JPH054730B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、垂直磁気異方性膜の製造方法に関
するものである。さらに詳しくは、この発明は、
垂直磁気記録媒体および光磁気記録媒体に有用な
磁気特性および構造特性がともに優れた垂直磁気
異方性膜の製造方法に関するものである。 （背景技術） 近年磁気記録の分野においては、より高密度の
記録を実現する為の手段として垂直磁気記録方式
あるいは光磁気記録方式の研究が盛んである。こ
れらの磁気記録方式において用いられる媒体は、
媒体面に垂直な方向に大きな磁気異方性を有し、
容易磁化方向が面の法線方向を用いている、いわ
ゆる垂直磁化膜あるいは垂直磁気異方性膜である
必要がある。 しかしながら、通常は磁性体を薄い板体あるい
は膜状に成形した場合にはその形状磁気異方性か
ら、容易磁化方向は板体あるいは膜状の磁性体の
面内方向を向き、容易に垂直磁気異方性を有する
ものを得ることは困難である。 このため、従来はこの問題を解決するために次
のような手段が採用されてきている。 膜状の磁性体を形成する方法として、スパツ
タリング法か真空蒸着法を用いて膜形成時に、
基板バイアスをかけるか基板温度を制御するこ
とにより結晶質磁性体の容易磁化結晶方位を膜
面法線方向に整列配向させ、結晶磁気異方性お
よび誘導磁気異方性を付与して、垂直磁気異方
性膜を得る。 バリウムフエライトのような板状結晶でしか
も、容易磁化方向が板面に垂直な方向を持つ、
微粒子と各種ポリマー材をまぜ、磁場中で、微
粒子を配向させながら膜状の磁性体を得る。 上記の方法において、バリウムフエライト
の替りに、Feの鉄状微粒子を用いる。 だが、これらの方法には、いくつかの問題があ
る。 すなわち、上記のの方法においては、用いら
れる合金あるいは金属材は特定の合金系に限られ
高い飽和磁化を持つFeあるいはFe−Co系合金で
は、良好なものが得られない。又、その作製条件
も用いる材料により、試行錯誤的に決められてい
るのが現状である。次にの方法においては、用
いられる材料がの方法以上に限定されたものと
なり、バリウムフエライトの他には、よいものが
なく、又、バリウムフエライトの飽和磁化が金属
あるいは合金系のものに比べて小さく、最終的な
記録密度の向上は、の方法によるものほどは期
待出来ない。 さらに、の方法の場合には純鉄を用いること
が出来る点でおよびの方法に比べて有利では
あるものの、従来はこの方法によつては配向性の
良いものは得られていない。この方法は細長の棒
磁石を磁極の向きをそろえて束ねるのと同じこと
で、どうしても配向性が悪くなるからである。 このように、従来の方法においては、用いる金
属、合金系に制限があるほか、その作製条件も複
雑で再現性の確保が容易ではない。 この発明の発明者らは、このような事情を鑑み
て、基板上に高密度の突起を設け、この基板に気
相中より強磁性体を付着させることによる各種の
金属、合金系に適用可能な垂直磁気異方性膜の製
造方法をすでに提案している（特願昭59−
171505）。添付した図面の第１図にはこの方法に
より得られた垂直磁気異方性膜の走査電子顕微鏡
写真を示している。柱状の微粒子配向膜が得られ
ている。 しかしながら、この垂直磁気異方性膜にも克服
しなければならない問題がある。第１図からも明
らかなように、この垂直磁気異方性膜は基板面に
垂直な方向に細長い磁性体粒子が整列配向したも
ので、直径が1.0μｍ以下の非常に脆弱な構造から
なつていることである。このままの状態で磁気記
録媒体として用いる場合には、磁気ヘツドとの摺
動で、磁性体粒子の組織が破壊されてしまうほ
か、酸化が著しい、磁気異方性のバラツキがある
等の重大な問題がある。 このため、柱状粒子からなる垂直磁気異方性膜
の特徴とその製造方法の有利さを生かしつつ、こ
れらの課題を効果的に克服するための方策が強く
望まれていた。 （発明の目的） この発明は、以上のとおりの事情を踏まえてな
されたものであり、垂直磁気異方性が優れた配向
性微粒子膜の構造上の欠点を克服した垂直磁気異
方性膜の新しい製造方法を提供することを目的と
している。 （発明の開示） この発明は、上記の目的を実現するものとし
て、高密度微細突起を有する基板表面に強磁性金
属、または該金属の合金もしくは酸化物を気相蒸
着して成長させた柱状突起の間を有機または無機
質の物質で充填固着することを特徴とする垂直磁
気異方性膜の製造方法を提供するものである。 柱状突起の間を充填固着することにより配向性
微粒子の構造を強化し、さらに、垂直磁気異方性
を改善することが可能となる。そのための有機ま
たは無機質の物質で充填固着する方法としては、
たとえば、液状物を用いる方法と、気相蒸着によ
る方法とが効果的なものとしてあげられる。 液状物、すなわち、液体または固体の充填物質
の溶液または分散液を粒子間に浸透させる方法に
おいては、適宜な有機または無機質の物質の溶液
または分散液を用いることができる。充填物質と
して好適なものは、有機ポリマーまたはモノマー
である。ポリマーとしては、ポリ塩化ビニル、ポ
リウレタン、アルキツド樹脂、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、またはそれらポリマー
を構成するモノマーの共重合体が例示される。 また、光および熱で硬化するモノマーとして、
アクリレートまたはメタクリレートとその誘導
体、エポキシ化合物、イソシアネート化合物、イ
ミド化合物、アミド化合物、シリコン化合物等を
用いることもできる。 これらのポリマーまたはモノマーは液体でも、
固体であつてもよい。固体の場合には溶媒に溶解
するか、あるいは分散させることができる。液体
の場合には、溶媒によつて希釈することができ
る。 溶剤としては、適宜なものが使用可能である
が、好適には極性溶剤が用いられる。たとえばア
ルコール類（メタノール、エタノール、イソプロ
パノール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチ
ルケトン等）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エ
チル等）、DMF、DMAA、DMSO、その他、含
酸素、含窒素または含硫黄化合物溶剤が用いられ
る。 この場合、粒子表面に酸化処理を施しておくこ
ともヌレ性の改善等の点から有利である。 この方法による場合には、溶液を1μｍ以下の
微小な〓間に浸透させて固化させることが可能で
ある。またこの方法においては、添付した図面の
第２図ａに示したように繊維状突起２表面に成長
させた強磁性物質３の粒子と粒子の間のみを埋め
ることが可能で、膜厚が増加することがなく、垂
直記録媒体として実用に供する場合には磁気ヘツ
ドとの〓間が大きくならないという利点を有して
いる。 また、気相蒸着によつても1μｍ以下の微小な
〓間に充填させることが可能であり、蒸着法とし
ては、スパツタリング、イオンプレーテイングあ
るいは真空蒸着法などの適宜なものを用いること
が出来る。 適当なガス圧の下では、堆積する粒子は気相ガ
ス分子により散乱され、ランダムな方向に飛行す
る。このため、多少影になる部分へも粒子が回り
込んで堆積するため、1μｍ以下の微小な粒子間
の〓間を充填することが可能となる。 この方法による充填固着を模式的に示したもの
が第２図ｂである。基板１に設けた繊維状突起２
には、たとえば強磁性物質３が蒸着成長してい
る。充填物質４がこれを覆い、粒子の間を埋めて
いる。 この気相蒸着法の充填物質としては、AlN、
TiN、SiC、Zn、有機ポリマーなどの物質を用い
ることができる。磁気特性および膜の構造特性を
考慮しつつ適宜なものを選択することができる。 この発明の方法により、初期の目的である粒子
間の充填固着による膜の構造の強化が可能となる
が、この他にも、固着強化前後でその垂直磁気異
方性が著しく改善されるという効果があることが
見出された。この効果は、粒子間を他の物質で充
填することにより柱状粒子の基板面の垂直方向へ
の幾何学的配向性が良くなることにより磁気異方
性が大きくなるためと考えられる。 基板については、有機質ポリマーフイルムある
いはボーマイトなどを用いることができ、この基
板の高密度微細突起については、たとえば、直径
が0.04〜1.0μｍ、高さ0.04〜2.0μｍ、単位面積当
りの個数が５×10⁵〜２×10¹⁰程度を目途とする
ことができる。 次に実施例を説明して、さらに詳しくこの発明
の構成および効果を示す。もちろん、この発明
は、以下の実施例に限定されるものではない。 実施例 １ ポリイミドフイルム上にFe−Co−Ｂ非晶質合
金をスパツタして垂直異方性膜を製造した。これ
を大気中に取り出して粒子表面を酸化させた後、
ポリエステルとしてｐ−MMA2液型樹脂（粘度
10ポイズ）のものに対してメチルエチルケトンを
90の割合で溶液としたものによつて膜表面をコー
テイングし、乾燥させた。 第３図に示したように、粒子間をポリエステル
樹脂で充填することができた。 このように構造強化した膜をリング型ヘツドで
摺動試験した。第１表に、Ｂ−Ｈループより求め
た垂直方向の異方性エネルギーを示す。 ポリエステルで充填強化することにより、異方
性エネルギーはコーテイング前より改善されてお
り、また、摺動により損われることがないことが
わかる。優れた効果が得られる。 実施例 ２ 実施例１と同様に製造した垂直異方性膜に対し
て、AlNをスパツタによりコーテイングした。
スパツタリングは、純N₂ガスを用い、高周波ス
パツタリング装置で、Alをターゲツト材として
反応性スパツタリングとして行つた。N₂ガス圧
５×10^-3Torr、スパツタ電力200W、150分間の
スパツタリングを条件とした。スパツタによりコ
ーテイングする場合には、第１表から明らかなよ
うに、若干膜厚が増したが垂直異方性は摺動試験
後も損なわれていない。 【表】

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ，ｃは、従来の方法により製造し
た垂直磁気異方性膜を走査電子顕微鏡写真として
順次拡大して示した結晶の構造を表わす図面代用
写真である。第２図ａ，ｂは、この発明の方法に
よる垂直磁気異方性膜の一例を模式的に示した断
面図である。第３図は、この発明の方法の一例で
あるポリエステル充填固着により製造した垂直磁
気異方性膜を走査電子顕微鏡写真として示した結
晶の構造を表わす図面代用写真である。 図中の番号は次のものを示している。１……基
板、２……繊維状突起、３……強磁性物質、４…
…充填物質。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 高密度微細突起を有する基板表面に強磁性金
   属、該金属の合金または酸化物を気相蒸着して成
   長させた柱状突起の間を有機または無機質の物質
   で充填固着することを特徴とする垂直磁気異方性
   膜の製造方法。 ２ 溶液または分散液を用いて充填固着を行う特
   許請求の範囲第１項記載の垂直磁気異方性膜の製
   造方法。 ３ 気相蒸着により充填固着を行う特許請求の範
   囲第１項記載の垂直磁気異方性膜の製造方法。