JPH0550740B2 - - Google Patents

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JPH0550740B2
JPH0550740B2 JP59062171A JP6217184A JPH0550740B2 JP H0550740 B2 JPH0550740 B2 JP H0550740B2 JP 59062171 A JP59062171 A JP 59062171A JP 6217184 A JP6217184 A JP 6217184A JP H0550740 B2 JPH0550740 B2 JP H0550740B2
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JP
Japan
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layer
charge
switching element
element layer
photoreceptor
Prior art date
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JP59062171A
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Japanese (ja)
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JPS60207143A (en
Inventor
Masaaki Yokoyama
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Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mita Industrial Co Ltd
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Application filed by Mita Industrial Co Ltd filed Critical Mita Industrial Co Ltd
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Publication of JPS60207143A publication Critical patent/JPS60207143A/en
Publication of JPH0550740B2 publication Critical patent/JPH0550740B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、電子写真感光体に関するもので、よ
り詳細には感光体のメモリー効果を利用して静電
像の反復形成を行うための電子写真感光体に関す
るものである。
Detailed Description of the Invention Technical Field The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor, and more particularly to an electrophotographic photoreceptor for repeatedly forming electrostatic images by utilizing the memory effect of the photoreceptor. It is.

従来技術 従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他
に、操作の手軽さ等の見地から、電子写真法によ
る多数枚複写技術が採用されるに至つている。こ
の多数枚複写電子写真法の代表的なものとして、
光メモリー効果を有する光導電性感光層を画像露
光した後、帯電、現像、転写及びクリーニングの
諸工程を反復する、所謂リテンシヨン型静電印刷
法が知られている。この方法は、感光層の露光部
では光メモリー効果により導電性となり、この部
分に電荷がのりにくくなるという原理を使用する
ものであるが、公知の感光体は、所望の光メモリ
ー効果を与えるための感度が低く、感光体を大出
力の光源を用いて画像露光しなければならないと
いう不便さがある。
BACKGROUND ART Conventionally, in addition to printing technology, multi-sheet copying technology based on electrophotography has been used to reproduce multiple copies of manuscripts from the standpoint of ease of operation. As a typical example of this multi-copy electrophotographic method,
A so-called retention type electrostatic printing method is known in which the steps of charging, development, transfer and cleaning are repeated after imagewise exposing a photoconductive photosensitive layer having a photomemory effect. This method uses the principle that the exposed part of the photosensitive layer becomes conductive due to the photomemory effect, making it difficult for electric charge to be deposited on this part. The sensitivity of the photoreceptor is low, and the photoreceptor must be image-exposed using a high-output light source, which is inconvenient.

最近に至つて、光メモリー効果を利用する感光
体の開発も行われており、例えば井上教授等によ
つて、ポリ−N−ビニルカルバゾール(PVK)、
2,4,7−トリニトロフルオレノン(TNF)
及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウム電極上
の塗布した感光体、或いは上記混合溶液塗布層の
上に、PVKとTNFとの組成物の層を設けた複層
感光体を使用し、これを一回画像露光することに
より、感光体上にメモリー像(露光部の電荷受容
性の低下)を形成し、帯電−現像−転写のプロセ
スを繰り返すことで多数枚の複写物を得る研究が
行われている(日本写真学会誌第44巻2号第104
乃至117頁(1981)参照)。これらの感光体におけ
るメモリー形成は、TNFとロイコ色素の作る電
荷移動錯体の光吸収後の化学反応に起因するもの
と言われている。
Recently, photoreceptors that utilize the optical memory effect have been developed; for example, Professor Inoue et al.
2,4,7-trinitrofluorenone (TNF)
A photoconductor coated with a mixed solution of leuco dye and leuco dye on an aluminum electrode, or a multilayer photoconductor with a layer of a composition of PVK and TNF on the layer coated with the above mixed solution, is used. Research is being conducted to form a memory image (decreased charge acceptance in the exposed area) on the photoreceptor through image exposure, and to obtain a large number of copies by repeating the process of charging, developing, and transferring. (Journal of the Photographic Society of Japan Vol. 44 No. 2 No. 104
(See pages 117-117 (1981)). Memory formation in these photoreceptors is said to result from a chemical reaction after light absorption between a charge transfer complex formed by TNF and a leuco dye.

発明の構成 本発明によれば、光誘起メモリー効果とは全く
異なつた原理によりメモリー像の形成が行われる
電子写真感光体が提供される。
Structure of the Invention According to the present invention, an electrophotographic photoreceptor is provided in which a memory image is formed based on a principle completely different from the photo-induced memory effect.

また、本発明によれば、従来の感光体とは層構
成の全く異なる新規複層構成を有する電子写真感
交体が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided an electrophotographic photoreceptor having a novel multilayer structure that is completely different from conventional photoreceptors.

即ち、本発明は、導電性基質、該導電性基質上
に設けられた、電子受容性物質と銅又は銀との錯
体から成り、高電場で高電導状態となり且つ高電
導状態が維持されるスイツチング素子層、及び該
スイツチング素子層上に設けられた電荷発生輸送
層乃至は電荷受容層から成る電子写真感光体に関
する。
That is, the present invention provides a switching device comprising a conductive substrate, a complex of an electron-accepting substance and copper or silver provided on the conductive substrate, and which becomes and maintains a high conductivity state in a high electric field. The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor comprising an element layer and a charge generation/transport layer or a charge acceptance layer provided on the switching element layer.

本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説
明する。
The invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

この感光体の断面構造を示す第1図において、
導電性基質1の上にはスイツチング素子層2が設
けられ、この層2の上に更に電荷発生輸送層乃至
は電荷受容層3が設けられる。図示していない
が、導電性基質1とスイツチング素子層2との間
には、所望に応じ、電荷注入バリヤー層或いは接
着力を増強させるためのアンダー層等が設けられ
ていてもよい。
In FIG. 1 showing the cross-sectional structure of this photoreceptor,
A switching element layer 2 is provided on the electrically conductive substrate 1, and a charge generation/transport layer or a charge acceptance layer 3 is provided on top of this layer 2. Although not shown, a charge injection barrier layer or an under layer for increasing adhesive strength may be provided between the conductive substrate 1 and the switching element layer 2, if desired.

本発明の重要な特徴は、このスイツチング素子
層2として、高電場で高電導状態となり且つこの
高電導状態が維持されるスイツチング素子層を用
いる点にある。
An important feature of the present invention is that the switching element layer 2 is a switching element layer that becomes highly conductive in a high electric field and maintains this highly conductive state.

本発明の感光体のメモリー層の形成原理及び静
電像の形成原理を第2−A乃至2−D図に基づき
以下に説明する。
The principles of forming the memory layer and the electrostatic image of the photoreceptor of the present invention will be explained below with reference to Figures 2-A to 2-D.

先ず、第2−A図の帯電−画像露光工程におい
て、感光体4の表面を、コロナチヤージヤ5によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源6によ
りこの表面を画像露光させる。図の具体例では、
電荷受容層3の表面は正電荷に帯電され、導電性
基質1には負電荷が誘起される。
First, in the charging-image exposure step shown in FIG. 2-A, the surface of the photoreceptor 4 is charged to a constant polarity by the corona charger 5, and then the surface is image-wise exposed by the light source 6. In the example shown in the figure,
The surface of the charge-accepting layer 3 is positively charged, and a negative charge is induced in the conductive substrate 1.

メモリー像形成の第1段階を示す第2−B図に
おいて、暗部Dでは表面電荷はそのままである
が、明部Lでは、電荷受容層3中に電荷(キヤリ
ヤ)が発生し、生じたホール(+)が積層界面、
即ちスイツチング素子層2との界面迄移動して、
そこに蓄積され、その結果として明暗Lでは、ス
イツチング素子層2に高電場が印加されることに
なる。
In Fig. 2-B showing the first stage of memory image formation, the surface charge remains unchanged in the dark area D, but in the bright area L, charges (carriers) are generated in the charge receiving layer 3, and holes ( +) is the lamination interface,
That is, it moves to the interface with the switching element layer 2,
As a result, a high electric field is applied to the switching element layer 2 in bright and dark L.

メモリー像形成の第2段階を示す第2−C図に
おいて、スイツチング素子層2の明部Lでは、印
加される高電場により高電導状態(ON
STATE)、即ち低抵抗状態に誘起される。スイ
ツチング素子層2の暗部Dでは、高抵抗状態
(OFF STATE)のまま残り、スイツチング素子
層2には、上述した状態が継続して維持され、そ
の結果として、明部Lでは導電性基質1からの電
子の注入が容易な状態となる。
In Figure 2-C showing the second stage of memory image formation, the bright area L of the switching element layer 2 is in a high conductivity state (ON) due to the high electric field applied.
STATE), that is, induced into a low resistance state. The dark region D of the switching element layer 2 remains in a high resistance state (OFF STATE), and the switching element layer 2 continues to maintain the above-mentioned state, and as a result, in the bright region L, the conductive substrate 1 This makes it easy to inject electrons.

静電像形成工程を示す第2−D図において、一
度露光が行われた部分Lでは、その後の正帯電に
対して注入が容易となつた電子(−)が高電導状
態のスイツチング層2を介して電荷受容層3に注
入され、該層3を通つて表面に到達し、表面の正
電荷(+)を消去することにより、電荷像の形成
が行われる。図示していないが、この電荷像を、
それ自体公知の方法により、トナーで現像し、形
成されるトナー像を紙等に転写することにより、
複写物乃至印刷物を得ることができる。かくし
て、第2−A乃至2−C図に示す1回のメモリー
像形成の後に、第2−D図に示す所望回数の帯電
工程を行うことにより、所望枚数の複写が可能と
なる。
In FIG. 2-D showing the electrostatic image forming process, in a portion L that has been exposed once, electrons (-), which are easily injected in response to subsequent positive charging, contact the switching layer 2 in a highly conductive state. The charge image is formed by being injected into the charge-receiving layer 3 through the charge receiving layer 3, reaching the surface through the layer 3, and erasing the positive charges (+) on the surface. Although not shown, this charge image is
By developing with toner and transferring the formed toner image to paper etc. by a method known per se,
Copies or printed materials can be obtained. Thus, by performing the charging process a desired number of times as shown in FIG. 2-D after forming the memory image once shown in FIGS. 2-A to 2-C, it is possible to make a desired number of copies.

本発明では、上述した説明から明らかな通り、
光は電荷発生輸送層乃至電荷受容層3の電荷発
生、換言すれば、スイツチング素子層2への高電
場印加の目的にのみ使用されるという特徴があ
る。即ち、従来の複層感光体では、電荷輸送層或
いは電荷受容層を介してメモリー形成層をも露光
し、該メモリー形成層中に光化学変化を起させる
必要があつたのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層乃至は電荷受容層中に電荷(キヤリヤ)を
発生させることのみが要求されるものであるか
ら、従来法に比して著しく少ない露光量でメモリ
ー像の形成が可能となるという利点が達成される
ものである。
In the present invention, as is clear from the above description,
The light is characterized in that it is used only for the purpose of generating charges in the charge generation transport layer or the charge receiving layer 3, in other words, for applying a high electric field to the switching element layer 2. That is, in conventional multilayer photoreceptors, it was necessary to also expose the memory forming layer to light through the charge transport layer or the charge receiving layer to cause a photochemical change in the memory forming layer. Since this method only requires the generation of charges (carriers) in the charge generation transport layer or charge receiving layer, it is possible to form a memory image with a significantly lower exposure amount than in conventional methods. This advantage is achieved.

第3図は、本発明に使用するスイツチング素子
層の或るもの(後述するCu・TCNQ)について、
印加電圧と電流との関係を示したものであり、曲
線1は未処理のスイツチング素子層についての電
圧と電流との関係、曲線2は高電圧印加後のスイ
ツチング素子層について同様の関係を調べたもの
である。曲線1から、このスイツチング素子層は
傾斜のゆるやかな高抵抗状態Aと傾斜の極めて大
きい低抵抗状態Bとが存在すること、及び曲線2
から一旦高電導状態(ON STATE)となつたス
イツチング素子層では、高低抗状態Aが殆んど消
失していることが明らかである。
FIG. 3 shows a certain switching element layer (Cu/TCNQ to be described later) used in the present invention.
Curve 1 shows the relationship between applied voltage and current; curve 1 is the relationship between voltage and current for an untreated switching element layer, and curve 2 is a similar relationship for the switching element layer after high voltage application. It is something. From curve 1, it can be seen that this switching element layer has a high resistance state A with a gentle slope and a low resistance state B with an extremely large slope, and curve 2
It is clear that the high-low resistance state A almost disappears in the switching element layer once it is in a high conductivity state (ON STATE).

本発明に用いるスイツチング素子層は、高抵抗
状態(OFF STATE)の電気抵抗(RH)が108
至1014Ω−cm、特に109乃至1011Ω−cmの範囲にあ
ることが電荷保持性の点で望ましく、一方RH
低抵抗状態(ON STATE)の電気抵抗(RL
Ω−cm)との比(RH/RL)は、1×101乃至1×
105の範囲内にあることが、コントラストの面で
望ましい。
The switching element layer used in the present invention has a high resistance state (OFF STATE) electrical resistance (R H ) of 10 8 to 10 14 Ω-cm, particularly 10 9 to 10 11 Ω-cm, for charge retention. On the other hand, R H and low resistance state (ON STATE) electrical resistance (R L
Ω-cm) (R H /R L ) is 1×10 1 to 1×
A value within the range of 10 5 is desirable in terms of contrast.

前述した特性を有するスイツチング素子として
は、テトラシアノエチレン(TCNE)、テトラシ
アノキノジメタン(TCNQ)、テトラシアノナフ
トキノジメタン(TNAP)、2,3,5,6−テ
トラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノモ
ノジメタン(TCNLF4)等の電子受容性物質と、
銅又は銀との錯体が好適に使用される。
Examples of switching elements having the above characteristics include tetracyanoethylene (TCNE), tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetracyanonaphthoquinodimethane (TNAP), and 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7. , 8,8-tetracyanomonodimethane (TCNLF 4 ) and other electron-accepting substances;
Complexes with copper or silver are preferably used.

これらの錯体は、蒸着等の手段で導電性基質上
に結晶薄膜の形で直接形成させることもできる
し、或いは微結晶のものを樹脂バインダー中に分
散させて導電性基質上に設けることもできる。樹
脂バインダーとしては、電気絶縁性の樹脂、立て
ばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体、フエノキシ樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、アルキド樹脂等が使用される。
微結晶錯体と樹脂バインターとは、1:4乃至
4:1の重量比で使用される。これらの樹脂バイ
ンダーを、テトラヒドロフラン、クロロホルム、
ジオキサン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒に溶
解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質上に塗
布し、乾燥してスイツチング素子層を形成させ
る。
These complexes can be directly formed in the form of a thin crystalline film on a conductive substrate by means such as vapor deposition, or microcrystals can be dispersed in a resin binder and provided on the conductive substrate. . Examples of resin binders include electrically insulating resins, standing polyester resins, acrylic resins, styrene resins, polycarbonate resins, vinyl chloride-vinyl acetate copolymers, phenoxy resins, epoxy resins,
Silicone resin, alkyd resin, etc. are used.
The microcrystalline complex and resin binder are used in a weight ratio of 1:4 to 4:1. These resin binders can be mixed with tetrahydrofuran, chloroform,
The microcrystalline complex is dispersed by dissolving in a solvent such as dioxane, dimethylacetamide, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, etc., coated on a conductive substrate, and dried to form a switching element layer.

本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層
は、光照射により電荷(キヤリヤ)を発生し、界
面へこれを移送すると共に、スイツチング素子か
ら注入される電荷を表面迄移送するものでなけれ
ばならない。かかる見地からは、この層は正孔及
び電子の両方を移送させ得るものでなければなら
ない。
The charge generating transport layer or charge receiving layer used in the present invention must be capable of generating charges (carriers) upon irradiation with light, transporting the charges to the interface, and transporting the charges injected from the switching element to the surface. . From this point of view, this layer must be capable of transporting both holes and electrons.

この目的のために、正孔輸送物と電子輸送物質
との混合物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用され
る。
For this purpose, mixtures of hole transporters and electron transporters or charge transport complexes are preferably used.

適当な正孔輸送物質の例は、ポリ−N−ビニル
カルバゾール、フエナントレン、N−エチルカル
バゾール、2,5−ジフエニル−1,3,4−オ
キサジアゾール、2,5−ビス−(4−ジエチル
アミノフエニル)−1,3,4−オキシジアゾー
ル、ビス−ジエチルアミノフエニル−1,3,6
−オキサジアゾール、4,4′−ビス(ジエチルア
ミノ−2,2′−ジメチルトリフエニルメタン、
2,4,5−トリアミノフエニルイミダゾール、
2,5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−
1,3,4−トリアゾール、1−フエニル−3−
(4−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエ
チルアミノフエニル)−2−ピリゾリン、p−ジ
エチルアミノベンツアルデヒド−(ジフエニルヒ
ドラゾン)などであり、適当な電子輸送物質の例
は2−ニトロ−9−フルオレノン、2,7−ジニ
トロ−9−フルオレノン、2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノン、2−ニトロベンゾチオフ
エン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、
ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ジ
ニトロアントラキノン、テトラシアノキノジメタ
ンなどである。
Examples of suitable hole transport materials are poly-N-vinylcarbazole, phenanthrene, N-ethylcarbazole, 2,5-diphenyl-1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis-(4-diethylamino). phenyl)-1,3,4-oxydiazole, bis-diethylaminophenyl-1,3,6
-oxadiazole, 4,4'-bis(diethylamino-2,2'-dimethyltriphenylmethane,
2,4,5-triaminophenyl imidazole,
2,5-bis(4-diethylaminophenyl)-
1,3,4-triazole, 1-phenyl-3-
(4-diethylaminostyryl)-5-(4-diethylaminophenyl)-2-pyrizoline, p-diethylaminobenzaldehyde-(diphenylhydrazone), etc. Examples of suitable electron transport materials are 2-nitro-9- Fluorenone, 2,7-dinitro-9-fluorenone, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2-nitrobenzothiophene, 2,4,8-trinitrothioxanthone,
These include dinitroanthracene, dinitroacridine, dinitroanthraquinone, and tetracyanoquinodimethane.

これらの混合物乃至錯体が造膜性を有する場合
には、これを有機溶媒の溶液として、スイツチン
グ素子層上に塗布すればよく、また造膜性を有し
ない場合には、前に例示した樹脂バインダーの溶
液中に、前述した組合せ物質を分散させ、これを
塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受容層を形成
させればよい。
When these mixtures or complexes have film-forming properties, they can be applied as a solution of an organic solvent onto the switching element layer, and when they do not have film-forming properties, they can be coated with the resin binder exemplified above. The above-mentioned combined substance may be dispersed in a solution of the above-mentioned material and applied to form a charge generation/transport layer or a charge receiving layer.

本発明において、導電性基質としては、銅、ア
ルミニウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電
処理した紙、或いはネサ(NESA)ガラス等が使
用され、これらはシート或いはドラムの形で用い
られる。
In the present invention, conductive metal substrates such as copper, aluminum, tinplate, etc., conductive treated paper, NESA glass, etc. are used as the conductive substrate, and these are used in the form of a sheet or a drum.

本発明の感光体において、スイツチング素子層
の厚みは、一般に1乃至5μm、特に1.5乃至3.5μ
mの範囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷輸送層
の厚みは一般に6乃至2μm、特に7乃至12μmの
範囲にあることが、帯電時の表面電位を高いレベ
ルに維持しつつ、しかもメモリー効果を最大限に
利用する上で好ましい。
In the photoreceptor of the present invention, the thickness of the switching element layer is generally 1 to 5 μm, particularly 1.5 to 3.5 μm.
The thickness of the charge generation and transport layer is generally in the range of 6 to 2 μm, particularly in the range of 7 to 12 μm, to maintain the surface potential at a high level during charging and to prevent the memory effect. Preferred for maximum utilization.

本発明の感光体は、一回露光での多数枚複写の
電子写真感光体として有用であると共に、読み出
し可能な電子記録体としての用途にも有用であ
る。
The photoreceptor of the present invention is useful as an electrophotographic photoreceptor for making multiple copies with one exposure, and is also useful as a readable electronic recording medium.

参考例 スイツチング素子層の形成 ボールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキ
ノジメタン錯体(Cu・TCNQ)10重量部を、ポ
リアクリレート樹脂(U−polymer8000ユニチカ
製)10重量部、ポリエチレングリコール(PEG
1000三洋化成工業社製)0.5重量部、クロロホル
ム90重量の組成から成る溶液と混合し、30分間超
音波分散した後、銅基板上にワイヤーバーによ
り、塗布、乾燥した。乾燥は80℃で15分間、さら
に必要に応じて6時間の真空乾燥を行ない、膜厚
2μmのスイツチング素子層を形成した。
Reference Example Formation of Switching Element Layer 10 parts by weight of copper-tetracyanoquinodimethane complex (Cu/TCNQ) ground by a ball mill, 10 parts by weight of polyacrylate resin (U-polymer8000 manufactured by Unitika), polyethylene glycol (PEG
The mixture was mixed with a solution consisting of 0.5 parts by weight of 1000 (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) and 90 parts by weight of chloroform, subjected to ultrasonic dispersion for 30 minutes, and then applied onto a copper substrate using a wire bar and dried. Drying is performed at 80℃ for 15 minutes, and if necessary vacuum drying for 6 hours to reduce the film thickness.
A switching element layer of 2 μm was formed.

スイツチング現象の測定 上記スイツチング素子層にAlを真空蒸着し、
Al蒸着膜と銅基板を電極としてサンドイツチ型
セルを形成した。
Measurement of switching phenomenon Al was vacuum-deposited on the above switching element layer,
A sandwich-type cell was formed using an Al deposited film and a copper substrate as electrodes.

次に銅基板側に対し、+3.0V〜−3.0Vの電圧を
印加した。第1回目の電圧印加におけるV−I曲
線を第3図の曲線1に示す。さらに第2回目以降
の電圧印加におけるV−I曲線を曲線2に示す。
Next, a voltage of +3.0V to -3.0V was applied to the copper substrate side. The VI curve in the first voltage application is shown in curve 1 in FIG. Furthermore, the VI curve in the second and subsequent voltage applications is shown in Curve 2.

実施例 感光体の作製 参考例と同様な方法により、スイツチング素子
層を銅基板上に形成させた。
Example Production of photoreceptor A switching element layer was formed on a copper substrate by the same method as in the reference example.

次に、ポリビニルカルバゾール(LuvicanM−
170BASF社製)10重量部にテトヒドロフラン90
重量部に加えて10%PVK溶液を作製した。この
10%PVK溶液10重量部に2,4,7−トリニト
ロ−9−フルオレノ0.5重量部及びテトラヒドロ
フラン2.0重量部を加え、超音波分散機で充分に
溶解させ、感光層塗布液を作製した。
Next, polyvinylcarbazole (LuvicanM-
170 BASF) 10 parts by weight and 90% tetrahydrofuran
In addition to parts by weight, a 10% PVK solution was prepared. this
0.5 parts by weight of 2,4,7-trinitro-9-fluoreno and 2.0 parts by weight of tetrahydrofuran were added to 10 parts by weight of 10% PVK solution and sufficiently dissolved using an ultrasonic disperser to prepare a photosensitive layer coating solution.

この塗布液に先に形成させたスイツチング層上
にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行ない、7μm
の感光層を形成させ、感光体を得た。
This coating solution was applied onto the previously formed switching layer using a wire bar and dried to form a layer of 7 μm.
A photosensitive layer was formed to obtain a photoreceptor.

複写テスト 上述の作製した感光体を表面電位光減衰装置に
セツトし、約30秒間正コロナ放電(+6.0KV)を
行なつた後、原稿露光を行なつた。なお、照射光
としてタングステンランプ(14mW/cm2)を用い
約1分間露光を行なつた。
Copying Test The photoreceptor prepared above was set in a surface potential light attenuator, and after positive corona discharge (+6.0 KV) was applied for about 30 seconds, the original was exposed. Note that exposure was performed for about 1 minute using a tungsten lamp (14 mW/cm 2 ) as the irradiation light.

次に市販の静電写真複写機(TC−162:三田工
業社製)の感光体ドラムをアルマイトドラムに取
り換え、そこに露光後の本感光体を貼付し、銅基
板を接地した後、正コロナ放電(+6KV)、トナ
ー現像、普通紙への転写クリーニングのサイクル
を連続的に繰り返し、静電印刷を行なつた。
Next, replace the photoreceptor drum of a commercially available electrophotographic copying machine (TC-162: manufactured by Sanda Kogyo Co., Ltd.) with an alumite drum, attach this photoreceptor after exposure to it, and ground the copper substrate. Electrostatic printing was performed by continuously repeating the cycle of discharge (+6KV), toner development, and transfer cleaning to plain paper.

印刷を50サイクルまで行なつたところ、初期画
像と比較しても画像のノイズや、コントラストの
乱れはほとんど観測されず、鮮明な印刷物が得ら
れた。
When printing was performed up to 50 cycles, almost no image noise or contrast disturbance was observed when compared with the initial image, and clear printed matter was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の感光体の断面構造を示し、第
2−A乃至2−D図は本発明の感光体のメモリー
像の形成原理及び静電像の形成原理を示し、第3
図は本発明に使用するスイツチング素子層につい
て印加電圧と電流との関係を示したものである。 1……導電性基質、2……スイツチング素子
層、3……電荷発生輸送乃至電荷受容層。
Fig. 1 shows the cross-sectional structure of the photoreceptor of the present invention, Figs.
The figure shows the relationship between applied voltage and current for the switching element layer used in the present invention. 1... Conductive substrate, 2... Switching element layer, 3... Charge generation transport or charge receiving layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 導電性基質、該導電性基質上に設けられた、
電子受容性物質と銅又は銀との錯体から成り、高
電場で高電導状態となり且つ高電導状態が維持さ
れるスイツチング素子層、及び該スイツチング素
子層上に設けられた電荷発生輸送層乃至は電荷受
容層から成る電子写真感光体。 2 電荷発生輸送層乃至は電荷受容層が正孔輸送
物質と電子輸送物質との混合物乃至は電荷輸送錯
体から成る特許請求の範囲第1項記載の感光体。
[Claims] 1. A conductive substrate, provided on the conductive substrate,
A switching element layer made of a complex of an electron-accepting substance and copper or silver, which becomes and maintains a high conductivity state in a high electric field, and a charge generation transport layer or charge provided on the switching element layer. An electrophotographic photoreceptor consisting of a receptor layer. 2. The photoreceptor according to claim 1, wherein the charge generating transport layer or the charge receiving layer comprises a mixture or a charge transport complex of a hole transporting material and an electron transporting material.
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