JPH05504122A - 改良されたセラミック誘電体組成物および焼結性を改良する方法 - Google Patents
改良されたセラミック誘電体組成物および焼結性を改良する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の名称
改良されたセラミック誘電体組成物
および焼結性を改良する方法
発明の背景
本発明は、電子装置用の積層セラミック構造物を製造するための改良されたセラ
ミック組成物に関し、さらに詳細には、焼結用融剤、特にホウ酸亜鉛をベースと
する融剤を組成物全般にわたって均一に分布するように改良することによって低
温の焼成温度におけるこのような組成物の焼結性を改良する方法、すなわち向上
させる方法に関する。
積層セラミックコンデンサー(mu]tilayer caramiccapa
citors)(MLC’ s)はその高い体積効率と小さな形状のためにセラ
ミックコンデンサーの最も広く使用された形態である。
これらのコンデンサーは酸化雰囲気中で1200〜1400°Cの範囲の温度に
おいてセラミック誘電体配合物と導電性電極材料とを共焼成すること、すなわち
焼結することによって典型的に製造される。しかしながら、これらの条件下の焼
成は、高融点を持つ電極材料、高温での良好な抗酸化性、誘電体の熟成温度にお
ける焼結性、および焼結温度において誘電体と相互に作用しうる最低の傾向を必
要とする。これらの必要条件は通常電極材料の選択を貴金属の白金とパラジウム
または白金、パラジウムまたは金の合金に制限する。
セラミック配合物は多層構造物中でセラミックと共焼成する導電体の融点よりも
低い温度、例えば70%銀/30%パラジウム合金の場合約1150℃以下、お
よび銅の場合1083℃以下の温度で緻密な気密体に焼結されなければならない
。また銅の場合に、焼結工程の間に導電体を酸化から防ぐために非酸化性雰囲気
中で構造物を焼成しなければならない。1150℃以下の温度で焼結させる場合
に、緻密で気密な構造物を実現するため、融剤をセラミック誘導体配合物に添加
することができる。例えば、米国特許4.640.905は、例えば銀/パラジ
ウム導電体を有するMLC’ sに使用するために、マンガンがドーピングされ
たホウ酸亜鉛融剤と高誘電率(K)を持つチタン酸バリウムをベースとする低温
焼成のセラミックとを記述している。
USSR特許692.810は低い焼結温度で高周波コンデンサーを製造するの
に使用する、チタン酸バリウムをベースとするセラミックの焼結された「ケーキ
」中のホウ酸亜鉛の3〜5重量%の存在を記述している。コンデンサーは酸化性
雰囲気中の圧力成形と1020〜1080℃で焼成することによって製造される
。
米国特許4.845.062は銅導電体を持つMLC’s中でチタン酸マグネシ
ウムをベースとするセラミックのための焼結助剤として用いられるホウ酸亜鉛の
フリット(frit)を記述している。
米国特許4.879.261は銅導電体を有する多層基板を作るのに用いられる
ホウ酸亜鉛のフリットを有する二酸化ケイ素をベースとする低い誘電率組成物を
記述している。
基体は、能動電子部品、例えば集積回路に取付けるために使用することができる
。
ホウ酸亜鉛が多数の金属酸化物の混合物中の成分であるガラス組成物は従来の技
術文献に記載されているが、モノリシックの電子部品を形成するために焼結する
前にセラミック粒子をコーティングすることは示されていない。
米国特許4.610.968と米国特許4.6]0.791はコンデンサーの成
形加工において電極材料として低価格の卑金属の使用を可能にする充分な低温で
焼結することができるセラミック誘電体組成物を記述している。誘電体組成物は
米国特許4.626.396に記載されているボールミル粉砕方法で製造される
。
セラミック粉末への融剤の添加は、焼結された誘電体の誘電特性を低下させ、例
えば、より低いKの、より低い機械的強度および所望より高い誘電損失率を与え
る傾向を有する。従って焼結性を増加させるのにサブミクロンのセラミック粉末
が使用され、溶融添加剤量を最低にするようにされる。融剤の粒度は非常に小さ
く、すなわちセラミック粉末の大きさよりはるかに小さくすべきである。進んだ
誘電体配合物においては、セラミック粉末の粒度は、実質的に1ミクロン以下で
あり、ミクロンの1710水準の融剤粒度を必要とする。一般に粒度が1ミクロ
ンより可なり小さい融剤の組成物の粉末を作ることは困難である。これはガラス
状物質を微粉砕してサブミクロンの粒子を生成させることの困難に加えこのよう
な粒子がより大きい粒子へ凝集する傾向があるためである。
従って、従来の技術において記述された融剤は約1ミクロンかそれより大きな粒
度を持つ傾向がある。たとえ融剤がより小さい粒度で作ることができたとしても
、非常に細かい粒子がポリマーと溶剤の懸濁体中で凝集し易い傾向のために、セ
ラミック粉末の粒子の間に融剤粒子の均一な分布を実現させることは不可能であ
りえよう。
この低温焼成誘導体中の融剤の均一な分布を実現することの困難さは、セラミッ
ク粒子を特殊なデポジション技術により融剤で被覆させた本発明によって解決さ
れ、そして一般にこのコーティング方法はコーティング工程の間に粉末粒子の表
面からイオンが過度に除去されることな(種々のセラミック粉末に施用すること
ができたの本発明は改良された低温焼成セラミック粉末組成物、および次の工程
:
(a)焼結用融剤の成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、それによって融
剤成分の先駆物質で各々の粒子の上に均一なコーティングを形成させ:そして(
b)乾燥し、そして場合により被覆された粒子を爛焼する、
による融剤でセラミック粉末粒子の表面を均一にコーティングすることによって
焼結用融剤、特にホウ酸亜鉛をベースとする融剤の組成物全般にわたっての分布
を改良する、低温の焼成温度におけるこのような組成物の焼結性を向上させる方
法に関する。
本発明を実施する1つのコーティング方法は焼結用融剤をセラミック粉末粒子の
表面上に次の工程:(a)少なくとも1個のホウ素と1個の亜鉛の融剤成分の先
駆物質の濃縮溶液をセラミック粉末に加え、この間pHをあらかじめ決めた範囲
内に維持して、セラミック粉末粒子の表面からのイオンの溶解を防ぎ:(b)粉
末の液性限界以下で混合物を激しく撹拌して粒子を融剤成分の先駆物質で均一に
被覆し:そして(C)乾燥し、そして場合により均一に被覆された粒子を■焼す
る、
によって均一に分布させることからなる粉末の液性限界(liquid 11m
1t)以下で配合することにある。
液性限界とは液体とプラスチック状態の間の随意に規定された境界におけるセラ
ミック粒子を含有する粉末の重量%で示す水分含量を表す。ASTM標準D標準
18−84は土壌に関連して、液性限界の標準試験法をより詳細に記述しており
、その教示は粉末に関する参照としてここに組み入れる。
本発明を実施するだめの第2のコーティング方法は表面加水分解方法であって次
の工程
(a)ヒドロキシル化されたセラミック粉末を水と非混和性の有機溶剤中での少
なくとも1個の亜鉛と1個のホウ素の融剤成分の加水分解しうる先駆物質の溶液
中に分散させ:
(b)粒子を濾過、遠心分離または傾瀉によって分離し、洗浄し:そして
(c)乾燥し、そして場合により均一に被覆された粒子を■焼する、
によって焼結用融剤を均一にセラミック粉末粒子の表面上に分布させることから
なる。
本発明を実施するための第3のコーティング方法は表面核形成方法であって次の
工程。
(a)セラミック粉末を水中に分散させ:(b)少なくとも1個の亜鉛と1個の
ホウ素の融剤成分の先駆物質の水溶液を同時にまたは連続的にのいずれかの調節
された速度で水性分散液に加え、この間分散液のpHを6.5〜7.5の範囲内
に、そして温度を50〜70℃の範囲内に維持し:
(C)セラミック粉末粒子を回収し:そして(d)乾燥し、場合により均一に被
覆された粒子を■焼する、
によって焼結用融剤を均一にセラミック粉末粒子の表面上に分布させることから
なる。
本発明の方法から生成するセラミック誘電体組成物は実質的に改良されており、
そして各々の粒子が均一性を持つが必ずしも連続することを要しない焼結用融剤
のコーティングを持つセラミック酸化物の粒子からなり、ここで前記焼結用融剤
は主として粉末の約50重量%より少ない量のホウ酸亜鉛からなり、そして1/
2〜5/1のB2O3に体するZnOのモル比を持つ。
さらに本発明は低温の焼成温度における緻密化したセラミック誘電体の生成を指
向する。改良されたセラミ・ンク誘電体粉末組成物は750℃〜1150℃まで
のような低い温度で焼成され、粒子の焼結と組成物の緻密化を実現することがで
きる。改良されたセラミック誘電体組成物は米国特許4.640.905に詳細
に記述されているように積層セラミック構造物の下流部門での加工工程で有用で
あり、この教示は参照により、ここに組み入れる。そしてその工程は上述のコー
ティング方法のいずれかによって作られ、場合により未被覆のセラミック粒子と
結合剤ポリマーおよび揮発性溶剤中で混合された未焼結の被覆された誘電体の分
散液をキャスティングすることでまず形成されるテープキャスティング組成物を
包含している。2番目に、グリーンテープは、テープキャスティング組成物の薄
層を可撓性基体、例えば鋼ベルトまたポリマーフィルム上に置き、そのキャスト
層を加熱し、そこから揮発性溶剤を除去することで作られる。従って改良された
電気的性能を示す耐久性があり、良好に焼結された積層デバイスは、次の工程:
(a)有機媒質中に分散させた誘電性電極材料層を多数のグリーンテープの層の
各々に施用し。
(b)多数の電極を積層したグリーンテープを積層し、グリーンテープと電極材
料の交互の層の集成体を形成し。
(C)集成体を750〜1150℃に加熱し、そこから有機媒質と有機結合剤を
除去し、そして導電性電極材料と誘電体を焼結させる、
ことにより製造される。
MLC’ sを組立てるほかの方法は上述のコーティング方法のいずれかで作り
、場合によりその未被覆粒子と揮発性溶剤中で混合した、未焼結の被覆された誘
電体粉末を分散させて厚膜ペーストを形成させることを含む。スクリーン印刷方
法を用いて誘電体および金属層構造が設計される。そして誘電体と金属との層構
造、および第2の電極層を包含する集成体は共焼成される。
発明の詳細な説明
本発明が施用するセラミック誘電体粉末は0,10ミクロン〜5ミクロンまでの
平均の粒度を有する。最良の結果は、未焼結粉末の粒度が0.2〜1.5ミクロ
ンの範囲にある場合に認められる。
平均の粒度が0.1ミクロン以下である場合、粒子の分散は問題を生じ、これは
このような粒子の凝集し易い傾向が所望の誘電特性を有する均一で緻密なセラミ
ック誘電体を得ることを結局困難にしているためである。適切なセラミンク粉末
粒子、すなわち、本発明の組成物のための基体は広い範囲の表面積とに値を有す
る。12を越える高いに値を持つセラミック粉末はMg5BaSPbのチタン酸
塩およびその混合物から選ばれたセラミック酸化物、特にチタン酸バリウムおよ
びチタン酸鉛をベースとする組成物を含有する。チタン酸塩、例えばチタン酸バ
リウムは結晶構造の中にまたは粒子の中にほかのある種の金属酸化物、例えばジ
ルコニウム、ネオジム、ニオブおよび亜鉛の酸化物を含有することができるのは
従来技術で理解されるところである。12またはより少ない低いに値を持つセラ
ミック粉末はシリカ、ケイ酸塩およびその混合物、例えばコーディエライト、ム
ライトおよびアノーサイトから選ばれたセラミック酸化物からなる。
本発明の実施において、セラミック粉末粒子は主としてホウ酸亜鉛をベースとす
る焼結用融剤の薄層で被覆されている。ここで使用されている「主として」とい
う用語はガラス製造実施に従って、B2O3の33モル%までをSiO□、Ge
m2、^1203またはその混合物で置換することができ、ZnOの33モル%
までをアルカリ土類金属またはその混合物で置換できることを示している。l
n O/ B 203のモル比は1/2〜5/1の範囲内にあり、典型的には高
いKの基体をコーティングするために2/1〜3/1であり、そして低いKの基
体をコーティングするためには0.65/1〜3/1である。
焼結された誘電体の誘電特性を低下させる融剤の傾向のために、最小Iの融剤成
分を用いて所望の低温の焼結性を達成させることが好ましい。基体の性質および
所望の焼結特性によって、融剤成分は被覆された粉末の約0.1〜50重量%を
占めることができる。高いKの粉末として、最良の結果は融剤成分が約0.15
〜3重量%の量で存在するとき得られる。緻密化させたセラミック誘電体中の所
望の融剤のレベルは融剤コーティングの既知量を有する被覆されない粒子と被覆
された粉末粒子を適切な比率で一緒に混合し、そして得られた混合物を焼結する
ことによって得ることができる。融剤コーティングは金属導電体成分の融点より
下の温度で焼結することができ、そして緻密な気密構造を持つセラミック誘電体
を生成する被覆された粒子を得るのに必要であるより厚くするべきではない。被
覆された組成物の表面積は薄い融剤コーティングを施用する前の基体の表面積と
類似している。
セラミック粉末粒子の上に焼結用融剤を均一に分布させる方法は、本発明によっ
て開発されたものであり、これは粒子の表面からかなりのイオンを除去すること
なく種々のセラミック粒子に融剤コーティングを施用することを可能にするもの
である。通常、イオン除去は水性溶解によって起こり、そして多(のセラミック
誘電体、例えばチタン酸バリウムの誘電特性は正確な化学量論が保たれることを
必要とするがためにこれは望ましくないことである。
セラミック粉末粒子の表面上に焼結用融剤を均一に分布させる工程は、
(a)焼結用融剤成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、それによって融剤
成分の先駆物質が各々の粒子上に、均一なコーティングを形成するようにし、そ
して
(b)被覆された粒子を乾燥し、そして場合により■焼する、
ことからなる。
次のコーティング方法は微粒子状のセラミック基体からのイオンの水性抽出をで
きるだけ少なくしながら本発明を実施するように企画されたものである。
セラミック粉末粒子をコーティングする、すなわち粉末の液性限界以下で配合す
る最初の方法は、ホウ素、亜鉛の先駆物質、そして場合によりほかの成分、Mの
先駆物質(ここでMはSi、 Ge、 AI、アルカリ土類金属およびその混合
物でありうる)の濃縮溶液をセラミック粉末に激しく撹拌し、すなわちアジチー
ジョン撹拌しながら遅い速度で添加することに基づいており、これは粒子の表面
上での融剤の均一な分布が、溶液を形成するのに用いられた先駆物質のビヒクル
溶剤、すなわち水を蒸発させる前に実現できるようにするためである。添加速度
の適当な調節によって常に粉末の液性限界に達することなく添加を終了させるこ
とができ、かくして最小の看の溶剤を使用することを保証している。
液性限界は、液体と塑性状態との間の任意に定義した境界におけるセラミック粒
子を含有する粉末の重量%で示す水含有量として規定される。A37M標準規格
04318−84は土壌に関連して液性限界の標準的試験方法を詳細に記述して
おり、粉末に関する参照により教示をここに組み入れる。溶剤としての水および
誘電体のセラミック粉末、例えばチタン酸バリウムの場合には、例えば粉末粒子
からのイオンの部分的溶解とその結果、生ずる基体の不均化反応を防ぐために絶
えず粉末と接触する水分量を最小に抑えることが必要である。
このコーティング工程で有用な好ましい先駆物質は600℃以下で揮発性物質と
不揮発性の融剤成分に分解する高度に水溶性の塩である。例えば硝酸亜鉛は50
0℃で分解し、酸化亜鉛の在留物を生ずる。塩がより溶は易い程、粉末に添加す
る必要な水は少ない。ほかの亜鉛源としては酢酸亜鉛、ギ酸亜鉛および塩化亜鉛
をあげることができる。しかしながら、塩化亜鉛は残留の塩化物によってセラミ
ック誘電体特性に悪い影響がひき起こされるかもしれない。
ホウ素に対する先駆物質としてはホウ酸アンモニウムと水溶性のホウ酸が含まれ
る。ホウ酸アンモニウムは分解によって酸化窒素蒸気と酸化ホウ素の残留物を生
ずる。
ホウ酸は低温で酸化ホウ素に分解する。
セラミック粒子表面上への亜鉛とホウ素の先駆物質の均一な分布は、先駆物質の
溶液を激しくかきまぜられた、すなわち撹拌されたセラミック粉末に徐々に加え
ることにより実現することができる。激しい撹拌は溶液中の粉末粒子の凝集を防
ぐ。いろいろなタイプの市販のミキサー、例えばV−ブレンダー、垂直スクリュ
ーおよびリボンブレンダー、そして市販の食品加工装置、例えばRoboむ−c
oupe Model R−2を適度のアジチージョンを行うのに使用すること
ができる。
Robot−coupe Model R−2を用いる典型的な例では、ボウル
に所定量の粉末を入れ、乾燥空気または窒素でパージする。ボウルに蓋をし、高
速で撹拌しながら、乾燥空気または窒素雰囲気に保ちつつホウ素の先駆物質の濃
縮溶液、場合により他の成分M(ここでMは5iSGe、 AA’またはその混
合物である)の先駆物質と混合したものが調整された速度で、粉末の水分含量を
液性限界より下であるように保ちながら添加される。このようにして溶液はボウ
ルを決して「溢れる」ことなく、そしてホウ素の先駆物質を粒子の表面上に均一
に分布する。ビヒクル溶剤を蒸発させるにつれ、より多くの溶液を徐々にボウル
に加え、かくして粒子の表面上の先駆物質の景を増加させる。添加の過度に早い
速度または不充分な撹拌は溢流をひき起こし、粒子の表面から乾燥して失われる
傾向となり、先駆物質をセラミック粉末内に不均一に分布させる原因となる。
一旦、ホウ素の先駆物質の添加が終了したならば操作を亜鉛の先駆物質、場合に
よりほかの成分M(ここてMはCa、 Ba5Sr、 Mgまたはその混合物で
ある)の先駆物質と混合したものを用いて繰り返す。
pHは使用された基体の性質に応じて予め決められた範囲に調節され、そして先
駆物質の溶液の添加の間、この範囲内に維持される。plTを維持することが粉
末粒子の表面から過度のイオンの除去を防ぐこととなるのが見出された。例えば
、チタン酸バリウムの場合にpHを調節し、8.5〜9.0の間に来るように維
持するのが好ましい。これらの操作の間に粒子表面のまわりの液膜のpHは好ま
しくないレベルまで変化するかもしれない。例えば、酸性の硝酸亜鉛溶液のチタ
ン酸バリウムへの添加はpFlを下げ、いくらかのバリウムの溶解をひき起こす
かもしれない。
p[lを望ましいレベルに保つには濃アンモニアの液滴を最適のpl’ルベルに
戻るまで加える。もしplTが先駆物質の溶液の添加により好ましくないレベル
まで上昇するようなことが起これば、酸を滴下して最適のpHに戻すこともでき
る。
一旦、先駆物質の混合が終了すれば、粉末を撹拌しながら、通常乾燥空気または
窒素気流下に保ち残留している水分の蒸発を促進させる。この段階で粉末試料を
ボウルの異なった部分から取り出し、水分と先駆物質の物質が均一に分布してい
るかどうかを確かめるために分析する。
試料中の水分の量は真空オーブン中で恒量になるまで試料の既知量を乾燥させて
測定される。元素分析は高周波誘導結合プラズマ分析器(ICP)を用いて原子
発光分光分析法(AES)によって得られる。
つぎに混合ボウルから取出して、乾燥された粉末試料を分析し、融剤成分の先駆
物質がセラミック粒子の表面に均一に分布しているかどうかが測定される。被覆
されたセラミック粒子の表面を標準な方法、例えばX線光電子分光分析法(xp
sまたはESCA)第2次イオン質量分析法(SIMS)およびイオン散乱光分
析法(ISS)で分析する。これらの方法は粒子の周辺薄層のみに鋭敏であり、
従って表面の分析を構成するが粒子の内容部分の分析を構成するものではない。
先駆物質のほかの成分、例えば四ホウ酸アンモニウム(^mmonium te
traborate)の場合でのNH1′″および硝酸亜鉛の場合のNO3は試
料を空気中で400〜600℃で1または2時間、加熱することによって分解さ
れ、そして揮発化され、粉末粒子上に均一なコーティングとしての所望の融剤組
成物を生成する。
得られた生成物はセラミック粒子の表面上に均一に分布した所望のモル比でZn
O/B2O3またはZnO/ MO/ B2O3を有する乾燥セラミック粉末で
ある。
セラミック粉末の粒子をコーティングするための第2の方法、すなわち表面加水
分解は、セラミック粉末粒子の表面で亜鉛およびホウ素アルキルまたはアルコキ
シドの先駆物質および場合により他の成分の先駆物質M(ここでMはSi、 G
e、 AI、アルカリ土類金属またはその混合物である)の選択的加水分解に基
づくものである。無水の成分の先駆物質が溶解する水に溶けない有機溶剤中にセ
ラミック粉末を分散させる。セラミック粉末粒子の表面は通常ヒドロキシル化さ
れ、従って成分の先駆物質の加水分解がセラミック粒子の表面上で行われる。
セラミック粒子の表面が充分にヒドロキシル化されない、すなわち表面上のヒド
ロキシル基の数が加えられた成分の先駆物質の所望量を定量的に加水分解するの
に十分でない場合に、セラミック粒子は水で前処理される。
粉末を有機溶剤中でスラリー化する前にこれを終了させるために、成分の先駆物
質の所望量を加水分解するように計算された水の量を粒子の表面上に均一層の影
響で加える。セラミック粒子の表面上における水の均一な分布は、例えば水の所
望量が粒子の表面に吸着されるまで乾燥粒子を水蒸気雰囲気に曝すことによって
達成することができる。粒子の表面をあらかじめ決められた水の量で均一にカバ
ーするもう一つの方法は、混合機中で乾燥粉末を撹拌し、徐々に水を加え、添加
が終了したら水処理した粉末を迅速に閉じ込めて水蒸発を防ぐことである。
別法として、粉末を流動化し、水蒸気にさらすことによって乾燥粒子を水で処理
することもできる。セラミック粉末粒子の表面上に水の均一層の生成をもたらす
いかなる方法も本発明の目的を達成するのに使用することができる。
一旦、セラミック粉末が粒子を均一にコーティングするのに充分なヒドロキシル
基または水分を含有しているのが分かれば、これを水に不溶である有機溶剤中で
の成分の先駆物質の溶液においてスラリー化させることができる。加水分解はヒ
ドロキシル基または水分との無水の先駆物質の反応によって起こり、そしてヒド
ロキシル基または水分がセラミック粒子の表面上に存在し、大部分の有機溶剤中
に存在しないので、成分の先駆物質の分解は粒子の表面上において行われる。充
分な接触時間によって成分の先駆物質を加水分解することが可能となり、そして
加水分解が終了したとき、セラミック粒子を有機溶剤から濾過、遠心分離または
傾瀉によって分離し、溶剤で洗浄し、残留している加水分解の副生成物、例えば
低沸点アルコールおよび水を除去する。つぎに粉末を空気または真空オーブン中
で乾燥し、熱処理をして先駆物質を分解し、そして粒子表面上にZnO/BzO
sまたはZnO/MO/B2O3コーティングを形成させる。400〜600℃
の範囲内の温度で1〜2時間、被覆された粒子を爛焼することは随意である。
セラミック粉末の粒子をコーティングする第3の方法、すなわち表面の核形成は
水中および亜鉛とホウ素の水溶液中に分散させることに基づいており、そして場
合によりほかの成分の先駆物質を同様に、または連続的にのいずれかで、すなわ
ち予定した順序で調節された速度で、一定温度、すなわち50〜70℃の範囲内
で、そしてpHを6.5〜7.5の範囲内で加えることによる。液性限界より下
の方法での配合物中の同様な先駆物質はこの表面核形成方法においても有用であ
る。セラミック粒子の表面上に存在しうる亜鉛とホウ素および他の物質M(ここ
でMは5iSGe、^l、アルカリ土類金属またその混合物であることができる
)のプレカーサーの核形成を促進するために最適のpflと温度が設定される。
この方法に含まれる要素は、先駆物質のタイプ、濃度、先駆物質の添加速度:特
定的な表面積およびセラミック粒子の表面の性質:そして水性スラリーの濃度、
温度およびpflである。この方法は水に作用されない、例えば、ケイ酸塩のよ
うなセラミック基体粉末に最も好適である。例えば、チタン酸バリウムのような
イオン性成分の溶解に敏感である基体の場合には、これを使用することはできる
が好ましくはない。
水で溶解するいかなる基体イオンもシステム内に残留していることは重要である
。これを解決する1つの方法は水性層の蒸発、例えばセラミック誘電体の厳密な
化学量論を保持する凍結または噴霧乾燥によって処理されたセラミック粒子を回
収することである。400〜600℃の範囲内の温度で1〜2時間の最終的な■
焼段階も随意である。
最後に、気相コーティング方法もまた満足すべき結果で使用することができる。
この方法において、亜鉛とホウ素および場合によりほかの融剤成分M(ここでM
はSi、Ge、^p、アルカリ土類金属またはその混合物でありうる)の有機化
合物は揮発化され、セラミック誘電体粒子の加熱床と接触するようにされる。ア
ルカリまたはアルコキシドは好適な有機化合物である。粒子床は400〜600
℃の範囲内の温度に加熱され、有機の先駆物質は分解し、反応して粒子上に融剤
の表面コーティングを形成する。
本発明の工程から生ずるセラミック誘電体組成物は本質的に改良され、そして主
としてホウ酸亜鉛が粉末の重量で50%より少な(,1/2〜5/1のZ n
O/ B 203のモル比を持つ量からなる焼結用融剤の均一なコーティングを
各々が有するセラミック酸化物の粒子からなるものである。
さらに本発明は低温の焼成温度において緻密化したセラミック誘電体を形成させ
ることを指向する。改良されたセラミック誘電体粉末組成物は750℃から11
50℃までのような低い温度で焼成され、粒子の焼結と組成物の緻密化を達成す
ることができる。
改良された電気的性能を示す持久性で良好に焼結された積層デバイスは改良され
たセラミック粉末組成物、すなわち本発明の工程で作られた組成物は次の工程=
(a)焼結用融剤成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、これによって融剤
の先駆物質が各々の粒子上に均一なコーティングを形成し:そして
(b)乾燥し、そして場合により被覆された粒子を■焼し。
(c)結合剤ポリマーの溶液と揮発性溶剤の溶液中のセラミック粉末の被覆され
た粒子の分散液を場合によりセラミック粉末の被覆されないセラミンク粒子と混
合してキャスティングし、テープキャスティング組成物を形成させ:
(d)テープキャスティング組成物の薄層を可撓性基体上におき、そしてキャス
ト層を加熱し、そこから揮発性の溶剤を除去してグリーンテープを形成させ:(
e)有機媒質中に分散させた導電性電極材料の層を多数のグリーンテープの各々
の層に施用し:(f)多数の電極を積層したグリーンテープを積層し、グリーン
テープと電極材料の交互の層とした集成体を形成し:そして
(g)集成体を750〜1150℃に加熱し、そこから有機媒体と有機結合剤を
除去し、そして導電性電極材料と誘電体を焼結させる、
による多層成分の下流加工において使用されて二次加工される。
積層セラミックコンデンサーMLC’ sを組立てるもう1つの方法は上述のコ
ーティング方法のいずれかで作られた未焼結の被覆された誘電体粉末粒子を場合
により被覆されない粒子と混合し、揮発性溶剤中で分散させることによって厚膜
ペーストを形成させることを包含する。米国特許4.640.905により詳細
に記述されたように(この教示を参考によりここに組み入れる)、スクリーン印
刷技術を用いることによって、誘電体と金属層構造が設計されている。誘電体と
金属層構造および第2電極層を含む集成体は共焼成される。次の実施例は本発明
を説明するのに役立つものであるが本発明の範囲を限定するものではない。
実施例 1
本実施例は表面加水分解法によるホウ酸亜鉛で被覆されたチタン酸バリウム粉末
組成物の製造法およびMLCにおける低い焼成温度の誘電体セラミックとしての
その評価を説明するものである。
DEZ (Texas A1に、yls、 Inc、社から得られたトルエン中
での11.2%のジエチル亜鉛)とTEB(^1drich Chemical
C。
社から得られたホウ酸トリエチル、触媒番号、75.930−7)のトルエン溶
液はグローブボックス中の乾燥窒素雰囲気においてDEZの17.017 qを
50m1ビーカーに秤取し、トルエンで希釈し5Q++/の溶液を得、これをト
ルエンの400m1を含む目盛付きII!シリンダーに移した。ビーカーをトル
エンの5Qmlで3回(全部で15017りすすぎ、これをシリンダーに加えた
。TEBの1.9369を50111ビーカーに秤取し、トルエンに溶かし溶液
の5011を得、これをまたシリンダーに加えた。ビーカーをトルエンの50m
A’で3回(全部で150鳳l)すすぎ、これをシリンダー(こ加えた。シリン
ダー中の溶液の容積をトルエンで1000m/とじ、撹拌によって充分に混合し
た後、溶液を半ガロンの狭い首の瓶に注ぎ入れた。追加のトルエン100++1
を加え、瓶を密閉し、溶液が確かに均一になるように振盪した。つぎに溶液の1
00+cA’を分析用に取り出した。
分析結果に基づいて、残留する溶液の11が3.2/1のモル比を持つZnO/
B2O3の0.1%名目溶液に相当する1、589のZnOと0.429の82
03の当量を含むことが見出された。
つぎにこの溶液はドライボックス中の密閉瓶に貯えられた。
この実施例に使用されたチタン酸バリウムは日本のFuji Titanium
から入手した。それはrjet m1lled []PBT−1lot 509
04Jと呼ばれた。電子顕微鏡法は多分散の、サブミクロンの不規則な粒子から
なることを示していた。
Sedigraph法による平均の粒度は0.72ミクロンであり、そしてBE
T法による表面積は24 m 2/ c cであった。Ze taポランシアル
測定法によるA/B比は0.998であり、炭素含有量は016%で、等電点は
4.2であった。
上述のチタン酸バリウムの粉末の2009は110℃で16時間乾燥された。つ
ぎに市販の食品加工装置(混合)のRobot−coupe Model R−
2に移し、装置の運転と共に、水2m1Zが徐々に加えられた。粉末を通じての
水分分布の均一性を確かめるために、粉末の5個の少量の無作為の試料を取り、
秤量し、ついで110℃で16時間、真空オーブンで加熱して乾燥した。つぎに
重量減少を測定し、試料の%として表した。平均の重量減少は0.54%であり
、試料のグループ内の範囲は+0.14%であることが見出され、これは水分が
粉末粒子の表面上に良好に分布していることを示した。つぎに加水された粉末を
半ガロンの広口瓶中に入れ、ドライボックス中に貯えられた。
前に製造されたDEZ/ TEHのI!!溶液をチタン酸バリウムを含む瓶に注
ぎ入れた。瓶を密閉し、くるくると16時間混転し、内容物を完全にスラリーに
することを確かめた。つぎにスラリー500m/を等しく3つの200+L’遠
心分離瓶の間に分割し、5orvall ceutrifugeを用い4000
rpmで遠心分離し固体を分離した。上澄液を分析し、o、 ooo%のZnO
と0.062%B2O3の当量を含むことを見出した。生成物は0.996のB
a/Ti比を有することが見出され、コーティングは2.9ハのZnO/B2O
3のモル比に相当する0、 660%ZnOと0.195%B2O3に当量であ
った。
つぎに被覆された粉末を400℃で2時間■焼し、残留有機物を取出し、ついで
慣用のチタン酸バリウム調節剤、12.5%のジルコン酸鉛、4.26%のニオ
ブ酸亜鉛/くリウム、および0.14%の炭酸マンガンと配合し、50.0gの
1ノく・ソチを製造した。
配合を000サイズミル中で結合剤ミ・ンクスの33.09を用いて5時間、ボ
ールミル粉砕で行った。結合剤ミ・ソクスはDo Pont 5200アクリル
系結合剤28.3%(メチルエチルケトン1iEK中樹脂の30%溶液)、可塑
剤(フタル酸ブチルベンジル)2.0%、イソプロピルアルコール中ポリノくル
(Hercules、 Inc、社)溶液の1.5%、および1.1.1−トリ
クロロエタン溶剤の68.2%からなっていた。余分の溶剤3.09を加え、つ
いでグリーンテープを形成するために標準のドクターブレード方法を用いポリプ
ロピレンキャリヤー上に流延した。
乾燥されたときのテープは25ミクロンの厚さであった。
それをキャリヤーから取り除き、切片に力・ノドし、ついで電極パターンを70
%銀−30%パラジウム金属(例えば、Du Pant 48030)の積層コ
ンデンサー電極ペーストを用いて、その上にスクリーン印刷した。強度を増すた
め、多層を底部上および頂部上に8個の被覆層を有する5個の能動誘電体層16
電極)で積層した。つぎに積層品を個体のコンデンサーにカットした(Elec
trical Industries^5sociation 5tandar
d 1209の大きさ)。
つぎに新しい積層コンデンサーを徐々に750℃に加熱し、有機結合剤を除去し
た。ついでそれらを1100℃で2.5時間焼成し、セラミックを緻密なモノリ
シ・ツク構造に焼結した。電極終端には終端ペースト(Du Pont 450
6)でコンデンサーの端部をコーティングすること、および750℃で15分間
焼成することを施用した。24時間二一ジングした後、コンデンサーの試験の用
意は整った。すぐれた電気的成績が得られた。平均の誘電率は10.500であ
り、誘電損失率は1ボルトで測定して1.8%であり、そして絶縁抵抗は100
.000オーム・ファラッドを越えた非常に高い数値であった。コンデンサーの
磨き断面は21ミクロンの誘電体の厚さを有する各々の層を持つ非常に緻密な微
細構造であることが確認された。
実施例 2
実施例1に用いられたチタン酸バリウムの代わりにチタン酸鉛/タングステン酸
鉛マグネシウム粉末(PL802、Du Pontから入手した市販誘電材料)
を使用し、実施例1の操作を続けて行った。生成物の粉末を分析し、4.27/
1の亜鉛/ホウ素の比においてホウ酸亜鉛3.2%のコーティングを有すること
がわかった。
実施例1に記述された操作を用い、被覆された粉末の1009を結合剤ミックス
の66qと配合してグリーンテープを作った。つぎに積層コンデンサーを実施例
1に記述したように作製した。これらを850℃の温度で2.5時間焼成した。
それの後、コンデンサーは緻密化し、そして2000に近い誘電率、33%の誘
電損失率およびto、 oooオーム・ファラッドの絶縁抵抗を有していた。誘
電体の厚さは18ミクロンであった。
実施例 3
本実施例で使用されたチタン酸バリウムは0.994のへ/日比を有する実験用
高純度のチタン酸バリウムであった。
BET法による表面積は54 m 2/ c cであり、Mirotrac分析
による平均の粒度は410ナノメーターであった。この粉末は実施例1における
チタン酸バリウムの代わりに使用されたが、行われた操作は同一であった。被覆
された粉末は分析され、そしてそのコーティングは2.42/1の亜鉛/ホウ素
比を有するホウ酸亜鉛の0.88%を含有していた。
つぎに被覆された粉末を400℃で2時間加熱し、残留の有機物を除去した。こ
の軽(爛焼された粉末の4163部、ニオブ酸バリウム亜鉛の2.13部および
炭酸マンガンの0075部を一緒に配合し、テープと積層コンデンサーを実施例
1に記述したように作製した。焼結されたコンデンサーは稠密化しており、約9
.500〜11.400の範囲の誘電率、16%の誘電損失率および20.00
0オーム・ファラッドより大きい絶縁体抵抗を有していた。コンデンサーの磨き
断面の顕微鏡法は各々の層が23ミクロンの誘電体の厚さを有する緻密で均一な
列理の構造を持つことを確認した。
実施例 4〜7
これらの実施例の生成物はすべてホウ酸亜鉛のコーティングのための表面加水分
解法によって作られた。従って行われた操作は実施例1に記述されたものであっ
た。
使用された基体、基体の表面加水分解を達成するために加えられた水量、先駆物
質トルエン溶液の組成物および被覆された組成物は表1に示される。
表 1
表面加水分解によるホウ酸亜鉛コーティング4 BaTi03(b) 250
8.11 4.5 2.5/15 5i02(c) 110 1.1 1゜0
3.0/16 Si、02(c) 1.1.0 1.1 5.0 3.0/17
PL802(d) 650 9.76 2.5 2.5/14 3.92 2
.5/1 26]
5 0.94 2.8/1 48
6 3.85 3.89/1 50.17 1.44 2.9/1 608
(a)トルエン中の先駆物質溶液。
(b)実施例1で使用されたのと同じ原料。
(C)オルトケイ酸テトラエチル(TE01)の加水分解で製造されたSiO2
微小球。均一な直径、450〜475ナノメーターの稠密な小球。凝集容積=2
.9%
(d) Du Pont社のPL802はチタン酸鉛とタングステン酸鉛マグネ
シウムの混合物である。
実施例 8
本実施例は、液性限界より下で配合することによるホウ酸亜鉛で被覆されたチタ
ン酸バリウムの製造法を記述している。
4、036%のB2O3の当量を含む四ホウ酸アンモニウム(^TB)の溶液を
、Pflatze Bauer社によって供給された(NL) 2B407.4
F120の44gを脱イオン水の500++A’中に溶解し、14.5%水酸化
アンモニウムでpH9,8に調節し、そして最終容積を脱イオン水て600m1
とすることで製造した。
7、555%のZnOの当量を含む硝酸亜鉛(ZNO)の溶液を、J。
T、 Baker社によって供給された試薬級のZn(NO3)2.6H2゜の
170.79を脱イオン水の50(1+1中に溶解し、最終容積を脱イオン水で
600++4に調整することで製造した。
実施例3に使用されたチタン酸バリウムの粉末を真空オーブン中で110℃で2
時間加熱し、水分除去による重量減少を測定した。3個の試料が粉末の201.
3 qで無水のチタン酸バリウムの200gを含有するような旧6587%の平
均の重量減少を示した。
受入れたチタン酸バリウムの201.3 qを市販の食品加工装置に仕込んだ。
装置のブレードを1725rpmで運転し、前に作製したATB溶液の目」lを
食品加工装置のボウルにMasterflex(R)タービンポンプを用いて6
ml/分の速度で送入した。つぎに前に作製したZNO溶液の20.217を
同じ型のポンプを用いて同じ供給速度で加えた。加えている間に少量の3個の試
料(I)を取出し、真空オーブン中で110℃において16時間乾燥し、ZnO
としての亜鉛、およびB20.としてのホウ素を分析した。混合物のplTをア
ンモニア水溶液を加えて8.5に調節し、粉末が乾燥しているように見え、自由
流動化するまで加工装置のボウルを窒素でパージし、ブレードを1725rpm
で連続して運転した。
再び3個の少量の試料(II)を取出し、乾燥し、以前のように分析した。
粉末を食品加工装置ボウルから取り出し、真空オーブン中で110℃において1
6時間乾燥した。3個の少量の試料(m)を分析のために取出した。食品加工装
置のボウルを脱イオン水の250m1ずつで洗浄した。合した洗液を遠心分離に
付し、若干の固体を除去し、上澄液の試料(IV)を分析した。
チタン酸バリウム粉末201.39の3つの試料は上述したようにホウ酸亜鉛で
被覆されていた。A、BおよびCとして認定された中間生成物および最終生成物
として得られた各々の場合における3個の試料の平均値に基づいた分析結果を表
2に示す。
表 2
分析結果
I O,2050,6650,1970,7250,1700,765n O,
2100,652o、I!1170.690 0.200 0.723III
O,2100,6450,2000,6650,1900,705rV(a)
0.001 0.002 0.002 0.001 0.001ZnO/B2O
3
■中 2.63/1 2.84/1 3.17/1(a)これらの試料に対する
2回の平均。
ZnOと8203のほんのわずかの痕跡量が洗浄上澄液に見出されたが、これは
事実上全ての融剤成分がチタン酸バリウム上に残留していることを示す。3個の
試料、AlBおよびCは合一にされ、−緒に混合され2.87/1のZnO/
B 203のモル比に相当する0、 671%のZnOと0゜200%B2O3
を含有するコーティングを持つ生成物を得た。
混合された生成物の試料は実施例1に記述されたように積層コンデンサーを作製
するのに使用された。組成物を1100℃で緻密なモノリンツク構造に容易に焼
結した。
それから形成されたコンデンサーが優れた電気的特性を有することが見出された
。
実施例 9
本実施例は液性限界より下で混合することによって主としてチタン酸鉛とタング
ステン酸鉛マグネシウムからなる誘電体であるDu Pont PL802にホ
ウ酸亜鉛を被覆する製造法を記述している。
5.84%の8203と20.75%のZnOの当量をそれツレ含ムATBとZ
NO溶液を実施例8に記述したように作製した。
実施例6に使用されたような市販の食品加工装置中のDu Pont PL80
2粉末の500gに実施例8に記述されたようにATB溶液の81.5mlを6
IIlZ分の速度で加えた。これに続いて同じ供給速度でZNO溶液の60m1
を加えた。pflはアンモニア水溶液を加えて8.5に調節した。試料を工程の
各段階で取り出し、実施例6におけるように分析した。
生成物を窒素下に、そして最後に真空オーブン中で]10℃において16時間乾
燥した。
分析値は事実上全ての融剤成分がPL802粉末上に残留していることを示した
。最終の生成物は2.18/]のZnO/8203モル比に相当する2、 10
5%のZnOと0.825%の8203を含有するコーティングを有していた。
実施例 10
本発明は表面核形成法によってチタン酸バリウムにホウ酸亜鉛を被覆する製造法
を記述している。
0、333%のB2O3と1.]、67%のZnOの当Iをそれぞれ含む^TB
とZNOの溶液を実施例8に記述したように作製した。
脱イオンの250m/と一緒に、実施例1で使用されたチタン酸バリウムの10
0gを撹拌機、自動pHコントローラーおよび加熱マントルを備えた2500s
l丸底フラスコに仕込んだ。撹拌されたスラリーを60℃に加熱し、そしてpH
を希硝酸またはアンモニアを用いて7.0に調節した。ATB溶液の1otbi
’を計量型ポンプを用いて1.8+4’/分でポンプ送入した。少量の試料を取
り出し、B2O3としてのホウ素について分析した。つぎに^THの溶液67、
7111 (!: ZNO溶液の67、7mlを同一の制御ポンプを用いて同時
に1.0++A’/winでポンプ送入した。添加が終了したとき撹拌されたス
ラリーはpnを7.0に維持しながら60℃で1時間撹拌しながら熟成された。
ついでスラリーを室温まで冷却させた。
スラリーを5orvall遠心分離機に移し、固体を4000rpmで分離した
。pHを7,0に調節した脱イオンの100++/中で再スラリー化することに
よって固体を3回洗浄し、そして再遠心分離に付し、固体を分離した。最初の遠
心分離の上澄液と洗浄液の上澄液を分析した。
固体を真空オーブン中で110℃において16時間乾燥し、そして分析した。
実施例1に記述したように、この生成物の試料を使用し積層コンデンサーを作製
した。組成物はll00℃で緻密なモノリソツクの構造に容易に焼結された。コ
ンデンサーはすぐれた電気的特性を示した。
要 約 書
電子装置用の積層セラミック構造を作製するための改良されたセラミック誘電体
組成物およびかかる組成物の焼結性の向上のための方法にかかり、ホウ酸亜鉛を
ベースとする焼結用融剤を組成物全般にわたって均一に分布するように改良する
ことで低温の焼成温度におけるこのような組成物の焼結性を向上させたものであ
る。
国際調査報告
Claims (15)
- 1.次の工程: (a)焼結用融剤成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、それによって融剤 成分の先駆物質が各々の粒子の上に均一なコーティングを形成するようにし;そ して (b)乾燥し、そして場合により被覆された粒子を■焼する、 に従ってセラミック粉末の均一に被覆された粒子を含有するセラミック誘電体組 成物の焼結性を向上させる方法。
- 2.セラミック粉末がMg、Ba、Pbのチタン酸塩またはその混合物を含有す る請求項1記載の方法。
- 3.セラミック粉末がシリカ、ケイ酸塩またはその混合物を含有する請求項1記 載の方法。
- 4.(a)少なくとも1個のホウ素と1個の亜鉛の融剤成分の先駆物質の濃縮溶 液をセラミック粉末に加え、この間pHをあらかじめ決めた範囲内に維持して、 セラミック粉末粒子の表面からのイオンの溶解を防ぎ;(b)粉末の液性限界よ り下で混合物を激しく撹拌し、粒子を融剤成分の先駆物質で均一に被覆し;そし て (c)乾燥し、そして場合により被覆された粒子を■焼する、 ことによって焼結用融剤をセラミック粉末粒子の表面に均一に分布させる請求項 2または3記載の方法。
- 5.亜鉛の融剤成分の先駆物質が本質的に硝酸亜鉛、酢酸亜鉛、ギ酸亜鉛および 塩化亜鉛であって場合によりCa、Ba、Sr、Mgまたはその混合物の先駆物 質と混合したものからなる群から選ばれ;そしてホウ素の融剤成分の先駆物質が 本質的にホウ酸アンモニウムおよび水溶性のホウ酸であって、場合によりSi、 Ge、Alまたはその混合物の先駆物質と混合したものからなる群から選ばれる 請求項4記載の方法。
- 6.(a)ヒドロキシル化されたセラミック粉末を水と非混和性の有機溶剤中の 少なくとも1個の亜鉛と1個のホウ素の融剤成分の先駆物質の溶液中に分散させ ; (b)粒子を分離し、そして洗浄し;そして(c)乾燥させ、そして場合により 被覆された粒子を■焼する、 ことによって焼結用融剤をセラミック粉末粒子の表面上に均一に分布させる請求 項2または3記載の方法。
- 7.先駆物質が本質的に亜鉛およびホウ素アルキルまたはアルコキシドの先駆物 質であって、場合によりSi、Ge、Alまたはその混合物またはCa、Ba、 Sr、Mgまたはその混合物の先駆物質と混合したものからなる群より選ばれる 請求項6記載の方法。
- 8.(a)セラミック粉末を水中に分散させ;(b)少なくとも1個の亜鉛と1 個のホウ素の融剤成分の先駆物質の水溶液を同時のまたは連続的のいずれかの調 節された速度でその分散液に加え、この間分散液のpHを6.5〜7.5の範囲 内に、そして温度を50〜70℃の範囲内に維持し; (c)セラミック粉末粒子を回収し;そして(d)乾燥し、そして場合により被 覆された粒子を■焼する、 ことによって焼結用融剤をセラミック粉末粒子の表面上に均一に分散させる請求 項2または3記載の方法。
- 9.亜鉛の融剤成分の先駆物質が本質的に酢酸亜鉛、ギ酸亜鉛および塩化亜鉛で あって、場合によりCa、Ba、Sr、Mgまたはその混合物の先駆物質と混合 したものからなる群から選ばれ;そしてホウ素の融剤成分の先駆物質が本質的に ホウ酸アンモニウムおよび水溶性のホウ酸であって、場合によりSr、Ge、A lまたはその混合物の先駆物質と混合したものからなる群から選ばれる請求項8 記載の方法。
- 10.各々の粒子が焼結用融剤の均一なコーティングを有するセラミック粉末の 粒子からなる改良された誘電体セラミック粉末組成物であって、前記焼結用融剤 が粉末の50重量%より少なく含有し、1/2〜5/1のZnO対B2O3のモ ル比を有するホウ酸亜鉛から主としてなり、そして次の工程: (a)焼結用融剤成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、これによって融剤 成分の先駆物質が各々の粒子に均一なコーティングが形成され;そして(b)被 覆された粒子を乾燥し、そして場合により■焼する、 ことによって形成された、上記誘電体セラミック粉末組成物。
- 11.次の工程: (a)少なくとも1個のホウ素と1個の亜鉛の融剤成分の先駆物質の濃縮溶液を セラミック粉末組成物に加えることによってセラミック粉末粒子の表面上にホウ 酸亜鉛を含有する焼結用融剤を均一に分散させ、この間分散液のpHをあらかじ め決めた範囲内に保ってセラミック粉末粒子の表面からのイオンの溶解を防ぎ; (b)混合物を粉末の液性限界より下で激しく撹拌し、粉末粒子を融剤成分で被 覆させ;そして(c)被覆された粒子を乾燥し、そして場合により■焼する、 によって被覆された請求項10記載の改良されたセラミック誘電体粉末組成物。
- 12.粒子の焼結と組成物の緻密化を達成するために約750〜1150℃の範 囲内で焼成される請求項10または11記載の改良されたセラミック誘電体粉末 組成物。
- 13.次の工程: (a)少なくとも1個のホウ紫と1個の亜鉛の融剤成分の先駆物質の濃縮溶液を セラミック粉末に加え、その間pHをあらかじめ決めた範囲内に保って、セラミ ック粉末粒子の表面からのイオンの溶解を防ぎ;(b)混合物を粉末の液性限界 より下で激しく撹拌し、粒子を融剤成分の先駆物質で被覆させ;そして(c)彼 覆された粒子を乾燥し、そして場合により■焼する、 によってセラミック粉末粒子の表面上にホウ酸亜鉛をベースとする焼結用融剤の 均一な分布を有する焼結性セラミック誘電体粉末組成物。
- 14.導電性電極材料とセラミック誘電体配合物の層の集成体からなる改良され た積層セラミックデバイスであって、前記デバイスが次の工程: (a)焼結用融剤成分の先駆物質をセラミック粉末と混合し、これによって融剤 成分の先駆物質で各々の粒子上に均一なコーティングを形成させ;(b)乾燥し 、そして場合により被覆された粒子を■焼し、 (c)結合剤ポリマーと揮発性溶剤の溶液中のセラミック粉末の被覆された粒子 の分散液を場合によりセラミック粉末の被覆されない粒子と混合してキャスティ ングし、テープキャスティング組成物を形成させ; (d)テープキャスティング組成物の薄層を可撓性基体上におき、キャスト層を 加熱し、そこから揮発性の溶剤を除去して、グリーンテープを形成させ;(e) 有機媒質中に分散させた導電性電極材料の層を多数のグリーンテープの各々の層 に施用し;(f)多数の電極を積層したグリーンテープを積層し、グリーンテー プと電極材料の交互の層にした集成体を形成させ;そして (g)集成体を750℃〜1150℃に加熱し、そこから有機媒質と有機結合剤 を除去し、そして導電性電極材料と誘電体を焼結する、 によって作られたホウ酸亜鉛をベースとする焼結用融剤のセラミック粉末粒子の 上に均一な分布を含有するものである、上記の積層セラミックデバイス。
- 15.請求項1記載の方法によって作られた焼結用融剤の均一なコーティングを 有するセラミック粉末の粒子であって、場合によりセラミック粉末の被覆されな い粒子と揮発性溶剤中で混合したものからなるスクリーン印刷しうる厚膜組成物 。
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