JPH05505072A - トランスジューサ信号条件付け回路 - Google Patents

トランスジューサ信号条件付け回路

Info

Publication number
JPH05505072A
JPH05505072A JP51541890A JP51541890A JPH05505072A JP H05505072 A JPH05505072 A JP H05505072A JP 51541890 A JP51541890 A JP 51541890A JP 51541890 A JP51541890 A JP 51541890A JP H05505072 A JPH05505072 A JP H05505072A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
output
input
offset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP51541890A
Other languages
English (en)
Inventor
ビンズ,ジョン・フィリップ・リンカーン
Original Assignee
ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB898925579A external-priority patent/GB8925579D0/en
Priority claimed from GB898925577A external-priority patent/GB8925577D0/en
Priority claimed from GB909021802A external-priority patent/GB9021802D0/en
Application filed by ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・リミテッド filed Critical ブリティッシュ・テクノロジー・グループ・リミテッド
Publication of JPH05505072A publication Critical patent/JPH05505072A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/261Amplifier which being suitable for instrumentation applications
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45138Two or more differential amplifiers in IC-block form are combined, e.g. measuring amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 トランスジューサ信号条件付は回路 (技術分野) 本発明は、オフセット構成要素を排除しながらトランスジューサの出力の信号成 分の増幅を提供するトランスジューサ信号条件付は回路に関する。
(背景技術) 圧電抵抗およびブリッジ・タイプのものを含む多くのトランスジューサは、信号 成分およびオフセット成分からなる小さな異なる電圧出力を生成する。この信号 成分は、測定された物理的変数によりゼロからフルスケールのスパンまで変化す る。この変数により変化しないオフセット成分は、排除することが望ましい誤り 成分である。典型的な事例は、3v電源を持ち、1.5Vの共通モード・レベル に静止する小さな差出力を有する圧力センサである。この差出力は、例えば、3 0mVのオフセットに加えて、測定圧力が0乃至100KPaの間に変化する時 、0乃至60mVの間に変化する信号成分からなる。
信号条件付は回路の機能は、トランスジューサの小さな差出力電圧を増幅して、 残りの成分が信号成分となるようにオフセット成分をこれから差引くことである 。
また、差出力を車路段出力に変換して共通モード・レベルを排除することも一般 的である。
小さな差信号を増幅して車路段出力を与える回路は、差出力を車路段出カに変換 するため1の利得を持つ標準的な差動増幅器として構成された第3の演算増幅が 、出力から大きいオフセット電圧を差引く手段は提供するものではない。
オフセット補償電圧を別の電圧と合成させる周知の回路は、加算増幅器である。
この回路は、加算接続点に2つ以1−の人力抵抗を持つことができ、これら抵抗 における電圧を一緒に加算する。しかし、これは差機能は持たない。
しかし、差動増幅器および加算増幅器は唯1つの演算増幅器を用いて差分加算増 幅器を形成するため1つの回路に有効に組合わせることができることが判った。
更に、この回路は、計装用増幅器の第2段における差動増幅器の代わりに使用す ることができ、これにおいてこの回路は第1段からの増幅された差出力を組合わ せ、その結果からの電圧を差引いて車路段出力を生じる。
本発明によれば、トランスジューサの出力信号を増幅して、オフセット電圧を差 引き、更に残りの信号電圧を増幅するトランスジューサ信号条件付は回路が提供 され、この回路は、差分イン差分アウトの第1増幅段と、差分加算増幅器の第入 力と接続さ汐、オフセット補償電圧生成回路は、このオフセット補償電圧を第2 段の差分入力の片側の加算接続点に加えるように接続されている。前記第2増幅 段は、各々が各入力抵抗により第1増幅段の差分出力の各側と接続された正およ び負の入力端子と、この負の入力端子に対して抵抗フィードバック結線により接 続された出力端子とを有する演算増幅器を含み、前記オフセット補償電圧生成回 路の出力は更に別の入力抵抗により第2増幅段の負の入力端子と接続され、その 正の入力端子は抵抗結線により接地されることが望ましく、また講整可能な利力 端子とグラウンドとの間の抵抗結線もまた2つの抵抗を含み、その間に第2のノ ードを持ち、利得ブースト抵抗はこの第1および第2のノード間に接続されるこ とが望ましい。
りを持つ反転モードの第1の演算増幅器と、選択された偽の接地電圧を増幅器の 正の入力に与える手段と、前記温度感応デバイスを含み温度依存電圧を入力抵抗 を介して演算増幅器の負の入力に与える手段とを含むことが望ましい。また、望 演算増幅器の出力は入力抵抗を介して更に別の演算増幅器の負の入力に与えられ 、負の入力と更に別の演算増幅器の出力との間には前記抵抗分割器が接続され、 従ってその両端部には逆の勾配の温度に依存する電圧が与えられる。
特に、本発明による信号条件付は回路からの出力信号電圧がA/Dコンバータに 供給される時、この信号条件付は回路は、A/Dコンバータにフルスケールまた は半フルスケールの基準電圧を与え、またおそらくは信号電圧と比率関係にある オフセット基皐電圧を与えるための回路を組込むかあるいはこの回路と組合わさ れることが望ましい。
本発明については、添付図面に関して以下に更に詳細に開示し記述する。
(図面の簡単な説明) 図1は、トランスジューサ信号条件付は回路の第1の実施例の回路図、図2は、 図1に示される回路の修正を示す回路図、図3は、図1または図2に示される回 路に組込まれる温度に依存するオフセット補償電圧生成回路の回路図、 図4は、図1または図2に示される回路に組込まれる別の温度依存オフセット補 償電圧生成回路の回路図、 図5は、トランスジューサとA/D:1ンバータとの間に介挿された信号条件付 は回路の回路図、 図6は、図5の回路図と類似するも別の回路を組込む回路図である。
(実施例) 図1において、トランスジューサ1は、ホイートストーン・ブリッジ形態の4個 の抵抗(抵抗RGI乃至RG4)として示される。トランスジューサ1に対する 信号条件付は回路は、出力を生じる差動加算増幅器3を有する差分イン差分アウ ト増幅器の利得段2を含む。また、オフセット補償電圧生成回路4も設けられる 。
差分イン差分アウト増幅器の利得段2は、非反転(+)入力がそれぞれトランス ジューサ1の正および負の出力と接続される演算増幅WU1、U2を含む。増幅 器U1、U2の出力は、直列の抵抗R1、R2、R3を含むはしご形抵抗を経て 一緒に接続される。抵抗R1およびR2間のノードは、増幅器U1の反転(−) 入力と接続され、抵抗R2およびR3間の入力は増幅器U2の反転(−)入力と 接続されている。
差動加算増幅器3は、グラウンド(GND)に増幅器U1の出力を、また抵抗R 4、R9間のノードが接続される非反転(+)入力に演算増幅器U3の出力を接 続する抵抗分割器R4、R9を含む。増幅器U3の出力は、フィードバック抵抗 RIOを介してその反転(−)入力に接続され、入力抵抗R5、R6は、増幅器 U2の出力およびオフセット補償電圧生成回路4の出力をそれぞれ増幅器U3の 反転(−)入力に接続する。
オフセット補償電圧生成回路4は、本例においては、トランスジューサの電源電 圧Vs、とグラウンド(GND)との間に接続された抵抗分圧器R7、R8と、 出力v3がオフセット補償電圧である緩衝演算増幅器U4とを含む。図1に示さ れた回路の特定番号例は下記の如く動作する。即ち、トランスジューサ1は、3 Vの電fQ(VSS=3V)を有し、30mVのオフセ。
ト電圧および60mVのフルスケール電圧からなり、合計で90mVのトランス ジューサ出力を生じる差出力(Vl−V2)を生成する。差分イン差分アウト増 幅器の利得段2は、抵抗比R1/R2=1.OおよびR3=R1を有腰公知の数 式:利’4−1+2 (R1/R2)によれば、差利得21を生じる。このため 、利得段2の差のフルスケール出力(V4−V5)は1.89Vとなり、そのJ 、26Vはフルスケール・スパンであり、0.63Vがオフセットである。この オフセットを出力から差引いて信号電圧のみを残すことが望ましい。これは、R 5=R6をセットして、回路4により与えられるオフセット補償電圧V3も04 63Vとなるように抵抗比R7/R8を調整する。次に、2.52Vのフルスケ ール−スパンが増幅J3U3の出力に対して要求され、このため差動加算増幅器 3に対しては2の利得が要求される口々が決定されたものとしよう。
抵抗比は、下式を用いで選定される。即ち、R10=G、R5(a) R4= [(G+1)/Gコ 、R9(b)但し、Gは利得である。
この場合、要求された利得が2であり、これはRIO/R5=2およびR4/R 9=1.5を与える。
図1に示される回路は、トランスジューサ1の異なるも公称的には同じ事例間の ように、フルスケール・スパン電圧はかなり、おそらくは係数2も変動し得る実 際上の欠点を有する。例えば、公称60mVのフルスケール・スパン電圧を持つ 形式のトランスジューサは、実際に、4.5rnV乃至90mVのフルスケール −スパンの範囲で変動する。このため、回路全体が常に同じフルスケール出力を 持つように、信号条件付は回路の信号利得を少なくとも係数2だけ変化させるこ とが望ましいことになる。これを行う通常の方法は、回路がパワーアップされる 間に可変抵抗を調整することにより回路を較正することである。図1に示される 回路では、全ての抵抗値が上記の数式(a’)および(b)で示される如く相関 しているため、1つの可変抵抗を用いて増幅器3の利得を調整することは不可能 である。しかし、図2に示される修正された回路では、利得の調整は1つの抵抗 の調整により達成可能である。
図2に示される修正回路は、図1に示した抵抗R9およびRIOが図2において 2対の直列接続された抵抗R9A、R9BおよびRIOA、RIOBでそれぞれ 盟換されること、および抵抗R11が抵抗R9ASR9Bのノードおよび抵抗1 0A、R108間のノード間に接続されることを除いて、図1に示したものと同 じである。先に述べたように、トランスジューサ1は3Vの電圧Vssが供給さ れるが、本例では、トランスジューサ1の差出力(Vl−V2)が30mVまで のオフセット電圧と、45mV程度の低いあるいは90mV程度の高いフルスケ ール・スパン電圧とを含むものとしよう。差分イン差分アウト増幅器の利得段2 は、図1に関して述べたように、21の利得を有する。このため、差出力(V4 −V5)は、フルスケール−スパン電圧が0.945Vと1.890Vの間の信 号電圧に、0.63Vまでのオフセット成分を加えたものからなる。このオフセ ットを出力から差引いて信号電圧のみを残すことが要求される。これは、図1に 関して述べたように、オフセット補償電圧v3がオフセット成分と同じになるよ うに、R5=R5をセットし、抵抗比R7/R8を調整することにより行われる 。
2.5Vのフルスケール−スパン電圧が回路の出力電圧V0として回路から要求 されるならば、このことは、出力段3からの略々1.32乃至2.64の信号利 得を示唆する。
抵抗R11は、利得ブースト抵抗R11が省かれたならば基本回路が有する利得 を付勢する利得ブースト抵抗である。利得ブースト抵抗R11がなければ、この 回路は、R9がR9A、R9BT置換されRIO;6<RIOA、RIOBでf fi換されることを除いて、図1に示した如きものとなる。このため、先に述べ た式(a)および(b)は、必要に応じて抵抗比を計算するため使用することが できる。
基本回路(R11が省かれた)が1の利得を持つように選定されると、利得ブー スト抵抗R11は、必要に応じて利得を1.32と2.64の間に付勢するため 使用することができる。式(a)、(b)は、次の如き1の基本回路利得に対す る抵抗比を与える。即ち、 R10A+R10B=R5 R4=2. (R9A+R9B) 利得ブースト抵抗R11の所要値は、抵抗比RIOA/RIOBおよびR9A/ R9Bにより決定されるが、R9A=R9B=R10A=R10B=10にΩで ある特定の場合は、抵抗R11として提供された50にΩの可変抵抗が1.32 乃至2.64間の範囲にわたる利得調整可能要件を網羅することになる。
先に述べた如き差動加算増幅53は、公知の加算増幅回路と類似し、従って、基 本機能に影響を及ぼすことなく、加算接続点に対して等しくない入力抵抗を使用 すること、および(または)加算接続点に対して2つ以上の入力抵抗を使用する ことなどの同じ公知の変更に曝されることが理解されよう。典型的な事例は、オ フセット補償電圧v3を幾つかの成分に分け、全てを1つの抵抗R6を通って送 る代わりに、これらを幾つかの抵抗を用いて加算接続点に送ることである。
また、簡単にするため先の記述では回路におけるオフセットがトランスジューサ において生じると仮定したが、実際にはオフセット電圧は演算増幅器のオフセッ トおよび抵抗の公差により上昇し得ることも理解されよう。しかし、これらはト ランスジューサのオフセットからは識別不能であり、オフセット補償電圧v3は 全てのこのようなオフセットを一緒に補償するため使用することができる。
これまでの記述においては、補償されるべきオフセット電圧が一定電圧であり、 図1および図2における補償電圧生成回路が一定の出力電圧を生じるように然る べく設計されるものと仮定した。しかし、実際には、このようなオフセット電圧 はしばしば温度に依存し、従って、適当に温度と共に変化するオフセット補償電 圧を供給するオフセット補償電圧生成回路を提供する要求がある。
このような回路は図3に示し、この回路は温度依存電圧生成回路5と、勾配増幅 回路6と、偽グラウンド電圧生成回路7と、抵抗分割器8と、勾配反転回路9と 、勾配選択回路10とを含む。
温度依存電圧生成回路5は、調整された電源電圧Vrとグラウンド(GND)間 に直列の抵抗R12、R13を含み、そのノードが演算増幅器U5に対する非反 転(+)入力と接続されている。演算増幅器U5の出力は、温度依存デバイス、 本例ではダイオードD1により、増幅器の反転(−)入力と接続され、この反転 (−)入力もまた抵抗R14を経てグラウンド(GND)と接続される。
演算増幅器U5の出力は、勾配増幅回路6に与えられる温度依存出力電圧v6を 与える。勾配増幅回N6は演算増幅器U6を含み、その出力は抵抗R15を経て その反転(−)入力と接続され、これに対して電圧V6が抵抗R16を介して加 えられる。演算増幅器U6の非反転(+)入力は、これに対して偽グラウンド電 圧生成回路7からの出力電圧■7を加え、この回路は調整電源電圧vrとグラウ ンドとの間に直列に接続された抵抗R17、R18を含み、出力電圧v7が抵抗 R17、R18のノードに現れる。演算増幅器U6は、出力電圧V8を与え、こ れもまた温度依存電圧V6から得られるため温度に依存する。電圧v8は、勾配 選択回路10により構成されるセレクタ・スイッチS1の1つの端子に与えられ 、また勾配反転回路9に対しても与えられる。
勾配反転回路9は、出力が抵抗R19を介してその反転(−)入力と接続された 反転増幅モードの演算増幅器U7を含み、前記反転入力には電圧V8が抵抗R2 0を介して加えられる。増幅WU7の非反転(+)入力は、偽グラウンド電圧v 7と接続され、その出力はスイッチs1の第2の端子に与えられる温度依存電圧 V9を提供する。
スイッチS1により、勾配反転回路9の入力電圧v8または出力電圧V9のいず れか一方が、スイッチs1とグラウンド間に直列に接続された抵抗R21、R2 2を含む抵抗分割器8に与えられるため選定され、要求される温度依存オフセッ ト補償電圧は抵抗R21、R22のノードから得ることができる電圧VIOであ る。このため、一定電圧v3の代わりに温度依存オフセット成分電圧VIOが抵 抗R6を介して図1または図2の増幅器U3に与えられるように、図3に示され る回路は図1または図2の回路4を置換する。
図3に示される回路は下記の如く動作する。即ち、温度依存オフセット成分電圧 VIOが、20’Cにおいて0.5Vの値を持ち、簡単にするため+4mV/’ Cまたは一4mV/’Cの線形勾配を持つことを要求されるものとする。この結 果を達成するため、温度依存電圧生成回路5がダイオードDIを介して一定電流 回路として構成され、このダイオードの両端の電圧は20℃で0.5Vに等しく 、温度依存勾配は−2m V/℃である。抵抗比R12:R13は、全出力電圧 V6が20℃でIVであり勾配が一2mV/℃になるように、演算増幅器U5の 非反転(+)入力に0.5Vを与えるように調整される。
偽グラウンド電圧生成回路7における抵抗R17、R18は、偽グラウンド電圧 V7もまたIVとなるようにセットされる。このため、20℃では、抵抗R15 、R16の値の如何に拘わらず、勾配増幅回路6に対する両方の入力がIVであ り、その出力V8もまたIVとなる。同様に、勾配反転回路9の両方の入力電圧 V7、V8が20℃においてIVである故に、その出力V9もまた20℃におい てIVとなる。
従って、勾配選択回路1oにおいてスイッチs1により如何なる接続を行おうと 、抵抗分割器8の最上部の電圧は、これがV8またはv9のいずれであっても、 常に20℃において1vとなる。このため、20℃における0、5Vのオフセッ ト補償電圧VIOの要件は、出力電圧がその入力電圧の半分であるように、即ち 抵抗比R21:R22が1と等しいように抵抗分割器8をセットすることにより 満たされる。
抵抗分割器8における抵抗比もまた、要求通りオフセット補償電圧VIOに対し て±4mV/℃の勾配を達成するために、±8mV/’Cの勾配が抵抗分割器8 の上部に与えられねばならないことを意味する。勾配増幅回路6がその入力電圧 勾配−2mV/℃を8mV/’Cの出力電圧勾配に変換するためには、−4の勾 配利得が要求される。これは、抵抗比R15・R16を4にセットすることによ り達成される。
+8mV/℃の代わりに一8mV/℃の電圧勾配に近づくためには、更に−1の 勾配利得が要求される。これは、勾配反転回路9において抵抗比R19:R20 を1にセットすることにより達成される。
次に電圧v8は+8mV/’Cの勾配を有し、電圧V9は一8mV/℃の勾配を 有し、これらのいずれも勾配選択回路10のスイッチS1を用いて抵抗分割器8 の最上部に加えることができる。このため、+4または一4mV/’Cのオフセ ット補償電圧V10の要求された勾配を与える。
図3に示された回路は、実際の回路生産に関して短所を有する。このような回路 は実際にはシリコン・チップまたは厚膜ハイブリッドの如く構成された比較的大 きな信号条件付は回路の一部である(例えば、図1または図2の回路4を置換す る)ことが起り得、またこのような状況では全回路オフセットの連続的な低減を 達成するため抵抗をレーザ・トリミングすることが一般である。スイッチS1の 調整あるいは接続の他の変更のために、プロセス中レーザ・トリミングを中途で 停めることは、生産プロセスを低下させることになる。
図3に示した回路のこのような欠点は、勾配選択回路IOが生産中のレーザート リミングの使用を容易にするある形態とすることを除いて、図3に示したものと 同じである図4に示される修正回路において回避される。
図4に示した回路の他の部分は図3に関して既に述べたものと同じであるため、 図4の勾配選択回路10の説明のみが必要となろう。この回路は、勾配反転回路 9の入力(V8)と出力(V9)間に接続された抵抗分割器R23、R24を含 む。抵抗R23、R24間のノードは、演算増幅器U8の非反転(+)入力と接 続されている。出力電圧Vllを与える演算増幅器U8の出力は、増幅器の反転 (−)入力と接続され、また抵抗分割器8の最上部とも接続される。
次に、図4に示された回路は、その出力電圧VIOとして、温度依存オフセット 補償電圧に20℃で0.5vの値および+3mV/’C乃至一3mV/℃間のあ る値の線形勾配を提供するため必要である。温度依存電圧生成回路5は、図3に 関して述べたように、−2mV/’Cの線形勾配を持つ20℃でIVの出力電圧 V6を生じる。既に述べたように、偽グラウンド電圧V7もまた1vにセットさ れ、その結果勾配反転回路9の出力v9と同様に、20℃における勾配増幅回路 6の出力V8はIVとなる。従って20℃においては、抵抗分割器R23、R2 4の両端部はIVの電位にあり、またこれら抵抗間のノードが流れる電流がない ため、演算増幅器U8に対する入力、また抵抗分割器8の最上部に与えられるそ の出力電圧VllもまたIVとなる。
図3に関して述べたように、20℃における0、5Vのオフセット補償電圧V1 0の要件は、抵抗分割器8における抵抗比R21・R22を1に等しくセットす ることにより満たされる。出力電圧VIOが+3mV/℃乃至一3mV/℃間の ある値の温度依存勾配を持つことの要件は、電圧Vllが+6mV/℃乃至一6 mV/℃間の対応する値の勾配を持たねばならないことを意味する。
勾配増幅回路6が−4の勾配利得でセットされる、即ち先に述べたように抵抗比 R15・R16が4であるならば、その入力電圧V6の一2mV/℃はその出力 電圧V8に対する+8mV/℃の勾配に変換される。このため、勾配選択回路1 0における抵抗分割器R23、R24の一端部における+8 m V/’Cの勾 配への接近を生じる。既に述べたように、勾配反転回路9が−1の勾配利得を持 つように選定されるならば、これは42324の他端部において電圧V9により 与えられる一8mV/’Cの勾配に近づく。電圧Vllに対して+6 m V/ ℃乃至−6mv/℃間のある値で要求される勾配は、単に抵抗比R23: R2 4を変更することにより達成され、これは回路全体の全体的なレーザ・トリミン グの一部としてこれら抵抗の一方をレーザートリミングすることにより行うこと ができる。
勾配選択回路10においては、演算増幅器U8は電圧フォロワまたは緩衝増幅器 として動作するが、これは抵抗分割器8が非常に多くの電流を引込まなければ省 略してもよい。この場合、抵抗分割器は抵抗R23、R24間のノードに直接接 続される。
図3および図4に示される回路の多くの変更が可能である。従って、ここで一般 的な重要な原理について再び触れることは有用と考えられる。トランスジューサ に対する温度依存オフセット補償電圧を生じるこのような一般的な形式の回路は 、室温、例えば20℃におけるトランスジューサのオフセットを打消すようにオ フセット補償電圧を最初にセットし、次いでトランスジューサのオフセットが変 化してもはやオフセット補償電圧により打消されないように温度が上昇した後に 、オフセット補償電圧が再び比較的高い温度におけるトランスジューサのオフセ ットを打消すようにオフセット補償電圧生成回路における利得を変更することに より、しばしば較正される。しかし、室温に戻っても、室温における利得が高い 温度における利得とは独立的に固定されなければ、オフセット補償電圧がもはや トランスジューサのオフセットを打消さないことが判るであろう。高い温度にお ける利得とは独立的に室温における利得を固定するこの要件は、本発明によれば 、偽グラウンド電圧を正の入力に置き温度依存電圧を負の入力に置いて偽グラウ ンド電圧を所要の室温における温度依存電圧に等しくし、従って必要に応じてこ の温度における出力電圧を固定して、演算増幅器を反転増幅モードで使用するこ とにより満たされる。
従って、この形式の回路に対する最小限の要件は、温度依存電圧を生じる手段と 、偽グラウンド電圧を生じる手段と、偽グラウンド電圧がその正の入力に与えら れ温度依存電圧がその負の入力に加えられた少なくとも1つの反転増幅器と、オ フセット補償電圧出力を生じる抵抗分割器とである。
図3または図4による回路は印刷回路板または厚膜ハイブリッド上に作ることが できるが、その全てでなくとも、例えば図1または図2に示した回路とより大き なセンサ信号条件付は回路の一部として組合わせてシリコンの短片上に置(こと ができ、この回路はまたセンサ出力の増幅のみでなく、係属中の弊連合王国特許 出願第8925577.2号に記載される如きスパン補償およびスパン補償のた めの温度依存性を提供する部品をも含む。後者の場合は、スパン補償の温度依存 成分を提供するため必要な温度依存電圧を、温度依存オフセット補償を行う回路 における適当な地点から得ることができる。
図3および図4に示した回路はトランスジューサのオフセット補償電圧を生じる ためにのみ使用されたが、このような回路はより広い用途があり、また1つの温 度の選択された値および独立的に選択された勾配または温度と共に変化する変化 率を有する温度依存電圧の提供を必要とする他の目的および用途にも用いること ができることが判るであろう。
図1または図2に関して先に述べ、あるいは図3または図4に示される如き回路 により提供される温度依存オフセット補償を盛込むように、またおそらくは先に 述べたようなトランスジューサに対する温度スパン補償を行うように修正された 如き信号条件付は回路は、例えば僅かに3個の電気端子、即ち電源電圧、グラウ ンドおよび信号出力電圧の端子を持つプラスチック−ケーシング内に収容された トランスジューサと共に一体にしばしば取付けられる。
この出力は、例えばムービング・コイル・メータを付勢するため要求されるなら ば理想的である。単に出力をメータの両端に接続し、重要なエレクトロエックス 技術は一切不要である。今日では、歪みゲージまたは他のトランスジューサの増 幅出力が直接マイクロプロセッサまたはマイクロコンピュータに取入られるよう に、これらの信号条件付は回路をディジタルーエレクトロニブクスとインターフ ェースする要求がある。これは、信号条件付は回路の出力をアナログ/ディジタ ル(A/D) −コンバータに送り、このコンバータは次に情報をディジタル化 してこれをマイクロプロセッサ・システムに供給することにより行われる。
不都合にも、信号条件f−Tけ回路およびA/Dコンバータ間のインターフェー ス接続は、アナログ・エレクトロエックスに不慣れな技術者には容易でないが、 これはA/Dコンバータはしばしばオフセット電圧入力と基準電圧入力、ならび に信号条件付は回路からの入力を要求するためである。別のアナログ回路を用い てこれらの電圧を供給するが、このためには電圧基準およびバッファ・モードに おける2つの演算増幅器の使用を含む。更に、標準的なTTLの5V電源は電気 的に非常にノイズが多いと共に、通常の回路構成が適正に働かせるには電圧が低 過ぎるため、この付加的な回路は個々の電源を必要とする。
この回路の更に別の欠点は、基準電圧の出力が時間および温度と共にドリフトす ることである。信号条件付は回路の出力は、チップ内部の基準電圧とある比率関 係にある。このことは、もしこの基準電圧が例えば0.1%だけドリフトするな らば、出力は0.1%だけドリフトすることを意味する。しかし、演算増幅器の 電圧出力は外部の基準電圧と比率関係にある。このため、システム全体の精度は 、信号条件付は回路における内部の基準電圧および演算増幅器回路における外部 の基準電圧の相対的なドリフトにより決定される。
システム・エンジニアの観点からは、演算増幅器出力に対するセトリング時間要 件および低電圧におけるその電流出力能力の如き知らない更に別の問題がある。
システム・エンジニアが必要とすることは、トランスジューサ出力と関連する数 字をマイクロプロセッサに入れる能力と、強い自信を持つことが正確であること である。エンジニアは、直接A/Dコンバータと接続する信号条件付は回路を要 求し、余分なインターフェース回路は要求せず、自分のディジタル回路の残りの 部分と同じ5vのTTLm準電源を使用することが望ましい。
更に、このエンジニアが要求するものは、数例を挙げれば温度、湿度、明るさ、 回転速度、電圧および電流の如き測定されねばならない他の全てのシステム入力 に対する広範囲の信号条件付はチップである。これらのチップは、全て同じ電圧 で動作し、同じ方法でA/Dコンバータと接続しなければならない。
従って、本発明の更に他の特徴によれば、図1乃至図4に関して先に述べたよう に、回路を内蔵しグラウンドと1つの正の電圧電源との間で動作し、1つの信号 出力電圧のみでなくフルスケール基準電圧をも供給し、また必要に応じて、信号 出力電圧が供給されるA/Dコンバータに対して与えるオフセット電圧を供給す るシングル・チップ信号条件付は回路が提供される。
図5は、出力がA/Dコンバータと接続され関連するトランスジューサを有する このような組合わせ回路の1つの形態を示す。図5に示されるように、トランス ジューサl(図1または図2のトランスジューサ1でよい)は、信号処理回路1 2(図1または図2に示した信号条件付は回路でよい)と、電圧基準生成回路1 3とを含む信号条件付はチップ11と接続される。この信号条件付はチップ11 の出力は、A/Dコンバータ14と接続される。トランスジューサ1の電源線は 、信号処理回路12から伸びる。トランスジューサlの出力は、信号処理回路1 2の入力側と接続される。この信号処理回路12の電源線は、電源電圧V g  5とグラウンド(GND)との間に接続される。信号処理回路12の出力V。n Tは、A/Dコンバータ14のV+またはVin電圧入力と接続される。
電圧基準生成回路13は、この場合バッファ・モードで接続され、その出力がそ の反転(−)入力と接続され、電源電圧V55と比例する、本例では抵抗R25 、R26間のノードから得られる電圧がその非反転(+)入力と接続された演算 増幅器U9を含む。抵抗R25、R26は、電源電圧V8.とグラウンド(GN D)との間に直列に接続される。演算増幅器U9の正の電源ビンは、電源電圧V 8.と接続され、その負の電源ピンはグラウンド(GND)と接続される。電圧 基準生成回路13の出力v、、は、A/Dコンバータ14の電圧基準入力と接続 される。
A/Dコンバータ14の電源ピンは電源電圧V−と接続され、グラウンド・ビン はグラウンド(GND)と接続される。マイクロプロセッサ・システムと接続さ れたA/Dコンバータ14のディジタル入力および出力は図示しない。
今述べた回路は、回路の比較的簡単な形態であり、条件が実際の回路がある強化 要件を持つことを要求する。
電源線における電源電圧および電気的ノイズを変化させると、回路の精度を低下 させる。この問題は、電圧調整器を回路に組込むことにより減殺することができ る。バッテリ稼働の場合は、バッテリ寿命を延ばすため使用しない時は信号条件 付は回路をパワーダウンすることが望ましい。これは、標準的な電圧調整器をパ ワーダウン機能を持つもので1a換することにより実施できる。
信号条件付は回路からの電圧基準出力を、図5において述べた標準的回路を用い て5v電源で供給することは容易ではない。5VのTTL電源は、4.5vまで 落ちることがある。3vのフルスケール出力電圧が要求されるならば、基準電圧 出力V□2は3vにセットされることになる。電圧基準生成回路13における演 算増幅器U9はおそらくは4.5Vの電源電圧を持つに過ぎないため、あるA/ Dコンバータにおける電圧基準入力がこのような条件下では数mAを吸収するが 、このような状況においては充分な電流を供給することができない。電圧調整器 が回路に組込まれるならば、増幅器は更に低い電源電圧となり、この問題は更に 悪化する。この問題は、プルアップ回路(通常は、抵抗)により大半あるいは全 ての基準電流を供給し、次いで余剰電流をソースあるいは吸収することにより電 圧を決定することを演算増幅器に許容することによって克服される。
A/Dコンバータの電圧入力により吸収される電流が実質的にないため、増幅さ れた信号電圧出力V。orがプルアップ抵抗を必要としないことが判るであろう 。
図5に示される信号条件付はチップは、基準電圧出力をA/Dコンバータに対し て供給するのみである。更に複雑な回路もまた、オフセット電圧をA/Dコンバ ータに供給して、信号条件付はチップがA/Dコンバータに対して出力電圧のフ ルスケールのみでなくそのオフセットをも「通知コすることを可能にする。
あるA/Dコンバータは、F基準電圧出力ではなく「半分の基準電圧」入力を要 求する。例えば、この形式のコンバータは、■、5V基準電圧の供給を受ける時 、3vをフルスケールとしてセットする。これを許容するために、例えば開回路 状態に残される時基準出力をしてフルスケール基準電圧を供給させる信号条件付 はチップ上にピンを有し、このピンが接地されるならば基臨出力に半フルスケー ル基準電圧を供給させることが望ましい。
外部のアナログ回路がそれ自体の余分な電圧調整器を持つのではなく調整電圧電 源を利用させるため、調整された電圧をチップのビンに与えることが望ましい。
図6は、図5と似ているが上記の強化点を組込んだ組合わせ回路を示す。
図6に示されるように、例えばサーモカブプルであるトランスジューサIAが信 号条件付はチップ11と接続され、このチップは、本例では関連するプルアップ 回路15、電圧調整器16およびオフセット電圧生成回路17と共に、信号処理 回路12、電圧基準生成回路13を含む。この信号条件付はチップ11の出力は 、A/Dコンバータ14と接続されている。
電圧調整器16は、電源電圧V3.とグラウンド(GND)との間に接続される 。
電圧調整器16の出力は、調整電圧V1.1である。パワーダウン結線は、電圧 調整器16から信号条件付はチップ11の外部ビンP1に至る。この線は、ある 条件(通常、電源電圧付近まで上昇した時)下で電圧調整器の動作を禁止するよ うに働く。サーモカップルIへの出力は、信号処理回j1512の入力と接続さ れている。信号処理回路12の電源線は調整電圧V、。2とグラウンド(GND )間に接続される。信号処理回路12の出力V。11アはA/Dコンバータ14 の電圧V。または717人力と接続されている。
電圧基準生成回路13は、本例では非反転増幅器モードで接続され、その出力が 直列抵抗R27、R28を介してグラウンド(GND)と接続された演算増幅器 U9を含む。抵抗R27、R28間のノードは、増幅器U9の反転(−)入力と 接続され、その非反転(+)入力は抵抗R25とR26間のノードと接続され、 これら抵抗は調整電圧■、51とグラウンド(GND)間に直列で接続される。
増幅器U9の非反転(+)入力は、抵抗R29を介して外部ビンP2と接続され る。
抵抗R29の値は、これがビンP2を外部から接地することにより抵抗R26と 並列に配置されるならば、演算増幅器U9の非反転(+)入力における電圧が半 分になるように選定される。これにより基準電圧V□、を半分にする。演算増幅 器U9の正の給電ビンは、調整電圧V1.2と接続され、その負の給電ピンはグ ラウンド(GND)と接続される。
オフセット電圧生成回路17は、本例ではバッファ・モードで接続され、その出 力がその反転(−)入力と接続され、本例ではその非反転(+)入力と接続され た抵抗R30、R31間のノードから得る調整電圧V71.と比例関係にある電 圧を有する演算増幅器UIOを含む。抵抗R30、R31は、調整電圧v1.1 とグラウンド(GND)間に直列に接続される。増幅器UIOの正の給電ピンは 、調整電圧v7.1と接続され、その負の給電ピンはグラウンド<GND)と接 続されている。
オフセット電圧生成回路17の出力V 、、L 1は、A/Dコンバータ14の オフセット電圧即ちV−人力と接続される。A/Dコンバータ14の給電ピンは 、電源電圧V53と接続され、グラウンド・ビンはグラウンド(GND)と接続 される。マイクロプロセッサ・システムと接続されたA/Dコンバータ14のデ ィジタル出力は示さない。
出力電圧V。LITがセンサlまたはIAから信号処理回路12を介して得られ る手段は、図5および図6に示した回路の主な特徴ではなく、図示した特定の構 成は単なる例示であることを知るべきである。
あるセンサでは信号条件付はチップ11あるいはその一部に検出素子がハンダ付 けされるのが便利であるが、他の場合はセンサはチップから物理的に名慣れて電 気的に結合されることが予期される。
演算増幅器U9、UIOの非反転(+)入力における電圧は、電源電圧V。また は調整電圧V 、e、から得られるものとして示されるが、回路におけるある他 の比較的安定した電圧からも同様に容易に得ることもできる。
他の特徴即ち副生出力はその基本目的を変えることなく回路に加えることもでき る。温度依存電圧出力は、例えばある圧力センサ回路においては非常に小さな修 正となろう。
同様に、1つ以上の受動素子即ちダイオードをチップから切離すことも好都合で あろう。これは、特に新たな回路ノードがチップ外に生成されなければ、チップ の性質を基本的に変更するものと見做さない。
ある用途では、A/Dコンバータをチップ上に載置することが望ましい。
用語「チップ」とは「構成要素」を意味する。このため、これは厚膜ハイブリッ ド、小型印刷回路板、あるいはシリコン片であり得、また他の構成要素と共に回 路内に使用され同じ回路板あるいは基板上に実装される単一素子である。シリコ ンが通常の基板として印刷回路板に代わる時が到来しよう。その際、信号条件付 は回路がマイクロプロセッサおよび抵抗と共に設計において標漁的なセルとして 選定され得る状況となろう。設計者がなすべきことは、構成要素をシリコン上に 一体に結合することだけである。設計者がシリコンあるいは印刷回路板の如何を 問わずより小さな構成要素から信号処理回路を設計するならば、この回路は構成 要素そのものではないことが理解されよう。
hり/ Rり・2 Rり・6 国際調査報告 OrT/l’!OOn/ll+71c国際調査報告

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.トランスジューサの出力信号を増幅し、オフセット電圧を差引き、更に残り の信号電圧を増幅するトランスジューサ信号条件付け回路において、第1の差分 イン差分アウト増幅段と、差動加算増幅器の第2の増幅段と、オフセット補償電 圧生成回路とを設け、前記第1の増幅段は、その差入力としてトランスジューサ 出力信号を受取るように構成され、その差出力が前記第2段の差入力と接続され 、前記オフセット補償電圧生成回路は、オフセット補償電圧を前記第2段の差入 力の片側における加算接続点に与えるよう接続されることを特徴とする回路。
  2. 2.前記第2の増幅段が、正および負の入力端子がそれぞれ各入力抵抗により前 記第1の増幅段の差出力の各側と接続され、出力端子が抵抗フィードバック結線 により負の入力端子と結合された演算増幅器を含み、前記オフセット補償電圧生 成回路の出力は、更に別の入力抵抗により第2の増幅段の負の入力端子と接続さ れ、その正の入力端子は抵抗結線により接地されることを特徴とする請求項1記 載の回路。
  3. 3.前記第2の増幅段が利得ブースト抵抗を含むことを特徴とする請求項1また は2に記載の回路。
  4. 4.前記第2の増幅段の各フィードバフク結線が、第1のノードが間にある2つ の直列抵抗を含み、正の入力端子とグラウンド間の抵抗結線もまた第2のノード が間にある2つの抵抗を含み、利得ブースト抵抗が前記第1および第2のノード 間に接続されることを特徴とする請求項2または3に記載の回路。
  5. 5.前記利得ブースト抵抗が調整可能であることを特徴とする請求項3または4 に記載の回路。
  6. 6.前記オフセット補償電圧生成回路が、温度依存オフセット補償電圧を生じる ように設計され、かつ少なくとも1つの端子が1つ以上の一連の演算増幅器を介 して半導体ダイオードの如き温度感応デバイスから得る温度依存電圧を供給され る抵抗分割器を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の回路。
  7. 7.前記オフセット補償電圧生成回路が、出力から負の入力への抵抗フィードバ ックを持つ反転モードの第1の演算増幅器と、選択された偽のグラウンド電圧を 増幅器の正の入力に与える手段と、入力抵抗を介して温度依存電圧を前記演算増 幅器の負の入力に供給する前記温度感応デバイスを含む手段とを含むことを特徴 とする請求項6記載の回路。
  8. 8.前記オフセット補償電圧生成回路が、出力から負の入力への抵抗フィードバ ックを持つ反転モードの更に別の演算増幅器を設け、前記第1の演算増幅器の出 力が入力抵抗を介して前記別の演算増幅器の負の入力に与えられ、前記別の演算 増幅器の負の入力と出力との間に前記抵抗分割器が接続され、その反対側端部に 逆の勾配の温度依存電圧が加えられることを特徴とする請求項7記載の回路。
  9. 9.前記増幅信号電圧に加えて、該信号出力と比例関係にあるフルスケール基準 電圧を提供することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の回路。
  10. 10.電圧調整器を組込むことを特徴とする請求項9記載の回路。
  11. 11.前記フルスケール基準電圧出力が、バッファ・モードまたは非反転増幅モ ードの演算増幅器により生成されることを特徴とする請求項9または10に記載 の回路。
  12. 12.基準電圧出力により供給される電流の大部分あるいは全てがプルアップ回 路、通常は抵抗からのものであることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか に記載の回路。
  13. 13.オフセット電圧出力がバッファ・モードあるいは非反転増幅モードにおけ る演算増幅器により生成されることを特徴とする請求項9乃至12のいずれかに 記載の回路。
  14. 14.オフセット電圧出力または基準電圧出力が回路における比較的安定した電 圧と比例関係にあることを特徴とする請求項9乃至13のいずれかに記載の回路 。
  15. 15.パワーダウン機能を有することを特徴とする請求項9乃至14のいずれか に記載の回路。
  16. 16.調整された電圧出力を供給することを特徴とする請求項9乃至15のいず れかに記載の回路。
  17. 17.半フルスケール電圧基準を供給することができることを特徴とする請求項 9乃至16のいずれかに記載の回路。
  18. 18.添付図面のいずれかに関して本文に実質的に記載される如きトランスジュ ーサ信号条件付け回路。
JP51541890A 1989-11-13 1990-11-13 トランスジューサ信号条件付け回路 Pending JPH05505072A (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB898925579A GB8925579D0 (en) 1989-11-13 1989-11-13 Transducer signal conditioning circuit
GB8925579.8 1989-11-13
GB8925577.2 1989-11-13
GB898925577A GB8925577D0 (en) 1989-11-13 1989-11-13 Signal conditioning for transducers
GB909021802A GB9021802D0 (en) 1990-10-08 1990-10-08 Transducer offset compensation
GB9021802.5 1990-10-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05505072A true JPH05505072A (ja) 1993-07-29

Family

ID=27264795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51541890A Pending JPH05505072A (ja) 1989-11-13 1990-11-13 トランスジューサ信号条件付け回路

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0500645A1 (ja)
JP (1) JPH05505072A (ja)
WO (1) WO1991007815A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009100120A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Denso Corp 差動増幅回路およびその製造方法
JP2010278489A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Mitsutoyo Corp 非反転増幅回路、及び測定機

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2686988B1 (fr) * 1992-01-31 1994-04-29 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif de compensation de desequilibre d'un etage d'entree.
US5614864A (en) * 1995-09-29 1997-03-25 Rockwell Science Center, Inc. Single-ended to differential converter with relaxed common-mode input requirements
CN101820256A (zh) * 2010-04-21 2010-09-01 无锡伯顿电子科技有限公司 传感器信号放大调理电路
US8835779B2 (en) 2012-09-19 2014-09-16 Honeywell International Inc. Coordinated ratiometric compensation for high-precision load-cells

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH526884A (de) * 1971-01-21 1972-08-15 Bbc Brown Boveri & Cie Schaltungsanordnung zur Erhöhung der Gleichtaktunterdrückung in Differenzverstärkeranordnungen
US4595884A (en) * 1984-10-19 1986-06-17 Tobar, Inc. Transducer amplifier and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009100120A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Denso Corp 差動増幅回路およびその製造方法
US7777565B2 (en) 2007-10-15 2010-08-17 Denso Corporation Differential amplification circuit and manufacturing method thereof
JP2010278489A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Mitsutoyo Corp 非反転増幅回路、及び測定機

Also Published As

Publication number Publication date
EP0500645A1 (en) 1992-09-02
WO1991007815A1 (en) 1991-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8773123B2 (en) Two-terminal linear sensor
US6104231A (en) Temperature compensation circuit for a hall effect element
US20090201067A1 (en) Reference voltage generating circuit, integrated circuit device, and signal processing apparatus
JP4572350B2 (ja) 同期検波回路、検出回路、物理量測定装置、ジャイロセンサおよび電子機器
US4883992A (en) Temperature compensated voltage generator
Erickson et al. An ultrahigh stability, low-noise laser current driver with digital control
US4866312A (en) Differential voltage to current converter
GB2307749A (en) Compensation for temperature influence in sensing means
US4836027A (en) Circuit for a sensor
JPH05505072A (ja) トランスジューサ信号条件付け回路
US6011422A (en) Integrated differential voltage amplifier with programmable gain and input offset voltage
JP3222367B2 (ja) 温度測定回路
CZ20021488A3 (cs) Regulátor proudu
CA1215112A (en) Accurate dead band control circuit
JPH05505894A (ja) トランスジューサ電源
GB2240183A (en) Transducer signal conditioning circuit
US5096303A (en) Electronic circuit arrangement for temperature measurement based on a platinum resistor as a temperature sensing resistor
EP1118842A1 (en) Air meter
JP3684691B2 (ja) 温度特性補償回路及び該温度特性補償回路を用いた磁電変換素子の駆動装置
JPH053989Y2 (ja)
RU2009537C1 (ru) Стабилизатор постоянного напряжения с защитой
JPS582085A (ja) ホ−ル素子装置
JPS5950720A (ja) 零相電圧検出装置
JP4205669B2 (ja) 熱式空気流量センサ装置
JPH10239180A (ja) センサ回路及びその調整方法