JPH0543623U - Optically coupled relay circuit - Google Patents
Optically coupled relay circuitInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御性の優れた光結合型のリレー回路を提供
すること。
【構成】 発光ダイオード1と、フォトダイオードアレ
イ2と、ドレイン・ソース間の導通状態と非導通状態が
切り替わる出力用のMOSFET7と、該MOSFET
7のゲート・ソース間の蓄積電荷の放電径路を形成する
ノーマリ・オン型の制御用トランジスタ3と、制御用ト
ランジスタ3を高抵抗状態にバイアスする電圧を発生す
る2つの直列の抵抗5,12と、出力用MOSFETの
ドレイン・ゲート間に接続されて前記抵抗5によって導
通状態と非導通状態が切り替わるバイポーラトランジス
タ4と、出力用MOSFET7のドレイン側とバイポー
ラトランジスタ4間に接続されたダイオード6とからな
る。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide an optical coupling type relay circuit having excellent controllability. A light emitting diode 1, a photodiode array 2, an output MOSFET 7 that switches between a drain-source conductive state and a non-conductive state, and the MOSFET.
7, a normally-on type control transistor 3 forming a discharge path for accumulated charge between the gate and source, and two series resistors 5 and 12 generating a voltage for biasing the control transistor 3 in a high resistance state. , A bipolar transistor 4 connected between the drain and gate of the output MOSFET and switched between a conductive state and a non-conductive state by the resistor 5, and a diode 6 connected between the drain side of the output MOSFET 7 and the bipolar transistor 4. .
Description
【0001】[0001]
本考案は、光結合方式を用いて入出力回路間を絶縁した光結合型のリレー回路 に関するものである。 The present invention relates to an optical coupling type relay circuit in which an input / output circuit is insulated by using an optical coupling method.
【0002】[0002]
図2は、従来の光結合型のリレー回路を示す回路図である。この回路にあって は、入力端子10a,10b間に接続された発光ダイオード1が発生する光信号 を、フォトダイオードアレイ2が受光して光起電力を発生し、この光起電力を抵 抗5を介して出力用MOSFET7のゲート・ソース間に印加し、また、抵抗5 によって発生した電圧によって導通状態となったバイポーラトランジスタ4を介 して負荷電流が出力用MOSFET7のゲート・ソース間容量の高速な充電を行 うものである。出力用MOSFET7のゲート及びソースには、デプレッション 型のJFETよりなる制御用トランジスタ3のソース及びドレインがそれぞれ接 続されており、このトランジスタ3のゲート・ソース間は抵抗5の両端に接続さ れている。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional optical coupling type relay circuit. In this circuit, the photodiode array 2 receives an optical signal generated by the light emitting diode 1 connected between the input terminals 10a and 10b to generate a photoelectromotive force. Is applied between the gate and the source of the output MOSFET 7 via the bipolar transistor 4 which is rendered conductive by the voltage generated by the resistor 5, and the load current is transmitted through the bipolar transistor 4 at the high speed of the gate-source capacitance of the output MOSFET 7. It will be charged properly. The source and drain of the control transistor 3 composed of a depletion type JFET are connected to the gate and source of the output MOSFET 7, and the gate and source of this transistor 3 are connected to both ends of the resistor 5. There is.
【0003】 発光ダイオード1に入力信号が印加されてフォトダイオードアレイ2に光起電 力が発生すると、デプレッション型の制御用トランジスタ3のソース・ドレイン 間を介して光電流が流れ、抵抗5の両端に電圧が発生する。この電圧により制御 用トランジスタ3が高抵抗状態にバイアスされるので、出力用MOSFET7の ゲート・ソース間にフォトダイオードアレイ2の光起電力が印加される。同時に 抵抗5の両端の電圧によってバイポーラトランジスタ4が導通状態となり、負荷 電流が出力用MOSFET7のゲート・ソース間容量を急速に充電し、出力用M OSFET7が急速にオン状態となる。When an input signal is applied to the light emitting diode 1 and a photovoltaic power is generated in the photodiode array 2, a photocurrent flows through between the source and drain of the depletion type control transistor 3 and both ends of the resistor 5 are connected. Voltage is generated. This voltage biases the control transistor 3 into a high resistance state, so that the photovoltaic power of the photodiode array 2 is applied between the gate and source of the output MOSFET 7. At the same time, the bipolar transistor 4 becomes conductive due to the voltage across the resistor 5, the load current rapidly charges the gate-source capacitance of the output MOSFET 7, and the output MOS FET 7 is rapidly turned on.
【0004】 発光ダイオード1への入力信号が遮断されると、フォトダイオードアレイ2の 光起電力が消失するため、制御トランジスタ3は導通状態、バイポーラトランジ スタ4は非導通状態となり、出力用MOSFET7のゲート・ソース間の蓄積電 荷を放電させるので、出力用MOSFET7はオフ状態となる。When the input signal to the light emitting diode 1 is cut off, the photovoltaic power of the photodiode array 2 disappears, so that the control transistor 3 becomes conductive and the bipolar transistor 4 becomes non-conductive, so that the output MOSFET 7 is turned off. Since the stored charge between the gate and the source is discharged, the output MOSFET 7 is turned off.
【0005】[0005]
上記従来例回路においては、抵抗5の端子間電圧によって制御用トランジスタ 3を制御しているが、同時にバイポーラトランジスタ4のベース・エミッタ間に も接続されているため、抵抗5の端子間電圧はバイポーラトランジスタ4のベー ス・エミッタ間電圧に律則されてしまう。そのため、制御用トランジスタ3のし きい値電圧がばらつき等により、その電圧以上となった場合、制御用トランジス タ3は動作せず、それによってリレーも動作しなくなるという欠点があった。 In the above-mentioned conventional circuit, the control transistor 3 is controlled by the terminal voltage of the resistor 5. However, since the control transistor 3 is also connected between the base and emitter of the bipolar transistor 4, the terminal voltage of the resistor 5 is bipolar. It is regulated by the base-emitter voltage of the transistor 4. Therefore, when the threshold voltage of the control transistor 3 becomes higher than the threshold voltage due to variations or the like, the control transistor 3 does not operate and the relay also stops operating.
【0006】 本考案は上記欠点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、制御性の 優れた光結合型のリレー回路を提供することにある。The present invention has been made in view of the above drawbacks, and an object thereof is to provide an optically coupled relay circuit having excellent controllability.
【0007】[0007]
本考案に係る光結合型リレー回路にあっては、上記課題を解決するために、図 1に示すように、制御用トランジスタ3とバイポーラトランジスタ4を制御する 抵抗を2つの抵抗5,12の直列接続とし、2つの抵抗5,12によって制御用 トランジスタ3を制御し、出力用MOSFET7のゲートよりの抵抗5によって バイポーラトランジスタ4を制御することを特徴とするものである。 In order to solve the above-mentioned problems, in the optical coupling type relay circuit according to the present invention, as shown in FIG. 1, two resistors 5 and 12 for controlling the control transistor 3 and the bipolar transistor 4 are connected in series. The control transistor 3 is controlled by two resistors 5 and 12 connected, and the bipolar transistor 4 is controlled by the resistor 5 from the gate of the output MOSFET 7.
【0008】[0008]
図1は本考案の一実施例を示す回路図で、発光ダイオード1は入力端子10a ,10b間に接続され、フォトダイオードアレイ2と光結合されている。フォト ダイオードアレイ2の正極は2つの抵抗5,12を介して出力用MOSFET7 のゲートに、負極はMOSFET7のソースにそれぞれ接続されている。出力用 MOSFET7のゲートには、デプレッション型のJFETよりなるノーマリ・ オン型の制御用トランジスタ3のソースが接続され、この制御用トランジスタ3 のドレインは出力用MOSFET7のソースに、ゲートはフォトダイオードアレ イ2の正極に接続されている。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, in which a light emitting diode 1 is connected between input terminals 10a and 10b and is optically coupled to a photodiode array 2. The positive electrode of the photodiode array 2 is connected to the gate of the output MOSFET 7 through the two resistors 5 and 12, and the negative electrode is connected to the source of the MOSFET 7. The gate of the output MOSFET 7 is connected to the source of a normally-on type control transistor 3 composed of a depletion type JFET. The drain of the control transistor 3 is the source of the output MOSFET 7 and the gate thereof is a photodiode array. 2 is connected to the positive electrode.
【0009】 また、出力用MOSFET7のドレインにはダイオード6のアノードが接続さ れており、ダイオード6のカソードはバイポーラトランジスタ4のコレクタに接 続されている。バイポーラトランジスタ4のエミッタは出力用MOSFET7の ゲートに、ベースは2つの抵抗5,12の接続点に接続されている。The drain of the output MOSFET 7 is connected to the anode of the diode 6, and the cathode of the diode 6 is connected to the collector of the bipolar transistor 4. The emitter of the bipolar transistor 4 is connected to the gate of the output MOSFET 7, and the base is connected to the connection point of the two resistors 5 and 12.
【0010】 さらに、出力用MOSFET7のドレインは一方の出力端子11aに、ソース は他方の出力端子11bに接続され、出力端子11a,11b間には直流電源9 と負荷8の直列回路が接続されている。Further, the drain of the output MOSFET 7 is connected to one output terminal 11a, the source is connected to the other output terminal 11b, and the series circuit of the DC power supply 9 and the load 8 is connected between the output terminals 11a and 11b. There is.
【0011】 次に、上記実施例の動作を説明する。まず、入力端子10a,10b間に入力 信号が通電されると、発光ダイオード1が光信号を発生し、この光信号をフォト ダイオードアレイ2が受光して光起電力を発生する。この光起電力によって、2 つの抵抗5,12とデプレッション型の制御トランジスタ3のソース・ドレイン 間を介して光電流が流れ、2つの直列抵抗5,12の両端に電圧が発生する。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, when an input signal is applied between the input terminals 10a and 10b, the light emitting diode 1 generates an optical signal, and the photodiode array 2 receives the optical signal to generate a photoelectromotive force. Due to this photovoltaic force, a photocurrent flows through the two resistors 5 and 12 and between the source and drain of the depletion type control transistor 3, and a voltage is generated across the two series resistors 5 and 12.
【0012】 直列抵抗5,12の両端に発生した電圧により、制御用トランジスタ3が高抵 抗状態にバイアスされるので、出力用MOSFET7のゲート・ソース間にフォ トダイオードアレイ2の光起電力が印加される。同時に、出力用MOSFET7 のゲートよりの抵抗5の両端に発生した電圧によりバイポーラトランジスタ4が 導通状態となり、出力用MOSFET7のドレイン側より負荷電流が出力用MO SFET7のゲート・ソース間容量を急速に充電する。これにより、出力用MO SFET7が急速にオン状態に至る。Since the control transistor 3 is biased in a high resistance state by the voltage generated across the series resistors 5 and 12, the photovoltaic power of the photodiode array 2 is generated between the gate and the source of the output MOSFET 7. Is applied. At the same time, the bipolar transistor 4 becomes conductive due to the voltage generated across the resistor 5 from the gate of the output MOSFET 7, and the load current from the drain side of the output MOSFET 7 rapidly charges the gate-source capacitance of the output MOS FET 7. To do. As a result, the output MOS FET 7 is rapidly turned on.
【0013】 入力端子10a,10b間への入力信号が遮断されると、フォトダイオードア レイ2の端子間の光起電力が消滅し、制御用トランジスタ3が導通状態、バイポ ーラトランジスタ4が非導通状態となる。このため、制御用トランジスタ3を介 して出力用MOSFET7のゲート・ソース間容量が放電され、出力用MOSF ET7はオフ状態へ至る。When the input signal between the input terminals 10a and 10b is cut off, the photoelectromotive force between the terminals of the photodiode array 2 disappears, the control transistor 3 is turned on, and the bipolar transistor 4 is turned off. It becomes conductive. Therefore, the gate-source capacitance of the output MOSFET 7 is discharged through the control transistor 3, and the output MOSFET 7 is turned off.
【0014】[0014]
本考案にあっては、上述のように、バイポーラトランジスタの制御を、抵抗を 分割してその一方の抵抗のみにし、バイポーラトランジスタの制御と制御用トラ ンジスタの制御を別にしたため、バイポーラトランジスタによって制御用トラン ジスタのゲート・ソース間電圧が律則されるという欠点が解消され、制御良くリ レーを動作させることができる。 In the present invention, as described above, the bipolar transistor is controlled by dividing the resistor into only one resistor and controlling the bipolar transistor and the controlling transistor separately. The disadvantage that the gate-source voltage of the transistor is regulated is eliminated, and the relay can be operated with good control.
【図1】本考案の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】従来例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example.
1 発光ダイオード 2 フォトダイオードアレイ 3 制御用トランジスタ 4 バイポーラトランジスタ 5 抵抗 6 ダイオード 7 出力用MOSFET 12 抵抗 1 Light-Emitting Diode 2 Photodiode Array 3 Control Transistor 4 Bipolar Transistor 5 Resistor 6 Diode 7 Output MOSFET 12 Resistor
Claims (1)
光ダイオードと、発光ダイオードの光信号を受光するよ
うに配置されたフォトダイオードアレイと、フォトダイ
オードアレイの光起電力をゲート・ソース間に印加され
てドレイン・ソース間の導通状態と非導通状態が切り替
わる出力用のMOSFETと、出力用のMOSFETの
ゲート・ソース間の蓄積電荷の放電径路を形成するノー
マリ・オン型の制御用トランジスタと、制御用トランジ
スタを介してフォトダイオードアレイの光電流を通電さ
れて制御用トランジスタを高抵抗状態にバイアスする電
圧を発生する2つの直列の抵抗と、出力用MOSFET
のドレイン・ゲート間に接続されて前記2つの抵抗のう
ち出力用MOSFETのゲートよりの抵抗によって導通
状態と非導通状態が切り替わるバイポーラトランジスタ
と、出力用MOSFETのドレイン側とバイポーラトラ
ンジスタ間に接続されたダイオードとからなることを特
徴とする光結合型のリレー回路。1. A light emitting diode that generates an optical signal in response to an input signal, a photodiode array arranged to receive the optical signal of the light emitting diode, and a photovoltaic voltage of the photodiode array between a gate and a source. And a normally-on type control transistor that forms a discharge path for accumulated charge between the gate and source of the output MOSFET by applying the , Two series resistors for generating a voltage for biasing the control transistor to a high resistance state when a photocurrent of the photodiode array is passed through the control transistor, and an output MOSFET
A bipolar transistor connected between the drain and gate of the output MOSFET and switching between a conductive state and a non-conductive state by the resistance from the gate of the output MOSFET, of the two resistors, and connected between the drain side of the output MOSFET and the bipolar transistor. An optical coupling type relay circuit characterized by comprising a diode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4627891U JPH0543623U (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Optically coupled relay circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4627891U JPH0543623U (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Optically coupled relay circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0543623U true JPH0543623U (en) | 1993-06-11 |
Family
ID=12742768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4627891U Pending JPH0543623U (en) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | Optically coupled relay circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0543623U (en) |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP4627891U patent/JPH0543623U/en active Pending
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