JPH05506929A - 反応性化合物の定量分析のためのガスクロマトグラフ質量分析計（ｇｃ／ｍｓ）システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 反応性化合物の定量分析のためのガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ／ｌｌ５ ）システム 本発明は米国エネルギー省によって付与された契約番号第１１Ｅ−ＡＣ０５−８ ４ＯＲ２１４００号の下でマーチン・マリエッタ・エネルギー・システム社と契 約が締結されており、米政府は本発明に関して一定の権利をもっている。

本発明は成る種の化合物又は物質の低レベルの存在量を定量測定するための装置 と方法に関する。より具体的には、本発明はパーツ・パー・ピリオン（ｐｐｂ） 及びパーツ・バー・トリリオン（ａｐｌ）の単位のレベルでの高反応性化合物の 存在量を検知し、測定することに関する。

従来技術 ガスクロマトグラフ（ＧＣ）は、試料の気体、又は気化させることのできる液体 、の一定容積を取り、液状吸着剤の静止相を含む分離柱の中にこれらの試料を導 入する、強力な分析装置である。つぎに試料は移動相搬送気体によって分離柱を 通して輸送される。試料気体の個々の分子は吸着され、柱内の吸着性静止相剤か ら時期を異にして解放される。適正な移動及び静止相剤並びにＧＣの温度プログ ラムの選択によって、化合物の混合物を含む試料は、一度に一つの化合物だけが ＧＣ柱から溶離するような仕方で、ＧＣによって分離されることができる。

液体試料は２つの主要な装置、すなわち加熱インジェクタ（例　グロブ（ＧｒＯ ｂ）のスプリツ）・／スプリットレス・インジェクタ）又はコールド・オン・コ ラム・インジェクタによって分析柱に導入される。ＧＣ分析柱から取られた溶離 化合物は、様々な検知器によって検知されることができる。代表的な検知器は、 電子捕捉検知器、電解導電率検知器、アルカリ炎イオン化検知器、炎光度計検知 器、熱伝導性検知器、炎イオン化検知器及び質量分析計である。質量分析計を除 く全ての検知器では、検知器が発生させた、特定の化合物の存在を示す信号ピー クは、正確な定量分析を行うためには、完全に分離（分解）されなければならな い。質量分析計は、単一の質量数における特定イオン監視又は、幾つかのばらば らの選択イオンの質量数の同時監視によって、同時溶離する化合物の正確な定量 分析を与えることができる。本発明は、ガスクロマトグラフ／質量分析計（ＧＣ ／　ＭＳ）システムを含む。

完全なＧＣ／　ＩＩＳシステムにおいて、ＧＣのインジェクタ内で気化された全 ての分子が！Ｉｔｓによって検知される。しかし、従来のＧＣ／　ＭＳシステム 内の気化化合物の可逆的および非可逆的吸着並びに熱的／触媒的分解の故に、そ のような効率は達成不能である。この問題は、分析中の化合物の反応性の度合が 高くなるにつれて、大きくなる。

従来のＧＣ／　ＭＳシステムの大多数は、反応性化合物の正確な分析を実行しよ うと試みて、グロブ（Ｇｒａｂ）のスプリット／スプリットレス型の加熱インジ ェクタを用いる。

それらが運用される温度とインジェクタの内部構造とから、この加熱インジェク タは前記のように多くの、反応性の高い化合物の熱的／触媒的分解を生じ、極く 低濃度の化合物を正確に分析するのに適していない。インジェクタの従来の高い 運用温度（ＧＣ炉の最高温度よりも約１０℃高い）はインジェクタの内部要素の 中に活性態部位を生じ、これらの熱的に活性の部位は続いて、分析中の反応性化 合物の触媒的及び熱的の分解並びに可逆的／非可逆的吸着を誘起する。インジェ クタをそのような高温度に保つことによって生ずるこれらの悪影響を防ぐために 、幾つかのＧＣ／　！、ＩＳシステムはコールド・オン・コラム・インジェクタ を用いる。従来のコールド−オン・コラム慟インジェクタ嗜システムは、室温に 保たれるインジェクタ本体と、長さ１〜５ｍの不活性化された溶融シリカ柱とか ら成る。一定長の不活性化された柱はプレカラムとして知られ、就内の溶剤あふ れ効果と分析柱の汚染を防ぐのに用いられる。従来のシステムにおいて、プレカ ラムはＧＣ炉の内側にあって、分析柱に結合される。しかし、ＧＣ炉が室温から 約３００℃にサイクルされる時、１３５℃を越える温度に不活性化溶融シリカ・ プレカラムを加熱すると、プレカラムが熱的に活性化されることになる。インタ ーフェースを介する６ＣとＭＳの間の接続も不活性化溶融シリカ管を用いてなさ れ、従来のシステムはＧＣ炉の最高温度よりも約１０℃高い温度でインターフェ ースをも運用することを要求するので、シリカ管は同じ熱活性化問題ニ直面する 。従来のＧＣ／　ＭＳシステムはまた質量分析計のイオン源をＧＣ炉の最高温度 よりも１０℃高い温度で運用することを要求する。これらの条件の下で、ＭＳの 金属イオン化室もまた分析中の化合物の可逆性／非可逆性吸着及び触媒／熱分解 を生ずる。

本発明は、分析中の化合物、インジェクタ・システムの表面、ＧＣ／ＭＳインタ ーフェース及び質量分析計のイオン源が、分析中の化合物の気化温度をこえる、 分解と活性化を生ずる高温度を受けることを防止することによって、従来のＧＣ ／　ＭＳシステムの前記の限界を回避する。従来の通則によって規定されるより もずっと低い、分析中の化合物に特有の値にプログラムされる温度において、前 記要素が運用されるように、本発明が設計され、運用本発明の主目的は、化合物 の気化性に関連する温度制御された環境の中で該化合物を検知し、測定する装置 と方法を与えることである。

本発明のいま一つの目的は、化合物を気化させるのに必要な温度よりも高い温度 に化合物をさらすことなく、反応性化合物を気化させ、輸送し、検知する装置と 方法を与えることである。

本発明のさらにもう一つの目的は、反応性化合物を検知し／測定する装置と方法 を与えることである。

本発明は上記その他の目的を達成するために、気化する化合物の分離及び測定の ためのガスクロマトグラフ／質量分析計（ＧＣ／　ＩＪｓ）システムを与え、該 システムは・ （り該化合物を気化させて、該ガスクロマトグラフに導入するための断熱された インジェクタ配列；（ｂ）該気化された化合物を該クロマトグラフから該質量分 析計の不活性イオン化室に輸送するための断熱されたインターフェース配列； （ｃ）該インジェクタ配列、インターフェース配列及び質量分析計の中にある間 に該化合物の気化温度を選択的に制御するために、該インジェクタ配列、インタ ーフェース配列及び質量分析計に結合される、プログラム自在の温度制御装置 を含む。

本発明はまた上記その他の目的を達成するために分子化合物の分離及び測定のた めに、ガスクロマトグラフ／質量分析計システムを運用する方法を与え、該方法 は：（ａ）該化合物を含む試料をインジェクタ配列に導入する段階： （ｂ）該化合物に特有の気化温度に、該インジェクタ配列内の該試料をプログラ ム自在に加熱する段階；（Ｃ）該インジェクタ配列を該ガスクロマトグラフから 断熱する段階： （ｄ）該試料を該ガスクロマトグラフに導入する段階。

（ｅ）該試料中の全ての化合物を分離するような仕方で該ガスクロマトグラフを 運用する段階。

（【）該ガスクロマトグラフと該質量分析計から断熱されたインターフェース配 列を介して、該分離された化合物を該質量分析計の不活性イオン化室に輸送する 段階。

ｆｇ）該化合物に特有の該気化温度に、該インターフェース配列及び該イオン化 室をプログラム自在に保つ段階；（ｈ）該特定化合物に特有の質量／電荷比を該 質量分析計で測定する段階 第１図は本発明による分離／測定装置の全体説明図である。

策２図は本発明による装置のための温度制御、断熱インジェクタ配列の、より詳 細な説明図である。

′Ｍ３図は本発明による装置に使用される断熱インターフェース・プレートの説 明図である。

第４図は本発明によるガスクロマトグラフと質量分析計の間の断熱インターフェ ース配列の、より詳細な説明図である。

第５図は質量分析計に使用される、本発明による不活性、温度制御イオン化室の 説明図である。

望ましい実施例の説明 第１図は本発明によって構成されるＧＣ／　ＭＳシステムの基本要素の説明図で ある。分析すべき物質の試料を気化させてＧＣの分析柱に輸送するための、プレ カラム１２を含むオン・カラム・インジェクタ配列１０は、ガスクロマトグラフ （図示せず）の炉１４の外部にあって、断熱インターフェース・プレート１６に よって炉１４から熱的に隔離される。プレカラム１２はＧＣＣｌ２Ｏ中に含まれ る分析柱１８に接続される。ＧＣ炉を熱サイクルさせた後、分析柱１８からの、 試料の分離された化合物は第２の断熱インターフェース・プレート２０を介して 、ガスクロマトグラフ及び質量分析計から熱的に隔離された温度プログラム自在 インターフェース配列２２に輸送される。つぎに、分離された化合物は、分析柱 １８に接続されたインターフェース配列内の第２の不活性化された溶融シリカ柱 ４８を介して、質量分析計２４のプログラム自在温度制御イオン化室２６に輸送 される。

第２図において、本発明のインジェクタ配列１０の、より詳細な説明図が示され る。隔膜パージ３０の入口、搬送ガス３２の導入口、及び不活性化溶融シリカ・ プレカラム１２（典型的な長さ１〜５ｍ）への試料３４の導入口、を有する気密 性オンカラム・インジェクタ２８は、インジェクタ配列炉１４の壁を介してプレ カラム１２に接続される。プログラム自在コントローラ３６はインジェクタ配列 １０の炉内のヒータ３８を調節して、プレカラム１２内の試料を気化させる熱を 与える。外部気体源とインジェクタ炉を接続する管４２の中の流体の流れを調節 する電磁弁４０、インジェクタ炉内の流体温度を感知する熱電対４４、及びイン ジェクタ配列１０内の流体圧を隣接するガスクロマトグラフ炉１４内の圧力より も高く保つファン４６もコントローラ３６に接続される。

この冷却流体の正圧は、温度サイクル運転中、ガスクロマトグラフ炉１４によっ て発生する熱からインジェクタ配列を断熱するのを助ける。インジェクタ配列１ ０の設計は従って、試料中の各特定化合物を気化させるのに必要な温度よりも高 くない温度で、試料を気化させ、輸送し、ＧＣ炉の分析柱に導入する。それ故、 分析すべき化合物の熱的又は触媒的な分解は全て避けられる。そのうえ、従来の インジェクタ・システムのように長時間の高温度を用いないインジェクタ炉の運 転は、不活性化された溶融シリカ・プレカラムの活性化と、そのあとの、分析す べき化合物とプレカラムの間の吸着／再化合の相互作用を防ぐ。例えば、ＥＰＡ 法６２５の酸化合物は、１１５℃未満の温度で、インジェクタ配列１０内のプレ カラム１２によって分析柱に輸送されることができる。

第３図はＧＣ炉１４をオンカラムφインジェクタ配列１０から熱隔離するように 設計されたインターフェース・プレート１６の一つの説明図である。インターフ ェース・プレート２０は似た構成である。孔Ｂの直径は、インジェクタ配列１０ 内部の不活性化溶融シリカ・プレカラム１２とインターフェース配列２２内の不 活性化溶融シリカ柱４８とを、分析中の化合物の気化温度に保つように流体を流 すのに十分な大きさである。インジェクタ配列１０とインターフェース配列２２ の内部の流体圧はＧＣ炉１４内部の圧力よりも高く保たれるので、ＧＣ炉１４か ら孔Ａを通って、インジェクタ配列１０又はインターフェース配列２２の何れか に流れる加熱流体は無い。

インターフェース・プレート１６．２０は、例えばセラミックのような秀れた断 熱特性を有する材料から製作される。

本発明のＧＣ／ＭＳシステムのためのインターフェース配列２２が第４図に、よ り詳細な説明図で示される。インターフェース配列２２は炉壁にある断熱板２０ によって６Ｃ炉１４に結合される。ＧＣ炉から、試料の分離された化合物を選ぶ 分析柱１８は、ＧＣ炉の外部の断熱板２０の表面近くのインターフェース配列２ ２内の不活性化溶融シリカ柱４８の第２の部分につながる。不活性化溶融シリカ 柱の第２の部分は、分析中の試料の分離された成分を質量分析計２４のイオン化 室２６に輸送する。

６Ｃ炉１４からの熱隔離を高めるためのインターフェース配列２２の精密な温度 制御は、プログラム自在コントローラ３６を第２の電磁弁５０に接続することに よって達成され、電磁弁５０は、これもプログラム自在コントローラ３６に接続 されるヒータブロック５４の内部に外部流体源を接続する。流体は、ヒータブロ ック５４から移送管５６の配列を通って、インターフェース配列２２の縦軸線に 沿ってインターフェース瞭プレート２０の内部から延在する流体分配管５８に輸 送される。プログラム自在コントローラは、第２の熱電対６０によって配列内部 の流体の温度を感知し、そのうえ、ＧＣ炉１４内の圧力に対して配列内部の流体 の正圧を維持する。例えば、ＥＰＡ法６２５の酸化合物は、６０℃のインターフ ェース温度にて、ＧＣ柱から質量分析計に、インターフェースによって輸送され る。

第５図に、質量分析計２４のイオン化室２６が説明図で示される。

従来のステンレス鋼イオン化室の内面に非反応性材、例えばステンレス鋼を被膜 されて、不活性化される。しかし、この不活性化状態は従来のシステムの運用で は維持されない。それは、ステンレス鋼の成分、特にニッケルが通常の運転の高 温度、例えば約２５０〜３１０℃の範囲の運用温度にさらされると、強い反応性 を示すからである。本発明のＧＣ／１４３システムでは、イオン化室６４の内面 ６２と、室内部のイオン拳リベラー６６が、約０．００３ｉｎ　（０，０７６ｍ ｍ）の厚さに金メッキされる。メッキ操作後、金の表面は僅かに反応性がある。

そのあと、金の表面は、燐酸を含む液体洗剤の溶液の中で超音波洗浄され、つぎ に蒸留水の超音波攪拌された槽の中ですすがれる。最後に、金表面は珪酸塩化剤 ですすいで、４０℃の温度で乾燥させて、不活性化表面を生ずる。この不活性化 処理を行っても、イオン化室６４は、もしも従来のように３０００で運用される と、数字間で反応性を帯びる。しかし、本発明によれば、ＧＣ内の分析柱内の気 化した化合物は低い温度で気体状態を保つので、イオン源を従来のシステムより ずっと低い温度で運用することができると判定される。これは、イオン化室２４ が１．０−５ｔ　ｏ　ｔ　ｔの真空で運用される結果である。例えば、ＥＰＡ　 法６２５の化合物は全て、８０℃未満の源泉温度で分析することができる。

また、従来の室が高温度の運用で汚染するようには、イオン化室２４はこれらの 低温度運用で汚染しない。その結果、頻繁な清掃と保守を必要とする従来のイオ ン化室とは反対に、本発明の教示により運用されるイオン化室６４は長期間、不 活性及び非汚染の状態を保つ。加熱装置７２を切った状態でも、電子フィラメン ト７０がイオン化室の温度を８０℃を超すまで上げるので、冷却流体を外部源か ら循環させて、プログラム自在コントローラ３６によって調節される冷却コイル ６８が、本発明のイオン化室２６に付加されて、室の温度を精密に制御する。

また、データを収集していないイオン源の温度を下げるためにも、冷却コイル６ ８を使用できる。

本発明の教示によるＧＣ／ＭＳシステムの運用を以下に述べる。通常の待機状態 において、インジェクタ配列１０、インターフェース配列２２及びイオン化室２ ６は室温にあるのに対し、ＧＣ炉１４は約３０℃の温度にある。データ取得とイ ンジェクタ配列１０への試料の投射との同時間始後、インジェクタ配列１０の温 度は３０秒間室温に保たれてから後、５分間で最高温度に急上昇される。インジ ェクタ配列の最高温度は、分離して測定しつつある化合物又は化合物類に特有な 気化温度である。ＥＰＡ法分析では、インジェクタ配列１０の温度は１３０℃を 超えなくてよい。５分間の急上昇の終りに、冷却流体電磁弁４０が開かれ、イン ジェクタ配列１０のシステムは室温にまで急令して戻され、分析の完了までその 温度に保たれる。

投射シーケンスに続き、質量分析計２６はデータ取得モードに置かれ、イオン化 室２６の温度が試料中の化合物の気化温度にまで上げられる。ＧＣＣｌ２Ｏ温度 は１０〜１５６Ｃ／分の早さで３０℃から３１０℃に急上昇される。試験中の化 合物の気化温度（８０℃未満）までＧＣＣｌ２Ｏ温度を正確に追跡するために、 インターフェース配列２２の温度がプログラム自在コントローラ３６によって制 御される。インターフェース配列２２の温度はそこで分析の残りの間中、コント ローラ３６によってこの温度に保たれ、いっぽうＧＣＣｌ２Ｏ温度はコントロー ラ３６によって３１０℃に上げられる。データ取得シーケンスの終りに、イオン 化室２４とインターフェース配列２２の温度はコントローラ３６によって室温に 下げられる。ＧＣＣｌ２Ｏ温度はコントローラによって３０℃に下げられる。全 ての待機温度が得られた時、ＧＣ／ＭＳシステムは待機モードに入り、次の試料 の分析の態勢にある。

従来のＧＣ／　ＭＳシステムと本発明の主題であるＧＣ／１．ｉｓシステムとの 間の試料の試験的比較が、ＥＰＡ法６２５のフェノールの標準溶液を用いて行わ れた。

フェノールの標準溶液が従来のシステムを用いて分析され、１日経過後、この分 析が繰返された。分析の結果は表１に示しである。

フェノールの同一の標準溶液が本発明のＧＣ／ＭＳシステムを用いて分析され、 １４日経過後、分析が反復された。

これらの分析の結果が表２に示される。

分析を比較すると、従来のシステムの分析はたった１日経過した後でも、著しい 相違が見られる。その反対に、本発明のＧＣ／ＭＳシステムは、１４日も経過し た後でも、著しい相違が見られない。

実験のデータは、標準溶液のフェノールの各々について反応率の大きな低下が示 すように、従来のシステムが非常に急速に活性化されること、を示す。反応率の 大きな変化は、従来のシステムが再較正されないで２日目に例示のＥＰｋ法を遂 行するのを不可能とするであろう。

本発明のＧＣ／ＭＳシステムは、誤った結果を生ずる、試料輸送柱内の高い運用 温度と化学反応性部位とに試料をさらすことなく、反応性化合物の試料の分析を 可能にする。さらに、本発明のＧＣ／ＭＳシステムは反応性有機化合物を分析す る長期にわたる運用を可能にし、しかも米国環境保護局のそれのような必要な運 用パラメータ及び基準を満たし続ける。反応性有機化合物のピコグラム単位の量 を、反復的に、正確に、また経済的に材料試料の中から測定することができる。

表１ 従来のＧＣ／ＭＳシステムを用いるフェノール反応に与える経時効果（ＩＥＩ） 化合物　ｍ／ｘ　ＩＯ［１ｎｇ　ｌ口Ｏｎｇ１．４−ジクロロベンゼン−Ｄ４　 １５２　１．　Ｓ、　１．　Ｓフェノール　６６　Ｊ５０　．２９０ ２−クロロフェノール　１３０　’、２５１　．２２４ナフタリン−［１８１３ ７１，Ｓ、　１．Ｓ。

２−二トロフェノール　＋３９　．３３４　．１９５２．４−ジメチルフェノー ル　７７　．５５４　．４５２２．４−ジクロロフェノール　１６４　．８４５ 　．７５２アセナフテン−１０１６４１，Ｓ、　１．ｓ。

４−クロロ−３−メチルフェノール　７７　．１４５　．１２７２、４．６−　 トリクロロフェノール　１９６，１６６　．１３４４−ニトロフェノール　６５ 　．０６７　．０３７フエナンスレンー０１０　１８９　１．５、１．Ｓ。

２−メチル−４，６−ジニトロフェノール　＋９８　．０５９　．０４７ペンタ クロロフエノール　２６６　．３７２　．２５５２．４−ジニトロフェノール　 １．８４　．０３１　．０１９初期条件 １　コールド−オン・カラム投射 ２、ＧＣ炉：４５〜３００℃、ｌＯ℃／分運用分度用温度３ンターフェース運用 温度３００℃４、　イオン化室運用温度３００℃ ５、　分析柱ニスーペル］　（Ｓａｐｅｌｃｏ　）　５ＰＢ−５内径０．３２． ３０ｍ、　Ｉｌ、　２５μｍ　ｄｆ表２ 本発明のＧＣ／ＩＪＳシステムの場合の経時効果（１４日）化合物　ｍ／ｌ　ｌ Ｏ［１ｎｇ　Ｉｏｏｎｇｌ、４−ジクロロベンゼン−Ｄ４　１５２　１．９．　 １．ｓ。

フェノール　６６　．１８２　．２２６２−クロロフェノール　１３０　．３３ ８　Ｊ６７ナフタリンー０８　１３７　１．Ｓ、　ｌ、Ｓ。

２−ニトロフェノール　１３９　１．５５　１．．４４２．４−ジメチルフェノ ール　７７　Ｊ３８　Ｊ７８２．４−ジクロロフェノール　１６４　１．４０　 １Ｊ６アセナフテンーＤＩＧ　１６４　１．５．　１．Ｓ。

４−クロロ−３−メチルフェノール　７７　．０７１　．０８４２、４．６〜ト リクロロフエノール　＋９６　．２４８　．２６２４−ニトロフェノール　６５ 　．０５５　．０５８フェナンスレン−０１０１８９１，Ｓ、　１．ｓ。

２−メチル−４，６−ジニトロフェノール　＋９８　．３４２　．４４０ペンタ クロロフエノール　２６６　．７０５　．７２８２．４−ジニトロフェノール　 １８４　．３１５　Ｊ（１４初期条件 ＊１、　新原型コールドφオン・カラム投射システム＊２．　新原型インターフ ェース配列 ３、　分析柱レスチク（Ｒｅｓｔ！ｋ）　Ｒｔ−５，３Ｇ＋ａ　１．０．ｃｚｉ 　ｄｆ、内径０．３２ｍｍＦＩＧ、　５ 要　約　書 本発明は反応性化合物の存在量を分析する新規なガスクロマトグラフ質量分析計 （ＧＣ／　ＭＳ）の装置と方法に関する。ガスクロマトグラフのオブンの外部に 存するＧＣ／ＭＳ装置のようなすべての要素は、分離して測定すべき化合物に特 有の気化温度で作動するようにプログラムされた温度下で制御される。

手続補正書 １　事件の表示 平成３年特許願第５０８３７２号 ２　発明の名称 反応性化合物の定量分析のためのガスクロマトグラフ質量分析計（ＧＣ／ＭＳ） システム ３　補正をする者 事件との関係　特許ａ願人 名　称　マーチン・マリエツタ・エナジー・システムズ・インク４代理人 住　所　東京都千代田区永田町１丁目１１番２８号相互永田町ビルディング８階 電話　３５８１−９３７１ １　明細書第１頁１９行及び２４行にそれぞれ「静止相」とあるのを「固定相」 に訂正する。

２　同頁２０行「搬送気体」を「キャリヤーガス」に訂正する。

３　同第１頁１９行及び２１行、第２頁５行（２ケ所）、第３頁１６行及び１７ 行、第７頁４行、９行、１０行、１４行及び１６行、第８頁１２行及び２０行、 第９頁２行、１５行、１７行及び１８行、並びに第１１頁３行に「柱」とあるの を、それぞれｒカラム」に訂正する。

４　同第２頁２２行、策３頁５行及び第４頁７行に「熱的／触媒的」とあるのを 、それぞれ「熱／接触」に訂正する。

５　同第３頁１０行口触媒的及び熱的の」を「接触及び熱」に訂正する。

６　同第８頁１３行「熱的又は触媒的な」を「熱又は接触」に訂正する。

７　同第４頁１０行乃至１１行「気化温度をこえる、分解と活性化を生ずる高温 度」を「気化温度を越え、熱分解と活性化を生ずるような高い温度」に訂正する 。

８　同第８頁１４行乃至１６行「従来の・・・そのあとの、」を「従来のインジ ェクタ・システムにおいて保持されるような高温度を用いないでインジェクタ炉 の運転を行うことにより、不活性化された溶融シリカ・プレカラムの活性化を防 ぎ、その結果、」に訂正する。

９　同第１０ｊ［１２行乃至１３行「内面に非反応性材、例えばステンレス鋼を 被膜されて、」を「内面は非反応材、例えばステンレス鋼に被膜されて、」に訂 正する。

１０　同第１１頁２行「数字間」をｒ数時間」に訂正する。

１１　明細畜牛請求の範囲を次のとおり訂正する。

「１　複数の分子化合物を含む分析中の試料の中の特定の分子化合物を検知し、 測定する装置であって：ａ　分析中の該試料中の全ての分子化合物を分離するガ スクロマトグラフ； ｂ　該試料を気化された分子化合物として該ガスクロマトグラフに導入するイン ジェクタ配列；Ｃ該気化され分離された分子混合物を該ガスクロマトグラフから 受入れて、質量分析計のイオン化室に輸送するインターフェース配列；ｄ　該特 定の分子化合物に特有の気化温度で該インジェクタ配列、該インターフェース配 列及び該イオン化室をプログラム自在に運用するために、該インジェクタ配列、 該インターフェース配列及び該イオン化室に接続された温度制御装置： を含む装置。

２　該インジェクタ配列は、該ガスクロマトグラフの外部にある、請求項１の装 置。

３　該インジェクタ配列と該ガスクロマトグラフの間に結合された第１の断熱材 によって、該インジェクタ配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離される、 請求項１の装置。

４ａ　流体を外部源から該インジェクタ配列に導入する第１の弁装置； ｂ　該温度制御装置に接続された、該流体の温度を感知し調節するための第１の 調節装置；Ｃ第１の流体圧力を保つための第１の圧力装置；を該インジェクタ配 列がさらに含む、請求項１の装置。

５　該流体はガスである、請求項１の装置。

６　該第１の断熱材は切削自在のセラミックである、請求項１の装置。

７　該インターフェース配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される第２の断 熱材によって、該インターフェース配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離 されている、請求項１の装置。

８ａ　該流体を該外部源から該インターフェース配列の中に導入する第２の弁装 置； ｂ　該温度制御装置に接続される、該流体の温度を感知し調節するための第２の 調節装置；Ｃ該インターフェース配列の内側の第２の流体圧力を保つための第２ の圧力装置： を該インターフェース配列がさらに含む、請求項１の装置。

９　該イオン化室はイオン化された分子を偏向させ請求項１の装置。

１０　該化学的に不活性な被膜は珪酸塩化された金を含み、該被膜の厚さは約０ ．００３　ｉｎ　（ｆｌ、０７６　＠ｎ）である、請求項９の装置。

１１　該イオン室は： ａ　該流体を該イオン化室回りに輸送するための、該外部源に結合された流体冷 却装置； ｂ　該温度制御装置に接続され、該流体の温度を感知し、調節する第３の調節装 置： を含む、請求項１の装置。

１２　該流体冷却装置は該イオン化室を取り囲む流体伝導コイルである、請求項 １１の装置。

１３　複数の分子化合物の中に含まれる特定の分子化合物を検知するガスクロマ トグラフ／質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）システムであって： ａ　該複数の化合物を含む試料を該ＧＣ／ＭＳ内に導分析計システム質量分析計 に接続して、該分析計システムの該質量分析計のイオン化室に該複数の分子化合 物を気化された形で輸送するインターフェース配列； Ｃ該ガスクロマトグラフが所定の温度範囲ミフェース配列及び該イオン化室が該 特定の分子化合物に特有の選択された気化温度において運用されるように、該Ｇ Ｃ／ＭＳ装置、該導入装置、該インターフェース配列及び該イオン化室に接続さ れるプログラム自在のコントローラ：を含む装置。

１４　該導入装置は該ガスクロマトグラフの外部にあるインジェクタ配列である 、請求項１３の装置。

１５　該インジェクタ配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される′；ｓ１の 断熱材によって、該インジェクタ配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離さ れる、請求項１４の装置。

１６　（ａ）外部源から該インジェクタ配列に流体を導入する第１の弁装置； （ｂ）抜液の温度を感知し、調節するための、該温度制御装置に接続される第１ の調節装置；（ｃ）第１の流体圧力を維持する策１の圧力装置：を該インジェク タ配列がさらに含む、請求項１４の装置。

１７　該流体は気体である、請求項１６の装置。

１８　該第１の断熱材は切削自在のセラミックである、請求項１５の装置。

１９　該インターフェース配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される第２の 断熱材によって、該インターフェース配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔 離される、請求項１３の装置。

２０ａ　該流体を該外部源から該インターフェース配列に導入する第２の弁装置 ； ｂ　該流体の温度を感知し調節するための、該温度制御装置に接続される第２の 調節装置；を該インターフェース配列がさらに含む、請求項１３の装置。

２１　該イオン化室はイオン化した分子を偏向する９項１３の装置。

２２　該不活性被膜は珪酸塩化された金から成り、該被膜の厚さは約０．００３ 　ｉｎ　（０，０７６ｍｍ）である、請求項２１の装置。

２３ａ　該流体を該イオン化室回りに輸送するための、該外部源に結合された流 体冷却装置； ｂ　該流体の温度を感知し調節するための、該温度制御装置に接続される第３の 調節装置：を該イオン化室が含む、請求項１３の装置。

２４　該流体冷却装置は該イオン化室を囲む液体伝導コイルである、請求項２３ の装置。

２５　分析中の試料中に含まれる単一の分子化合物を分離し測定するためにガス クロマトグラフ／ｉｒ量分析計（ＧＣ／ＭＳ）システムを運用する方法であって ： ａ　該試料を該ＧＣ／ＭＳシステムに導入する段階；ｂ　該分析中の試料に含ま れる全ての気化された分子化合物を分離するのに必要な選択された温度範囲内で 、該ガスクロマトグラフ内にある炉を運用する段階； Ｃ該単独の分子化合物に特有の気化温度において、該炉の外側の全てのＧＣ／Ｍ Ｓ要素をプログラム自在に運用する段階： を含む方法。

２６　特定の分子化合物の分離と測定のためにガスクロマトグラフ／質量分析ｉ ｔ　（ＧＣ／ＭＳ）システムを運用する方法であって； ａ　該特定の分子化合物を含む分析中の試料を、該ガスクロマトグラフに結合さ れたインジエクの該試料の加熱を、該単一分子化合物に特有の気化温度に、プロ グラム自在に制御する段階；Ｃ該ガスクロマトグラフに含まれる炉から該インジ ェクタ配列を熱的に隔離する段階；に導入する段階； ｅ　該分析中の試料内の全ての分子化合物を分離するために、選択された時間対 温度の曲線に従って、該ガスクロマトグラフの該炉をプログラム自在に運用する 段階； ｆ　該ガスクロマトグラフを該質量分析計から熱的に隔離するインターフェース 配列を介して、該気化され分離された化合物を該質量分析計の該不活性イオン化 室に輸送する段階； ｇ　該特定の分子化合物に特有な該気化温度に、該インターフェース配列を該イ オン化室をプログラム自在に維持する段階； ｈ　該質量分析計を用いて、該特定化合物に特有の質量対電荷比を測定する段階 ： を含む方法。

２７　該インジェクタ配列を熱的に隔離する段階は、外部源から該インジェクタ を通る、調節された温度にある流体の流れを制御することを含む、請求項２６の 方法。

２８　該インターフェース配列を該気化温度に維持する段階は、該外部源から該 インターフェース配列を通る、該調節された温度にある該流体の流れを制御する ことを含む、請求項２６の方法。

２９　該イオン化室を該気化温度に維持する段階は、該調節された温度における 該流体の、該イオン化室回りの流れを制御することを含む、請求項２６の方法。

３０　該流体は気体である請求項２７の方法。」国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　複数の分子化合物を含む分析中の試料の中の特定の分子化合物を検知し、測 定する装置であって：ａ　分析中の該試料中の全ての分子化合物を分離するガス クロマトグラフ； ｂ　該試料を気化された分子化合物として該ガスクロマトグラフに導入するイン ジェクタ配列；ｃ　該気化され分離された分子混合物を該ガスクロマトグラフか ら受入れて、質量分析計のイオン化室に輸送するインターフェース配列； ｄ　該特定の分子化合物に特有の気化温度で該インジェクタ配列、該インターフ ェース配列及び該イオン化室をプログラム自在に運用するために、該インジェク タ配列、該インターフェース配列及び該イオン化室に接続された温度制御装置； を含む装置。 ２　該インジェクタ配列は、該ガスクロマトグラフの外部にある、請求項１の装 置。 ３　該インジェクタ配列と該ガスクロマトグラフの間に結合された第１の断熱材 によって、該インジェクタ配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離される、 請求項１の装置。 ４ａ　流体を外部源から該インジェクタ配列に導入する第１の弁装置； ｂ　該温度制御装置に接続された、該流体の温度を感知し調節するための第１の 調節装置； ｃ　第１の流体圧力を保つための第１の圧力装置；を該インジェクタ配列がさら に含む、請求項１の装置。 ５　該流体は流体である、請求項１の装置。 ６　該第１の断熱材は切削自在のセラミックである、請求項１の装置。 ７　該インターフェース配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される第２の断 熱材によって、該インターフェース配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離 されている、請求項１の装置。 ８ａ　該流体を核外部源から該インターフェース配列の中に導入する第２の弁装 置； ｂ　該温度制御装置に接続される、該流体の温度を感知し調節するための第２の 調節装置； ｃ　該インターフェース配列の内側の第２の流体圧力を保つための第２の圧力装 置； を該インターフェース配列がさらに含む、請求項１の装置。 ９　該イオン化室はイオン化された分子を偏向させるリペラーを含み、該リペラ ーと該イオン化室の全ての内面が化学的に不活性な被膜を有する、請求項１の装 置。 １０　該化学的に不活性な被膜は珪酸塩化された金を含み、該被膜の厚さは約０ ．００３ｉｎ（０．０７６ｍｍ）である、請求項９の装置。 １１　該イオン室は： ａ　該流体を該イオン化室回りに輸送するための、該外部源に結合された流体冷 却装置； ｂ　該温度制御装置に接続され、該流体の温度を感知し、調節する第３の調節装 置； を含む、請求項１の装置。 １２　該流体冷却装置は該イオン化室を取り囲む流体伝導コイルである、請求項 １１の装置。 １３　複数の分子化合物の中に含まれる特定の分子化合物を検知するガスクロマ トグラフ／質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）であって： ａ　該複数の化合物を含む試料を該ＧＣ／ＭＳ内に導入する装置； ｂ　該装置のガスクロマトグラフを質量分析計に接続して、該質量分析計のイオ ン化室に該複数の分子化合物を気化された形で輸送するインターフェース配列； ｃ　該ガスクロマトグラフが所定の温度範囲を通してサイクルされ、該導入装置 、該インターフェース配列及び該イオン化室が髄特定の分子化合物に特有の選択 された気化温度において運用されるように、該ＧＣ／ＭＳ装置、該導入装置、該 インターフェース配列及び該イオン化室に接続されるプログラム自在のコントロ ーラ； を含む装置。 １４　該導入装置は該ガスクロマトグラフの外部にあるインジェクタ配列である 、請求項１３の装置。 １５　該インジェクタ配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される第１の断熱 材によって、該インジェクタ配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔離される 、請求項１４の装置。 １６（ａ）外部源から該インジェクタ配列に流体を導入する第１の弁装置； （ｂ）該液の温度を感知し、調節するための、該温度制御装置に接続される第１ の調節装置； （ｃ）第１の流体圧力を維持する第１の圧力装置；を該インジェクタ配列がさら に含む、請求項１４の装置。 １７　該流体は気体である、請求項１６の装置。 １８　該第１の断熱材は切削自在のセラミックである、請求項１５の装置。 １９　該インターフェース配列と該ガスクロマトグラフの間に結合される第２の 断熱材によって、該インターフェース配列が該ガスクロマトグラフから熱的に隔 離される、請求項１３の装置。 ２０ａ　該流体を該外部源から該インターフェース配列に導入する第２の弁装置 ； ｂ　該流体の温度を感知し調節するための、該温度制御装置に接続される第２の 調節装置； を該インターフェース配列がさらに含む、請求項１３の装置。 ２１　該イオン化室はイオン化した分子を偏向するリペラーを含み、該リペラー と該イオン化室の全ての内面とは化学的に不活性被膜を有する、請求項１３の装 置。 ２２　該不活性被膜は珪酸塩化された金から成り、該被膜の厚さは約０．００３ ｉｎ（０．０７６ｍｍ）である、請求項２１の装置。 ２３ａ　該流体を該イオン化室回りに輸送するための、該外部源に結合された流 体冷却装置； ｂ　該流体の温度を感知し調節するための、該温度制御装置に接続される第３の 調節装置； を該イオン化室が含む、請求項１３の装置。 ２４　該流体冷却装置は該イオン化室を囲む液体伝導コイルである、請求項２３ の装置。 ２５　分析中の試料中に含まれる単一の分子化合物を分離し測定するためにガス クロマトグラフ／質量分析計（ＧＣ／ＭＳ）システムを運用する方法であって： ａ　該試料を該ＧＣ／ＭＳシステムに導入する段階；ｂ　該分析中の試料に含ま れる全ての気化された分子化合物を分離するのに必要な選択された温度範囲内で 、該ガスクロマトグラフ内にある炉を運用する段階； ｃ　該単独の分子化合物に特有の気化温度において、該炉の外側の全てのＧＣ／ ＭＳ要素をプログラム自在に運用する段階； を含む方法。 ２６　特定の分子化合物の分離と測定のためにガスクロマトグラフ／質量分析法 （ＧＣ／ＭＳ）システムを運用する方法であって： ａ　該特定の分子化合物を含む分析中の試料を、該ガスクロマトグラフに結合さ れたインジェクタ配列内の柱（カラム）の中に導入する段階； ｂ　該インジェクタ配列内の該柱内の分析中の該試料の加熱を、該単一分子化合 物に特有の気化温度に、プログラム自在に制御する段階； ｃ　該ガスクロマトグラフに含まれる炉から該インジェクタ配列を熱的に隔離す る段階； ｄ　該試料を該インジェクタ配列内の該柱から該ガスクロマトグラフの該炉内の 分析柱に導入する段階；ｅ　該分析中の試料内の全ての分子化合物を分離するた めに、選択された時間対温度の曲線に従って、該ガスクロマトグラフの該炉をプ ログラム自在に運用する段階； ｆ　該ガスクロマトグラフを該質量分析計から熱的に隔離するインターフェース 配列を介して、該気化され分離された化合物を該質量分析計の該不活性イオン化 室に輸送する段階； ｇ　該特定の分子化合物に特有な該気化温度に、該インターフェース配列を該イ オン化室をプログラム自在に維持する段階； ｈ　該質量分析計を用いて、該特定化合物に特有の質量対電荷比を測定する段階 ；を含む方法。 ２７　該インジェクタ配列を熱的に隔離する段階は、外部源から該インジェクタ を通る、調節された温度にある流体の流れを制御することを含む、請求項２６の 方法。 ２８　該インターフェース配列を該気化温度に維持する段階は、該外部源から該 インターフェース配列を通る、該調節された温度にある該流体の流れを制御する ことを含む、請求項２６の方法。 ２９　該イオン化室を該気化温度に維持する段階は、該調節された温度における 該流体の、該イオン化室回りの流れを制御することを含む、請求項２６の方法。 ３０　該流体は気体である請求項２７の方法。