JPH0539596A - 希土類合金 - Google Patents
希土類合金Info
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- JPH0539596A JPH0539596A JP22102691A JP22102691A JPH0539596A JP H0539596 A JPH0539596 A JP H0539596A JP 22102691 A JP22102691 A JP 22102691A JP 22102691 A JP22102691 A JP 22102691A JP H0539596 A JPH0539596 A JP H0539596A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石等の希土類合金の耐食
性を格段と向上させる。 【構成】 希土類合金表面上に導電性ポリマーの皮膜を
形成する。特に、Ｎｉめっき膜をまず形成し、その膜面
を導電性ポリマーの皮膜で被覆する。
性を格段と向上させる。 【構成】 希土類合金表面上に導電性ポリマーの皮膜を
形成する。特に、Ｎｉめっき膜をまず形成し、その膜面
を導電性ポリマーの皮膜で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面被覆を有する希土
類合金に関する。
類合金に関する。
【０００２】
【従来の技術】高性能を有する永久磁石としては、粉末
冶金法によるＳｍ−Ｃｏ系磁石が知られている。しか
し、このものは、Ｓｍ、Ｃｏの原料価格が高いという欠
点を有する。希土類の中では原子量の小さい希土類元
素、たとえばセリウムやプラセオジム、ネオジムは、サ
マリウムよりも豊富にあり価格が安い。また、Ｆｅは安
価である。そこで、近年Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石が開発さ
れ、特開昭５９−４６００８号公報では、焼結磁石が、
また特開昭６０−９８５２号公報では、高速急冷法によ
るものが開示されている。
冶金法によるＳｍ−Ｃｏ系磁石が知られている。しか
し、このものは、Ｓｍ、Ｃｏの原料価格が高いという欠
点を有する。希土類の中では原子量の小さい希土類元
素、たとえばセリウムやプラセオジム、ネオジムは、サ
マリウムよりも豊富にあり価格が安い。また、Ｆｅは安
価である。そこで、近年Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石が開発さ
れ、特開昭５９−４６００８号公報では、焼結磁石が、
また特開昭６０−９８５２号公報では、高速急冷法によ
るものが開示されている。
【０００３】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、酸化され易い希
土類元素と鉄とを主成分とするため、耐食性が低く、性
能の劣化、バラつき等が問題となっている。
土類元素と鉄とを主成分とするため、耐食性が低く、性
能の劣化、バラつき等が問題となっている。
【０００４】このようなことから、耐食性を向上させる
ために種々の表面処理方法が提案されている。例えば、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎの金属めっき膜を設ける方法（特開昭
６０−５４４０６号等）、リン酸塩、クロム酸塩などの
化成皮膜を形成する方法（特開昭６０−６３９０３号
等）、エポキシ、アクリル、メラミンなどの樹脂層を設
ける方法（特開昭６０−６３９０１号等）などである。
また、金属めっき膜上に樹脂層を形成するなどのよう
に、これらの方法を組み合わせて用いたものもある（特
開昭６３−１１０７０７号、同６３−１１０７０８号
等）。さらに樹脂層を電着塗装により形成する方法も提
案されている（特開昭６１−１３０４５３号、特開昭６
３−７７１０２号等）。
ために種々の表面処理方法が提案されている。例えば、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎの金属めっき膜を設ける方法（特開昭
６０−５４４０６号等）、リン酸塩、クロム酸塩などの
化成皮膜を形成する方法（特開昭６０−６３９０３号
等）、エポキシ、アクリル、メラミンなどの樹脂層を設
ける方法（特開昭６０−６３９０１号等）などである。
また、金属めっき膜上に樹脂層を形成するなどのよう
に、これらの方法を組み合わせて用いたものもある（特
開昭６３−１１０７０７号、同６３−１１０７０８号
等）。さらに樹脂層を電着塗装により形成する方法も提
案されている（特開昭６１−１３０４５３号、特開昭６
３−７７１０２号等）。
【０００５】これらのうち、電気めっきによるＮｉめっ
き膜、特に半光沢Ｎｉめっき膜は、量産性に優れ、膜自
体の耐食性が良く、しかも、機械的強度の点においても
補強効果を発揮するため多用されている。
き膜、特に半光沢Ｎｉめっき膜は、量産性に優れ、膜自
体の耐食性が良く、しかも、機械的強度の点においても
補強効果を発揮するため多用されている。
【０００６】しかし、これでもなお、耐食性は十分でな
い。また、耐食性を向上させるために膜厚を大きくする
と寸法制度が悪くなるという欠点もある。
い。また、耐食性を向上させるために膜厚を大きくする
と寸法制度が悪くなるという欠点もある。
【０００７】また、さらに耐食性を向上させるために、
Ｎｉめっき膜上に電着塗装により樹脂層を形成すること
も考えられ、実際、Ｎｉめっき膜上にリン酸亜鉛処理を
行ない電着塗装する方法が提案されている［Paper No.W
3.1 presented at the Eleventh International Worksh
op on Rare-Earth Magnetsand Their Applicaitons,Pit
tsburgh, PA,21-24 October, 1990. (Processdings Bo
ok: Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA 15
213, USA).］。
Ｎｉめっき膜上に電着塗装により樹脂層を形成すること
も考えられ、実際、Ｎｉめっき膜上にリン酸亜鉛処理を
行ない電着塗装する方法が提案されている［Paper No.W
3.1 presented at the Eleventh International Worksh
op on Rare-Earth Magnetsand Their Applicaitons,Pit
tsburgh, PA,21-24 October, 1990. (Processdings Bo
ok: Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA 15
213, USA).］。
【０００８】しかし、電着塗装により樹脂層を形成する
場合、樹脂コーティング一般に共通することであるが、
化成処理を行なわないと、付着性が十分でないという欠
点があり、工程数が増加し量産上不利である。また、化
成処理は制御が困難であり、廃液処理等の問題もある。
場合、樹脂コーティング一般に共通することであるが、
化成処理を行なわないと、付着性が十分でないという欠
点があり、工程数が増加し量産上不利である。また、化
成処理は制御が困難であり、廃液処理等の問題もある。
【０００９】また、電着塗装では、膜厚制御が困難で膜
厚が大きくなりやすい。さらに、焼き付け工程が必須で
あり、その温度もかなり高温であることから操作が煩雑
である。
厚が大きくなりやすい。さらに、焼き付け工程が必須で
あり、その温度もかなり高温であることから操作が煩雑
である。
【００１０】このように、いずれの方法においても十分
とはいえず、その改善が望まれている。
とはいえず、その改善が望まれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐食
性が極めて高い希土類合金を提供することにある。
性が極めて高い希土類合金を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の構成により達成される。
（１）〜（７）の構成により達成される。
【００１３】（１）表面に導電性ポリマーの皮膜を有す
ることを特徴とする希土類合金。
ることを特徴とする希土類合金。
【００１４】（２）前記導電性ポリマーの皮膜は、前記
表面上に金属めっき膜を介して形成されたものである上
記（１）に記載の希土類合金。
表面上に金属めっき膜を介して形成されたものである上
記（１）に記載の希土類合金。
【００１５】（３）前記金属めっき膜はＮｉめっき膜で
ある上記（２）に記載の希土類合金。
ある上記（２）に記載の希土類合金。
【００１６】（４）前記希土類合金は、Ｒ（ただし、Ｒ
はＹを含む希土類元素の１種以上）、ＦｅおよびＢを含
有し、実質的に正方晶系の主相を有する永久磁石である
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の希土類合
金。
はＹを含む希土類元素の１種以上）、ＦｅおよびＢを含
有し、実質的に正方晶系の主相を有する永久磁石である
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の希土類合
金。
【００１７】（５）前記ＲにはＮｄが含まれる上記
（４）に記載の希土類合金。
（４）に記載の希土類合金。
【００１８】（６）前記導電性ポリマーは、ポリピロー
ル系化合物である上記（１）ないし（５）のいずれかに
記載の希土類合金。
ル系化合物である上記（１）ないし（５）のいずれかに
記載の希土類合金。
【００１９】（７）前記導電性ポリマーの皮膜の膜厚が
０．０１〜５μm である上記（１）ないし（６）のいず
れかに記載の希土類合金。
０．０１〜５μm である上記（１）ないし（６）のいず
れかに記載の希土類合金。
【００２０】
【作用】本発明では、例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石等の
希土類合金の表面に、電気めっき法によりＮｉめっき膜
を形成する。このようなＮｉめっき膜には必ずピンホー
ルが存在する。このため、Ｎｉめっき膜自体の耐食性が
十分であっても、このピンホールから空気中の水や酸素
が侵入し、合金本体に錆が発生してしまう。
希土類合金の表面に、電気めっき法によりＮｉめっき膜
を形成する。このようなＮｉめっき膜には必ずピンホー
ルが存在する。このため、Ｎｉめっき膜自体の耐食性が
十分であっても、このピンホールから空気中の水や酸素
が侵入し、合金本体に錆が発生してしまう。
【００２１】ところが、本発明ではＮｉめっき膜上に、
さらに、導電性ポリマーの皮膜を形成しているので、こ
のようなピンホールを封孔することができ、水や酸素を
遮断する効果が格段に向上し、耐食性が極めて良好にな
る。
さらに、導電性ポリマーの皮膜を形成しているので、こ
のようなピンホールを封孔することができ、水や酸素を
遮断する効果が格段に向上し、耐食性が極めて良好にな
る。
【００２２】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について説明
する。
する。
【００２３】本発明の希土類合金は、その表面上に導電
性ポリマーの皮膜を有する。
性ポリマーの皮膜を有する。
【００２４】このような導電性ポリマーとしては共役系
高分子である導電性ポリマーが好ましい。
高分子である導電性ポリマーが好ましい。
【００２５】共役系高分子導電性ポリマーとしては、特
に制限はないが、好適に用いられる共役系高分子化合物
としては、
に制限はないが、好適に用いられる共役系高分子化合物
としては、
【００２６】i)ポリアセチレン系 ポリアセチレン、ポリジアセチレン、およびその誘導体
であるポリ−１−アルキン、ポリシアノアセチレン、ポ
リフェニルアセチレン、ポリクロロフェニルアセチレ
ン、ポリメチルアゾメテン、ポリ−１，６−ヘプタジイ
ン、ジフルオルアセチレンなど；
であるポリ−１−アルキン、ポリシアノアセチレン、ポ
リフェニルアセチレン、ポリクロロフェニルアセチレ
ン、ポリメチルアゾメテン、ポリ−１，６−ヘプタジイ
ン、ジフルオルアセチレンなど；
【００２７】ii) ポリフェニレン系 ポリパラフェニレン、ポリビフェニレン、ポリメタフェ
ニレンおよびその誘導体であるポリパラフェニレンサル
ファイド、ポリパラフェニレンセレニド、ポリパラフェ
ニレンオキサイド、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ
パラフェニレンアゾメチン、ポリパラアゾフェニレン、
ポリフェニレンビニレン、ポリ−２，５−ジエトキシフ
ェニレンビニレン、ポリ−ｐ−ジメチルアミノスチリル
ビニル、ポリフェニレンビニレン、ポリジフェニレンビ
ニレン、ポリフェニレンアリレン、ポリピレン、ポリア
ズレン、ポリフルオレン、ポリナフタレンビニレンな
ど；
ニレンおよびその誘導体であるポリパラフェニレンサル
ファイド、ポリパラフェニレンセレニド、ポリパラフェ
ニレンオキサイド、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ
パラフェニレンアゾメチン、ポリパラアゾフェニレン、
ポリフェニレンビニレン、ポリ−２，５−ジエトキシフ
ェニレンビニレン、ポリ−ｐ−ジメチルアミノスチリル
ビニル、ポリフェニレンビニレン、ポリジフェニレンビ
ニレン、ポリフェニレンアリレン、ポリピレン、ポリア
ズレン、ポリフルオレン、ポリナフタレンビニレンな
ど；
【００２８】iii)複素環ポリマー ポリピロール、ポリビピロールおよびその３−置換体や
ポリ−Ｎ−メチルピロールなどの誘導体、ポリチオフェ
ン、ポリビチオフェン、ポリターチエニル、ポリチエノ
チオフェン、ポリジチエノチオフェンおよびポリ−３−
メチルチオフェンなどのポリ−３−アルキルチオフェン
やポリ−３−チオフェン−アルケンスルホネートなどの
３−置換誘導体、ポリチオフェンビニレン、ポリフラ
ン、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチ
オナフテン、ポリイソナフトチオフェンなど；
ポリ−Ｎ−メチルピロールなどの誘導体、ポリチオフェ
ン、ポリビチオフェン、ポリターチエニル、ポリチエノ
チオフェン、ポリジチエノチオフェンおよびポリ−３−
メチルチオフェンなどのポリ−３−アルキルチオフェン
やポリ−３−チオフェン−アルケンスルホネートなどの
３−置換誘導体、ポリチオフェンビニレン、ポリフラ
ン、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチ
オナフテン、ポリイソナフトチオフェンなど；
【００２９】iv) イオン性ポリマー ポリアニリン、ポリ−Ｎ−メチルアニリン、ポリ−Ｎ−
ジエチルアニリン、ポリ−ｐ−フェニルアニリン、ポリ
アミノピレン、イオン性ポリピロールなど；
ジエチルアニリン、ポリ−ｐ−フェニルアニリン、ポリ
アミノピレン、イオン性ポリピロールなど；
【００３０】v)ラダーポリマー ポリビフェニレン、ポリアセン、ポリベンゾチオフィ
ン、ポリナフチリジン（ポリピリジノピリジン）、ポリ
シアノジエン（ポリピラジノピラジン）、ポリアレンメ
タノイド、ポリペリナフタレン、ポリペリアントラセン
など；
ン、ポリナフチリジン（ポリピリジノピリジン）、ポリ
シアノジエン（ポリピラジノピラジン）、ポリアレンメ
タノイド、ポリペリナフタレン、ポリペリアントラセン
など；
【００３１】vi) その他 ポリオキサジアゾール、ポリ［Ｆｅフタロシアニン］、
キノイド、ポリメタシクロファンなど；等が挙げられ
る。
キノイド、ポリメタシクロファンなど；等が挙げられ
る。
【００３２】これらのうちでは、水や酸素の遮断効果が
大きく、防錆という点からポリピロール等のポリピロー
ル系化合物等が好ましい。
大きく、防錆という点からポリピロール等のポリピロー
ル系化合物等が好ましい。
【００３３】このようなポリマーは、通常の電解重合
法、気相重合法、触媒重合法、固相重合法等により得る
ことができる。
法、気相重合法、触媒重合法、固相重合法等により得る
ことができる。
【００３４】また、ドーパントを添加してもよく、この
ようなドーパントに特に制限はないが、特に好適に用い
られるドーパントとしては、
ようなドーパントに特に制限はないが、特に好適に用い
られるドーパントとしては、
【００３５】ポリアセチレン系導電性ポリマーの場合
の、Ｉ2 、ＡｓＦ5 、Ｈ2 ＳＯ4 およびＦｅＣＩ3 な
ど；
の、Ｉ2 、ＡｓＦ5 、Ｈ2 ＳＯ4 およびＦｅＣＩ3 な
ど；
【００３６】ポリフェニレン系導電性ポリマーの場合の
ＡｓＦ5 、ＡｓＦ3 、Ｉ2 、Ｈ2 ＳＯ4 、アルカリ金属
など；
ＡｓＦ5 、ＡｓＦ3 、Ｉ2 、Ｈ2 ＳＯ4 、アルカリ金属
など；
【００３７】複素環系導電性ポリマーの場合のＣｌ
Ｏ4 -、ＢＦ4 -、Ｉ2 、アルカリ金属など；等が挙げられ
る。
Ｏ4 -、ＢＦ4 -、Ｉ2 、アルカリ金属など；等が挙げられ
る。
【００３８】これらドーパントは、導電性ポリマーに対
し、６〜７％程度以上添加される。
し、６〜７％程度以上添加される。
【００３９】ドーパントを添加するには、常法に従えば
よい。
よい。
【００４０】このような導電性ポリマーの皮膜は希土類
合金表面に金属めっき膜を形成し、この金属めっき膜を
被覆するようにして形成することが好ましい。
合金表面に金属めっき膜を形成し、この金属めっき膜を
被覆するようにして形成することが好ましい。
【００４１】このときの金属めっき膜はＮｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ等のいずれの金属めっき膜であってもよく、めっき法
も電気めっき、無電解めっきのいずれであってもよい
が、十分な耐食性を得るという目的から電気めっきによ
り形成されたＮｉめっき膜であることが好ましい。
ｎ等のいずれの金属めっき膜であってもよく、めっき法
も電気めっき、無電解めっきのいずれであってもよい
が、十分な耐食性を得るという目的から電気めっきによ
り形成されたＮｉめっき膜であることが好ましい。
【００４２】このように、電気めっきにより形成された
Ｎｉめっき膜を導電性ポリマーの皮膜で被覆することに
よって、Ｎｉめっき膜に存在するピンホールを封孔する
ことができ、耐食性が格段と向上する。
Ｎｉめっき膜を導電性ポリマーの皮膜で被覆することに
よって、Ｎｉめっき膜に存在するピンホールを封孔する
ことができ、耐食性が格段と向上する。
【００４３】また、このような皮膜は導電性を有するこ
とから、絶縁性のものに比べてホコリの付着がないなど
の利点も有する。なお、本発明における導電性ポリマー
の導電率は、ドーパントの添加状態にて１．０×１０-6
〜１．０×１０5 S/cm程度となる。
とから、絶縁性のものに比べてホコリの付着がないなど
の利点も有する。なお、本発明における導電性ポリマー
の導電率は、ドーパントの添加状態にて１．０×１０-6
〜１．０×１０5 S/cm程度となる。
【００４４】上記におけるＮｉめっき膜の膜厚は、目
的、用途等により適宜選択すればよいが、通常５〜１０
０μm 程度である。
的、用途等により適宜選択すればよいが、通常５〜１０
０μm 程度である。
【００４５】また、導電性ポリマーの皮膜の厚さは０．
０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５μm とする。この
ような厚さとするによって封孔が完全となる。
０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５μm とする。この
ような厚さとするによって封孔が完全となる。
【００４６】上記において、電気めっきによりＮｉめっ
き膜を形成するには、通常の方法に従えばよい。このと
き、用いるめっき浴に特に制限はなく、各種半光沢めっ
き浴や無光沢めっき浴等、例えば、ワット浴、スルファ
ミン酸浴、ホウフッ化浴、臭化ニッケル浴等から適宜選
択すればよい。なお、Ｎｉ電気めっき浴のpHは、通常、
２．７〜４．５程度、温度は３５〜７０℃程度、電流密
度は０．２〜２０A/m2程度である。
き膜を形成するには、通常の方法に従えばよい。このと
き、用いるめっき浴に特に制限はなく、各種半光沢めっ
き浴や無光沢めっき浴等、例えば、ワット浴、スルファ
ミン酸浴、ホウフッ化浴、臭化ニッケル浴等から適宜選
択すればよい。なお、Ｎｉ電気めっき浴のpHは、通常、
２．７〜４．５程度、温度は３５〜７０℃程度、電流密
度は０．２〜２０A/m2程度である。
【００４７】また、前記の電気めっきを行なう前に、被
めっき物である希土類合金表面を、硝酸等によりエッチ
ングすることが好ましい。このようなエッチングによ
り、希土類合金とＮｉめっき膜との密着性を向上させる
ことができる。
めっき物である希土類合金表面を、硝酸等によりエッチ
ングすることが好ましい。このようなエッチングによ
り、希土類合金とＮｉめっき膜との密着性を向上させる
ことができる。
【００４８】このようなＮｉめっき膜を形成した希土類
合金に導電性ポリマーの皮膜を形成するには、化合物種
等により前記の重合法を適宜選択して用いればよい。
合金に導電性ポリマーの皮膜を形成するには、化合物種
等により前記の重合法を適宜選択して用いればよい。
【００４９】例えば、本発明において、好ましいとされ
るポリピロールの皮膜は電解重合法により形成する。
るポリピロールの皮膜は電解重合法により形成する。
【００５０】すなわち、ピロールをアセトニトリル等の
非水溶媒に溶解し、０．０１〜２モル/l程度の溶液を得
る。これに、ＬｉＣｌＯ4 等の支持塩を０．１〜０．５
モル/l程度となるように添加し、この溶液中に、Ｎｉめ
っき膜を有する希土類合金を陽極として用い、これにピ
ロールを電解重合させる。このときの対極は白金等とす
ればよい。また、支持塩のＣｌＯ4 - はドーパントとし
ての機能も併せ持つものである。このときの電解条件は
１μA/cm2 〜１００μA/cm2 で０．５〜１０時間とす
る。
非水溶媒に溶解し、０．０１〜２モル/l程度の溶液を得
る。これに、ＬｉＣｌＯ4 等の支持塩を０．１〜０．５
モル/l程度となるように添加し、この溶液中に、Ｎｉめ
っき膜を有する希土類合金を陽極として用い、これにピ
ロールを電解重合させる。このときの対極は白金等とす
ればよい。また、支持塩のＣｌＯ4 - はドーパントとし
ての機能も併せ持つものである。このときの電解条件は
１μA/cm2 〜１００μA/cm2 で０．５〜１０時間とす
る。
【００５１】電解重合法によるときは、他のポリマーを
得るときにおいても、これに準じて行なえばよい。ま
た、ほかの金属めっき膜でも同様の方法を採ることがで
きる。
得るときにおいても、これに準じて行なえばよい。ま
た、ほかの金属めっき膜でも同様の方法を採ることがで
きる。
【００５２】このように、本発明における導電性ポリマ
ーの皮膜は、電着塗装による樹脂層の形成と異なり、化
成処理あるいは焼付け工程などの工程を必要とすること
なく、金属めっき膜を密着性良く被覆することができ、
製法上も有利である。また、通常の塗膜に比べて緻密な
膜とすることができ、水や酸素等を遮断する効果が大き
くなる。
ーの皮膜は、電着塗装による樹脂層の形成と異なり、化
成処理あるいは焼付け工程などの工程を必要とすること
なく、金属めっき膜を密着性良く被覆することができ、
製法上も有利である。また、通常の塗膜に比べて緻密な
膜とすることができ、水や酸素等を遮断する効果が大き
くなる。
【００５３】本発明における導電性ポリマーの皮膜は、
金属めっき膜を被覆する形で用いられるばかりでなく、
希土類合金を直接被覆する形で用いてもよい。
金属めっき膜を被覆する形で用いられるばかりでなく、
希土類合金を直接被覆する形で用いてもよい。
【００５４】この場合の導電性ポリマーの皮膜の厚さは
０．０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５μm とする。
０．０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５μm とする。
【００５５】このようにしても十分な耐食性を得ること
ができる。
ができる。
【００５６】また、本発明では、電着塗装あるいは塗布
によって希土類合金表面に形成した樹脂層を導電性ポリ
マーの皮膜で被覆してもよい。このような樹脂層におい
ても細孔は必然的に存在することになるが、導電性ポリ
マーの皮膜により封孔することができ、耐食性向上の効
果が得られる。
によって希土類合金表面に形成した樹脂層を導電性ポリ
マーの皮膜で被覆してもよい。このような樹脂層におい
ても細孔は必然的に存在することになるが、導電性ポリ
マーの皮膜により封孔することができ、耐食性向上の効
果が得られる。
【００５７】このような樹脂層に導電性ポリマーの皮膜
を形成する場合、可能な重合法を適用できるほか、ポリ
アニリンなどにおいては、Ｎ−メチルピロリドン等を溶
媒として溶解し、これを塗布するようにしてもよい。
を形成する場合、可能な重合法を適用できるほか、ポリ
アニリンなどにおいては、Ｎ−メチルピロリドン等を溶
媒として溶解し、これを塗布するようにしてもよい。
【００５８】樹脂層に被覆する場合の導電性ポリマーの
皮膜の厚さは０．０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５
μm とする。
皮膜の厚さは０．０１〜５μm 、好ましくは０．５〜５
μm とする。
【００５９】本発明に用いられる希土類合金はいずれで
あってもよく、例えば永久磁石、磁歪材などの各種希土
類合金が挙げられる。
あってもよく、例えば永久磁石、磁歪材などの各種希土
類合金が挙げられる。
【００６０】なかでも永久磁石への適用が好ましく、こ
のものは、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種
以上）、ＦｅおよびＢを含有するものである。
のものは、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種
以上）、ＦｅおよびＢを含有するものである。
【００６１】Ｒ、ＦｅおよびＢの含有量は、 ５．５at% ≦Ｒ≦３０at% ４２at% ≦Ｆｅ≦９０at% ２at% ≦Ｂ≦２８at% であることが好ましい。
【００６２】このような永久磁石は焼結法、急冷法、鋳
造法等によって製造され、その製造法には特に制限はな
いが、例えば、焼結法により製造する場合、下記の組成
であることが好ましい。
造法等によって製造され、その製造法には特に制限はな
いが、例えば、焼結法により製造する場合、下記の組成
であることが好ましい。
【００６３】希土類元素Ｒとしては、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｈ
ｏ、Ｔｂのうち少なくとも１種、あるいはさらに、Ｌ
ａ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｐｍ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｙのうち１種以上を含むものが好ましい。
ｏ、Ｔｂのうち少なくとも１種、あるいはさらに、Ｌ
ａ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｐｍ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｙのうち１種以上を含むものが好ましい。
【００６４】なかでもＲとしてＮｄを含むものにおいて
本発明の効果は発揮される。
本発明の効果は発揮される。
【００６５】Ｒの含有量は高い保磁力（ｉＨｃ）と十分
な残留磁束密度（Ｂｒ）とを得る上で、８〜３０at% で
あることが好ましく、特にＮｄを必須とするときはこの
ものが８〜３０at% の範囲にあることが好ましい。ま
た、Ｆｅの含有量は４２〜９０at% であることが好まし
く、Ｂの含有量は２〜２８at% であることが好ましい。
な残留磁束密度（Ｂｒ）とを得る上で、８〜３０at% で
あることが好ましく、特にＮｄを必須とするときはこの
ものが８〜３０at% の範囲にあることが好ましい。ま
た、Ｆｅの含有量は４２〜９０at% であることが好まし
く、Ｂの含有量は２〜２８at% であることが好ましい。
【００６６】さらに、磁気特性を損なうことなく温度特
性を改善する目的で、Ｆｅの一部をＣｏで置換してもよ
い。Ｆｅに対するＣｏの置換率は、５０％以下とするこ
とが好ましい。
性を改善する目的で、Ｆｅの一部をＣｏで置換してもよ
い。Ｆｅに対するＣｏの置換率は、５０％以下とするこ
とが好ましい。
【００６７】また、Ｒ、ＦｅおよびＢの他、不可避的不
純物としてＮｉ、Ｓｉ、Ａ１、Ｃｕ、Ｃａ等が全体の３
at% 以下含有されていてもよい。
純物としてＮｉ、Ｓｉ、Ａ１、Ｃｕ、Ｃａ等が全体の３
at% 以下含有されていてもよい。
【００６８】さらに、生産性の向上および低コスト化の
ために、Ｂの一部を、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｃｕのうちの１種以
上で置換してもよい。この場合、置換量は全体の４at%
以下であることが好ましい。
ために、Ｂの一部を、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｃｕのうちの１種以
上で置換してもよい。この場合、置換量は全体の４at%
以下であることが好ましい。
【００６９】また、保磁力の向上、生産性の向上、低コ
スト化のために、Ａ１、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｉ、Ｓｉ、Ｈｆ等の１種以上を添加してもよい。この場
合、添加量は総計で１０at% 以下とすることが好まし
い。
スト化のために、Ａ１、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎ
ｉ、Ｓｉ、Ｈｆ等の１種以上を添加してもよい。この場
合、添加量は総計で１０at% 以下とすることが好まし
い。
【００７０】本発明における永久磁石は、実質的に正方
晶系の結晶構造の主相を有する。この主相の粒径は、１
〜１００μm 程度であることが好ましい。そして、通
常、体積比で１〜５０％の非磁性相を含むものである。
このような永久磁石は、特開昭６１−１８５９１０号公
報等に開示されている。
晶系の結晶構造の主相を有する。この主相の粒径は、１
〜１００μm 程度であることが好ましい。そして、通
常、体積比で１〜５０％の非磁性相を含むものである。
このような永久磁石は、特開昭６１−１８５９１０号公
報等に開示されている。
【００７１】
【実施例】以下、本発明を実施例によって、具体的に説
明する。
明する。
【００７２】実施例１ 粉末冶金法によって作製した１４Ｎｄ−１Ｄｙ−７Ｂ−
７８Ｆｅ（数字は原子比）の組成をもつ焼結体をＡｒ雰
囲気中で６００℃にて２時間時効処理を施し、２５mm×
２５mm×１．５mmの板状に加工し、さらにバレル研磨処
理により面取りを行なって、永久磁石を得た。
７８Ｆｅ（数字は原子比）の組成をもつ焼結体をＡｒ雰
囲気中で６００℃にて２時間時効処理を施し、２５mm×
２５mm×１．５mmの板状に加工し、さらにバレル研磨処
理により面取りを行なって、永久磁石を得た。
【００７３】この永久磁石を、ジャパンメタルフィニッ
シングカンパニー社製エンドックス１１４溶液（１２０
g/1 、６０℃）に１０分間浸漬した。
シングカンパニー社製エンドックス１１４溶液（１２０
g/1 、６０℃）に１０分間浸漬した。
【００７４】次いで、イオン交換水（塩素含有量０．５
ppm ）を用いて１Ｎ HNO3溶液を調製した。この溶液
に、上記永久磁石を室温で５分間浸漬した後、前記イオ
ン交換水中で超音波洗浄した。
ppm ）を用いて１Ｎ HNO3溶液を調製した。この溶液
に、上記永久磁石を室温で５分間浸漬した後、前記イオ
ン交換水中で超音波洗浄した。
【００７５】洗浄後、下記組成のめっき浴を用い、浴温
５５℃、電流密度３A/dm2 にてバレル法により電気めっ
きを行なった。浴pHは、４．５とした。
５５℃、電流密度３A/dm2 にてバレル法により電気めっ
きを行なった。浴pHは、４．５とした。
【００７６】めっき浴組成 硫酸ニッケル（Ｎｉ4 ＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ） ３００g/l ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ） ４０g/l ２−ブチン−１，４−ジオール ０．３g/l ラウリル硫酸ナトリウム ０．０５g/l
【００７７】このようにして、膜厚１５μm の半光沢Ｎ
ｉめっき膜を得た。なお、膜厚はセイコー電子の蛍光Ｘ
線膜厚計により測定した。これをサンプルＡとする。
ｉめっき膜を得た。なお、膜厚はセイコー電子の蛍光Ｘ
線膜厚計により測定した。これをサンプルＡとする。
【００７８】次に、このサンプルＡの表面に、以下のよ
うにして、ポリピロールの皮膜を形成した。
うにして、ポリピロールの皮膜を形成した。
【００７９】０．０５Ｍピロールの０．２ＭＬｉＣｌＯ
4 アセトニトリル溶液にサンプルＡを入れ、これを陽極
とし、１０μA/cm2 で１０時間かけてポリピロールの皮
膜を形成した。その後、水で洗浄して乾燥し、乾燥膜厚
１μm の皮膜を得た。これをサンプルＢとする。なお、
このときの対極は白金とした。
4 アセトニトリル溶液にサンプルＡを入れ、これを陽極
とし、１０μA/cm2 で１０時間かけてポリピロールの皮
膜を形成した。その後、水で洗浄して乾燥し、乾燥膜厚
１μm の皮膜を得た。これをサンプルＢとする。なお、
このときの対極は白金とした。
【００８０】サンプルＡ、Ｂについて、８５℃、８０％
ＲＨの条件下で１００時間保存し、フクレの発生を調べ
た。この結果、サンプルＡでは、フクレの発生が観察さ
れたが、サンプルＢではフクレの発生が全く観察されな
かった。
ＲＨの条件下で１００時間保存し、フクレの発生を調べ
た。この結果、サンプルＡでは、フクレの発生が観察さ
れたが、サンプルＢではフクレの発生が全く観察されな
かった。
【００８１】
【発明の効果】本発明によれば、耐食性が格段と向上す
る。
る。
Claims (7)
- 【請求項１】 表面に導電性ポリマーの皮膜を有するこ
とを特徴とする希土類合金。 - 【請求項２】 前記導電性ポリマーの皮膜は、前記表面
上に金属めっき膜を介して形成されたものである請求項
１に記載の希土類合金。 - 【請求項３】 前記金属めっき膜はＮｉめっき膜である
請求項２に記載の希土類合金。 - 【請求項４】 前記希土類合金は、Ｒ（ただし、ＲはＹ
を含む希土類元素の１種以上）、ＦｅおよびＢを含有
し、実質的に正方晶系の主相を有する永久磁石である請
求項１ないし３のいずれかに記載の希土類合金。 - 【請求項５】 前記ＲにはＮｄが含まれる請求項４に記
載の希土類合金。 - 【請求項６】 前記導電性ポリマーは、ポリピロール系
化合物である請求項１ないし５のいずれかに記載の希土
類合金。 - 【請求項７】 前記導電性ポリマーの皮膜の膜厚が０．
０１〜５μm である請求項１ないし６のいずれかに記載
の希土類合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22102691A JPH0539596A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 希土類合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22102691A JPH0539596A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 希土類合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0539596A true JPH0539596A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16760328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22102691A Withdrawn JPH0539596A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 希土類合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539596A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045923B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-05-16 | Nidec Corporation | Magnetizing method and permanent magnet magnetized thereby |
| JP2006169543A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Japan Carlit Co Ltd:The | 導電用高耐食材料及びその製造方法 |
| CN109722007A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-05-07 | 江汉大学 | 一种磁场作用下导电高分子复合材料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP22102691A patent/JPH0539596A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045923B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-05-16 | Nidec Corporation | Magnetizing method and permanent magnet magnetized thereby |
| JP2006169543A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Japan Carlit Co Ltd:The | 導電用高耐食材料及びその製造方法 |
| CN109722007A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-05-07 | 江汉大学 | 一种磁场作用下导电高分子复合材料及其制备方法 |
| CN109722007B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-08-31 | 江汉大学 | 一种磁场作用下导电高分子复合材料及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |