JPH0547948A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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- JPH0547948A JPH0547948A JP3200848A JP20084891A JPH0547948A JP H0547948 A JPH0547948 A JP H0547948A JP 3200848 A JP3200848 A JP 3200848A JP 20084891 A JP20084891 A JP 20084891A JP H0547948 A JPH0547948 A JP H0547948A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、より詳しくは、半導体チップをセラミック製パ
ッケージにより封止する工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device including a step of sealing a semiconductor chip with a ceramic package.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体チップを封止するセラミック製パ
ッケージは、ＤＩＰ（dual in line package）型ととも
に、図３(a),(b) に示すような表面実装型のパッケージ
P1，P2が使用されるようになっており、そのリードL1，
L2は、Ｊ字状やＬ字状に湾曲されている。2. Description of the Related Art A ceramic package for encapsulating a semiconductor chip is a DIP (dual in line package) type as well as a surface mount type package as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).
P 1 and P 2 are used, and their leads L 1 and
L 2 is curved in a J shape or an L shape.
【０００３】なお、図３に示すパッケージP1，P2は、Ｅ
ＰＲＯＭを収納するもので、その上方には窓ガラスG1，
G2が取付けられている。セラミック製パッケージによっ
て半導体チップを封止する場合には次に述べる工程を経
ることになる。The packages P 1 and P 2 shown in FIG.
It houses the PROM, and the window glass G 1 , above it.
G 2 is installed. When a semiconductor chip is sealed with a ceramic package, the following steps will be performed.
【０００４】まず、図４(a) に示すように、セラミック
キャップ４１の下面周縁に沿って低融点ガラス４２を0.
４〜0.５ｍｍの厚さに塗布しておく。そして、図４(b)
に示すように、セラミック基板４３の中央に凹設された
キャビティ４４に半導体チップ４５を載せ、その周囲に
複数のリード４６を取付けて、ついで、半導体チップ４
５とリード４６をアルミニウム線４７により接続する。First, as shown in FIG. 4 (a), a low-melting-point glass 42 is formed along the lower surface of the ceramic cap 41 at a low temperature.
Apply it to a thickness of 4 to 0.5 mm. And FIG. 4 (b)
As shown in FIG. 4, the semiconductor chip 45 is placed in the cavity 44 formed in the center of the ceramic substrate 43, and the plurality of leads 46 are attached to the periphery of the cavity.
5 and the lead 46 are connected by an aluminum wire 47.
【０００５】ついで、セラミックキャップ４１をセラミ
ック基板４３の上に置き、これを加熱炉（不図示）に入
れて温度を４２５℃から４４５℃まで上昇させると、低
融点ガラス４２が溶融してこれによりセラミックキャッ
プ４１とセラミック基板４３が封着されることになる
（図４(c))。Next, when the ceramic cap 41 is placed on the ceramic substrate 43 and placed in a heating furnace (not shown) to raise the temperature from 425 ° C. to 445 ° C., the low-melting glass 42 is melted, which causes The ceramic cap 41 and the ceramic substrate 43 are sealed (FIG. 4 (c)).
【０００６】しかし、このような封着方法によれば、加
熱の際にキャビティ４４内の気体が膨張し、セラミック
キャップ４１に傾きが生じてしまう。そこで、図５(a)
に示すように、低融点ガラス４２を塗布する際に、セラ
ミックキャップ４１の一部が表出するような深さの溝４
８を１ケ以上設けるようにしている。However, according to such a sealing method, the gas in the cavity 44 expands during heating, and the ceramic cap 41 tilts. Therefore, Fig. 5 (a)
As shown in FIG. 4, when the low melting point glass 42 is applied, the groove 4 having a depth such that a part of the ceramic cap 41 is exposed.
At least one 8 is provided.
【０００７】これによれば、セラミック基板４３の上に
セラミックキャップ４１を載せた状態で（図５(b))低融
点ガラス４２を加熱炉内で加熱すると、キャビティ４４
内で膨張した気体は溝４８から外部に逃げ、セラミック
キャップ４１の傾きが生じなくなる（図５(b) 〜(d))。
低融点ガラス４２が溶融する際には、図５(b) 〜(d)に
示すように、溝４８は低融点ガラス４２によってセラミ
ック基板４３方向から徐々に浸食され、加熱温度が４４
５℃〜４５０℃に達した時点で消滅することになる。According to this, when the low melting point glass 42 is heated in the heating furnace with the ceramic cap 41 placed on the ceramic substrate 43 (FIG. 5 (b)), the cavity 44
The gas expanded inside escapes from the groove 48 to the outside, and the inclination of the ceramic cap 41 does not occur (FIGS. 5B to 5D).
When the low-melting glass 42 is melted, the groove 48 is gradually eroded by the low-melting glass 42 from the direction of the ceramic substrate 43 as shown in FIGS.
It will disappear when it reaches 5 ° C to 450 ° C.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、溝４８が縮小
する過程においては、キャビティ４４の内圧とセラミッ
クキャップ４１の外圧が等しくなるので、低融点ガラス
４２は、セラミックキャップ４１又はセラミック基板４
３の重さにより押圧されて横方向にはみ出し、低融点ガ
ラス４２の膜厚が薄くなって接着力が弱くなったり、あ
るいはガラスがはみ出すことによる封止外観が劣悪にな
るといった問題が生じる。However, in the process of shrinking the groove 48, the internal pressure of the cavity 44 and the external pressure of the ceramic cap 41 become equal, so that the low-melting glass 42 is used as the ceramic cap 41 or the ceramic substrate 4.
There is a problem that it is pressed by the weight of No. 3 and protrudes in the lateral direction, the film thickness of the low melting point glass 42 becomes thin and the adhesive force becomes weak, or the protruding appearance of the glass deteriorates the sealing appearance.
【０００９】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、セラミック基板とセラミックキャップを
接着するガラスの薄層化を抑制することができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the thinning of glass for adhering a ceramic substrate and a ceramic cap. And
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、セラミックよりなるキャップ１の一面
の周縁に、該キャップ１を露出させない深さの凹部３を
設けたガラス膜２を形成する工程と、中央に半導体チッ
プ３６を載置するキャビティ５を形成したセラミック製
の基板４の周囲にリード７を配置する工程と、前記キャ
ップ１によって前記基板４のキャビティ５側を覆う工程
と、前記ガラス膜２を加熱溶融することにより前記キャ
ップ１と前記基板４を接着して前記半導体チップ３６を
封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成する。As shown in FIG. 1, the above-mentioned problem is solved by a glass film 2 in which a recess 3 having a depth that does not expose the cap 1 is provided on the peripheral edge of one surface of the cap 1 made of ceramic. Forming the semiconductor chip 36, arranging the leads 7 around the ceramic substrate 4 having the cavity 5 for mounting the semiconductor chip 36 in the center thereof, and covering the cavity 5 side of the substrate 4 with the cap 1. And a step of adhering the cap 1 and the substrate 4 to each other by heating and melting the glass film 2 to seal the semiconductor chip 36, thereby achieving the semiconductor device manufacturing method.
【００１１】または、図３に例示するように、セラミッ
クよりなるキャップ１の一面の周縁のガラス膜形成領域
の少なくとも一部に、溶けたガラスの流れの良い金属膜
14を形成した後に、該金属膜14を露出させる凹部13を設
けたガラス膜12を前記ガラス膜形成領域に形成する工程
と、中央に半導体チップ６を載置するキャビティ６を形
成したセラミック製の基板４の周囲にリード７を配置す
る工程と、前記キャップ１により前記基板４のキャビテ
ィ側を覆う工程と、前記ガラス膜12を加熱溶融すること
により前記キャップ１と前記基板４を接着して前記半導
体チップ６を封止する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成する。Alternatively, as illustrated in FIG. 3, at least a part of the glass film forming region on the peripheral edge of the one surface of the cap 1 made of ceramic has a metal film in which molten glass flows well.
After forming 14, a step of forming a glass film 12 having a recess 13 for exposing the metal film 14 in the glass film forming region, and a ceramic 6 having a cavity 6 for mounting a semiconductor chip 6 in the center The step of disposing the leads 7 around the substrate 4, the step of covering the cavity side of the substrate 4 with the cap 1, and the step of bonding the cap 1 and the substrate 4 by heating and melting the glass film 12 And a step of encapsulating the semiconductor chip 6, which is a method for manufacturing a semiconductor device.
【００１２】または、少なくとも前記ガラス膜２に当た
る領域の前記リード７にアルミニウム膜８が形成されて
いることを特徴とする前記２つの半導体装置の製造方法
によって達成する。Alternatively, it is achieved by the method for manufacturing the two semiconductor devices, wherein an aluminum film 8 is formed on at least the lead 7 in a region corresponding to the glass film 2.
【００１３】[0013]
【作 用】第１、２の発明によれば、キャップ１の一面
に形成するガラス膜２にキャップ１を露出しない凹部３
を形成したり、あるいは、キャップ１の表面に、溶けた
ガラスの流れの良い金属膜１４を形成してその上にガラ
ス膜12の凹部13を形成している。[Operation] According to the first and second aspects, the concave portion 3 that does not expose the cap 1 to the glass film 2 formed on one surface of the cap 1
Or a metal film 14 having a good flow of the molten glass is formed on the surface of the cap 1 and a recess 13 of the glass film 12 is formed thereon.
【００１４】このため、キャップ１と基板４を合わせて
ガラス膜２，12を加熱溶融すれば、溶けたガラス膜２が
短時間で凹部３，13を収縮、消滅させることになる。こ
の場合、キャビティ５内で膨張した気体の一部は凹部３
を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で閉じるため
に、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状態に保持さ
れ、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押圧して
薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５内の気
体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有しておらず、
加熱後のキャップ１には位置ズレが生じていないことが
確かめられている。Therefore, if the glass films 2 and 12 are heated and melted together with the cap 1 and the substrate 4, the melted glass film 2 causes the recesses 3 and 13 to shrink and disappear in a short time. In this case, a part of the gas that has expanded in the cavity 5 is part of the recess 3
However, since the concave portion 3 closes in a short time, the internal pressure of the cavity 5 is kept higher than the external pressure, and the cap 1 does not press the glass film 2 by its weight to thin it. Moreover, the gas in the cavity 5 does not have a pressure until the cap 1 is tilted,
It has been confirmed that the cap 1 after heating has no positional deviation.
【００１５】また、第３の発明によれば、ガラス膜２が
当たる領域のリード７にアルミニウム膜８を形成してい
るために、溶けたガラスの流れがさらによくなる。Further, according to the third invention, since the aluminum film 8 is formed on the lead 7 in the region where the glass film 2 hits, the flow of the melted glass is further improved.
【００１６】[0016]
【実施例】（ａ）本発明の一実施例の説明 図１は、本発明の一実施例の半導体チップ封止工程を示
す平面図と側面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (a) Description of an Embodiment of the Present Invention FIG. 1 is a plan view and a side view showing a semiconductor chip encapsulation process of an embodiment of the present invention.
【００１７】図において符号１は、アルミナのような絶
縁性セラミックよりなる平面矩形状のキャップで、その
下面周縁の環状領域には４３０℃以上の温度で溶融する
低融点のガラス膜２が１〜３mmの幅、0.４０〜0.５０mm
の厚さに積層されている。また、そのガラス膜２の１ヵ
所又は数カ所には、図１(a),(b) に示すように、0.４４
〜0.３０mmの深さ（Ｄ）、0.２〜0.４mmの長さ（Ｌ）の
凹部３がガラス膜２を幅方向に横切って形成されてい
る。In the figure, reference numeral 1 is a flat rectangular cap made of an insulating ceramic such as alumina, and a low melting point glass film 2 that melts at a temperature of 430 ° C. or higher is formed in an annular region around the lower surface of the cap. 3mm width, 0.40 ~ 0.50mm
Are laminated to a thickness of. Moreover, as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), at one or several places of the glass film 2, 0.44 is provided.
A recess 3 having a depth (D) of ˜0.30 mm and a length (L) of 0.2 to 0.4 mm is formed across the glass film 2 in the width direction.
【００１８】ガラス膜２は、例えば0.０６〜0.１０mmの
厚さのガラスをスクリーン印刷により複数回塗布して形
成したもので、ガラス膜２の中層や上層部分を積層する
際に凹部形成領域を除いた部分のみにガラスを印刷すれ
ば、凹部３は容易に形成される。The glass film 2 is formed, for example, by applying glass having a thickness of 0.06 to 0.10 mm a plurality of times by screen printing. When the middle layer or the upper layer portion of the glass film 2 is laminated, a recess is formed. If the glass is printed only on the portion excluding the region, the concave portion 3 is easily formed.
【００１９】４は、中央に凹状のキャビティ５を有する
セラミック製の基板で、そのキャビティ５の中にはＥＰ
ＲＯＭを有する半導体チップ６が金錫共晶や銀ガラス等
により接着され、また、その周囲には、外側にＬ字状に
折り曲げられた複数の４２アロイリード７がガラスによ
り貼付けられている。さらに、リード７のうちキャップ
１に当たる部分とワイヤボンディング部分の表面はアル
ミニウム膜８で覆われており、ワイヤボンディング部分
と半導体チップ６上のパッド（不図示）とはアルミニウ
ムワイヤー９により接続されている。Reference numeral 4 is a ceramic substrate having a concave cavity 5 in the center.
A semiconductor chip 6 having a ROM is adhered by a gold-tin eutectic crystal, silver glass, or the like, and a plurality of 42 alloy leads 7 bent outward in an L shape are adhered by glass around the semiconductor chip 6. Further, the surface of the lead 7 corresponding to the cap 1 and the surface of the wire bonding portion is covered with the aluminum film 8, and the wire bonding portion and the pad (not shown) on the semiconductor chip 6 are connected by the aluminum wire 9. ..
【００２０】このような状態で、まず、ガラス膜２の形
成面を下にしてキャップ１を基板４の上に載置した後
に、これらを加熱炉（不図示）の中に入れる（図１
(c))。この場合の加熱炉は例えば４２５℃以下の温度に
設定しておく。In this state, first, the cap 1 is placed on the substrate 4 with the surface on which the glass film 2 is formed facing downward, and then these are put into a heating furnace (not shown) (FIG. 1).
(c)). In this case, the heating furnace is set to a temperature of 425 ° C. or lower, for example.
【００２１】次に、キャップ１を載せた基板４を加熱炉
に入れた後に炉内温度を４４５℃〜４５０℃まで徐々に
上昇させると、キャップ１下面のガラス膜２は４３０℃
から溶け出す。このとき、ガラス膜２の凹部３は、溶融
したガラスによって周囲全体から収縮されてついには消
滅し、その速度は速く、加熱温度４３０℃に達した時点
で短時間で進行する（図１(d))。Next, after the substrate 4 on which the cap 1 is placed is placed in a heating furnace, the temperature inside the furnace is gradually raised to 445 ° C. to 450 ° C., and the glass film 2 on the lower surface of the cap 1 is 430 ° C.
Melts out of. At this time, the concave portion 3 of the glass film 2 is contracted from the entire periphery by the molten glass and finally disappears, and the speed thereof is fast, and the heating temperature advances to 430 ° C. in a short time (FIG. 1 (d )).
【００２２】また、キャビティ５内で膨張した気体の一
部は凹部３を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で
閉じるために、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状
態となり、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押
圧して薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５
内の気体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有してお
らず、加熱後のキャップ１には位置ズレが生じないこと
が確かめられている。A part of the gas expanded in the cavity 5 escapes through the concave portion 3, but the concave portion 3 closes in a short time, so that the internal pressure of the cavity 5 becomes higher than the external pressure and the cap 1 loses its weight. Therefore, the glass film 2 is not pressed and thinned. Moreover, the cavity 5
It has been confirmed that the gas inside does not have a pressure until the cap 1 is tilted, and that the cap 1 after heating does not have a positional deviation.
【００２３】このように、気体の抜け孔となる凹部３の
消滅が速いのは、溶けたガラスはガラス上を速く流れる
からである。これに対して、溶けたガラスはセラミック
上では流れにくく、図５に示すような従来方法による場
合には溝３８の収縮速度は遅く、キャビティ３４からの
気体の放出量が多くなって内圧と外圧が等しくなり、こ
の結果、キャップ３１はその重さによりガラス３２を押
圧すると考えられる。As described above, the reason why the concave portion 3 serving as a gas escape hole disappears quickly is that the molten glass flows on the glass quickly. On the other hand, the molten glass is hard to flow on the ceramic, and in the case of the conventional method as shown in FIG. 5, the contraction speed of the groove 38 is slow, the amount of gas released from the cavity 34 increases, and the internal pressure and the external pressure are increased. Are considered to be equal, and as a result, the cap 31 is considered to press the glass 32 by its weight.
【００２４】なお、図中符号５ａは、キャップ１の内領
域に凹設した上側のキャビティ、１５は、キャップ１の
キャビティ５ａの中央に形成した窓ガラスを示してい
る。さらに、上記実施例では、リード７をＬ字状にして
図３(b) に示すような断面になるがリード７をＪ字状に
して同図(a) に示すような構造にすることもできる。Reference numeral 5a in the figure denotes an upper cavity recessed in the inner region of the cap 1, and reference numeral 15 denotes a window glass formed in the center of the cavity 5a of the cap 1. Further, in the above embodiment, the lead 7 is L-shaped to have a cross section as shown in FIG. 3 (b), but the lead 7 may be J-shaped to have a structure as shown in FIG. 3 (a). it can.
【００２５】（ｂ）本発明のその他の実施例の説明 上記した実施例では、ガラス膜３に、キャップ１が露出
しない程度の深さの凹部３を形成しているが、図２に示
すように、少なくとも凹部を形成する領域のキャップ１
の表面に、アルミニウムのようなガラスの流れが良くな
る金属膜１４を予め塗布し、凹部１３から金属膜１４を
露出するようにしておけば、凹部１３は第１実施例と同
様に速く消滅してガラス膜１２の薄層化が防止される。(B) Description of Other Embodiments of the Present Invention In the above-mentioned embodiment, the glass film 3 is formed with the recess 3 having a depth such that the cap 1 is not exposed. As shown in FIG. The cap 1 in the region where at least the recess is formed
If a metal film 14 such as aluminum that improves the flow of glass is applied in advance to the surface of the so that the metal film 14 is exposed from the recess 13, the recess 13 disappears quickly as in the first embodiment. As a result, thinning of the glass film 12 is prevented.
【００２６】また、上記実施例では、ガラス膜２の積層
工程において凹部３を形成するようにしたが、ガラス膜
２を一様の厚さに形成した後に、その一部を削って凹部
３を形成するようにしてもよい。Further, in the above-mentioned embodiment, the concave portion 3 is formed in the step of laminating the glass film 2, but after the glass film 2 is formed to have a uniform thickness, a part thereof is shaved to form the concave portion 3. It may be formed.
【００２７】なお、上記した実施例では、キャップ１を
基板４の上に載せて加熱するようにしているが、ガラス
膜２を上向きにしてキャップ１の上に基板４を載せるよ
うにしてもよい。In the above-mentioned embodiment, the cap 1 is placed on the substrate 4 and heated. However, the glass film 2 may face upward and the substrate 4 may be placed on the cap 1. ..
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、キャ
ップの一面に形成するガラス膜にキャップを露出しない
深さの凹部を形成したり、あるいは、キャップの表面に
溶けたガラスの流れの良い膜を形成し、その上にガラス
膜の凹部を形成するようにしているので、溶けたガラス
膜が短時間で凹部を充填して消滅させ、キャビティの内
圧を外圧よりも高い状態に保持することができ、キャッ
プがその重さによりガラス膜を押圧して薄層化すること
を未然に防止できる。As described above, according to the present invention, the glass film formed on one surface of the cap is provided with a recess having a depth that does not expose the cap, or the flow of the glass melted on the surface of the cap is prevented. Since a good film is formed and a concave portion of the glass film is formed thereon, the melted glass film fills the concave portion and disappears in a short time, and keeps the internal pressure of the cavity higher than the external pressure. Therefore, it is possible to prevent the cap from pressing the glass film due to its weight to thin the cap.
【００２９】しかも、そのキャビティ内の気体は、キャ
ップを傾けるまでの圧力を有しておらず、加熱後のキャ
ップの位置ズレの発生を防止できる。さらに、ガラス膜
が当たる基板の領域にアルミニウム膜を形成しているの
で、溶けたガラスの流れがさらに良くなり、凹部を短時
間で消滅することができる。Moreover, the gas in the cavity does not have a pressure until the cap is tilted, so that the displacement of the cap after heating can be prevented. Further, since the aluminum film is formed in the region of the substrate which the glass film hits, the flow of the melted glass is further improved, and the concave portion can be eliminated in a short time.
【図１】本発明の第１実施例を示す平面図及び側面図で
ある。FIG. 1 is a plan view and a side view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２実施例を示す平面図及び側面図で
ある。FIG. 2 is a plan view and a side view showing a second embodiment of the present invention.
【図３】半導体装置の一例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device.
【図４】従来方法の第１の例を示す平面図及び側面図で
ある。FIG. 4 is a plan view and a side view showing a first example of a conventional method.
【図５】従来方法の第２の例を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a second example of the conventional method.
１ キャップ ２ ガラス膜 ３ 凹部 ４ 基板 ５ キャビティ ６ 半導体チップ ７ リード ８ アルミニウム膜 12 ガラス膜 13 凹部 14 金属膜 15 窓ガラス 1 Cap 2 Glass Film 3 Recess 4 Substrate 5 Cavity 6 Semiconductor Chip 7 Lead 8 Aluminum Film 12 Glass Film 13 Recess 14 Metal Film 15 Window Glass
Claims (3)
の周縁に、該キャップ（１）を露出させない深さの凹部
（３）を設けたガラス膜（２）を形成する工程と、 中央に半導体チップ（６）を載置するキャビティ（５）
を形成したセラミック製の基板（４）の周囲にリード
（７）を配置する工程と、 前記キャップ（１）によって、前記基板（４）のキャビ
ティ（５）側を覆う工程と、 前記ガラス膜（２）を加熱溶融することにより前記キャ
ップ（１）と前記基板（４）を接着して前記半導体チッ
プ（６）を封止する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。1. A step of forming a glass film (2) in which a recess (3) having a depth that does not expose the cap (1) is formed on the peripheral edge of one surface of the cap (1) made of ceramic, and a semiconductor is formed in the center. Cavity (5) for mounting chip (6)
Arranging the leads (7) around the ceramic substrate (4) on which the substrate (4) is formed; covering the cavity (5) side of the substrate (4) with the cap (1); 2. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of heating and melting 2) to bond the cap (1) and the substrate (4) to seal the semiconductor chip (6).
の周縁のガラス膜形成領域の少なくとも一部に、溶けた
ガラスの流れの良い金属膜（14）を形成した後に、該金
属膜（14）を露出させる凹部（13）を設けたガラス膜
（12）を前記ガラス膜形成領域に形成する工程と、 中央に半導体チップ（６）を載置するキャビティ（６）
を形成したセラミック製の基板（４）の周囲にリード
（７）を配置する工程と、 前記キャップ（１）により前記基板（４）のキャビティ
側を覆う工程と、 前記ガラス膜（12）を加熱溶融することにより前記キャ
ップ（１）と前記基板（４）を接着して前記半導体チッ
プ（６）を封止する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。2. A metal film (14) having a good flow of molten glass is formed on at least a part of a glass film forming region on the periphery of one surface of a cap (1) made of ceramic, and then the metal film (14). Forming a glass film (12) having a concave portion (13) exposing the film in the glass film forming region, and a cavity (6) for mounting a semiconductor chip (6) in the center
Arranging the leads (7) around the ceramic substrate (4) on which the substrate is formed, covering the cavity side of the substrate (4) with the cap (1), and heating the glass film (12). And a step of adhering the cap (1) and the substrate (4) by melting to seal the semiconductor chip (6).
る領域の前記リード（７）表面にアルミニウム膜（８）
が形成されていることを特徴とする請求項１、２記載の
半導体装置の製造方法。3. An aluminum film (8) on the surface of the lead (7) at least in a region corresponding to the glass film (2, 12).
3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP3200848A JP2823063B2 (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JP3200848A JP2823063B2 (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| JPH0547948A true JPH0547948A (en) | 1993-02-26 |
| JP2823063B2 JP2823063B2 (en) | 1998-11-11 |
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ID=16431230
Family Applications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2823063B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151620A (en) * | 1992-11-10 | 1994-05-31 | Ngk Insulators Ltd | Method of sealing cap of package for enclosing semiconductor chip |
| JPH06326204A (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Cap material for sealing electronic component element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275147A (en) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Nec Corp | Manufacture of hermetically sealed type semiconductor device |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200848A patent/JP2823063B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275147A (en) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Nec Corp | Manufacture of hermetically sealed type semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151620A (en) * | 1992-11-10 | 1994-05-31 | Ngk Insulators Ltd | Method of sealing cap of package for enclosing semiconductor chip |
| JPH06326204A (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Cap material for sealing electronic component element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2823063B2 (en) | 1998-11-11 |
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