JPH0537491Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0537491Y2 JPH0537491Y2 JP16714288U JP16714288U JPH0537491Y2 JP H0537491 Y2 JPH0537491 Y2 JP H0537491Y2 JP 16714288 U JP16714288 U JP 16714288U JP 16714288 U JP16714288 U JP 16714288U JP H0537491 Y2 JPH0537491 Y2 JP H0537491Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- sheet
- material layer
- brazing material
- core plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 41
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc Chemical compound [Al].[Zn] FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- -1 or the like Chemical compound 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001174 tin-lead alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は電気機器、電子機器に装備される電気
素子、電子デバイス等を実装する実装基板に関す
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] The present invention relates to a mounting board on which electrical elements, electronic devices, etc. installed in electrical equipment and electronic equipment are mounted.
［従来の技術］
電気機器、電子機器に装備される電気素子、電
子デバイス等を実装する実装基板の分野では、従
来より、樹脂系基板、セラミツクス系基板、金属
系基板が提供されている。なかでも、金属系基板
は、電磁シールド性、放熱性に優れているので、
近年盛んに開発されつつある。[Prior Art] In the field of mounting substrates for mounting electrical elements, electronic devices, etc. installed in electrical equipment and electronic equipment, resin-based substrates, ceramic-based substrates, and metal-based substrates have been conventionally provided. Among these, metal-based substrates have excellent electromagnetic shielding properties and heat dissipation properties, so
It has been actively developed in recent years.
金属系基板においては、従来より、銅シート
と、銅シートの上に半田層を介して実装されたセ
ラミツクス板と、セラミツクス板の上に積層され
た銅ヒートシンクと、銅ヒートシンクの上に実装
されたパワートランジスタとを備えた構造のもの
が提供されている。しかしこのものでは、比重が
重くかつ価格が高い銅を採用しているので、軽量
化、価格の低減の面で不利である。 Conventionally, metal-based boards include a copper sheet, a ceramic board mounted on the copper sheet via a solder layer, a copper heat sink laminated on the ceramic board, and a ceramic board mounted on the copper heat sink. A structure including a power transistor is provided. However, this product uses copper, which has a heavy specific gravity and is expensive, so it is disadvantageous in terms of weight reduction and price reduction.
また、銅箔を樹脂製の接着層を介して接合した
アルミニウムシートと、銅ヒートシンクが半田付
けされ、その上にトランジスタが半田付けされた
構造のものも提供されている。しかし、このもの
では、アルミニウムシートを採用しているので、
銅の場合に比較して軽量化、価格の面で有利であ
るものの、樹脂製の接着層がアルミニウムシート
に積層されているので、高温度での半田付けがで
きず、また、スズ−鉛系合金である半田層を採用
しているので、熱によるストレスが作用すると半
田層に剥離が生じ、熱疲労の面で問題があつた。
更に樹脂層があるため熱伝導が悪く高容量のトラ
ンジスタを実装するのが困難であつた。 There is also a structure in which a copper heat sink is soldered to an aluminum sheet in which copper foil is bonded via a resin adhesive layer, and a transistor is soldered thereon. However, this one uses an aluminum sheet, so
Although it is advantageous in terms of weight and price compared to copper, the resin adhesive layer is laminated to the aluminum sheet, so it cannot be soldered at high temperatures, and tin-lead type Since the solder layer is made of an alloy, the solder layer peels off when subjected to heat stress, causing problems in terms of thermal fatigue.
Furthermore, the resin layer has poor thermal conductivity, making it difficult to mount high-capacity transistors.
また、ニツケルメツキ層を積層したアルミニウ
ムシートと、ニツケルメツキ層の上に半田層を介
して実装されたセラミツクス板と、セラミツクス
板の上に積層された電気素子とを備えたもの（実
公昭54−38856号公報）も提供されている。しか
しこのものでは、アルミニウム板にニツケルメツ
キ層を積層しなければならず、セラミツクス板を
アルミニウムシートに接合する工程の他に、ニツ
ケルメツキ工程が別途必要であつた。ここで、ニ
ツケルメツキ工程ではメツキ廃液等のため環境汚
染の問題がある。又、この実装基板では、スズ−
鉛系合金である半田層を採用しているので、前述
同様に熱疲労の面で問題があつた。 Furthermore, an aluminum sheet with a nickel plating layer laminated thereon, a ceramic board mounted on the nickel plating layer via a solder layer, and an electric element laminated on the ceramic board (Utility Model Publication No. 54-38856) Public bulletins) are also provided. However, in this case, a nickel plating layer had to be laminated on the aluminum plate, and a nickel plating process was required in addition to the process of bonding the ceramic plate to the aluminum sheet. Here, in the nickel plating process, there is a problem of environmental pollution due to the plating waste liquid and the like. In addition, this mounting board uses tin.
Since it uses a solder layer made of a lead-based alloy, there was a problem with thermal fatigue as mentioned above.
［考案が解決しようとする課題］
本考案は上記した従来の実装基板がもつ課題に
鑑み開発されたものであり、上記した従来の実装
基板とは異なる方式であり、圧延で接合されたア
ルミニウム系のクラツドシートを採用した方式の
実装基板を提供することを目的とするものであ
る。[Problems to be solved by the invention] The present invention was developed in view of the above-mentioned problems with the conventional mounting board, and is a method different from the above-mentioned conventional mounting board. The object of the present invention is to provide a mounting board using a clad sheet of this type.
［課題を解決するための手段］
本考案にかかる実装基板は、アルミニウムまた
はアルミニウム系合金からなる芯板と芯板の少な
くとも片面に圧延により圧着接合され芯板よりも
低融点のアルミニウム系合金からなるろう材層と
で形成されたクラツドシートと、クラツドシート
のろう材層の融着によりクラツドシートにろう付
けされたセラミツクス板とで構成されていること
を特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] The mounting board according to the present invention comprises a core plate made of aluminum or an aluminum alloy, and an aluminum alloy having a lower melting point than the core plate, which is crimped and bonded to at least one side of the core plate by rolling. The present invention is characterized in that it is composed of a clad sheet formed with a brazing material layer, and a ceramic plate brazed to the clad sheet by fusing the brazing material layer of the clad sheet.
クラツドシートは、ろう材層となるろう材シー
トを芯板に重ね合せた状態で圧延ロールで圧延す
ることにより圧着接合されたブレージングシート
とも呼ばれる連続シートを、実装基板に適応する
ようにプレスで所定の大きさ、所定の形状に切断
したものを採用できる。圧延は、冷間圧延、温間
圧延、熱間圧延のいずれでもよい。芯板とろう材
層との接合性を考慮すると、温間圧延、熱間圧延
とすることができる。芯板はアルミニウムまたは
アルミニウム系合金からなる。アルミニウム系合
金の組成は、実装基板に要求される強度等を考慮
して必要に応じて適宜選択でき、例えば、溶体化
処理可能な程に合金元素を含むようにすることが
でき、具体的にはアルミニウム−シリコン系、ア
ルミニウム−銅系、アルミニウム−亜鉛系とする
ことができる。芯板の厚みは必要に応じて適宜選
択でき、例えば0.3〜5.0mm特に0.8〜3.0mm程度と
することができる。ろう材層を形成するアルミニ
ウム系合金は、芯板りも低い融点をもち、硬ろう
付けと軟ろう付けとの境界点である450℃以上の
融点でも450℃以下の融点でもよく、具体的には
例えば、アルミニウム−シリコン系、アルミニウ
ム−銅系、アルミニウム−亜鉛系とすることがで
きる。アルミニウム以外のシリコン、銅、亜鉛等
の含有量は、芯板よりも低い融点とすること、ろ
う付け性を確保すること等を考慮して適宜選択で
き、例えば重量％でシリコン6.8〜8.2％とするこ
とができる。ろう材層の厚みは必要に応じて適宜
選択でき、例えば0.05〜0.6mm特に0.1〜0.3mm程度
とすることができる。 A clad sheet is a continuous sheet, also called a brazing sheet, which is made by rolling a brazing material sheet, which will become a brazing material layer, on a core plate and pressing it together by rolling it with a rolling roll. It is possible to use one cut to a predetermined size and shape. The rolling may be cold rolling, warm rolling, or hot rolling. Considering the bondability between the core plate and the brazing material layer, warm rolling or hot rolling can be used. The core plate is made of aluminum or an aluminum alloy. The composition of the aluminum alloy can be selected as necessary, taking into consideration the strength required for the mounting board, for example, it can be made to contain alloying elements to the extent that it can be solution treated. can be aluminum-silicon based, aluminum-copper based, or aluminum-zinc based. The thickness of the core plate can be selected as appropriate, for example, about 0.3 to 5.0 mm, particularly about 0.8 to 3.0 mm. The aluminum alloy that forms the brazing material layer and the core plate also have a low melting point, and may have a melting point above or below 450°C, which is the boundary between hard brazing and soft brazing. can be, for example, aluminum-silicon, aluminum-copper, or aluminum-zinc. The content of silicon, copper, zinc, etc. other than aluminum can be selected as appropriate, taking into consideration the melting point lower than that of the core plate and ensuring brazability. For example, silicon 6.8 to 8.2% by weight is selected. can do. The thickness of the brazing material layer can be selected as appropriate, for example, about 0.05 to 0.6 mm, particularly about 0.1 to 0.3 mm.
セラミツクス板は、パワートランジスタ、サイ
リスタ、CPUチツプ、コンデンサ、抵抗等の電
気素子や電子デバイス等を実装する機能をもつ。
セラミツクス板は、ろう材層を融着することによ
りクラツドシートに保持されている。融着手段に
しては、例えば、炉内に装入してろう付け温度に
加熱する炉内ろう付け手段、ガス炎を部分的に当
ててろう付けするガス手段等を採用できる。ろう
付けの際の雰囲気としては、真空、イナートガ
ス、窒素ガス、水素ガス、解離アンモニアガス、
水素ガス等を必要に応じて採用できる。ろう付け
の際には、例えば、セラミツクス板とクラツドシ
ートとを挟持したり、あるいは、クラツドシート
に載置したセラミツクス板に重りを載せたりし、
これによりセラミツクス板をクラツドシートに所
定の力で押し付けた状態で行なうことができる。
尚、セラミツクス板のろう材層側の面には、タン
グステンやモリブデンなどのメタライズド層、ニ
ツケルメツキ層が積層されていてもよい。 Ceramic boards have the function of mounting electric elements and electronic devices such as power transistors, thyristors, CPU chips, capacitors, and resistors.
The ceramic plate is held to the clad sheet by fusing the brazing material layer. As the fusing means, for example, an in-furnace brazing means that is charged into a furnace and heated to a brazing temperature, a gas means that brazes by partially applying a gas flame, etc. can be employed. The atmosphere during brazing is vacuum, inert gas, nitrogen gas, hydrogen gas, dissociated ammonia gas,
Hydrogen gas etc. can be used as needed. During brazing, for example, the ceramic plate and the cladding sheet are held together, or a weight is placed on the ceramic plate placed on the cladding sheet.
This allows the ceramic plate to be pressed against the cladding sheet with a predetermined force.
Note that a metallized layer of tungsten, molybdenum, or the like, or a nickel plating layer may be laminated on the surface of the ceramic plate on the brazing material layer side.
［実施例］
以下、本考案にかかる実装基板の第１実施例に
ついて説明する。[Example] Hereinafter, a first example of the mounting board according to the present invention will be described.
本実施例で使用するクラツドシート１は、芯板
１０とろう材層１１とを圧延で重ね合せて圧着接
合した連続シートをプレスで所定の大きさ、所定
の形状に切断したものである。この芯板１０はア
ルミニウム系合金からなる。芯板１０を形成する
アルミニウム系合金の組成は、シリコンが0.2〜
0.5％、マグネシウムが0.4〜0.8％、銅が0.15〜0.4
％、不可避の不純物、残部アルミニウムである。
なお芯板１０は、厚みが1.4mm、長さが30mm、幅
が80mm程度である。 The clad sheet 1 used in this embodiment is a continuous sheet in which a core plate 10 and a brazing material layer 11 are rolled and pressed and bonded together, and then cut into a predetermined size and shape using a press. This core plate 10 is made of an aluminum alloy. The composition of the aluminum alloy forming the core plate 10 is silicon in the range of 0.2 to
0.5%, magnesium 0.4-0.8%, copper 0.15-0.4
%, unavoidable impurities, the balance being aluminum.
Note that the core plate 10 has a thickness of about 1.4 mm, a length of about 30 mm, and a width of about 80 mm.
ろう材層１１を形成するアルミニウム系合金
は、芯板１０よりも低い融点をもつ。その融点は
590〜605℃である。このアルミニウム系合金は、
シリコンが９〜11％、不可避の不純物、残部アル
ミニウムである。なおろう材層１１の厚みは0.2
mm程度である。 The aluminum alloy forming the brazing material layer 11 has a lower melting point than the core plate 10. Its melting point is
The temperature is 590-605℃. This aluminum alloy is
Silicon accounts for 9-11%, unavoidable impurities, and the balance is aluminum. The thickness of the wax material layer 11 is 0.2
It is about mm.
セラミツクス板２は、パワートランジスタ、サ
イリスタ、CPUチツプ等の電気素子や電子デバ
イス等を実装する機能をもつ。セラミツクス板２
は、ろう材層１１の融着によりクラツドシート１
の表面側に保持されている。融着は、クラツドシ
ート１とセラミツクス基板２との双方を真空炉内
に装入し、クラツドシート１の上にセラミツクス
板２を載置した状態で、ろう付け温度に５〜10分
間加熱し、フラツクスを用いることなく行なつ
た。第２図は融着部分の模式図を示す。セラミツ
クス板２の材質はアルミナであり、厚み0.625mm、
幅10mm、長さ10mmである。セラミツクス板２に
は、ニツケルメツキのためのタングステン製のメ
タライズド層２０、ろう付けのためのニツケルメ
ツキ層２１が積層されている。 The ceramic board 2 has the function of mounting electrical elements and electronic devices such as power transistors, thyristors, and CPU chips. Ceramics board 2
The clad sheet 1 is formed by fusion of the brazing material layer 11.
is held on the surface side. For fusing, both the clad sheet 1 and the ceramic substrate 2 are placed in a vacuum furnace, and with the ceramic plate 2 placed on the clad sheet 1, they are heated to the brazing temperature for 5 to 10 minutes to melt the flux. It was done without using it. FIG. 2 shows a schematic diagram of the fused portion. The material of the ceramic plate 2 is alumina, and the thickness is 0.625 mm.
It is 10mm wide and 10mm long. A tungsten metallized layer 20 for nickel plating and a nickel plating layer 21 for brazing are laminated on the ceramic plate 2.
本実施例の実装基板では、圧延で連続的に圧着
接合した圧延方式のクラツドシート１を採用して
あり、クラツドシート１の表面の全部にろう材層
１１が積層されている。そのため、実装スペース
があいている限り、セラミツクス板２をクラツド
シート１のうちどの位置に融着させることも可能
となり、したがつてセラミツクス板１の固定位置
の選択の自由度を高めることでき、実装の高密度
化に有利である。 The mounting board of this embodiment employs a rolled clad sheet 1 which is continuously pressure-bonded by rolling, and a brazing material layer 11 is laminated on the entire surface of the clad sheet 1. Therefore, as long as the mounting space is available, it is possible to fuse the ceramic plate 2 to any position on the clad sheet 1. Therefore, the degree of freedom in selecting the fixing position of the ceramic plate 1 can be increased, and the mounting It is advantageous for high density.
更に本実施例の実装基板では、圧延で連続的に
圧着接合した圧延方式のクラツドシート１を採用
しているので、芯板１０とろう材層１１との接合
部分の接合強度がクラツドシート１の全面にわた
り平均化し、従つて品質が安定し、しかもクラツ
ドシート１は連続的に圧延して形成されるので、
クラツドシート１の価格の低減化、多量生産に有
利である。 Furthermore, since the mounting board of this embodiment uses a rolled clad sheet 1 that is continuously pressure-bonded by rolling, the bonding strength of the joint between the core plate 10 and the brazing material layer 11 is maintained over the entire surface of the clad sheet 1. The cladding sheet 1 is formed by continuous rolling.
This is advantageous for reducing the price of the clad sheet 1 and for mass production.
加えて本実施例の実装基板では、ろう材層１１
の融点は590〜605℃であるので、クラツドシート
１の強度を増加させたいとき等には、ろう材層１
１を溶かすことなくクラツドシート１を溶体化温
度範囲に加熱することも可能である。この点、半
田が溶けてしまうので溶体化処理が不能な従来の
半田層を設けていた実装基板とは異なる。 In addition, in the mounting board of this embodiment, the brazing material layer 11
The melting point of the brazing material layer 1 is 590 to 605°C, so when you want to increase the strength of the cladding sheet 1,
It is also possible to heat the clad sheet 1 to the solution temperature range without melting the cladding sheet 1. In this respect, it is different from conventional mounting boards that have a solder layer, which cannot be subjected to solution treatment because the solder melts.
本考案にかかる実装基板の第２実施例を第３図
に示す。この第２実施例は、前記した第１実施例
の場合と基本的には同じ構成である。但し、この
実装基板は両面実装タイプであり、芯板１０の両
面側にろう材層１１が積層されており、従つて、
セラミツクス板２は芯板１０の表面側と裏面側と
の双方に融着保持されている。更に、芯板１０の
表面側と裏面側の双方にろう材層１１が積層され
ているので、表側のろう材層１１にセラミツクス
板２を融着させると共に、裏側のろう材層１１に
トーチのガス炎を当てて局部的に溶かし、これに
より裏側のろう材層１１を電気機器等のハウジン
グに直接に融着させることもできる。 A second embodiment of the mounting board according to the present invention is shown in FIG. This second embodiment has basically the same configuration as the first embodiment described above. However, this mounting board is a double-sided mounting type, and brazing material layers 11 are laminated on both sides of the core plate 10.
The ceramic plate 2 is fused and held on both the front side and the back side of the core plate 10. Furthermore, since the brazing material layer 11 is laminated on both the front side and the back side of the core plate 10, the ceramic plate 2 is fused to the brazing material layer 11 on the front side, and the torch is attached to the brazing material layer 11 on the back side. It is also possible to apply a gas flame to locally melt the material, thereby allowing the brazing material layer 11 on the back side to be directly fused to the housing of an electrical device or the like.
本考案にかかる実装基板の第３実施例を第４図
に示す。この第３実施例は、前記した第１実施例
の場合と基本的には同じ構成である。但し、芯板
１０の表面側および裏面側の双方にろう材層１１
が積層されており、さらに、表面側のろう材層１
１にはセラミツクス板２がろう付けされて保持さ
れており、裏面側のろう材層１１には補強部材３
がろう付けされて保持されている。補強部材３は
棒状、板状、枠状とすることができる。したがつ
て、セラミツクス板２に実装された電気素子、電
子デバイス等の発熱の影響でクラツドシート１が
熱変形で反ることを防止するのに有利であるばか
りか、補強部材３が放熱フインとして機能する効
果をも期待することができる。なお、クラツドシ
ート１の裏面全体にろう材層１１が積層されてい
るので、補強部材３をクラツドシート１のどの位
置でもろう付けができ、従つて最も反りやすい部
位にろう付けができる。 A third embodiment of the mounting board according to the present invention is shown in FIG. This third embodiment has basically the same configuration as the first embodiment described above. However, there is a brazing material layer 11 on both the front side and the back side of the core plate 10.
are laminated, and furthermore, a brazing material layer 1 on the surface side
A ceramic plate 2 is brazed and held on the ceramic plate 1, and a reinforcing member 3 is attached to the brazing material layer 11 on the back side.
is held in place by brazing. The reinforcing member 3 can be shaped like a rod, a plate, or a frame. Therefore, not only is it advantageous to prevent the cladding sheet 1 from warping due to thermal deformation due to the influence of heat generated by electric elements, electronic devices, etc. mounted on the ceramic board 2, but also the reinforcing member 3 functions as a heat dissipation fin. You can also expect the effect of Since the brazing material layer 11 is laminated on the entire back surface of the cladding sheet 1, the reinforcing member 3 can be brazed at any position on the cladding sheet 1, and therefore can be brazed at the part most likely to warp.
本考案にかかる実装基板の第４実施例を第５図
に示す。この第４実施例は、前期した第１実施例
の場合と基本的には同じ構成である。但しクラツ
ドシート１は箱形状をなしており、セラミツクス
板２を保持した実装基板としての機能の他に、電
気機器、電子機器の外箱であるハウジングとして
の機能を兼すものである。従つてクラツドシート
１は、ハウジングを兼用できるように、ある程度
の肉厚、強度が必要である。 A fourth embodiment of the mounting board according to the present invention is shown in FIG. This fourth embodiment has basically the same configuration as the first embodiment described above. However, the clad sheet 1 is box-shaped, and in addition to functioning as a mounting board holding the ceramic board 2, it also functions as a housing, which is an outer box for electrical and electronic equipment. Therefore, the clad sheet 1 needs to have a certain degree of thickness and strength so that it can also be used as a housing.
［考案の効果］
本考案によれば、従来の実装基板とは異なる、
圧延で圧着接合されたアルミニウム系のクラツド
シートを採用した方式の実装基板を提供すること
ができる。[Advantages of the Invention] According to the present invention, unlike conventional mounting boards,
It is possible to provide a mounting board using an aluminum-based clad sheet that is pressure-bonded by rolling.
更に本考案では、従来の実装基板とは異なり、
セラミツクス板を固定するにあたりスズ−鉛系合
金である半田層を用いないので、熱疲労性の低下
の防止に有利である。 Furthermore, in this invention, unlike conventional mounting boards,
Since a solder layer made of a tin-lead alloy is not used to fix the ceramic plate, it is advantageous in preventing deterioration of thermal fatigue properties.
アルミニウム系のクラツドシート方式を採用し
た本考案では、銅シートを採用した従来の実装基
板に比較して軽量化、価格の低減の面で有利であ
る。更に樹脂製の接着層がアルミニウムシートに
積層された方式の従来の実装基板に比較して、樹
脂製の接着層が存在していないので、ろう付け温
度が高温度でも支障がない。またニツケルメツキ
層を積層した方式の従来の実装基板に比較して、
環境汚染の問題があるニツケルメツキ工程を不要
ならしめ得る。 The present invention, which uses an aluminum-based clad sheet method, is advantageous in terms of weight reduction and cost reduction compared to conventional mounting boards that use copper sheets. Furthermore, compared to conventional mounting boards in which a resin adhesive layer is laminated on an aluminum sheet, there is no resin adhesive layer, so there is no problem even at high brazing temperatures. In addition, compared to conventional mounting boards that use stacked nickel plating layers,
The nickel plating process, which has the problem of environmental pollution, can be made unnecessary.
又、本考案によればクラツドシートは圧延で長
さ方向へ引きのばされるので、芯板とろう材層と
の間の酸化膜等を回避できない場合であつても、
その酸化膜も引きのばされるので、単位面積あた
りの酸化膜を減少させ得、よつてろう付けの際に
おいて、酸化膜に起因するピンホールの除去に有
利である。 Furthermore, according to the present invention, the clad sheet is stretched in the length direction by rolling, so even if it is impossible to avoid an oxide film between the core plate and the brazing metal layer,
Since the oxide film is also stretched, the oxide film per unit area can be reduced, which is advantageous in removing pinholes caused by the oxide film during brazing.
第１図および第２図は本考案の第１実施例を示
し、第１図は断面図、第２図は半田層とセラミツ
クス板との結合部分を模式的に示す断面図であ
る。第３図は本考案の第２実施例を示す断面図で
ある。第４図は本考案の第３実施例を示す断面図
である。第５図は本考案の第４実施例を示す断面
図である。
図中、１はクラツドシート、１０は芯板、１１
はろう材層、２はセラミツクス板をそれぞれ示
す。
1 and 2 show a first embodiment of the present invention, with FIG. 1 being a sectional view and FIG. 2 being a sectional view schematically showing a joint portion between a solder layer and a ceramic plate. FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a clad sheet, 10 is a core plate, 11
2 indicates a brazing material layer, and 2 indicates a ceramic plate.
Claims (1)
る芯板と前記芯板の少なくとも片面に圧延により
圧着接合され前記芯板よりも低融点のアルミニウ
ム系合金からなるろう材層とで形成されたクラツ
ドシートと、 前記クラツドシートの前記ろう材層の融着によ
り前記クラツドシートにろう付けされたセラミツ
クス板とで構成されていることを特徴とする実装
基板。[Claims for Utility Model Registration] A core plate made of aluminum or an aluminum-based alloy, and a brazing material layer made of an aluminum-based alloy having a lower melting point than the core plate, which is crimped and bonded to at least one side of the core plate by rolling. 1. A mounting board comprising: a clad sheet; and a ceramic plate brazed to the clad sheet by fusing the brazing material layer of the clad sheet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16714288U JPH0537491Y2 (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16714288U JPH0537491Y2 (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286194U JPH0286194U (en) | 1990-07-09 |
| JPH0537491Y2 true JPH0537491Y2 (en) | 1993-09-22 |
Family
ID=31455171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16714288U Expired - Lifetime JPH0537491Y2 (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537491Y2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086747A (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | Insulation circuit board, its manufacturing method and semiconductor power element using the same |
| JP2012117110A (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Showa Denko Kk | Method for producing aluminum brazing product |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP16714288U patent/JPH0537491Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0286194U (en) | 1990-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4756200B2 (en) | Metal ceramic circuit board | |
| CN110383468B (en) | Substrate with radiating fin for power module | |
| EP3057125B1 (en) | Substrate for heat sink-equipped power module, and production method for same | |
| JP3226213B2 (en) | Solder material and electronic component using the same | |
| US20150055302A1 (en) | Power module substrate with heatsink, power module substrate with cooler and power module | |
| EP0132849A2 (en) | Clad metal lead frame substrates | |
| US6085833A (en) | Heat sink | |
| JP2004115337A (en) | Aluminum-ceramic bonded body | |
| JPS6252464B2 (en) | ||
| JPS61154764A (en) | Method of combining metal with structural member and combining material | |
| US20070012477A1 (en) | Electronic component package including joint material having higher heat conductivity | |
| US3780795A (en) | Multilayer heat sink | |
| US5796049A (en) | Electronics mounting plate with heat exchanger and method for manufacturing same | |
| JP3505950B2 (en) | Heat sink plate | |
| JPH0537491Y2 (en) | ||
| JPH09234826A (en) | Metal-ceramic composite base plate and manufacture thereof | |
| JPH11154776A (en) | Board | |
| JP2004500692A5 (en) | ||
| JP2503778B2 (en) | Substrate for semiconductor device | |
| JP2001118970A (en) | Joined body of ceramic layer and metal conductor layer | |
| JP2503779B2 (en) | Substrate for semiconductor device | |
| JPS59169694A (en) | Solder and joining method thereof | |
| JP2503775B2 (en) | Substrate for semiconductor device | |
| JP4461268B2 (en) | Semiconductor device component, manufacturing method thereof, and semiconductor device using the same | |
| JP5691580B2 (en) | Manufacturing apparatus and manufacturing method for power module substrate |