ
チ、光変調器等への応用が可能であるという点で
も注目される。
の光デバイスの研究、開発が活発化している。特
に、低消費電力および低光入力で動作する光双安
定機能を有する光デバイスは、光コンピユータの
要素デバイスであるというだけでなく、光スイツ
チ、光変調器等への応用が可能であるという点で
も注目される。
半導体量子井戸を利用した光双安定機能を有す
る主たるデバイスは次の２つに分けることができ
る。１つは半導体量子井戸構造を光学的干渉計の
１つであるエタロン中に配置し、吸収率および屈
折率が入射光強度に依存して変化する非線形光学
効果を利用して、光の入出力特性にヒステリシス
を出現させる非線形エタロンである。もう１つは
半導体量子井戸構造の界面方向に垂直に電界を印
加した時に励起子吸収のピークがエネルギー的に
シフトすることを利用したデバイスである。この
デバイスは、量子井戸構造から取り出せる光吸収
電流が電界強度に対して非線形な依存性を示すこ
とを利用したもので、光吸収に基づく電流をそれ
に比例した電界として量子井戸構造にフイードバ
ツクする機構を有しており、自己電気光学効果デ
バイス（SEED）と呼ばれている。
る主たるデバイスは次の２つに分けることができ
る。１つは半導体量子井戸構造を光学的干渉計の
１つであるエタロン中に配置し、吸収率および屈
折率が入射光強度に依存して変化する非線形光学
効果を利用して、光の入出力特性にヒステリシス
を出現させる非線形エタロンである。もう１つは
半導体量子井戸構造の界面方向に垂直に電界を印
加した時に励起子吸収のピークがエネルギー的に
シフトすることを利用したデバイスである。この
デバイスは、量子井戸構造から取り出せる光吸収
電流が電界強度に対して非線形な依存性を示すこ
とを利用したもので、光吸収に基づく電流をそれ
に比例した電界として量子井戸構造にフイードバ
ツクする機構を有しており、自己電気光学効果デ
バイス（SEED）と呼ばれている。
上述した前者の非線形エタロンについては、ギ
ブス（Gibbs）、ターング（Tarng）らによるア
プライド・フイジクス・レターズ（Appl.Phys.
Lett.）誌の1982年第41巻、３号の221頁から222
頁にわたつて掲載された論文中の中で、GaAs／
AlGaAs多重量子井戸を利用したデバイス構成お
よび動作特性について述べられている。
ブス（Gibbs）、ターング（Tarng）らによるア
プライド・フイジクス・レターズ（Appl.Phys.
Lett.）誌の1982年第41巻、３号の221頁から222
頁にわたつて掲載された論文中の中で、GaAs／
AlGaAs多重量子井戸を利用したデバイス構成お
よび動作特性について述べられている。
また、後者のSEEDに関しては、ミラー
（Miller）、およびチエムラ（Chemla）らによる
アイイーイーイー・ジヤーナル・オブ・カンタ
ム／エレクトロニクス（IEEE J.Quantum
Electronics）誌の1985年第21巻、９号の1462頁
から1476頁にわたつて掲載された論文の中で述べ
られている。この論文中ではGaAs／AlGaAs多
重量子井戸を用いたデバイス構成および動作原理
と詳細な動作特性が示されている。
（Miller）、およびチエムラ（Chemla）らによる
アイイーイーイー・ジヤーナル・オブ・カンタ
ム／エレクトロニクス（IEEE J.Quantum
Electronics）誌の1985年第21巻、９号の1462頁
から1476頁にわたつて掲載された論文の中で述べ
られている。この論文中ではGaAs／AlGaAs多
重量子井戸を用いたデバイス構成および動作原理
と詳細な動作特性が示されている。
しかし、このような従来の光デバイスにあつて
は、次のような問題がある。即ち、上述した非線
形エタロンにおいては、半導体量子井戸中の擬２
次元励起子吸収に基づく非線形光学効果を利用し
ており、この効果の大きさは励起子の吸収幅内の
光波長によりかなり大きく変化する。このことか
ら、所定の動作を実現するためには入射光の波長
をかなり厳密に選択しなければならないという欠
点を有する。また、このデバイスでは電気的な制
御により光スイツチ、光変調器の機能を実現すう
ことはできない。
は、次のような問題がある。即ち、上述した非線
形エタロンにおいては、半導体量子井戸中の擬２
次元励起子吸収に基づく非線形光学効果を利用し
ており、この効果の大きさは励起子の吸収幅内の
光波長によりかなり大きく変化する。このことか
ら、所定の動作を実現するためには入射光の波長
をかなり厳密に選択しなければならないという欠
点を有する。また、このデバイスでは電気的な制
御により光スイツチ、光変調器の機能を実現すう
ことはできない。
一方、SEEDにおいては入射光波長が一定であ
つても光の入出力特性を電気的に制御することが
可能であり、原理的には電気的制御により光スイ
ツチ動作が可能な反面、光双安定動作における光
の透過率が大きな状態と小さな状態の比、即ちオ
ン・オフ比が２にも満たず非常に小さいという欠
点を有する。オン・オフ比自体は量子井戸構造の
井戸数を増やして積算した吸収長を大きくとれば
改善可能であるが、しかしこの場合には、当然の
ことながらオンの状態でも出射光強度が非常に小
さくなるという問題が生じる。
つても光の入出力特性を電気的に制御することが
可能であり、原理的には電気的制御により光スイ
ツチ動作が可能な反面、光双安定動作における光
の透過率が大きな状態と小さな状態の比、即ちオ
ン・オフ比が２にも満たず非常に小さいという欠
点を有する。オン・オフ比自体は量子井戸構造の
井戸数を増やして積算した吸収長を大きくとれば
改善可能であるが、しかしこの場合には、当然の
ことながらオンの状態でも出射光強度が非常に小
さくなるという問題が生じる。
本発明の目的は、上述した従来の光デバイスの
欠点を除去した光双安定機能を有する光デバイス
を提供し、さらに、それを有効に活用するための
光制御方法を提供することにある。
欠点を除去した光双安定機能を有する光デバイス
を提供し、さらに、それを有効に活用するための
光制御方法を提供することにある。
本発明の光デバイスは、平行な２つの表面と内
部に量子井戸構造を有する半導体薄膜における前
記２つの表面に高反射率の反射膜を施してエタロ
ンを構成すると共に、このエタロン内の量子井戸
構造に積層方向に電界を印加するための電極を有
することを特徴としている。
部に量子井戸構造を有する半導体薄膜における前
記２つの表面に高反射率の反射膜を施してエタロ
ンを構成すると共に、このエタロン内の量子井戸
構造に積層方向に電界を印加するための電極を有
することを特徴としている。
また、本発明の光制御方法は、平行な２つの表
面の内部に量子井戸構造を有する半導体薄膜にお
ける前記２つの表面に高反射率の反射膜を施して
エタロンとし、かつこのエタロン内の量子井戸構
造に積層方向に電界を印加するための電極を有す
る光デバイスを用い、 前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネ
ルギーに近い光子エネルギーを有する光を前記光
デバイスの一方の反射膜を施した面から入射させ
たときの他方の反射膜を施した面からの出射光の
強度の入射光強度に対する依存性を、前記光デバ
イスの電極に定常電圧を印加して前記励起子吸収
ピークをエネルギー的にシフトさせることによ
り、制御することを特徴としている。
面の内部に量子井戸構造を有する半導体薄膜にお
ける前記２つの表面に高反射率の反射膜を施して
エタロンとし、かつこのエタロン内の量子井戸構
造に積層方向に電界を印加するための電極を有す
る光デバイスを用い、 前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネ
ルギーに近い光子エネルギーを有する光を前記光
デバイスの一方の反射膜を施した面から入射させ
たときの他方の反射膜を施した面からの出射光の
強度の入射光強度に対する依存性を、前記光デバ
イスの電極に定常電圧を印加して前記励起子吸収
ピークをエネルギー的にシフトさせることによ
り、制御することを特徴としている。
更に、本発明の光制御方法は、平行な２つの表
面と内部に量子井戸構造を有する半導体薄膜にお
ける前記２つの表面に高反射率の反射膜を施して
エタロンとし、かつこのエタロン内の量子井戸構
造に積層方向に電界を印加するための電極を有す
る光デバイスを用い、 この光デバイスの一方の反射膜を施した面から
前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネル
ギーに近い光子エネルギーを有する光を入射さ
せ、 かつこの光の強度を、前記光デバイスが電極に
定常電圧を印加された状態で示す他方の反射膜を
施した面からの出射光強度の入射光強度に対する
双安定特性のヒステリシス幅の範囲内の強度に設
定し、 前記定常電圧に電圧パルスを重畳することによ
り、前記励起子吸収ピークがエネルギーシフトす
ることによる前記双安定特性の入射光強度に対す
るシフトを利用して出射光強度の安定状態を反転
させることを特徴としている。
面と内部に量子井戸構造を有する半導体薄膜にお
ける前記２つの表面に高反射率の反射膜を施して
エタロンとし、かつこのエタロン内の量子井戸構
造に積層方向に電界を印加するための電極を有す
る光デバイスを用い、 この光デバイスの一方の反射膜を施した面から
前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネル
ギーに近い光子エネルギーを有する光を入射さ
せ、 かつこの光の強度を、前記光デバイスが電極に
定常電圧を印加された状態で示す他方の反射膜を
施した面からの出射光強度の入射光強度に対する
双安定特性のヒステリシス幅の範囲内の強度に設
定し、 前記定常電圧に電圧パルスを重畳することによ
り、前記励起子吸収ピークがエネルギーシフトす
ることによる前記双安定特性の入射光強度に対す
るシフトを利用して出射光強度の安定状態を反転
させることを特徴としている。
本発明は、非線形エタロン中の量子井戸に電界
の印加することにより量子井戸中の励起子の吸収
ピークがエネルギー的にシフトすることに着目
し、このことが励起子吸収ピーク近傍のある光波
長で見た実効的な非線形光学効果の大きさが電界
によつて変化することに対応するという知見に基
づいている。本発明による光デバイスに定常電圧
を印加した場合、印加電圧に応じて非線形光学効
果の大きさが変わるためある波長の光の入出力関
係において、光双安定性の生じる入射光強度およ
び双安定性のヒステリシス幅を可変にできる他、
微分利得特性等も得ることができる。さらに、こ
の原理を拡張すれば電圧印加による光スイツチ動
作が可能となる。つまり、ある波長において、光
の入出力関係に双安定性が現れる定常電圧を印加
しておき、エタロンへの入射光強度を双安定性の
ヒステリシス幅肺に設定しておけば、この状態で
さらに適当な極性の適当な電圧値、時間幅を有す
る電圧パルスを重畳することで、設定した入射光
強度においての出力の２値安定特性を一時的に消
滅させることができる。これを利用して最初の双
安定特性の安定状態を反転させることができる。
の印加することにより量子井戸中の励起子の吸収
ピークがエネルギー的にシフトすることに着目
し、このことが励起子吸収ピーク近傍のある光波
長で見た実効的な非線形光学効果の大きさが電界
によつて変化することに対応するという知見に基
づいている。本発明による光デバイスに定常電圧
を印加した場合、印加電圧に応じて非線形光学効
果の大きさが変わるためある波長の光の入出力関
係において、光双安定性の生じる入射光強度およ
び双安定性のヒステリシス幅を可変にできる他、
微分利得特性等も得ることができる。さらに、こ
の原理を拡張すれば電圧印加による光スイツチ動
作が可能となる。つまり、ある波長において、光
の入出力関係に双安定性が現れる定常電圧を印加
しておき、エタロンへの入射光強度を双安定性の
ヒステリシス幅肺に設定しておけば、この状態で
さらに適当な極性の適当な電圧値、時間幅を有す
る電圧パルスを重畳することで、設定した入射光
強度においての出力の２値安定特性を一時的に消
滅させることができる。これを利用して最初の双
安定特性の安定状態を反転させることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明を適用した光デバイスとその動
作構成の一実施例を模式的に示すものである。
作構成の一実施例を模式的に示すものである。
本発明に従う光デバイスは、平行な２つの表面
と、内部に量子井戸構造とを有する半導体薄膜の
その２つの表面に高反射率の反射膜２１を施した
エタロンにおいて、そのエタロン内の量子井戸構
造に電界を積層方向に印加するための電極３１を
有する。
と、内部に量子井戸構造とを有する半導体薄膜の
その２つの表面に高反射率の反射膜２１を施した
エタロンにおいて、そのエタロン内の量子井戸構
造に電界を積層方向に印加するための電極３１を
有する。
光デバイスの電極３１には、外部電圧源から電
圧が印加されるようになつている。即ち、定常電
圧源４１からは定常電圧が印加される。また、パ
ルス電圧源４２を用いて、定常電圧源４１の定常
電圧にパルス電圧を重畳されたものが印加される
ようになつている。
圧が印加されるようになつている。即ち、定常電
圧源４１からは定常電圧が印加される。また、パ
ルス電圧源４２を用いて、定常電圧源４１の定常
電圧にパルス電圧を重畳されたものが印加される
ようになつている。
これらにより、この光デバイスは、光の入出力
特性が制御可能で、また光スイツチ動作を行わせ
ることが可能である。
特性が制御可能で、また光スイツチ動作を行わせ
ることが可能である。
以下、更に具体的に本発明の一実施例に係る光
デバイスの構造とその動作原理、および動作特性
について詳細な説明を行う。
デバイスの構造とその動作原理、および動作特性
について詳細な説明を行う。
第１図の光デバイスは以下の手順によつて作成
した。まず、分子線エピタキシー（MBE）法に
より、n+型GaAs基板５１上に1μｍ厚のn+型
GaAsバツフア層５２と、さらに1μｍ厚のn+型
AlGaAs層５３を成長させた。続いてノンドープ
9.5nｍ厚のGaAs層と9.8nｍ厚のAlGaAs層をそれ
ぞれ70層ずつ交互に成長させて多重量子井戸５４
を形成し、さらにその上に1μｍ厚のp+型AlGaAs
層５５を成長させた。次に通常のフオトリソグラ
フイー法を利用して400μｍ径のSiO2膜をマスク
を最上層のp+型AlGaAs層５５上に形成させ、化
学エツチングにより、このマスクのない部分を
n+型AlGaAs層５３まで除去した。次に、同様の
方法によりn+型GaAs基板５１の側からn+型
AlGaAs層５３に達するまでほぼ円形にエツチン
グし、n+型AlGaAs層５３の露出部が約300μｍ径
となるようにした。次に、SiO2膜を除去した後、
再びフオトリングラフイー法を用いて先にSiO2
膜のなかつた部分およびp+型AlGaAs層５５表面
の中心部100μｍ径の部分にSiO2膜を形成し、続
いて、n+型GaAs基板５１側およびp+型AlGaAs
層５５側からの蒸着により金属電国３１を形成し
た。この後、SiO2膜を除去してn+型GaAs基板５
１側およびp+型AlGaAs層５５側から誘電体多層
膜を蒸着して反射膜２１を形成した。この反射膜
の反射率はどちらも98％となるようにした。この
２つの高反射率の面がエタロンを構成しているこ
とになる。
した。まず、分子線エピタキシー（MBE）法に
より、n+型GaAs基板５１上に1μｍ厚のn+型
GaAsバツフア層５２と、さらに1μｍ厚のn+型
AlGaAs層５３を成長させた。続いてノンドープ
9.5nｍ厚のGaAs層と9.8nｍ厚のAlGaAs層をそれ
ぞれ70層ずつ交互に成長させて多重量子井戸５４
を形成し、さらにその上に1μｍ厚のp+型AlGaAs
層５５を成長させた。次に通常のフオトリソグラ
フイー法を利用して400μｍ径のSiO2膜をマスク
を最上層のp+型AlGaAs層５５上に形成させ、化
学エツチングにより、このマスクのない部分を
n+型AlGaAs層５３まで除去した。次に、同様の
方法によりn+型GaAs基板５１の側からn+型
AlGaAs層５３に達するまでほぼ円形にエツチン
グし、n+型AlGaAs層５３の露出部が約300μｍ径
となるようにした。次に、SiO2膜を除去した後、
再びフオトリングラフイー法を用いて先にSiO2
膜のなかつた部分およびp+型AlGaAs層５５表面
の中心部100μｍ径の部分にSiO2膜を形成し、続
いて、n+型GaAs基板５１側およびp+型AlGaAs
層５５側からの蒸着により金属電国３１を形成し
た。この後、SiO2膜を除去してn+型GaAs基板５
１側およびp+型AlGaAs層５５側から誘電体多層
膜を蒸着して反射膜２１を形成した。この反射膜
の反射率はどちらも98％となるようにした。この
２つの高反射率の面がエタロンを構成しているこ
とになる。
外部からの電圧印加は、コンタクトワイア３２
とバイアス線３３を介して電圧可変の定常電圧源
４１とパルス電圧源４２とを直列に接続した上で
n+型GaAs基板５１に常時正電圧がかかるように
して行つた。本実施例では、入射光１１をp+型
AlGaAs層側の反射膜２１から入れて、n+型
GaAs基板５１側の反射膜２１を通して出射光１
２を取り出す構成とした。
とバイアス線３３を介して電圧可変の定常電圧源
４１とパルス電圧源４２とを直列に接続した上で
n+型GaAs基板５１に常時正電圧がかかるように
して行つた。本実施例では、入射光１１をp+型
AlGaAs層側の反射膜２１から入れて、n+型
GaAs基板５１側の反射膜２１を通して出射光１
２を取り出す構成とした。
かかる光デバイスは、定常電圧源４１による定
常電圧の印加により光の入出力特性を制御するこ
とができ、また、更にパルス電圧源４２を使用し
定常電圧に正負のパルス電圧を重畳させるように
するときは、パルス電圧の重畳により光スイツチ
動作を行わせることができる。
常電圧の印加により光の入出力特性を制御するこ
とができ、また、更にパルス電圧源４２を使用し
定常電圧に正負のパルス電圧を重畳させるように
するときは、パルス電圧の重畳により光スイツチ
動作を行わせることができる。
第２図は定常的な電圧印加により室温において
第１図に示す量子井戸中の励起子の吸収ピークが
エネルギー的にシフトする様子(a)と、その効果を
利用した第１図に示すデバイスの動作原理図(b)を
示している。入射光の光子エネルギーを1.45eV
とした場合、図に示すように印加電圧を大きくす
るに従い、励起子吸収のピークが低エネルギー側
にシフトし、これによつて低強度光の吸収係数は
大きく変化する。非線形エタロンとしての働き
は、比較的高い強度の光による励起子吸収の飽和
とそれに伴う屈折率変化に基づいているので、第
２図ａの吸収曲線から、ただちに非線形エタロン
の光の入出力特性を知ることはできない。しか
し、近似的な計算を用いて、おおよその入出力特
性を予想することは可能である。第２図ｂは第２
図ａから予想される第１図に示すデバイスの入出
力特性を説明し易くするためやや簡単化して示し
たものである。入力光強度および出力光強度のフ
ルスケールとして100kW／cm2としている。第２
図ａに示すように、吸収曲線が印加定常電圧値に
より2V印加時の吸収曲線１０１、4V印加時の吸
収曲線１０２、6V印加時の吸収曲線１０３と変
化するにつれて、第２図ｂに示す入出力特性も
2V印加時の光入出力特性の予想曲線１１１、4V
印加時の光入出力特性の予想曲線１１２、6V印
加時の光入出力特性の予想曲線１１３のように変
化する。この入出力特性の変化は実効的な非線形
光学効果の大きさが電界によつて変化した結果と
見ることができる。入出力特性曲線が入力光強度
の増加に対して負の傾きを示す部分は不安定領域
で、実際にはとり得ない値である。今、定常電圧
を4Vに選んだ場合を考えると、入射光強度を０
から増大させるに従い出射光強度はしばらくかな
り低い値でゆつくり増大するが、スチツチオン強
度１３１において、出射光強度はスイツチオン点
１２３にジヤンプする。そこから、さらに入射光
強度を増してもゆるやかに増大するだけとなる。
今度は、逆に、入射光強度を減らしていくと、し
ばらくはゆるやかに減少するのみであり、スイツ
チオフ強度１３２になつた時に初めてスイツチオ
フ点１２４まで急激に減少して、その後は再びゆ
るやに減少する。図に示した他の電圧印加時に
も、スイツチオンおよびスイツチオフの生じる入
射光強度は異なるが類似の動作を行うことにな
る。
第１図に示す量子井戸中の励起子の吸収ピークが
エネルギー的にシフトする様子(a)と、その効果を
利用した第１図に示すデバイスの動作原理図(b)を
示している。入射光の光子エネルギーを1.45eV
とした場合、図に示すように印加電圧を大きくす
るに従い、励起子吸収のピークが低エネルギー側
にシフトし、これによつて低強度光の吸収係数は
大きく変化する。非線形エタロンとしての働き
は、比較的高い強度の光による励起子吸収の飽和
とそれに伴う屈折率変化に基づいているので、第
２図ａの吸収曲線から、ただちに非線形エタロン
の光の入出力特性を知ることはできない。しか
し、近似的な計算を用いて、おおよその入出力特
性を予想することは可能である。第２図ｂは第２
図ａから予想される第１図に示すデバイスの入出
力特性を説明し易くするためやや簡単化して示し
たものである。入力光強度および出力光強度のフ
ルスケールとして100kW／cm2としている。第２
図ａに示すように、吸収曲線が印加定常電圧値に
より2V印加時の吸収曲線１０１、4V印加時の吸
収曲線１０２、6V印加時の吸収曲線１０３と変
化するにつれて、第２図ｂに示す入出力特性も
2V印加時の光入出力特性の予想曲線１１１、4V
印加時の光入出力特性の予想曲線１１２、6V印
加時の光入出力特性の予想曲線１１３のように変
化する。この入出力特性の変化は実効的な非線形
光学効果の大きさが電界によつて変化した結果と
見ることができる。入出力特性曲線が入力光強度
の増加に対して負の傾きを示す部分は不安定領域
で、実際にはとり得ない値である。今、定常電圧
を4Vに選んだ場合を考えると、入射光強度を０
から増大させるに従い出射光強度はしばらくかな
り低い値でゆつくり増大するが、スチツチオン強
度１３１において、出射光強度はスイツチオン点
１２３にジヤンプする。そこから、さらに入射光
強度を増してもゆるやかに増大するだけとなる。
今度は、逆に、入射光強度を減らしていくと、し
ばらくはゆるやかに減少するのみであり、スイツ
チオフ強度１３２になつた時に初めてスイツチオ
フ点１２４まで急激に減少して、その後は再びゆ
るやに減少する。図に示した他の電圧印加時に
も、スイツチオンおよびスイツチオフの生じる入
射光強度は異なるが類似の動作を行うことにな
る。
次に、定常電圧を4Vに選び、入射光強度をス
イツチオン強度１３１とスイツチオオフ強度１３
２間のヒステリシス幅内の任意の強度である双安
定強度１３３に設定し、初めに出射光強度は下の
安定点１２５であるとする。この状態で、仮に矩
形状の2Vの電圧パルスをさらに重畳すると、入
出力特性曲線がパルスの持続時間中6V印加時の
光入出力特性の予想曲線１１３のように変化する
ため、最初の下の安定点１２５はパルスの持続期
間中一時的に消失して、出射高強度はこの曲線に
おいて上の安定点１２１のごく近くの値にスイツ
チオンされることになる。電圧パルス印加終了後
は、入出力特性曲線は4V印加時の高入出力特性
の予想曲線１１２のものに戻るが、その時は、出
射光強度は上の安定的１２１に落着き、スイツチ
オン状態のままになる。また、この状態で、逆に
矩形状の−2Vの電圧パルスをさらに重畳すると、
入出力特性曲線はパルスの持続時間中一時的に
2V印加時１１１のように変形するため上の安定
点１２１が消失して、この曲線上において下の安
定点１２５とほぼ同じレベルの値にスイツチオフ
される。電圧パルスの印加が終了すると、入出力
特性曲線は再び4V印加時の予想曲線１１２のも
のに戻るが、その時は下の安定点１２５にセツト
され、スイツチオフ状態のままとなる。
イツチオン強度１３１とスイツチオオフ強度１３
２間のヒステリシス幅内の任意の強度である双安
定強度１３３に設定し、初めに出射光強度は下の
安定点１２５であるとする。この状態で、仮に矩
形状の2Vの電圧パルスをさらに重畳すると、入
出力特性曲線がパルスの持続時間中6V印加時の
光入出力特性の予想曲線１１３のように変化する
ため、最初の下の安定点１２５はパルスの持続期
間中一時的に消失して、出射高強度はこの曲線に
おいて上の安定点１２１のごく近くの値にスイツ
チオンされることになる。電圧パルス印加終了後
は、入出力特性曲線は4V印加時の高入出力特性
の予想曲線１１２のものに戻るが、その時は、出
射光強度は上の安定的１２１に落着き、スイツチ
オン状態のままになる。また、この状態で、逆に
矩形状の−2Vの電圧パルスをさらに重畳すると、
入出力特性曲線はパルスの持続時間中一時的に
2V印加時１１１のように変形するため上の安定
点１２１が消失して、この曲線上において下の安
定点１２５とほぼ同じレベルの値にスイツチオフ
される。電圧パルスの印加が終了すると、入出力
特性曲線は再び4V印加時の予想曲線１１２のも
のに戻るが、その時は下の安定点１２５にセツト
され、スイツチオフ状態のままとなる。
以上が定常電圧の印加により第１図に示した光
デバイスの入出力特性を制御し、また、定常電圧
へ電圧パルスを重畳することにより光スイツチ動
作を行わせるための原理の説明である。
デバイスの入出力特性を制御し、また、定常電圧
へ電圧パルスを重畳することにより光スイツチ動
作を行わせるための原理の説明である。
このようにして、平行な２つの表面と、内部に
量子井戸構造とを有する半導体薄膜のその２つの
表面に高反射率の反射膜２１を施してエタロンと
し、かつこのエタロン内の量子井戸構造に積層方
向に電界を印加するための電極３１を有する光デ
バイスを用いて、量子井戸構造中の励起子吸収ピ
ークのエネルギーに近い光子エネルギーを有する
光を一方の反射膜２１を施した面から入射させた
時のもう一方の反射膜２１を施した面からの出射
光の強度の入射光強度に対する依存性を、光デバ
イスの電極３１に定常電圧を印加して励起子吸収
ピークをエネルギー的にシフトさせることにより
制御することができ、これにより、光の入出力関
係において、光双安定性の生じる入射光強度、双
安定性のヒステリシス幅を可変できる他、後述の
ように微分利得特性（第３図参照）等も得ること
ができる。
量子井戸構造とを有する半導体薄膜のその２つの
表面に高反射率の反射膜２１を施してエタロンと
し、かつこのエタロン内の量子井戸構造に積層方
向に電界を印加するための電極３１を有する光デ
バイスを用いて、量子井戸構造中の励起子吸収ピ
ークのエネルギーに近い光子エネルギーを有する
光を一方の反射膜２１を施した面から入射させた
時のもう一方の反射膜２１を施した面からの出射
光の強度の入射光強度に対する依存性を、光デバ
イスの電極３１に定常電圧を印加して励起子吸収
ピークをエネルギー的にシフトさせることにより
制御することができ、これにより、光の入出力関
係において、光双安定性の生じる入射光強度、双
安定性のヒステリシス幅を可変できる他、後述の
ように微分利得特性（第３図参照）等も得ること
ができる。
また、第１図に示した光デバイスを用いて、一
方の反射膜２１を施した面から、量子井戸構造中
の励起子吸収ピークのエネルギーに近い光子エネ
ルギーを有する光を入射させ、かつこの光を強度
を、光デバイスが電極に定常電圧を印加された状
態で示すもう一方の反射膜２１を施した面からの
出射光強度の入射光強度に対する双安定特性のヒ
ステリシス幅の範囲内の強度に設定し、定常電圧
にさらに第１の電圧パルスを重畳することによつ
て、励起子吸収ピークがエネルギーシフトするこ
とに起因する双安定特性の入射光強度に対するシ
フトを利用して出射光強度の安定状態を反転さ
せ、その後は第１の電圧パルスと極性が反対の第
２の電圧パルスの重畳により、結果として誘起さ
れる双安定特性の入射光強度に対する第１の電圧
パルスの印加時とは逆方向のシフトを利用して再
度出射光強度の安定状態を反転させることができ
る。
方の反射膜２１を施した面から、量子井戸構造中
の励起子吸収ピークのエネルギーに近い光子エネ
ルギーを有する光を入射させ、かつこの光を強度
を、光デバイスが電極に定常電圧を印加された状
態で示すもう一方の反射膜２１を施した面からの
出射光強度の入射光強度に対する双安定特性のヒ
ステリシス幅の範囲内の強度に設定し、定常電圧
にさらに第１の電圧パルスを重畳することによつ
て、励起子吸収ピークがエネルギーシフトするこ
とに起因する双安定特性の入射光強度に対するシ
フトを利用して出射光強度の安定状態を反転さ
せ、その後は第１の電圧パルスと極性が反対の第
２の電圧パルスの重畳により、結果として誘起さ
れる双安定特性の入射光強度に対する第１の電圧
パルスの印加時とは逆方向のシフトを利用して再
度出射光強度の安定状態を反転させることができ
る。
このように、光の入出力関係に双安定性が現れ
る定常電圧を印加しておき、入射光強度を双安定
のヒステリシス幅内に設定しておけば、この状態
で更に電圧パルスを重畳することによつて、光ス
イツチ動作を行わせることが可能となる。
る定常電圧を印加しておき、入射光強度を双安定
のヒステリシス幅内に設定しておけば、この状態
で更に電圧パルスを重畳することによつて、光ス
イツチ動作を行わせることが可能となる。
なお、上の例ではスイツチオンに必要な電圧パ
ルスの時間幅はかなり短くできるが、スイツチオ
フの場合は、量子井戸中にある程度キヤリアが励
起された状態からのスイツチングのため、キヤリ
ア寿命に起因する制限により、サブナノ秒のオー
ダのパルス幅が必要となる。
ルスの時間幅はかなり短くできるが、スイツチオ
フの場合は、量子井戸中にある程度キヤリアが励
起された状態からのスイツチングのため、キヤリ
ア寿命に起因する制限により、サブナノ秒のオー
ダのパルス幅が必要となる。
第３図は、第１図に示した光デバイスにおける
定常電圧印加時の実際の光入出力特性を示してい
る。入射光には光子エネルギー1.45eVの連続レ
ーザ光を用い、約10μｍ径に絞りこんで光デバイ
スに入射させた。2V印加時の光入出力特性曲線
１４１、4V印加時の光入出力特定曲線１４２の
入出力特性で絵は双安定性が現れているが、6V
印加時の光入出力特性曲線１４３では双安定性が
消失し微分利得特性が現れている。なお、第２図
ｂとの差異は、第２図ｂに示す入出力特性を計算
で求める際にはかなり大まかな近似を導入したこ
とによると考えられる。
定常電圧印加時の実際の光入出力特性を示してい
る。入射光には光子エネルギー1.45eVの連続レ
ーザ光を用い、約10μｍ径に絞りこんで光デバイ
スに入射させた。2V印加時の光入出力特性曲線
１４１、4V印加時の光入出力特定曲線１４２の
入出力特性で絵は双安定性が現れているが、6V
印加時の光入出力特性曲線１４３では双安定性が
消失し微分利得特性が現れている。なお、第２図
ｂとの差異は、第２図ｂに示す入出力特性を計算
で求める際にはかなり大まかな近似を導入したこ
とによると考えられる。
更に、第４図は、第１図に示した光デバイスに
おいて、4Vの定常電圧に正および負の2Vの擬矩
形電圧パルスを重畳した場合の出力高強度の時間
変化１６１を示している。この場合も入射光には
光子エネルギー1.45eVの連続レーザ光を用い、
４ｍＷのパワーで約10μｍ径に絞りこんで光デバ
イスに入射させた、最初に、出射光はスイツチオ
フの低レベル状態にあるが、約200psの半値幅を
持つ正の電圧パルス１５１の印加によりスイツチ
オンの高レベル状態にスイツチされる。次に、出
射光がスイツチオンの状態で、今度は約400psの
半値幅を持つ負の電圧パルス１５２の印加する
と、出射光はスイツチオフの低レベル状態に変化
する。このようにして、電圧パルスの印加によつ
て光のスイツチング動作を確認することができ
た。出射光のオン・オフ比としては約８という値
が得られた。また、スイツチオンおよびスイツチ
オフを行わせるために必要な最小の電圧パルス幅
は、電圧パルス高さが2Vの時、それぞれ約100ps
および約350psであつた。
おいて、4Vの定常電圧に正および負の2Vの擬矩
形電圧パルスを重畳した場合の出力高強度の時間
変化１６１を示している。この場合も入射光には
光子エネルギー1.45eVの連続レーザ光を用い、
４ｍＷのパワーで約10μｍ径に絞りこんで光デバ
イスに入射させた、最初に、出射光はスイツチオ
フの低レベル状態にあるが、約200psの半値幅を
持つ正の電圧パルス１５１の印加によりスイツチ
オンの高レベル状態にスイツチされる。次に、出
射光がスイツチオンの状態で、今度は約400psの
半値幅を持つ負の電圧パルス１５２の印加する
と、出射光はスイツチオフの低レベル状態に変化
する。このようにして、電圧パルスの印加によつ
て光のスイツチング動作を確認することができ
た。出射光のオン・オフ比としては約８という値
が得られた。また、スイツチオンおよびスイツチ
オフを行わせるために必要な最小の電圧パルス幅
は、電圧パルス高さが2Vの時、それぞれ約100ps
および約350psであつた。
なお本実施例では、第１図に示したような構造
の光デバイスの動作特性について述べた。しか
し、本発明による光デバイスの要点は半導体量子
井戸構造を内部に有する電界印加可能な非線形エ
タロンを実現することであり、光デバイスが第１
図の構造に限定されるものでないことは明らかで
ある。また、半導体量子井戸の井戸幅等を変えた
場合にも、適当な入射光波長、印加電圧を選ぶこ
とによつて本発明による光デバイスの動作方法に
より所定の動作を行わせることが可能である。
の光デバイスの動作特性について述べた。しか
し、本発明による光デバイスの要点は半導体量子
井戸構造を内部に有する電界印加可能な非線形エ
タロンを実現することであり、光デバイスが第１
図の構造に限定されるものでないことは明らかで
ある。また、半導体量子井戸の井戸幅等を変えた
場合にも、適当な入射光波長、印加電圧を選ぶこ
とによつて本発明による光デバイスの動作方法に
より所定の動作を行わせることが可能である。
また、本実施例では、GaAs、AlGaAsを半導
体材料として用いたが、InGaAs、InAlAs等を始
めとする他の−族半導体材料、およびZnSe、
ZnTe等を始めとする−族の半導体材料を用
いた場合でも実施例と同様の構造を有する光デバ
イスを実現し、同様の動作を行わせ得ることは明
らかである。
体材料として用いたが、InGaAs、InAlAs等を始
めとする他の−族半導体材料、およびZnSe、
ZnTe等を始めとする−族の半導体材料を用
いた場合でも実施例と同様の構造を有する光デバ
イスを実現し、同様の動作を行わせ得ることは明
らかである。
本実施例では、入射光パワーをゼロから徐々に
増やして行つた場合に出射光パワーが急激に大き
くなるスイツチオンが起こるような光双安定性の
場合について説明した。しかし、非線形エタロン
の長さや、入射光波長により入射光パワーを増や
して行つた場合に出射光パワーが急激に小さくな
るような、実施例とは逆の光双安定性を示す場合
でも、全く同様の動作機能が実現できることは原
理的に明らかである。
増やして行つた場合に出射光パワーが急激に大き
くなるスイツチオンが起こるような光双安定性の
場合について説明した。しかし、非線形エタロン
の長さや、入射光波長により入射光パワーを増や
して行つた場合に出射光パワーが急激に小さくな
るような、実施例とは逆の光双安定性を示す場合
でも、全く同様の動作機能が実現できることは原
理的に明らかである。
以上説明したように本発明を用いれば、非線形
光学効果の電界による制御という新しい概念によ
り、光入出力特性を電気的に制御することが可能
な非線形エタロンが得られ、また、これを利用し
て高速の光スイツチ動作を行わせることができ
る。これにより従来の非線形エタロンで問題であ
つた波長の厳密な選択の必要性や電気的制御によ
る光スイツチ動作ができないといつた欠点や、
SEEDにおいて光スイツチ動作時のオン・オフ比
が小さいという欠点を解消することができる。
光学効果の電界による制御という新しい概念によ
り、光入出力特性を電気的に制御することが可能
な非線形エタロンが得られ、また、これを利用し
て高速の光スイツチ動作を行わせることができ
る。これにより従来の非線形エタロンで問題であ
つた波長の厳密な選択の必要性や電気的制御によ
る光スイツチ動作ができないといつた欠点や、
SEEDにおいて光スイツチ動作時のオン・オフ比
が小さいという欠点を解消することができる。
第１図は本発明の一実施例としての光デバイス
およびその光デバイスの動作方法の模式的構成を
示す図、第２図は第１図に示した光デバイス中の
多重量子井戸における励起子吸収ピーク付近の吸
収曲線の印加電圧依存性（第２図ａ）およびそれ
に対応した光デバイスの動作原理（第２図ｂ）を
示す図、第３図は第１図に示した光デバイスに定
常電圧を印加した場合に得られる実際の光入出力
特性を示す図、第４図は第１図に示した光デバイ
スにおいて定常電圧に正負の電圧パルスを重畳し
て印加した場合の出射光の時間変化を示す図であ
る。 １１……入射光、１２……出射光、２１……反
射膜、３１……金属電極、３２……コンタクトワ
イア、３３……バイアス線、４１……定常電圧
源、４２……パルス電圧源、５１……n+型GaAs
基板、５２……n+型GaAsバツフア層、５３……
n+型AlGaAs層、５４……多重量子井戸、５５…
…p+型AlGaAs層、１０１……2V印加時の吸収
曲線、１０２……4V印加時の吸収曲線、１０３
……6V印加時の吸収曲線、１１１……2V印加時
の光入出力特性の予想曲線、１１２……4V印加
時の光入出力特性の予想曲線、１１３……6V印
加時の光入出力特性の予想曲線、１２１……上の
安定点、１２３……スイツチオン点、１２４……
スイツチオフ点、１２５……下の安定点、１３１
……スイツチオン強度、１３２……スイツチオフ
強度、１３３……双安定強度、１４１……2V印
加時の光入出力特性曲線、１４２……4V印加時
の光入出力特性曲線、１４３……6V印加時の光
入出力特性曲線、１５１……正の電圧パルス、１
５２……負の電圧パルス、１６１……出射光の時
間変化。
およびその光デバイスの動作方法の模式的構成を
示す図、第２図は第１図に示した光デバイス中の
多重量子井戸における励起子吸収ピーク付近の吸
収曲線の印加電圧依存性（第２図ａ）およびそれ
に対応した光デバイスの動作原理（第２図ｂ）を
示す図、第３図は第１図に示した光デバイスに定
常電圧を印加した場合に得られる実際の光入出力
特性を示す図、第４図は第１図に示した光デバイ
スにおいて定常電圧に正負の電圧パルスを重畳し
て印加した場合の出射光の時間変化を示す図であ
る。 １１……入射光、１２……出射光、２１……反
射膜、３１……金属電極、３２……コンタクトワ
イア、３３……バイアス線、４１……定常電圧
源、４２……パルス電圧源、５１……n+型GaAs
基板、５２……n+型GaAsバツフア層、５３……
n+型AlGaAs層、５４……多重量子井戸、５５…
…p+型AlGaAs層、１０１……2V印加時の吸収
曲線、１０２……4V印加時の吸収曲線、１０３
……6V印加時の吸収曲線、１１１……2V印加時
の光入出力特性の予想曲線、１１２……4V印加
時の光入出力特性の予想曲線、１１３……6V印
加時の光入出力特性の予想曲線、１２１……上の
安定点、１２３……スイツチオン点、１２４……
スイツチオフ点、１２５……下の安定点、１３１
……スイツチオン強度、１３２……スイツチオフ
強度、１３３……双安定強度、１４１……2V印
加時の光入出力特性曲線、１４２……4V印加時
の光入出力特性曲線、１４３……6V印加時の光
入出力特性曲線、１５１……正の電圧パルス、１
５２……負の電圧パルス、１６１……出射光の時
間変化。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平行な２つの表面と内部に量子井戸構造を有
する半導体薄膜における前記２つの表面に高反射
率の反射膜を施してエタロンを構成すると共に、
このエタロン内の量子井戸構造に積層方向に電界
を印加するための電極を有することを特徴とする
光デバイス。 ２ 平行な２つの表面と内部に量子井戸構造を有
する半導体薄膜における前記２つの表面に高反射
率の反射膜を施してエタロンとし、かつこのエタ
ロン内の量子井戸構造に積層方向に電界を印加す
るための電極を有する光デバイスを用い、 前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネ
ルギーに近い光子エネルギーを有する光を前記光
デバイスの一方の反射膜を施した面から入射させ
たときの他方の反射膜を施した面からの出射光の
強度の入射光強度に対する依存性を、前記光デバ
イスの電極に定常電圧を印加して前記励起子吸収
ピークをエネルギー的にシフトさせることによ
り、制御することを特徴とする光制御方法。 ３ 平行な２つの表面と内部に量子井戸構造を有
する半導体薄膜における前記２つの表面に高反射
率の反射膜を施してエタロンとし、かつこのエタ
ロン内の量子井戸構造に積層方向に電界を印加す
るための電極を有する光デバイスを用い、 この光デバイスの一方の反射膜を施した面から
前記量子井戸構造中の励起子吸収ピークのエネル
ギーに近い光子エネルギーを有する光を入射さ
せ、 かつこの光の強度を、前記光デバイスが電極に
定常電圧を印加された状態で示す他方の反射膜を
施した面からの出射光強度の入射光強度に対する
双安定特性のヒステリシス幅の範囲内の強度に設
定し、 前記定常電圧に電圧パルスを重畳することによ
り、前記励起子吸収ピークがエネルギーシフトす
ることによる前記双安定特性の入射光強度に対す
るシフトを利用して出射光強度の安定状態を反転
させることを特徴とする光制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294699A JPS63148687A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光デバイスおよび光制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294699A JPS63148687A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光デバイスおよび光制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148687A JPS63148687A (ja) | 1988-06-21 |
| JPH0551193B2 true JPH0551193B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=17811158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294699A Granted JPS63148687A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 光デバイスおよび光制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148687A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2692374B1 (fr) * | 1992-06-15 | 1994-07-29 | France Telecom | Procede et dispositif de modulation et d'amplification de faisceaux lumineux. |
| CN105826422B (zh) * | 2016-05-12 | 2017-04-12 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种量子阱结构的大功率半绝缘AlGaAs/GaAs光导开关及制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116612A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 光変調器 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP61294699A patent/JPS63148687A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116612A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 光変調器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63148687A (ja) | 1988-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4754132A (en) | Symmetric optical device with quantum well absorption | |
| US8081850B2 (en) | Device with tunable plasmon resonance | |
| JPH0758807B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| US4872744A (en) | Single quantum well optical modulator | |
| EP0380072B1 (en) | Coupled quantum-well electro-optical modulator | |
| US4518934A (en) | Optical bistable device | |
| EP0397691A1 (en) | Current injection laser | |
| JPH02103021A (ja) | 量子井戸光デバイス | |
| JPH0551193B2 (ja) | ||
| CN117872533A (zh) | 硅集成平台上的可重配置全光非线性激活函数 | |
| JPH06125141A (ja) | 半導体量子井戸光学素子 | |
| CN107450249B (zh) | 忆阻器及其使用方法 | |
| Shadmani et al. | Design and simulation of dual polarization GST-on-silicon nitride optical modulator | |
| JP3249235B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JPS63269594A (ja) | 面発光型双安定半導体レ−ザ | |
| JP2793015B2 (ja) | 集積半導体装置 | |
| WO2023238184A1 (ja) | 光変調器 | |
| JPH0513546B2 (ja) | ||
| JPH02262133A (ja) | 半導体デバイス | |
| JPH0366189A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH1048581A (ja) | 量子井戸電気光学変調器 | |
| JPH0711656B2 (ja) | 光双安定素子 | |
| JPH043012A (ja) | 半導体光デバイスの駆動方法 | |
| JPH1084164A (ja) | 半導体量子ドット光変調装置 | |
| CN117294358A (zh) | 基于数字逻辑控制的光子计算单元 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |