JPH0547211A - 高分子電荷移動錯体 - Google Patents
高分子電荷移動錯体Info
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- JPH0547211A JPH0547211A JP33344391A JP33344391A JPH0547211A JP H0547211 A JPH0547211 A JP H0547211A JP 33344391 A JP33344391 A JP 33344391A JP 33344391 A JP33344391 A JP 33344391A JP H0547211 A JPH0547211 A JP H0547211A
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成形性、加工性を有し、かつ電子材料として
の安定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供する
こと。 【構成】 有機ドナー及び有機アクセプターより形成さ
れる分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー
材料が導電性高分子材料であることを特徴とする高分子
電荷移動錯体。
の安定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供する
こと。 【構成】 有機ドナー及び有機アクセプターより形成さ
れる分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ドナー
材料が導電性高分子材料であることを特徴とする高分子
電荷移動錯体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイオード、トランジ
スタ用有機半導体材料、電解コンデンサ用電極材料、電
磁波シールド材料等への応用に有用な高分子電荷移動錯
体に関する。
スタ用有機半導体材料、電解コンデンサ用電極材料、電
磁波シールド材料等への応用に有用な高分子電荷移動錯
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高分子材料は、鋳型、フィルム、粉体等
への成型性、量産性に優れまた、軽量性にも優れるた
め、これらの特性を活かして導電性、半導性を有する有
機高分子材料がエレクトロニクスを始めとして多くの産
業分野において求められている。初期の有機導電体は各
種の成型が困難であったが、近年、比較的成型性に優れ
た本格的な有機導電体が得られるようになった。このよ
うな有機導電体としてポリアセチレン、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリパラフェニレン等が挙げられ有機
半導体としての電子構造を有すると共に電子供与性ドー
パント、電子受容性ドーパントをドーピングすることに
よってｎ型、ｐ型の導電体とすることができる。ドーピ
ングの方法としては、電解質溶液中で電気化学的にアニ
オン又はカチオンのイオン性ドーパントをドーピングす
る方法。ヨウ素、臭素、塩素などのハロゲン類、ＳｂＦ
5，ＡｓＦ5，ＢＦ3などのルイス酸をガスフェーズでド
ーピングする方法、リチウム、ナトリウム、カリウムな
どのアルカリ金属蒸気に晒してｎ型ドーピングをする方
法などが一般的ドーピング方法として数多く報告されて
いる。しかし、これらのドーパントのうちイオン性をも
っているものは脱ドープし易く、またドーパントとして
腐食性が強いものが多く、電子材料としての信頼性に欠
ける。
への成型性、量産性に優れまた、軽量性にも優れるた
め、これらの特性を活かして導電性、半導性を有する有
機高分子材料がエレクトロニクスを始めとして多くの産
業分野において求められている。初期の有機導電体は各
種の成型が困難であったが、近年、比較的成型性に優れ
た本格的な有機導電体が得られるようになった。このよ
うな有機導電体としてポリアセチレン、ポリピロール、
ポリチオフェン、ポリパラフェニレン等が挙げられ有機
半導体としての電子構造を有すると共に電子供与性ドー
パント、電子受容性ドーパントをドーピングすることに
よってｎ型、ｐ型の導電体とすることができる。ドーピ
ングの方法としては、電解質溶液中で電気化学的にアニ
オン又はカチオンのイオン性ドーパントをドーピングす
る方法。ヨウ素、臭素、塩素などのハロゲン類、ＳｂＦ
5，ＡｓＦ5，ＢＦ3などのルイス酸をガスフェーズでド
ーピングする方法、リチウム、ナトリウム、カリウムな
どのアルカリ金属蒸気に晒してｎ型ドーピングをする方
法などが一般的ドーピング方法として数多く報告されて
いる。しかし、これらのドーパントのうちイオン性をも
っているものは脱ドープし易く、またドーパントとして
腐食性が強いものが多く、電子材料としての信頼性に欠
ける。
【０００３】一方、ＴＴＦ−ＴＣＮＱ，ＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆ等の有機電荷移動錯体は有機超伝導体としても注目さ
れているが成型性、加工性に乏しく、デバイス応用が難
しい。
Ｆ等の有機電荷移動錯体は有機超伝導体としても注目さ
れているが成型性、加工性に乏しく、デバイス応用が難
しい。
【０００４】高分子の電荷移動錯体もポリフェニレンス
ルフィド／ＴＣＮＱが検討されたが、顕著な物性変化は
見い出されておらずポリフェニルエチニル銅とＤＤＱの
錯体が特殊な例として報告されている。
ルフィド／ＴＣＮＱが検討されたが、顕著な物性変化は
見い出されておらずポリフェニルエチニル銅とＤＤＱの
錯体が特殊な例として報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑み成型性、加工性を有し、かつ電子材料としての安
定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供するもの
である。
に鑑み成型性、加工性を有し、かつ電子材料としての安
定性に優れた新規な分子間電荷移動錯体を提供するもの
である。
【０００６】またさらに還元状態での不安定な導電性高
分子を安定化することにより新規の高分子電子材料を提
供するものである。
分子を安定化することにより新規の高分子電子材料を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、導電性高分子材料を有機ドナー材料とする有機
電荷移動錯体を発明するに至った。
た結果、導電性高分子材料を有機ドナー材料とする有機
電荷移動錯体を発明するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、有機ドナー及び有機
アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体におい
て少なくとも有機ドナー材料が主鎖骨格に窒素原子を有
する導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電
荷移動錯体である。
アクセプターより形成される分子間電荷移動錯体におい
て少なくとも有機ドナー材料が主鎖骨格に窒素原子を有
する導電性高分子材料であることを特徴とする高分子電
荷移動錯体である。
【０００９】導電性高分子としては、ポリアセチレン、
ポリフェニルアセチレン等のポリアセチレン類、ポリパ
ラフェニレン、ポリ２−アルキルポリパラフェニレン、
ポリ２，５−アルキルポリパラフェニレンポリメタフェ
ニレン等のポリフェニレン類、ポリピロール、ポリｎ−
メチルピロール、ポリｎ−カルボキシピロール、ポリ
３、４−ヒドロキシピロールなどのポリピロール類、ポ
リチオフェン、ポリ３−メチルチオフェン、ポリ３−ニ
トロチオフェン、ポリ３，４−メトキシチオフェン、ポ
リ長鎖アルキルチオフェンなどのポリチオフェン類、ポ
リフェニレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリ
２，５−メトキシフェニレンビニレン等のポリアリ−レ
ンビニレン類、ポリアズレン、ポリピリジンの他、ポリ
アニリン、ポリアニシジン、ポリ２−アルキルアニリ
ン、ポリ２，５−エトキシポリアニリン等のポリアニリ
ン類、ポリフェニレンスルフィド等が挙げられるが、特
に主鎖骨格に窒素原子を有するポリアニリン類、ポリピ
ロール類で顕著な錯形成が見られた。
ポリフェニルアセチレン等のポリアセチレン類、ポリパ
ラフェニレン、ポリ２−アルキルポリパラフェニレン、
ポリ２，５−アルキルポリパラフェニレンポリメタフェ
ニレン等のポリフェニレン類、ポリピロール、ポリｎ−
メチルピロール、ポリｎ−カルボキシピロール、ポリ
３、４−ヒドロキシピロールなどのポリピロール類、ポ
リチオフェン、ポリ３−メチルチオフェン、ポリ３−ニ
トロチオフェン、ポリ３，４−メトキシチオフェン、ポ
リ長鎖アルキルチオフェンなどのポリチオフェン類、ポ
リフェニレンビニレン、ポリチェニレンビニレン、ポリ
２，５−メトキシフェニレンビニレン等のポリアリ−レ
ンビニレン類、ポリアズレン、ポリピリジンの他、ポリ
アニリン、ポリアニシジン、ポリ２−アルキルアニリ
ン、ポリ２，５−エトキシポリアニリン等のポリアニリ
ン類、ポリフェニレンスルフィド等が挙げられるが、特
に主鎖骨格に窒素原子を有するポリアニリン類、ポリピ
ロール類で顕著な錯形成が見られた。
【００１０】さらにこれらの高分子に共通していること
は、イオン化ポテンシャルの小さいこと、すなわちこの
イオン化ポテンシャルを酸化還元電位を指標としてみる
と、これが飽和カロメル電極に対して０．５Ｖ以下の電
位に存在するものにおいて顕著な錯形成反応が見られ
る。
は、イオン化ポテンシャルの小さいこと、すなわちこの
イオン化ポテンシャルを酸化還元電位を指標としてみる
と、これが飽和カロメル電極に対して０．５Ｖ以下の電
位に存在するものにおいて顕著な錯形成反応が見られ
る。
【００１１】このような好ましい導電性ポリマーとして
はポリピロール、ポリアニリンを挙げることができる。
はポリピロール、ポリアニリンを挙げることができる。
【００１２】これらの中でもポリアニリンは完全還元状
態が比較的安定で任意の有機アクセプターと錯形成反応
をおこなわせ各種の物性値を得るのに好適である。
態が比較的安定で任意の有機アクセプターと錯形成反応
をおこなわせ各種の物性値を得るのに好適である。
【００１３】有機アクセプターの具体例としてはキノン
類が主たる物質であるが、高分子等から選ぶこともでき
る。有機アクセプターとしては、ＤＤＱ、クロマニル、
プロマニル、ジクロロベンゾキノン、ベンゾキノン、ア
ントラキノン、トルイルｐ−ベンゾキノン、テトラメチ
ルｐ−ベンゾキノン、テトラフルオロテトラシアノキノ
ジメタン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエ
チレンの他、下記の構造で示されるものが例示できる。
類が主たる物質であるが、高分子等から選ぶこともでき
る。有機アクセプターとしては、ＤＤＱ、クロマニル、
プロマニル、ジクロロベンゾキノン、ベンゾキノン、ア
ントラキノン、トルイルｐ−ベンゾキノン、テトラメチ
ルｐ−ベンゾキノン、テトラフルオロテトラシアノキノ
ジメタン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエ
チレンの他、下記の構造で示されるものが例示できる。
【００１４】
【化１】
【００１５】
【化２】
【００１６】これ等の有機アクセプターのうち電子親和
力の大きなものとの錯体は電気伝導度も高く、また低エ
ネルギー側の可視吸収スペクトルの吸光度も大きく導電
体としての応用に好ましい。この電子親和力を酸化還元
電位を指標としてみると、錯形成にはこれが飽和カロメ
ル電極に対して−０．８Ｖ以上の電位を有するものが好
ましく、また導体という点では−０．２Ｖ以上の電位を
有するものが好ましい。後者の有機アクセプターとして
は、ＤＤＱ、テトラシアノエチレン、テトラフルオロテ
トラシアノキノジメタン、テトラシアノキノジメタン等
を挙げることができる。
力の大きなものとの錯体は電気伝導度も高く、また低エ
ネルギー側の可視吸収スペクトルの吸光度も大きく導電
体としての応用に好ましい。この電子親和力を酸化還元
電位を指標としてみると、錯形成にはこれが飽和カロメ
ル電極に対して−０．８Ｖ以上の電位を有するものが好
ましく、また導体という点では−０．２Ｖ以上の電位を
有するものが好ましい。後者の有機アクセプターとして
は、ＤＤＱ、テトラシアノエチレン、テトラフルオロテ
トラシアノキノジメタン、テトラシアノキノジメタン等
を挙げることができる。
【００１７】基本的には中性の導電性高分子がドナー
性、又はアクセプター性を有するものであれば有機ドナ
ー、又は有機アクセプターのいずれとも電荷移動錯体を
形成する可能性がある。しかし、これらが自主的、能動
的に錯形成を行うためには窒素原子の関与は大きいと考
えられる。またさらにドナーに求められる物性値として
は、イオン化ポテンシャルであり、アクセプターには電
子親和力である。
性、又はアクセプター性を有するものであれば有機ドナ
ー、又は有機アクセプターのいずれとも電荷移動錯体を
形成する可能性がある。しかし、これらが自主的、能動
的に錯形成を行うためには窒素原子の関与は大きいと考
えられる。またさらにドナーに求められる物性値として
は、イオン化ポテンシャルであり、アクセプターには電
子親和力である。
【００１８】導電性高分子と有機アクセプターのあいだ
には （導電性高分子の第一酸化還元電位Ｅｃｐｌ）−（有機
アクセプタ−の第一酸化還元電位Ｅａｌ）＜１．２Ｖ の関係が成立するように両者を選択することにより半導
性又は導電性を有する錯形成となる。
には （導電性高分子の第一酸化還元電位Ｅｃｐｌ）−（有機
アクセプタ−の第一酸化還元電位Ｅａｌ）＜１．２Ｖ の関係が成立するように両者を選択することにより半導
性又は導電性を有する錯形成となる。
【００１９】これらの錯形成反応は末ドープの導電性高
分子と有機アクセプターの間で能動的に行われる。反応
の方法としては気相、固相、液相のいずれかで両者を接
触させることにより得られるが液相が工程が簡便で且
つ、均一に反応が進行するためより好ましい。
分子と有機アクセプターの間で能動的に行われる。反応
の方法としては気相、固相、液相のいずれかで両者を接
触させることにより得られるが液相が工程が簡便で且
つ、均一に反応が進行するためより好ましい。
【００２０】具体的には、有機アクセプターを可溶化せ
しめた非水溶液中に未ドープの導電性高分子を浸漬する
ことにより得られる。あるいは有機アクセプターを可溶
化せしめた非水電解質溶液中で導電性高分子を脱ドープ
することにより得られる。後者は特にポリピロール類に
有効であった。
しめた非水溶液中に未ドープの導電性高分子を浸漬する
ことにより得られる。あるいは有機アクセプターを可溶
化せしめた非水電解質溶液中で導電性高分子を脱ドープ
することにより得られる。後者は特にポリピロール類に
有効であった。
【００２１】ここで、未ドープ状態の導電性高分子と
は、主にバンド間吸収によるほぼ単一の吸収スペクトル
を有するものであり、ポリピロールでは、３７０ｎｍに
単一の吸収をもつ鮮やかな淡黄色であり、ポリアニリン
ではつぎのような構造を繰返し単位とする３３０ｎｍに
単一の吸収を有する白色の還元体である。
は、主にバンド間吸収によるほぼ単一の吸収スペクトル
を有するものであり、ポリピロールでは、３７０ｎｍに
単一の吸収をもつ鮮やかな淡黄色であり、ポリアニリン
ではつぎのような構造を繰返し単位とする３３０ｎｍに
単一の吸収を有する白色の還元体である。
【００２２】
【化３】
【００２３】このポリアニリンの赤外吸収スペクトルを
図１に示した。１６１０ｃｍ-1（Ｑａｂｓ）と１５００
ｃｍ-1（Ｂａｂｓ）の吸光度の比（Ｂａｂｓ／Ｑａｂ
ｓ）が２．５以下であることが特徴である。有機アクセ
プターがドープされることにより８００ｃｍ-1付近にす
るどく強い吸収が現れる。これはすべての有機アクセプ
ターに共通であり、イオンをドープしたときに比べピー
クはシンプルで単一である。
図１に示した。１６１０ｃｍ-1（Ｑａｂｓ）と１５００
ｃｍ-1（Ｂａｂｓ）の吸光度の比（Ｂａｂｓ／Ｑａｂ
ｓ）が２．５以下であることが特徴である。有機アクセ
プターがドープされることにより８００ｃｍ-1付近にす
るどく強い吸収が現れる。これはすべての有機アクセプ
ターに共通であり、イオンをドープしたときに比べピー
クはシンプルで単一である。
【００２４】本発明の高分子電荷移動錯体の例として
は、たとえばポリピロールとアセトキノン、ベンゾキノ
ン、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＥ、ＤＤＱ等との錯体、ポリアニ
リンとアセトキノン、ベンゾキノン、ＴＣＮＱ、ＴＣＮ
Ｅ、ＤＤＱ等との錯体、ポリアズレンとＴＣＮＱ、ＴＣ
ＮＥ、ＤＤＱ等との錯体等が錯体形成が容易であり好ま
しいものである。これらの内でも錯体が安定でかつ電気
伝導度も高いポリピロールとＴＣＮＱ、ＴＣＮＥ、ＤＤ
Ｑとの錯体、ポリアニリンとＴＣＮＥ、ＤＤＱとの錯体
がとくに応用上好ましい。
は、たとえばポリピロールとアセトキノン、ベンゾキノ
ン、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＥ、ＤＤＱ等との錯体、ポリアニ
リンとアセトキノン、ベンゾキノン、ＴＣＮＱ、ＴＣＮ
Ｅ、ＤＤＱ等との錯体、ポリアズレンとＴＣＮＱ、ＴＣ
ＮＥ、ＤＤＱ等との錯体等が錯体形成が容易であり好ま
しいものである。これらの内でも錯体が安定でかつ電気
伝導度も高いポリピロールとＴＣＮＱ、ＴＣＮＥ、ＤＤ
Ｑとの錯体、ポリアニリンとＴＣＮＥ、ＤＤＱとの錯体
がとくに応用上好ましい。
【００２５】本発明の高分子電荷移動錯体を、高分子と
してポリアニリンを例に挙げて説明すると以下のような
構造を単位とするものである。
してポリアニリンを例に挙げて説明すると以下のような
構造を単位とするものである。
【００２６】
【化４】
【００２７】（式中、Ａは有機アクセプター、ｌ≧１、
Ｘ＜１、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ＝１） ポリアニリンについて有機アクセプターとの錯体の特性
を表１に示す。このようにして得られた錯体の中でもポ
リアニリンと有機アクセプターの錯体は電気的に特異な
性質を示す。図７にポリアニリン／有機アクセプターの
電気抵抗の温度依存性を示す。低温でも比較的高い温度
域で特異な転移現象を示す。
Ｘ＜１、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ＝１） ポリアニリンについて有機アクセプターとの錯体の特性
を表１に示す。このようにして得られた錯体の中でもポ
リアニリンと有機アクセプターの錯体は電気的に特異な
性質を示す。図７にポリアニリン／有機アクセプターの
電気抵抗の温度依存性を示す。低温でも比較的高い温度
域で特異な転移現象を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】注１ ＤＤＱ：２，３ジクロロ５，６ジシアノパラベンゾキノ
ン ＴＣＮＱ：７７，８８−テトラシアノキノジメタン ＴＣＮＥ：テトラシアノエチレン ＤＱ：２，６ジクロロパラベンゾキノン ＢＱ：パラベンゾキノン ＴＱ：トルキノン ＴＭｅＢＱ：テトラメチルパラベンゾキノン ＮＱ：ナフトキノン Ｏ2：酸素 ＡＱ：アセトキノン 注２ 酸化還元電位は、０．１Ｍテトラエチルアンモニ
ウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定され
たものである。
ン ＴＣＮＱ：７７，８８−テトラシアノキノジメタン ＴＣＮＥ：テトラシアノエチレン ＤＱ：２，６ジクロロパラベンゾキノン ＢＱ：パラベンゾキノン ＴＱ：トルキノン ＴＭｅＢＱ：テトラメチルパラベンゾキノン ＮＱ：ナフトキノン Ｏ2：酸素 ＡＱ：アセトキノン 注２ 酸化還元電位は、０．１Ｍテトラエチルアンモニ
ウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定され
たものである。
【００３０】
【実施例】以下実施例により説明する。
【００３１】実施例１ ０．２モルパラトルエンスルフォン酸、０．０５モルピ
ロールから成るアセトニトリル溶液を重合液として作用
極にＩＴＯガラス、対抗極にニッケル板を用いて４．５
Ｖの定電圧電解によりポリピロール薄膜（０．０４Ｃ／
ｃｍ2）を得た。これを０．１モルＴＣＮＱ、０．１モ
ル過塩素酸テトラエチルアンモニウムを含むアセトニト
リル溶液中で−０．５Ｖの電界を印加した。ポリピロー
ルは脱ドープされると同時にＴＣＮＱとの電荷移動錯体
を形成した。
ロールから成るアセトニトリル溶液を重合液として作用
極にＩＴＯガラス、対抗極にニッケル板を用いて４．５
Ｖの定電圧電解によりポリピロール薄膜（０．０４Ｃ／
ｃｍ2）を得た。これを０．１モルＴＣＮＱ、０．１モ
ル過塩素酸テトラエチルアンモニウムを含むアセトニト
リル溶液中で−０．５Ｖの電界を印加した。ポリピロー
ルは脱ドープされると同時にＴＣＮＱとの電荷移動錯体
を形成した。
【００３２】実施例２ ０．５モルアニリン、５．５Ｎ硫酸の水溶液よりなる重
合液で作用極にＩＴＯガラス、対抗極に白金ワイアを用
いて飽和カロメロ電極に対して０．８Ｖの定電位電解に
よりポリアニリン薄膜（０．０４Ｃ／ｃｍ2 ）を得た。
そして０．１モル硫酸水溶液中で−０．３Ｖの電界を印
加して脱ドープした。これを２０％のヒドラジン水溶液
中で還元してフェニレンアミン構造の白色ポリアニリン
とした。さらに８０℃で約一昼夜真空乾燥した後、０．
１モルＴＣＮＱを溶解したアセトニトリル溶液に浸漬し
た。白色ポリアニリンは、緑色に着色してＴＣＮＱとの
間に電荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は２．０
×１０-5ｓ／ｃｍであった。図２にこの電荷移動錯体の
紫外可視吸収スペクトルを示す。
合液で作用極にＩＴＯガラス、対抗極に白金ワイアを用
いて飽和カロメロ電極に対して０．８Ｖの定電位電解に
よりポリアニリン薄膜（０．０４Ｃ／ｃｍ2 ）を得た。
そして０．１モル硫酸水溶液中で−０．３Ｖの電界を印
加して脱ドープした。これを２０％のヒドラジン水溶液
中で還元してフェニレンアミン構造の白色ポリアニリン
とした。さらに８０℃で約一昼夜真空乾燥した後、０．
１モルＴＣＮＱを溶解したアセトニトリル溶液に浸漬し
た。白色ポリアニリンは、緑色に着色してＴＣＮＱとの
間に電荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は２．０
×１０-5ｓ／ｃｍであった。図２にこの電荷移動錯体の
紫外可視吸収スペクトルを示す。
【００３３】実施例３ 白色ポリアニリンを０．１モルＤＤＱを溶解したアセト
ニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様にして電荷
移動錯体を形成した。この電気伝導度は１．１×１０-3
ｓ／ｃｍであった。図３にこの電荷移動錯体の紫外可視
吸収スペクトルを示す。
ニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様にして電荷
移動錯体を形成した。この電気伝導度は１．１×１０-3
ｓ／ｃｍであった。図３にこの電荷移動錯体の紫外可視
吸収スペクトルを示す。
【００３４】実施例４ 白色ポリアニリンを０．１モルＴＣＮＥを溶解したアセ
トニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様にして電
荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は０．８×１０
-3ｓ／ｃｍであった。図４にこの電荷移動錯体の紫外可
視吸収スペクトルを示す。
トニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様にして電
荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は０．８×１０
-3ｓ／ｃｍであった。図４にこの電荷移動錯体の紫外可
視吸収スペクトルを示す。
【００３５】実施例５ 白色ポリアニリンを０．１モルパラベンゾキノンを溶解
したアセトニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様
にして電荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は２．
５×１０-9ｓ／ｃｍであった。図５にこの電荷移動錯体
の紫外可視吸収スペクトルを示す。
したアセトニトリル溶液に浸漬した他は実施例２と同様
にして電荷移動錯体を形成した。この電気伝導度は２．
５×１０-9ｓ／ｃｍであった。図５にこの電荷移動錯体
の紫外可視吸収スペクトルを示す。
【００３６】実施例６ ０．２モルアニリン、３．８Ｍ塩酸の水溶液よりなる重
合液Ａ、０．５モル過硫酸アンモニウム、３．８Ｍ塩酸
の水溶液よりなる重合液Ｂを氷温で混合反応してポリア
ニリン粉末を得た。これを２０％のヒドラジン水溶液中
で還元してフェニレンアミン構造の白色ポリアニリンと
した。さらに８０℃で約一昼夜真空乾燥した後、０．１
モルＴＣＮＱを溶解したアセトニトリル溶液に浸漬し
た。白色ポリアニリンは、緑色に着色してＴＣＮＱとの
間に電荷移動錯体の粉体を形成した。
合液Ａ、０．５モル過硫酸アンモニウム、３．８Ｍ塩酸
の水溶液よりなる重合液Ｂを氷温で混合反応してポリア
ニリン粉末を得た。これを２０％のヒドラジン水溶液中
で還元してフェニレンアミン構造の白色ポリアニリンと
した。さらに８０℃で約一昼夜真空乾燥した後、０．１
モルＴＣＮＱを溶解したアセトニトリル溶液に浸漬し
た。白色ポリアニリンは、緑色に着色してＴＣＮＱとの
間に電荷移動錯体の粉体を形成した。
【００３７】
【発明の効果】本発明の高分子電荷移動錯体は、新規で
あり、かつ有機伝導体として構造材料、配線材料とし
て、あるいは機能材料として電解コンデンサの陰電極、
電荷密度波を利用した各種半導体素子、感光体、追記型
メモリ記録層等の記録材料、分子素子の基盤材料として
有用である。
あり、かつ有機伝導体として構造材料、配線材料とし
て、あるいは機能材料として電解コンデンサの陰電極、
電荷密度波を利用した各種半導体素子、感光体、追記型
メモリ記録層等の記録材料、分子素子の基盤材料として
有用である。
【図１】未ドープ状態のポリアニリンの赤外吸収スペク
トル
トル
【図２】実施例２で得られた高分子電荷移動錯体の紫外
可視吸収スペクトル
可視吸収スペクトル
【図３】実施例３で得られた高分子電荷移動錯体の紫外
可視吸収スペクトル
可視吸収スペクトル
【図４】実施例４で得られた高分子電荷移動錯体の紫外
可視吸収スペクトル
可視吸収スペクトル
【図５】実施例５で得られた高分子電荷移動錯体の紫外
可視吸収スペクトル
可視吸収スペクトル
【図６】実施例２で得られた高分子電荷移動錯体のＩＲ
スペクトル
スペクトル
【図７】実施例３で得られた高分子電荷移動錯体のＩＲ
スペクトル
スペクトル
【図８】実施例４で得られた高分子電荷移動錯体のＩＲ
スペクトル
スペクトル
【図９】実施例５で得られた高分子電荷移動錯体のＩＲ
スペクトル
スペクトル
【図１０】Ｃｌ-をドープしたポリアニリンのＩＲスペ
クトル
クトル
【図１１】実施例３及び４で得られた高分子電荷移動錯
体の電気抵抗の温度依存性を表わす図。
体の電気抵抗の温度依存性を表わす図。
Claims (5)
- 【請求項１】 有機ドナー及び有機アクセプターより形
成される分子間電荷移動錯体において少なくとも有機ド
ナー材料が主鎖骨格に窒素原子を有する導電性高分子材
料であることを特徴とする高分子電荷移動錯体。 - 【請求項２】 導電性高分子材料がポリアニリン類又は
ポリピロール類から選ばれることを特徴とする請求項１
記載の高分子電荷移動錯体。 - 【請求項３】 導電性高分子がポリアニリンであること
を特徴とする請求項１記載の高分子電荷移動錯体。 - 【請求項４】 有機アクセプターの酸化還元電位と導電
性高分子材料の酸化還元電位の差が１．２Ｖ以下である
請求項２記載の高分子電荷移動錯体。 - 【請求項５】 有機電荷移動錯体がポリアニンの還元体
と有機アクセプターを接触させることにより得られる請
求項１記載の高分子電荷移動錯体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-73720 | 1991-03-14 | ||
| JP7372091 | 1991-03-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547211A true JPH0547211A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=13526345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33344391A Pending JPH0547211A (ja) | 1991-03-14 | 1991-12-17 | 高分子電荷移動錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547211A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2281594A (en) * | 1993-09-01 | 1995-03-08 | British Tech Group | Low friction devices eg. bearings having electro-conducting polymer deposited electrolytically |
| JPH07118480A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-09 | Sony Corp | 高分子固体電解質 |
| US6248474B1 (en) * | 1997-11-04 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Composite electrode for secondary battery and production method thereof |
| WO2003062305A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | The University Of Durham | Ferromagnet |
| JP2006514710A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-05-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 有機半導体材料におけるおよびこれに関連する改善 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP33344391A patent/JPH0547211A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2281594A (en) * | 1993-09-01 | 1995-03-08 | British Tech Group | Low friction devices eg. bearings having electro-conducting polymer deposited electrolytically |
| JPH07118480A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-09 | Sony Corp | 高分子固体電解質 |
| US6248474B1 (en) * | 1997-11-04 | 2001-06-19 | Nec Corporation | Composite electrode for secondary battery and production method thereof |
| WO2003062305A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | The University Of Durham | Ferromagnet |
| JP2006514710A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-05-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 有機半導体材料におけるおよびこれに関連する改善 |
| JP4739021B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2011-08-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機半導体材料におけるおよびこれに関連する改善 |
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