JPH0548608B2 - - Google Patents
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- JPH0548608B2 JPH0548608B2 JP59193031A JP19303184A JPH0548608B2 JP H0548608 B2 JPH0548608 B2 JP H0548608B2 JP 59193031 A JP59193031 A JP 59193031A JP 19303184 A JP19303184 A JP 19303184A JP H0548608 B2 JPH0548608 B2 JP H0548608B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は露光装置、特に、半導体製造用に使用
される露光装置に関するものである。
される露光装置に関するものである。
＜従来技術＞
従来、多くの場合この種の露光装置は第１図の
如く構成されている。
如く構成されている。
尚第１図の露光装置はマスクとウエハーが密着
した状態で転写する所謂コンタクトラライナーを
想定して示してある。
した状態で転写する所謂コンタクトラライナーを
想定して示してある。
第１図において、光源１からの光は、楕円曲面
を有する反射ミラー２で反射され、オプテイカ
ル・インデグレータ３を通つて、反射ミラー４で
反射され、コンデンサレンズ５で集光された後転
写面６、すなわちマスク、ウエハーが配置された
面に達する。また、７は受光手段で、反射ミラー
４で反射された光源１からの光束の一部を、測光
光束L2として監視するためのものである。なお
L1a等は転写面６上の一点に対する露光光束であ
る。
を有する反射ミラー２で反射され、オプテイカ
ル・インデグレータ３を通つて、反射ミラー４で
反射され、コンデンサレンズ５で集光された後転
写面６、すなわちマスク、ウエハーが配置された
面に達する。また、７は受光手段で、反射ミラー
４で反射された光源１からの光束の一部を、測光
光束L2として監視するためのものである。なお
L1a等は転写面６上の一点に対する露光光束であ
る。
第１図か明らかなように、露光光束L1a，L1b，
L1cと測光光束L2とは異なつた光路を通り、その
結果として、例えば光源１が第１図の矢印ΔXの
方向に位置変動すると、転写面６上の照度変化
（ΔL1とする。）と受光手段７での照度変化（ΔL2
とする。）とは比例せず、すなわちその比
（ΔL1／ΔL2）は一定にはならない。つまり、光
源１の位置が変動すると、転写面６の照度が変化
しないにもかかわらず、受光手段７への入射光量
が変化してしまい転写面６上の照度を正確に測定
することができないという欠点があつた。このこ
とは、適正な露光管理に対する支障となるため、
光源の位置変動に関係なく、感度Ｓを一定に保つ
必要がある。ここで感度Ｓは次式で表わされる。
L1cと測光光束L2とは異なつた光路を通り、その
結果として、例えば光源１が第１図の矢印ΔXの
方向に位置変動すると、転写面６上の照度変化
（ΔL1とする。）と受光手段７での照度変化（ΔL2
とする。）とは比例せず、すなわちその比
（ΔL1／ΔL2）は一定にはならない。つまり、光
源１の位置が変動すると、転写面６の照度が変化
しないにもかかわらず、受光手段７への入射光量
が変化してしまい転写面６上の照度を正確に測定
することができないという欠点があつた。このこ
とは、適正な露光管理に対する支障となるため、
光源の位置変動に関係なく、感度Ｓを一定に保つ
必要がある。ここで感度Ｓは次式で表わされる。
Ｓ＝転写面６上の照度変化／受光器７での照度変
化×100（％） ＜目的＞ 本発明は、上記欠点に鑑み為されたもので、そ
の目的は、光源の位置変動に対しては低感度で、
しかも転写面照度の変化に対しては高感度である
ような露光装置を提供することにある。
化×100（％） ＜目的＞ 本発明は、上記欠点に鑑み為されたもので、そ
の目的は、光源の位置変動に対しては低感度で、
しかも転写面照度の変化に対しては高感度である
ような露光装置を提供することにある。
＜本発明の主たる特徴＞
光源と該光源からの光を受けるオプテイカルイ
ンテグレーターと該オプテイカルインテグレータ
ーからの各光束でマスクを照射するコンデンサー
レンズとを備え、該マスクに対する光照射により
マスクパターンを被露光基板上に転写する露光装
置において、受光手段と、前記オプテイカルイン
テグレーターからの各光束を振幅分割して分割し
た光を前記受光手段上に入射させるハーフミラー
とを有し、前記ハーフミラーを前記オプテイカル
インテグレーターと前記コンデンサーレンズの間
に配置して前記マスクと前記受光手段を光学的に
共役にしたことである。
ンテグレーターと該オプテイカルインテグレータ
ーからの各光束でマスクを照射するコンデンサー
レンズとを備え、該マスクに対する光照射により
マスクパターンを被露光基板上に転写する露光装
置において、受光手段と、前記オプテイカルイン
テグレーターからの各光束を振幅分割して分割し
た光を前記受光手段上に入射させるハーフミラー
とを有し、前記ハーフミラーを前記オプテイカル
インテグレーターと前記コンデンサーレンズの間
に配置して前記マスクと前記受光手段を光学的に
共役にしたことである。
＜実施例＞
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第２図Ａは、本発明の実施例の概略配置図で
第２図Ａに示す実施例は、コンタクト型あるい
はプロキシミテイ型の露光装置に適用した場合を
示す。
はプロキシミテイ型の露光装置に適用した場合を
示す。
第２図Ａにおいて、１は光源等のエネルギー
源、２は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプ
テイカル・インテグレータ、４ａは光束の一部を
透過する振幅分割器としてのハーフミラー、５は
ハーフミラー４ａで反射された光束を集光させる
ためのコンデンサレンズ、６は転写面である。こ
の場合、照明光学系が射出テレセン光学系となる
よう、コンデンサレンズ５の前側焦点近傍にオプ
テイカル・インテグレータ３を配置する。
源、２は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプ
テイカル・インテグレータ、４ａは光束の一部を
透過する振幅分割器としてのハーフミラー、５は
ハーフミラー４ａで反射された光束を集光させる
ためのコンデンサレンズ、６は転写面である。こ
の場合、照明光学系が射出テレセン光学系となる
よう、コンデンサレンズ５の前側焦点近傍にオプ
テイカル・インテグレータ３を配置する。
ここでL1a，L1b，L1cは第１図と同様第２図Ｂ
に示すように転写面６上の限られた領域M1に対
する露光光束である。一方、７は受光手段で、ハ
ーフミラー４ａを透過する光源１からの光束の一
部を、コンデンサレンズ８を介して、測光光束
L2a，L2b，L2cとして監視するためのものである。
M2は第２図Ｃに示すように受光手段７の前方に
配置された開口マスクである。
に示すように転写面６上の限られた領域M1に対
する露光光束である。一方、７は受光手段で、ハ
ーフミラー４ａを透過する光源１からの光束の一
部を、コンデンサレンズ８を介して、測光光束
L2a，L2b，L2cとして監視するためのものである。
M2は第２図Ｃに示すように受光手段７の前方に
配置された開口マスクである。
さて、第２図Ａから明らかなように、測光光束
L2aと露光光束L1aとは、ハーフミラー４ａを介し
て振幅分割された光学的に共役関係にあり、光束
条件としては同一となる。
L2aと露光光束L1aとは、ハーフミラー４ａを介し
て振幅分割された光学的に共役関係にあり、光束
条件としては同一となる。
光束L2bとL1b、光束L2cとL1cの場合も同様であ
る。
る。
従つて、転写面６上の領域M1と受光手段７の
開口マスクM2とは光学的に共役関係となる。そ
の結果、光源１が第２図の矢印ΔXの方向に位置
変動しても、受光手段７での照度変化（Δ（L2a〜
L2c）とする。）に対する転写面６上の照度変化
（Δ（L1a〜L1c）とする。）の比（Δ（L1a〜L1c）／
Δ（L2a〜L2c））は、一定になる。
開口マスクM2とは光学的に共役関係となる。そ
の結果、光源１が第２図の矢印ΔXの方向に位置
変動しても、受光手段７での照度変化（Δ（L2a〜
L2c）とする。）に対する転写面６上の照度変化
（Δ（L1a〜L1c）とする。）の比（Δ（L1a〜L1c）／
Δ（L2a〜L2c））は、一定になる。
言い換えると、本実施例のように受光手段７を
配置すれば光源１の位置変動に無関係に、転写面
照度の変化を的確に把握することが可能となる。
配置すれば光源１の位置変動に無関係に、転写面
照度の変化を的確に把握することが可能となる。
またこの場合、第２図Ａより明らかなように、
オプテイカル・インテグレータ３から出て転写面
６上の領域M1を照明する全光束は振幅分割され
て受光手段７にとりこまれている。その結果、転
写面６上の領域M1の照度の単純平均を表わす信
号が受光手段７より出ることになり、この領域で
はいわゆる平均測光となつている。
オプテイカル・インテグレータ３から出て転写面
６上の領域M1を照明する全光束は振幅分割され
て受光手段７にとりこまれている。その結果、転
写面６上の領域M1の照度の単純平均を表わす信
号が受光手段７より出ることになり、この領域で
はいわゆる平均測光となつている。
そして本実施例では受光手段７の表面には第２
図Ｃに示すような開口マスクM2を配置している。
この開口マスクM2の形状は転写面６の領域M1の
形状すなわちウエハーの形状と同一若しくはコリ
メータレンズ８が縮少系であれば領域M1の形状
にその縮少率を掛けた相似形で構成されている。
図Ｃに示すような開口マスクM2を配置している。
この開口マスクM2の形状は転写面６の領域M1の
形状すなわちウエハーの形状と同一若しくはコリ
メータレンズ８が縮少系であれば領域M1の形状
にその縮少率を掛けた相似形で構成されている。
例えば領域M1が円形のときは開口マスクM2も
円形となつている。これにより実質的に領域M1
に相当する範囲内を受光するようにしている。こ
のような本実施例においては開口マスクM2を用
いることによりウエハー面上の照度だけを正確に
測定するようにし適切な露光値を決定することを
可能としている。
円形となつている。これにより実質的に領域M1
に相当する範囲内を受光するようにしている。こ
のような本実施例においては開口マスクM2を用
いることによりウエハー面上の照度だけを正確に
測定するようにし適切な露光値を決定することを
可能としている。
尚この開口マスクM2は受光手段７の表面でな
くて領域M1と共役な面に配置するようにしても
良い。又開口マスクM2の開口部と同一の受光面
を有する検出手段を用いれば特に開口マスクM2
を配置する必要はない。
くて領域M1と共役な面に配置するようにしても
良い。又開口マスクM2の開口部と同一の受光面
を有する検出手段を用いれば特に開口マスクM2
を配置する必要はない。
本実施例においてハーフミラー４ａをオプテイ
カル・インテグレータ３とコリメータレンズ５の
間に配置しているがコリメータレンズ５と転写面
６との間に配置しても良い。この場合検出手段７
の前方のコリメータレンズ８は不要となる。
カル・インテグレータ３とコリメータレンズ５の
間に配置しているがコリメータレンズ５と転写面
６との間に配置しても良い。この場合検出手段７
の前方のコリメータレンズ８は不要となる。
但しハーフミラー４ａの透過率分布が厳密に一
様でない場合にはハーフミラー４ａを第２図に示
す実施例の如くオプテイカル・インテグレータ３
とコリメータレンズ５との間に配置するのが転写
面６上でハーフミラー４ａの透過率分布が重畳さ
れて平均化され、照度分布が一様となるので好ま
しい。
様でない場合にはハーフミラー４ａを第２図に示
す実施例の如くオプテイカル・インテグレータ３
とコリメータレンズ５との間に配置するのが転写
面６上でハーフミラー４ａの透過率分布が重畳さ
れて平均化され、照度分布が一様となるので好ま
しい。
又コリーメータレンズ８の屈折力をコリメータ
レンズ５の屈折力に比べて強くし受光手段７の受
光面を転写面６の領域M1より小さくしておけば
小さな受光面を有する受光手段により受光するこ
とが出来るので好ましい。
レンズ５の屈折力に比べて強くし受光手段７の受
光面を転写面６の領域M1より小さくしておけば
小さな受光面を有する受光手段により受光するこ
とが出来るので好ましい。
尚本実施例において転写面６上の領域M1と受
光手段７の開口マスクM2が共役関係にあるとい
うことは厳密に共役関係にある必要ななく転写面
６上の領域M1に相当する領域を実質的に測光す
ることが出来る程度の共役関係があれば良い。
光手段７の開口マスクM2が共役関係にあるとい
うことは厳密に共役関係にある必要ななく転写面
６上の領域M1に相当する領域を実質的に測光す
ることが出来る程度の共役関係があれば良い。
＜効果＞
以上説明したように、本発明に従うと光源の位
置変動に対してはほとんど影響されず、しかも転
写面照度の変化に対しては高感度である露光監視
装置付の露光装置が得られ、適正な露光管理を可
能にする。
置変動に対してはほとんど影響されず、しかも転
写面照度の変化に対しては高感度である露光監視
装置付の露光装置が得られ、適正な露光管理を可
能にする。
第１図は従来の露光装置の概略配置図、第２図
Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の一実施例の概略配置図、図
中Ａは概略構成図、Ｂ，Ｃは各々同図Ａの一部分
の説明図である。 図中１は光源、２は楕円面鏡、３はオプテイカ
ル・インテグレータ、４は反射ミラー、４ａはハ
ーフミラー、５，８は各々コンデンサレンズ、６
は転写面、７は受光手段、M2は開口マスク、
L1a，L1b，L1cは各々露光光束、L2，L2a，L2b，
L2cは各々測光光束である。
Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の一実施例の概略配置図、図
中Ａは概略構成図、Ｂ，Ｃは各々同図Ａの一部分
の説明図である。 図中１は光源、２は楕円面鏡、３はオプテイカ
ル・インテグレータ、４は反射ミラー、４ａはハ
ーフミラー、５，８は各々コンデンサレンズ、６
は転写面、７は受光手段、M2は開口マスク、
L1a，L1b，L1cは各々露光光束、L2，L2a，L2b，
L2cは各々測光光束である。
Claims (1)
- １ 光源と該光源からの光を受けるオプテイカル
インテグレーターと該オプテイカルインテグレー
ターからの各光束でマスクを照射するコンデンサ
ーレンズとを備え、該マスクに対する光照射によ
りマスクパターンを被露光基板上に転写する露光
装置において、受光手段と、前記オプテイカルイ
ンテグレーターからの各光束を振幅分割して分割
した光を前記受光手段上に入射させるハーフミラ
ーとを有し、前記ハーフミラーを前記オプテイカ
ルインテグレーターと前記コンデンサーレンズの
間に配置して前記マスクと前記受光手段を光学的
に共役にしたことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193031A JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193031A JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171631A JPS6171631A (ja) | 1986-04-12 |
| JPH0548608B2 true JPH0548608B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=16301014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59193031A Granted JPS6171631A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171631A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2016045897A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143544A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-08 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Automatic exposure control device of camera |
-
1984
- 1984-09-15 JP JP59193031A patent/JPS6171631A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143544A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-08 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Automatic exposure control device of camera |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6171631A (ja) | 1986-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |