JPH0541372A - シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法 - Google Patents
シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法Info
- Publication number
- JPH0541372A JPH0541372A JP19526291A JP19526291A JPH0541372A JP H0541372 A JPH0541372 A JP H0541372A JP 19526291 A JP19526291 A JP 19526291A JP 19526291 A JP19526291 A JP 19526291A JP H0541372 A JPH0541372 A JP H0541372A
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- JP
- Japan
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- etching
- nh4f
- wet etching
- resist
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハへのダメージのない、しかも、容易に
エッチング形状を制御できるウェットエッチングの方法
を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッ
ファードフッ酸（NH 4F/HF/）を薬液として用いたウェッ
トエッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混
合モル比を１７％以上２０％以下とする。
エッチング形状を制御できるウェットエッチングの方法
を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッ
ファードフッ酸（NH 4F/HF/）を薬液として用いたウェッ
トエッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混
合モル比を１７％以上２０％以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、半導体集積回路の製
造工程で行われるシリコン酸化膜のウェットエッチング
において、エッチング形状を制御する方法に関する。
造工程で行われるシリコン酸化膜のウェットエッチング
において、エッチング形状を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 シリコン酸化膜のエッチング法として
は、プラズマエッチングに比べ、ウェハへのダメージの
少ないウェットエッチングは、たとえば、酸化膜の全面
エッチングやコンタクトホールのラウンドエッチング等
に有効である。なお、このウェットエッチングに用いる
薬液としては、バッファードフッ酸（NH4F/HF/H2O)や希
フッ酸(HF/H2O)等が用いられている。
は、プラズマエッチングに比べ、ウェハへのダメージの
少ないウェットエッチングは、たとえば、酸化膜の全面
エッチングやコンタクトホールのラウンドエッチング等
に有効である。なお、このウェットエッチングに用いる
薬液としては、バッファードフッ酸（NH4F/HF/H2O)や希
フッ酸(HF/H2O)等が用いられている。
【０００３】図３は、NH4FとHFとの混合モル比がそれぞ
れ３７％、4.5 ％の薬液を用いて、コンタクトホール部
のラウンドエッチングを行った場合のウェハ断面図であ
る。この場合、シリコンウェハ１０上に絶縁膜（ＢＰＳ
Ｇ）１１を堆積し、その絶縁膜１１上にレジスト１２を
塗布する。そのレジスト１２を所定のパターンのマスク
を用いて加工した後に、上述した薬液を用いてシリコン
ウェハ１０をウェットエッチングする。このようなエッ
チングを行った場合、図３に示すように、形成されたコ
ンタクトホールのラウンド形状は、横方向の幅ｘが縦方
向の幅ｙに比べ大きくなる。
れ３７％、4.5 ％の薬液を用いて、コンタクトホール部
のラウンドエッチングを行った場合のウェハ断面図であ
る。この場合、シリコンウェハ１０上に絶縁膜（ＢＰＳ
Ｇ）１１を堆積し、その絶縁膜１１上にレジスト１２を
塗布する。そのレジスト１２を所定のパターンのマスク
を用いて加工した後に、上述した薬液を用いてシリコン
ウェハ１０をウェットエッチングする。このようなエッ
チングを行った場合、図３に示すように、形成されたコ
ンタクトホールのラウンド形状は、横方向の幅ｘが縦方
向の幅ｙに比べ大きくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 ところが、従来例に
示すNH4FとHFとの混合モル比がそれぞれ３７ｗｔ％、4.
5 ｗｔ％の薬液を用いた場合のウェットエッチングで
は、等方性のエッチングが行われるため、コンタクトホ
ールのラウンドエッチングの形状制御が困難であった。
本発明は、以上の問題点を解決すべくなされたもので、
所望の形状を得ることのできるエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
示すNH4FとHFとの混合モル比がそれぞれ３７ｗｔ％、4.
5 ｗｔ％の薬液を用いた場合のウェットエッチングで
は、等方性のエッチングが行われるため、コンタクトホ
ールのラウンドエッチングの形状制御が困難であった。
本発明は、以上の問題点を解決すべくなされたもので、
所望の形状を得ることのできるエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 上記の目的を達成する
ために、本発明のシリコン酸化膜のウェットエッチング
方法は、基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッフ
ァードフッ酸（NH4F/HF/）を薬液として用いたウェット
エッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混合
モル比を１７％以上２０％以下とすることによって特徴
づけられる。
ために、本発明のシリコン酸化膜のウェットエッチング
方法は、基板上に形成されたシリコン酸化膜に、バッフ
ァードフッ酸（NH4F/HF/）を薬液として用いたウェット
エッチングを行う方法において、上記薬液のNH4Fの混合
モル比を１７％以上２０％以下とすることによって特徴
づけられる。
【０００６】
【作用】 NH4Fの混合モル比を１７％以上２０％以下の
範囲で変化させたバッファードフッ酸（NH4F/HF/）を用
いることにより、レジストとのぬれ性、および、反応生
成物によるエッチングの抑制がなされることにより、ウ
ェットエッチングは若干の異方性をもつ。したがって、
形状制御を行える。
範囲で変化させたバッファードフッ酸（NH4F/HF/）を用
いることにより、レジストとのぬれ性、および、反応生
成物によるエッチングの抑制がなされることにより、ウ
ェットエッチングは若干の異方性をもつ。したがって、
形状制御を行える。
【０００７】
【実施例】 図１は本発明実施例を説明する模式的断面
図である。以下、この図面に基づいて、本発明実施例を
説明する。シリコンウェハ１上に絶縁膜（ＢＰＳＧ）２
を堆積し、その絶縁膜（ＢＰＳＧ）２上にレジスト３を
塗布する。そのレジスト３を所定のパターンのマスクを
用いてパターニングする〔図１（ａ）〕。
図である。以下、この図面に基づいて、本発明実施例を
説明する。シリコンウェハ１上に絶縁膜（ＢＰＳＧ）２
を堆積し、その絶縁膜（ＢＰＳＧ）２上にレジスト３を
塗布する。そのレジスト３を所定のパターンのマスクを
用いてパターニングする〔図１（ａ）〕。
【０００８】次に、この状態で、NH4FとHFとの混合モル
比がそれぞれ１７％、3.7 ％の薬液を用いてウェットエ
ッチングする〔図１（ｂ）〕。このNH4Fの混合モル比は
１７％〜２０％の範囲とする。図２は、２種類のレジス
ト（それぞれレジストＡ，レジストＢと称する）を用い
た場合について、それぞれNH4FとHFとの混合モル比が従
来技術で用いられている３７ｗｔ％／4.5 ｗｔ％、およ
び、本発明実施例の１７ｗｔ％／3.7 ｗｔ％の薬液を用
いてそれぞれウェットエッチングを行った場合のエッチ
ング比をプロットした図である。このエッチング比は図
１（ｂ）に示す横方向の幅Ｘと縦方向の幅Ｙとの比をと
ったものであり、（１）式により与えられる。
比がそれぞれ１７％、3.7 ％の薬液を用いてウェットエ
ッチングする〔図１（ｂ）〕。このNH4Fの混合モル比は
１７％〜２０％の範囲とする。図２は、２種類のレジス
ト（それぞれレジストＡ，レジストＢと称する）を用い
た場合について、それぞれNH4FとHFとの混合モル比が従
来技術で用いられている３７ｗｔ％／4.5 ｗｔ％、およ
び、本発明実施例の１７ｗｔ％／3.7 ｗｔ％の薬液を用
いてそれぞれウェットエッチングを行った場合のエッチ
ング比をプロットした図である。このエッチング比は図
１（ｂ）に示す横方向の幅Ｘと縦方向の幅Ｙとの比をと
ったものであり、（１）式により与えられる。
【０００９】
【数１】
【００１０】図から明らかなように、NH4Fが低濃度にな
るにしたがってエッチング比は小さくなる。また、従来
技術に比べ、横方向のエッチング幅を１７〜２８％抑制
することができることが確認された。これは、表１に示
すように、本発明実施例で用いた低フッ化ＢＨＦは従来
品のＢＨＦに比べ、ＢＰＳＧの縦方向のエッチングレー
トが大きくなることによる。
るにしたがってエッチング比は小さくなる。また、従来
技術に比べ、横方向のエッチング幅を１７〜２８％抑制
することができることが確認された。これは、表１に示
すように、本発明実施例で用いた低フッ化ＢＨＦは従来
品のＢＨＦに比べ、ＢＰＳＧの縦方向のエッチングレー
トが大きくなることによる。
【００１１】
【表１】
【００１２】このように、NH4FとHFとの混合モル比を変
えることによりエッチング形状を任意に制御でき、所望
のエッチング形状を得ることができる。
えることによりエッチング形状を任意に制御でき、所望
のエッチング形状を得ることができる。
【００１３】
【発明の効果】 以上述べたように、本発明によれば、
ウェハへのダメージのないウェットエッチングを行うこ
とができ、しかも、容易にエッチング形状を制御でき
る。この結果、デバイスの品質および歩留りの向上を実
現できる。
ウェハへのダメージのないウェットエッチングを行うこ
とができ、しかも、容易にエッチング形状を制御でき
る。この結果、デバイスの品質および歩留りの向上を実
現できる。
【図１】 本発明実施例を説明する模式断面図
【図２】 本発明実施例の作用説明図
【図３】 従来例を説明する図
１・・・・シリコンウェハ ２・・・・絶縁膜 ３・・・・レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されたシリコン酸化膜に、
バッファードフッ酸（NH4F/HF/）を薬液として用いたウ
ェットエッチングを行う方法において、上記薬液のNH4F
の混合モル比を１７％以上２０％以下とすることを特徴
とするシリコン酸化膜のウェットエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19526291A JPH0541372A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19526291A JPH0541372A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541372A true JPH0541372A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16338221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19526291A Pending JPH0541372A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | シリコン酸化膜のウエツトエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484847B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2005-04-22 | 샤프 가부시키가이샤 | 매립 구조를 갖는 기판, 그 기판을 포함하는 표시장치, 그기판의 제조 방법 및 그 표시장치의 제조방법 |
| KR101030057B1 (ko) * | 2008-07-16 | 2011-04-22 | (주) 이피웍스 | 실리콘 폐기물의 재생방법 및 그 방법으로 재생된 실리콘조성물 |
| CN110828310A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-21 | 福建福顺微电子有限公司 | 一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法 |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP19526291A patent/JPH0541372A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484847B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2005-04-22 | 샤프 가부시키가이샤 | 매립 구조를 갖는 기판, 그 기판을 포함하는 표시장치, 그기판의 제조 방법 및 그 표시장치의 제조방법 |
| KR101030057B1 (ko) * | 2008-07-16 | 2011-04-22 | (주) 이피웍스 | 실리콘 폐기물의 재생방법 및 그 방법으로 재생된 실리콘조성물 |
| CN110828310A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-21 | 福建福顺微电子有限公司 | 一种发射区二氧化硅腐蚀台阶制作方法 |
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